JPS60111248A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、感光体に関し、更に詳しくはテトラキスアゾ
化合物を含有する新規な電子写真感光体に関する。

（従来技術） 従来、感光体においては、セレン、酸化亜鉛、酸化カド
ミウム等の無機導電体を主成分とする感光層を有するも
のが広範に用いられていた。しかし、これらは感度、耐
熱性、あるいは耐刷性等において必らずしも十分満足す
るものではなかった。

これに対して、近年有機光導性化合物を主成分とする感
光層を有する電子写真感光体が注目を集めている。これ
らは製造が比較的容易であり、製造コストも低く、円筒
ドラム、シート状、いずれの形体にも用いることができ
、取り扱いも容易でかつ、耐熱性にすぐれているなど多
くの利点な有している。しかしながら、例えばすでに実
用化されているポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールと２．４
．７−ドリニトロー９−フルオレノ等のルイス酸とから
形成される電荷移動錯体を主成分とする感光層を有する
電子写真感光体においては、感度および耐刷性について
必らずしも満足できる結果ｙ￥：得ることかできていな
い。

しかしながら、光導電性機能の面からキャリア発生機能
と午ヤリア輸送機能とをそれぞれ別個の物質に分担され
るようにした積層型あるいは分散型の機能分ｍ型電子写
真感光体が発明されたことにより、種々の利点が生まれ
た。このような機能分離型電子写真感光体は各々の物質
の選択範囲が広（、帯電特性、感度、残留電位等の電子
写真特性および耐刷性において高性能が比較的達成が容
易で、また任意の特性を有する電子写真感光体を作成し
やすいという利点を持っている。

このような利点を持つ機能分離型電子写真感光体におい
てキャリア発生を主として分担するキャリア発生物質と
しては、種々の無機・有機物が提案されている。無機物
質としては無定形セレンから形成される中ヤリア発生層
がよ（知られているが、これは高温条件下で結晶化し性
能が劣化するという火点を持っている。また、有機物質
としては光導電性有機染料・顔料のうち、特にキャリア
発生物質として用いることが種々提案されており、例え
ば特開昭４７−３７５４３号公報、特開昭５３−９５０
３３号公報、特開昭５３−１３２３４７号公報、特開昭
５！Ｓ　−６９１４８号公報、特開昭５６−１１６０４
０号公報、特開昭５７−２０００４５号公報明細書記載
等のアゾ化合物がすでに公知である。しかし、これらの
アゾ化合物は、感託、残留電位、あるいは繰り返し使用
した時の安定性等の特性において、必らずしも満足し得
るものではない。また、キャリア輸送物質の選択範囲も
限定されるなど、電子写真プロセスの幅広い要求を充分
圧満足させるものが得られていないのが実状である。

さらに近年、感光体＼の光源としてにレーザー、Ｈ・−
Ｎｅレーザー等の気体レーザーや、半導体レーザーが使
用され始めている。これらのレーザーは時系列で０Ｎ１
０Ｆ’Ｆが可能であり、高速で高解像記録を行なうこと
ができ、かつ記録様式の多様化か可能であるなどインテ
リジェノトコビアをはじめとする画像処理機能を有する
複写機やコンビニ−ターのアウトプット用のプリンター
の光源として特に有望視されている。中でも半導体レー
ザーは。

その性質上音響光学素子等の電気信号／光信号の変換素
子が不要であることや、装置の小型・軽量化が可能であ
ることなどから注目を集めている。

しかし、この半導体レーザーは気体レーザーに比較して
低出力であり、また、発振波長も長波長（約７８０ｎｍ
以上）であるため、従来の感光体では分光感度が短波長
側により過ぎており、半導体レーザーを光源とする感光
体としての使用は不可能である。

（発明の目的） 本発明の目的は、熱および゛光＼に対して安定で、かつ
キャリア発生能に優れたテトラキスアゾ化合物を含有す
る電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、高感度にして残留電位が小さく、
かつ繰り返し使用してもそれらの特性が変化しない耐久
性のすぐれた電子写真感光体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、広範なキャリア輸送物質との
組み合わせにおいても有効にキャリア発生物質として作
用し得るテトラキスアゾ化合物乞含有する電子写真感光
体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、半導体レーザー等の長波長光
源に対しても十分の実用感度を有する感光体を提供する
ことにある。

