JP2523677B2 - 低熱膨張リ―ドフレ―ム材料 - Google Patents
低熱膨張リ―ドフレ―ム材料Info
- Publication number
- JP2523677B2 JP2523677B2 JP62218385A JP21838587A JP2523677B2 JP 2523677 B2 JP2523677 B2 JP 2523677B2 JP 62218385 A JP62218385 A JP 62218385A JP 21838587 A JP21838587 A JP 21838587A JP 2523677 B2 JP2523677 B2 JP 2523677B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal expansion
- lead frame
- low thermal
- frame material
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体パッケージ用のAlN、SiC等低熱膨張
セラミックス製基板にろう付される低熱膨張リードフレ
ーム材料に関するものである。
セラミックス製基板にろう付される低熱膨張リードフレ
ーム材料に関するものである。
従来、半導体パッケージ用セラミックス製基板には、
主にアルミナが使用されており、そのリードフレーム材
料には、Fe-17Co-29Ni合金やFe-42Ni合金などのオース
テナイト単相合金が使われている。
主にアルミナが使用されており、そのリードフレーム材
料には、Fe-17Co-29Ni合金やFe-42Ni合金などのオース
テナイト単相合金が使われている。
最近ICの高集積化、大型化にともない、高熱伝導、低
熱膨張のSiCやAlNなどの新しいセラミックスがアルミナ
に替わる基板材料として検討されている。ところで、こ
れらの新しい低熱膨張の基板材料に従来のFe-17Co-29Ni
合金やFe-42Ni合金製のリードフレームをろう付する
と、リードフレーム材料の熱膨張係数が大きすぎるため
に、セラミックス製の基板が割れるという問題がある。
熱膨張のSiCやAlNなどの新しいセラミックスがアルミナ
に替わる基板材料として検討されている。ところで、こ
れらの新しい低熱膨張の基板材料に従来のFe-17Co-29Ni
合金やFe-42Ni合金製のリードフレームをろう付する
と、リードフレーム材料の熱膨張係数が大きすぎるため
に、セラミックス製の基板が割れるという問題がある。
本発明の目的は、このような点に鑑み、AlN、SiC等の
低熱膨張セラミックス製基板とろう付が可能な低熱膨張
リードフレーム材料を提供することである。
低熱膨張セラミックス製基板とろう付が可能な低熱膨張
リードフレーム材料を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、重量％にてNi 5〜25％、Co 10〜55％〔た
だし、25％≦（Ni＋Co）％≦65％〕、Si 1.0％以下、Mn
2.0％以下を含み、残部は不純物を除き、本質的にFeよ
りなり、900℃から室温まで冷却する過程で面心立方晶
γから体心立方晶αに変態し、冷却過程における800℃
から30℃までの平均熱膨張係数が９×10-6／℃以下であ
ることを特徴とする低熱膨張リードフレーム材料であ
る。
だし、25％≦（Ni＋Co）％≦65％〕、Si 1.0％以下、Mn
2.0％以下を含み、残部は不純物を除き、本質的にFeよ
りなり、900℃から室温まで冷却する過程で面心立方晶
γから体心立方晶αに変態し、冷却過程における800℃
から30℃までの平均熱膨張係数が９×10-6／℃以下であ
ることを特徴とする低熱膨張リードフレーム材料であ
る。
本発明において、オーステナイト生成元素であるNiは
γ相を生成するのに最低５％必要であるが、25％を越え
ると室温までγ単相になり、γ→α変態が生じなくなる
ので25％以下に限定する。Coは10％より少ないとマルテ
ンサイト変態を生じて、冷却中に急激な熱膨張を生じや
すくなり、55％を越えると熱膨張係数が増加するので10
〜55％に限定する。Ni＋Coは25％未満では耐食性が悪
く、また65％以上では、γ→α変態を生じにくくするの
で25〜65％に限定する。
γ相を生成するのに最低５％必要であるが、25％を越え
ると室温までγ単相になり、γ→α変態が生じなくなる
ので25％以下に限定する。Coは10％より少ないとマルテ
ンサイト変態を生じて、冷却中に急激な熱膨張を生じや
すくなり、55％を越えると熱膨張係数が増加するので10
〜55％に限定する。Ni＋Coは25％未満では耐食性が悪
く、また65％以上では、γ→α変態を生じにくくするの
で25〜65％に限定する。
Siは脱酸剤であるが、1.0％を越えると加工性が劣化
するので1.0％以下に限定する。
するので1.0％以下に限定する。
Mnも脱酸剤であるが、2.0％を越えると熱膨張係数を
増加させるので2.0％以下に限定する。
増加させるので2.0％以下に限定する。
以下、本発明を実施例により説明する。
第１表に示す組成の合金を真空高周波溶解炉にて溶解
し、5mm厚さに1150℃で鍛伸した後焼鈍し熱膨張係数を
測定した。
し、5mm厚さに1150℃で鍛伸した後焼鈍し熱膨張係数を
測定した。
なお、第１表に示す熱膨張係数は、常温より５℃/min
で昇温、900℃で５分間保持後、５℃/minで降温という
熱サイクルのもとで、降温過程での800℃から30℃の間
の平均熱膨張係数α800-30を測定した。
で昇温、900℃で５分間保持後、５℃/minで降温という
熱サイクルのもとで、降温過程での800℃から30℃の間
の平均熱膨張係数α800-30を測定した。
この第１表から明らかなように、Fe-17Co-29Ni合金
（No.31）あるいはFe-42Ni合金（No.32）等の従来材
は、熱膨張係数α800-30が10×10-6／℃以上であるのに
対し、本発明合金は800-30が９×10-6／℃以下であるこ
とがわかる。
（No.31）あるいはFe-42Ni合金（No.32）等の従来材
は、熱膨張係数α800-30が10×10-6／℃以上であるのに
対し、本発明合金は800-30が９×10-6／℃以下であるこ
とがわかる。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は降温過程における800