（発明の梠成） 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研究の結果
、下記一般式〔■〕で示されるテトラキスアゾ化合物が
感光体の有効成分として働き得るこ一般式〔■〕 炭素数１〜４のアルキル基（飽和・不飽和のものな含む
。例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ａ−ブ
チル基、ビニル基等）、炭素数１〜４のアルコキシ基（
飽和・不飽和のものを含む。

例えばエトキシ基、エトキシ基、１ｅａ−プロポキシ基
、ｎ−ブトキシ基、ビニルオキシ基等）を表わす。

好ましくは水素原子を表わす。

鳥 で Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・
不飽和のものを含む、例えばメチル基、エチル基、１■
０−プロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）、フェニ
ル基、アラルキル基（例えばベンジル基、フェネチル基
等）を表わす。

好ましくは水素原子、炭素数１〜４０アルキ、ル基（飽
和・不飽和のものを含む。例えばメチル基、１ｓｏ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ビニル基等）７表わし、更に
好ましくは水素原子を表わす。

Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基（飽和・不
飽和を含み、具体例は丸に同上）、アラルキル基（例は
、Ｒ４に同上）、芳香族炭素環基（例えば、フェニル基
、ナフチル基、アンスリル基等）または芳香族複素環基
（例えば、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基等）を表
わす。

好ましくは芳香族炭素環基（例は同上）、芳香族複素環
基、（例は同上）、を表わし、更に好ましくは芳香族炭
素環基（例は同上）’ｖ表わす。

２は芳香族炭素環、芳香族複素環な形成するに必要な原
子群であって具琳的には、例えばベンゼン環、ナフタレ
ン環、インドール環、ベンゾフラン環、カルバゾール環
等を形成する原子群を表わすがこの限りではない。

鳥は水素原子、炭素数１〜４の低級アルキル基（例はｓ
　Ｒ４に同上）、アミノ基（例えば、アミノ基、メチル
アミノ基、アニリノ基等）、カルボキシ基、そのエステ
ル基（例えば、エトキシカルボニル基、ベンゾイルカル
ボニル基等）、カルバモイル基（例えば、Ｎ−メチルカ
ルバモイル基、Ｎ−フェニルカルバモイル基等）、シア
ノ基テアリ、好ましくは水素原子、炭素原子１−４のア
ルキル基（例は、Ｒ４に同じ）、シアノ基である。

島は芳香族炭素環基であり、好ましくはフェニル基であ
る。

Ｒ８は炭素数１〜４のアルキル基（例は、Ｒ４に同上）
、アラル午ル基（例は、瓜に同上）、または芳香族炭素
環基（例は、Ｒ５に同じ）であり、好ましくは炭素数１
〜４のアルキル基（例は前記同上）、芳香族炭素環基（
例は前記同上）である。

これらＸａ　ｒ　Ｘｔ　＋　Ｘｓ　、Ｘａ　ｒ　Ｒｔ　
ｓ　Ｒｔ　ｒ　Ｒｓ　＋　Ｒ４＋　１％　＊　ＺＫ挙げ
た一連の基もし、くは環は上記の無置換のもの以外に、
次に示すような置換基を有してもよい。

即ち、例えば炭素数１〜４のアルギル基（飽和伽不飽和
のもの乞含む。例は、Ｒ２に述べたものに同じ）、ハロ
ゲン原子（塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子）
、炭素数１〜４のアルコキシ基（飽和・不飽和のものを
含む。例えば、メトキシ基、エトキシ基ｓ　ｉｓｏ　−
プロポキシ基、　５ｅｃ−ブトキシ基、ビニルオキシ基
等）、ヒドロキシ基、アシルオキシ基（例えば、フェノ
キシ基、ナツトキシ基等）、アシルオキシ基（例えば、
アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、カルボキ
シ基、そのエステル基（例−えば、エトキシカルボニル
基、フェノキシカルボニル基等）、カルバモイル、１（
例えば、Ｎ−メチルカルバモイル＆、Ｎ−フェニルカル
バ千イル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、ベン
ゾイル基等）、スルホ基、スルファモイル基Ｃ例えば、
Ｎ−エチルスルファモイル基、Ｎ−す７チルスル７アモ
イル＆等）　、アミノ基（例えば、アミノ基、ジメチル
アミノ基、アニリノ基等）　、アシルアミノ基（例えば
、アセチルア之７基、ベンゾイルアミノ基等）、スルホ
ンアミド基（例えば、メタンスルホンアミド基、ベンゼ
ンスルホンアミド基ｅ）シアノ基、ニトロ基、芳香族炭
素環基（例えば、フェニル基、ナフチルのアルキル基（
例は前記に同上）、ハロゲン原子（例は前記に同上）、
炭素数１〜４のアルコキシ基（例は前記に同じ）、シア
／基、ニトロ基である。

以上に挙げた一連の置換基は、更にまた上記に挙げた一
連の基の如き置換基によつ′〔置換されてもよい。

すなわち、本発明においては前記一般式ＣＩ）で示され
るテトラキスアゾ化合物を電子写真感光体の感光層を構
成する光導電性物質として用いること罠より、または本
発明のテトラキスアゾ化合物の優れたキャリア発生能の
みを利用し、これをキャリアの発生と輸送とをそれぞれ
別個の物質で行な５機能分離型電子写真感光体のキャリ
ア晃生物質として用いることにより、熱光等に竪牢で安
定した特性を持ち、帯電特性、感度、残留電位等の電子
写真特性や耐刷性に優れ、かつ、長波長光源に対し充分
な感度な持つ電子写真感光体を作成することができる。

（発明の構成） 前記一般式ＣＩ）で示される本発明に有用なテトラキス
アゾ化合物としては、例えば次の構造式を有するものが
挙げられるが、これによって本発明のテトラキスアゾ化
合物が限定されるものではな以上の如きテトラキスアゾ
化合物は、公知の方法により容易に合成することができ
る。

合成例１（例示化合物（Ａ　−１）の合成）Ｊ、　Ｍａ
ｄ、　Ｐｈａｒｍ、　Ｃｈｅｍ、　１．１９７　＝　２
１１　（１９５９）記載ノ方法に従い合成した４、４′
−ジニトロジフェニルアミンと１．４−ジョードベンゼ
ントヲ二トロベンゼン中、銅粉と炭酸カリウム存在下圧
縮合して、Ｎ、Ｎ、Ｎ’；Ｎ／−テトラキス（Ｐ−ニト
ロフェニル）−１，４−７エニレンジアミンヲ得り。

これを常法により鉄と塩酸でＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミド中還元してＮ、Ｎ、ＮつＮ′−テトラキス（ｐ−ア
ミノフェニル）−１，４−フェニレンジアミンを得た。

口５して得たＮ、Ｎ、Ｎ′、Ｎ′−テトラキス（シーア
ミノフェニル）−１，４−７エニレンジアミン４．７１
　（０，０１モル）を１００ｄの６Ｎ塩酸に分散し、攪
拌下θ〜５℃に保持しつつ３．ＯＮ　（０，０４４モル
）の亜硝酸ソーダを２０ａｊの水圧溶かした水溶液を滴
下し、その後同温度で１時間攪拌を続けた。その後３．
０ＩＩの尿素を加えて未反応の亜硝酸ソーダを分解せし
めた後少量の残渣を濾別し、濾液に４２％のホウ弗化水
素酸３０ｍを加え、析出した沈澱を濾取し、水洗後乾燥
した。得られたオクタゾニウム塩を冷却下のＮ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド１５００１４に溶解した。

この溶液に２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸アニリド（
す７トール＾８）　１０．５１！（０，０４％ル）　ｌ
ｋ　５〜ｌＯ℃の内温下に加え、溶解せしめた後に、予
じめ準備しておいたトリエタノールアミン１１．９１９
（０，０８モル）を７０ｄのＮ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミドに溶かした液を、５〜１０’Ｃの内温を保ちながら
攪拌下に滴下した。