℃から30℃までの平均熱膨張係数が９×10-6／℃以下の
リードフレーム材を提供するものであり、AlN、SiC等の
低熱膨張のセラミックス製基板とのろう付性が大きく改
善されることから、工業上顕著な効果を有するものであ
る。
℃から30℃までの平均熱膨張係数が９×10-6／℃以下の
リードフレーム材を提供するものであり、AlN、SiC等の
低熱膨張のセラミックス製基板とのろう付性が大きく改
善されることから、工業上顕著な効果を有するものであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】重量％にてNi 5〜25％、Co 10〜55％〔た
だし、25％≦（Ni＋Co）％≦65％〕、Si 1.0％以下、Mn
2.0％以下を含み、残部は不純物を除き、本質的にFeよ
りなり、900℃から室温まで冷却する過程で面心立方晶
から体心立方晶に変態し、冷却過程における800℃から3
0℃までの平均熱膨張係数が９×10-6／℃以下であるこ
とを特徴とする低熱膨張リードフレーム材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62218385A JP2523677B2 (ja) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | 低熱膨張リ―ドフレ―ム材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62218385A JP2523677B2 (ja) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | 低熱膨張リ―ドフレ―ム材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6461042A JPS6461042A (en) | 1989-03-08 |
| JP2523677B2 true JP2523677B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=16719076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62218385A Expired - Lifetime JP2523677B2 (ja) | 1987-09-01 | 1987-09-01 | 低熱膨張リ―ドフレ―ム材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523677B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0625395B2 (ja) * | 1989-06-26 | 1994-04-06 | 日立金属株式会社 | 高強度リードフレーム材料およびその製造方法 |
| US5246511A (en) * | 1990-05-14 | 1993-09-21 | Hitachi Metals, Ltd. | High-strength lead frame material and method of producing same |
| JPH0471262A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Kyocera Corp | リード付き電子部品 |
-
1987
- 1987-09-01 JP JP62218385A patent/JP2523677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6461042A (en) | 1989-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2523677B2 (ja) | 低熱膨張リ―ドフレ―ム材料 | |
| JPS6321737B2 (ja) | ||
| JP2003138334A (ja) | 高温耐酸化性及び高温延性に優れたＮｉ基合金 | |
| JP2991557B2 (ja) | Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金焼結体 | |
| JP2022143790A (ja) | 低熱膨張合金 | |
| JPH0627301B2 (ja) | セラミック接合用の高強度低熱膨張合金 | |
| JPS6216750B2 (ja) | ||
| JP3480698B2 (ja) | 高温における強度−延性バランスに優れるＣｒ基合金 | |
| JP2724418B2 (ja) | Ａｇろう流れ性のすぐれた高強度封着合金及びその製造方法 | |
| JPH0118978B2 (ja) | ||
| JP2914129B2 (ja) | 低熱膨張合金及びその製造方法 | |
| JPH07316699A (ja) | 高硬度および高強度を有する耐食性窒化物分散型Ｎｉ基合金 | |
| JPS6224893A (ja) | ぬれ性の良好な低融点Ｃｕ−Ａｇ系合金ろう材 | |
| JPH0672290B2 (ja) | 高強度低熱膨張性合金 | |
| JPH02101144A (ja) | 低熱膨張封止合金 | |
| JPH0598397A (ja) | 高温耐食性に優れたＦｅ基耐熱合金 | |
| JPS6227550A (ja) | ガラス封着用合金 | |
| JPS6157379B2 (ja) | ||
| Shimozaki et al. | Reactive diffusion between ultra high purity iron and silicon wafer | |
| JPS6396246A (ja) | 耐Ａｇろう割れ性のすぐれたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系封着合金 | |
| JPH03211256A (ja) | 耐Ａｇろう割れ性のすぐれたＦｅ‐Ｎｉ‐Ｃｏ系封着合金 | |
| JPH0243345A (ja) | 半導体装置用リードフレーム材 | |
| JPS6247457A (ja) | 低熱膨張合金 | |
| JPS6240335A (ja) | リ−ドフレ−ム材用銅合金 | |
| JPH04341533A (ja) | 超耐熱性スキッドボタン |