滴下後、同温度にて１時間攪拌した後、室温下３時間攪
拌反応させた。その後析出した沈澱を濾取し、１．５ノ
のＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドで２回、次に１！のア
七トンで１同洗浄し乾燥することによって目的のテトラ
キスアゾ化合物１１．５１　娶得た。

収率　７３％ 融　点　３００℃以上 赤外吸収スペクトルでシ＝１６８０ｃｒＩＬ−’にアミ
ド吸収が現われたことおよび下記元素分析結果から目的
のテトラキスアゾ化合物が合成されたことが確認できた
。

元素分析 計算値　ａ測値 Ｃ（％）　７４．９８　７４．８１ ■（％）　４．３７　４．５４ Ｎ（襲）　１２．４９　１２．５８ 合成例２（例示化合物（ム−３２）の合成）合成例！で
得たＮ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−アミノ７エ
こル）−’１．４−フェニレンジアミン４．７１１（０
，０１モル）を１００　ＩＬｔの６Ｎ塩酸に分散し、攪
拌下０〜５℃に保持しつつａ、ｏｌｉ（０，０４４モル
）の亜硝酸ソーダを２０ａＪの水に溶かした水溶液を滴
下し、その後同温度で１時間攪拌を続けた。その後３．
０　Ｎの尿素を加えて未反応の亜硝酸ソーダを分解せし
めた後少量の残渣を濾別し、濾液［４２％のホウ弗化水
素酸３０ＩＲｔを加え、析出した沈澱を濾取し、水洗後
乾燥した。得られたオクタゾニウム塩を冷却下のＮ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド１５００１１ｊに溶解した。

この溶液に２−ヒドロキシ−３−（２−メチル−４−メ
トキシフ鳳ニルカルバモイル）ベンゾｉ〕カルバゾール
（す７トールＡ８−　ＳＲ）１５．９ｊｌ　（０，０４
モル）を５〜１０℃の内湯下に加え溶解せしめた後に、
予しめ準備しておいた６、５ｊｌ　（０，０８モル）の
酢酸ソーダを７０ＩＩｄの水に溶かした液を５〜ｌＯ℃
の内温を保ちながら攪拌下に滴下した。

滴下後、同温度にて１時間攪拌した後、室温下３時間攪
拌反応させた。その後析出した沈澱を濾取し、１！の水
で２回、次に１ｌｌ）Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドで
２回、次［１４１のア七トンで１回洗浄し乾燥すること
Ｋよって目的のテトラキスアゾ化合物９．５　Ｎを得た
。

収率　４Ｂ％ 融　点　３００℃以上 赤外吸収スペクトルでシ＝１６８０ｃＩＬ−’にアミド
吸収が現われたことおよび下記元素分析結果から目的の
テトラキスアゾ化合物が合成されたことが確認できた。

元素分析 計算値　観測値 Ｃ（％）　７４．２７　７４．０３ Ｈ（％）　４．６０　４．８９ Ｎ（％）　１１．９９　−１１．８５ 前記一般式（Ｉ）で示されるテトラキスアゾ化合物によ
り本発明電子写真感光体の感光層を構成するためには、
当該テトラキスアゾ化合物な結着剤中に分散せしめた層
を導電性支持体上に般ければよい。或いは、当該テトラ
キスアゾ化合物をキャリア発生物質として用い、キャリ
ア輸送能を有するキャリア輸送物質と組み合せ、積層型
若しくは分散型のいわゆる機能分離型感光層な設けても
よい。感光層の構成においては、前記一般式ＣＩ）で示
されるテトラキスアゾ化合物の１種のみでなく２種以上
を組み合せて用いること、他のテトラキスアゾ化合物そ
の他のキャリア発生物質と組み合せて用いる′こともで
きる。

前記Ａで示されるカブ２−成分は適宜選択して本発明電
子写真感光体を機能分離層とする場合における横槍的構
成は、従来知られている構成の何れのものとしてもよ０
゜通常は第１図〜第６図の構成とされる。第１図及び第
３図のものは導電性支持体１上に上述のテトラキスアゾ
化合物を主成分とするキャリア発生層２と、キャリア輸
送物質を主成分として含有するキャリア輸送層３との積
層体より成る感光層４を設けた構成、８２図及び第４図
のものはそれぞれ第１図及びＷｃ３図の構成圧お（−て
導電性支持体ｌと感光層４との間に中間層５を介挿した
構成を有する。このように、感光層４を二層構成とする
場合に最も優れた電子写真特性が得られる。第５図のも
のは、上述のテトラキスアゾ化合物より成るキャリア発
生物質７を、キャリア輸送物質を主成分として含有する
層６中に分散せしめて成る感光層４を導電性支持体ｌ上
に直接設けた構成、第６図のものは、第５図と同様の感
光層４を中間層５を介して導電性支持体ｌ上に設けた構
成である。

前記キャリア輸送物質としては、例えばトリニド０フル
オレノン、テトラニトキフルオレノンなどの電子輸送性
の電子受容性物質、或いは、例えばポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾールに代表されるような複素環化合物Ｖａ鎖に有
する重合体、トリアゾール詳導体、オキサジアゾール誘
導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ボリア
リールアルカン誘導体、）＝ニレンジアミン誘導体、ヒ
ドラゾン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、トリアリ
ールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘
導体などの正孔輸送性の電子供与性物質が挙げられるが
、本発明において用いられるキャリア輸送物質がこれら
に限定されるものではない。

二層構成の感光層を形成する場合におけるキャリア発生
層２は、次の如き方法によって設けることができる。

印　既述のテトラキスアゾ化合物を適当な溶剤に溶解し
た溶液或いはこれに結着剤を加えて混合溶解した溶液を
塗布する方法。

（ロ）　既述のテトラキスアゾ化合物をボールミル、ホ
モミキサーなど罠よって分散媒中で微細粒子とし、必要
に応じて結着剤を加えて混合分散して得られる分散液を
塗布する方法。

キャリア発生層の形成に使用される溶剤或いは分散媒と
しては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレン
ジアミン、インプロパツールアミン、トリエタノールア
ミン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサ
ノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、り四ロホルム、
ｌ、２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒド
ロ７ラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソ
プロパツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスル
ホキシド等を挙げることができる。

キャリア発生層若しくはキャリア輸送層の形成に結着剤
を用いる場合に、当該結着剤としては任意のものを用い
ることができるが、特に疎水性でかつ誘電率が高い電気
絶縁性のフィルム形成性高分子重合体が好ましい。斯か
る重合体としては、例えば次のものを挙げることができ
るが、勿論これらに限定されるものではない。

ａ）ポリカーボネート ｂ）ポリエステル ａ）メタクリル樹脂 ｄン　アクリル樹脂 ｅ）ポリ塩化ビニル ｆ）ポリ塩化ビニリデン ｇ）ポリスチレン ｈ）ポリビニルア上ゲート ｊ）スチレン−ブタジェン共重合体 ｊ）塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体ｋ）塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体 り塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体ｍ
）シリコン樹脂 ｎ）シリコン−アルキ、ド樹脂 ０）　フェノール−ホルムアルデヒド樹脂ｐ）スチレン
−アルキ、ド樹脂 ｑ）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール ｒ）ポリビニルブチラール これらの結着剤は、単独であるいは２種以上の混合物と
して用いることができる。

このようにして形成されるキャリア発生層２の厚さは０
．Ｏ１〜１μｍであることが好ｆしいが、更に好ましく
はＯ，ＯＳ〜５μｍである。また既述のテトラキスアゾ
化合物を分散せしめて感光層若しくはキャリア発生層を
形成する場合罠おいては、当該テトラキスアゾ化合物は
５μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の粒径の粉粒体とさ
れるのが好ましい。

本発明における導電性支持体としては、金属板、金属ド
ラムまたは導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性
化合物若しくはアルミニウム、バラジクム、金等の金属
より成る導電性薄層を、塗布、蒸着、ラミネート等の手
ＲＫより、紙、グラスチ、クフィルム等の基体圧設けて
成るものが用いられる。接着層或いはバリヤ一層等とし
て機能する中間層としては、結着剤として説明したよう
な高分子重合体、ポリビニルアルコール、エチルセルロ
ース、カルボキシメチルセルロースなどの有機高分子物
質または酸化アルミニウムなどより成るものが用いられ
る。

（発明の効果） 本発明の感光体は、以上のような構成であって、前記一
般式〔Ｉ〕で示されるテトラキスアゾ化合物を感光体の
感光層を構成する光導電性物質として用いることにより
、または本発明のテトラキスアゾ化合物の優れたキャリ
ア発生能のみを利用し、これをキャリアの発生と輸送と
をそれぞれ別個の物質で行なう機能分離型電子写真感光
体のキャリア発生物質として用いることＫより熱・光等
において堅牢で安定した特性を発揮し、かつ被膜物性や
帯電特性、感度、残留電位等の電子写真特性および繰り
返し使用した時にも疲労劣化が少なく耐刷性に優れた電
子写真感光体を作成することができる。

また、本発明の電子写真感光体は長波長ｆｔ（〜７８０
ｎｍ　）に対する感度が良好であり、通常の複写機のみ
ならず半導体レーザー等の長波長光源に対しても十分良
好な感度を持つ感光体としてレーザー・プリンター、レ
ーザー・ファクシミリなど電子写真の応用分野に広く用
いることができる（実施例） 本発明の実施例を具体的に説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではＩＬ（１゜ 実施例　ｌ ポリエステ〃のフィルム上にアルミニウム箔をラミネー
トして成る導電性支持体上に塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体「エスレックＭＦ−１０Ｊ　（
積木化学社製）より成る厚さ０．０５μｍの中間層を設
け、その上に例示化合物（Ａ−１）２ｘ１．置部な１，
２−ジクロルエタン１４０重量部に分散混合した液を乾
燥後の膜厚が０．５μｍになるように塗布し、キャリア
発生層を形成した。

次いで、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
＋）　ル）　−５−（＋）−ジエヂルアミノフ、ニル）
ピラノ゛リノ６重量部と、ポリエステル「バイロン２０
０Ｊ（Ｊ［洋紡績社製）１０重量部とを１．２−ジクロ
ルエタン９０重量部中に溶解し、この溶液を乾燥後の膜
厚が１０μｍになるように塗布してキャリア輸送層を形
成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、静電複写紙試験装置「Ｐ
ｓ−４２８型」（川口電気製作新製）を用いてダイナミ
ック方式で電子写真特性を測定した。

前記感光体の感光層表面を帯電圧−６，０ＫＶで５秒間
帯電せしめた時の表面電位ＶＡ、　次いでタングステン
ランプの元を感光体表面における照度が３５１ｕｘＫな
るようにして照射し、表面電位ＶＡを半分に減衰させる
のに要する露光量（半減露光量）Ｅ３Ａ（１ｕｘｓｓｅ
ｃ　）並びに３０１ｕｘ＊ｓｅｃの露光量で露光した後
の表面電位（残留電位）　ＶＲ，をそれぞれめた。

また、同様の測定を１００回繰り返して行なった。

結果は第１表に示す通りである。

第１表 比較例　、ｌ キャリア発生物質と１で、下記ビスアゾ化合物を用いた
他は実施例１と同様にし−〔比較用感光体この比較用電
子写真感光体について実施例１と同様にして測定を行な
ったところ、第２表に示すような結果を得た。

第２表 以−ヒの結果から明らかなように、本発明の電子写真感
光体は、比較用電子写真感光体に比べ、感度、残留電位
および繰り返しの安定性において極めて優れたものであ
る。

実施例　２ キャリア発生物質として例示化合物（Ａ−２）を用いた
ほかは実施例１と同様にして本発明の電子写真感光体を
作成した。

この電子写真感光体について実施例１と同様にして測定
を行なったところ、第３表に示す結果を得た。

第３表 実施例　３ ポリエステルフィルムにアルミニウムを蒸着した上に実
施例１で用いた中間層を設け、更にその上に例示化合物
（Ａ、−５）２重量部を１．２−ジクの膜厚が０．５μ
ｍＫなるように塗布し、Φヤリア発生層を形成した。

次いで、ｐ−（ＮｙＮ−ジエチルアミノ）ベンズアルデ
ヒド−１，ｌ−ジフェニルヒドラゾン６重量部と、ポリ
カーボネート［パンライトＬ−１２５０Ｊ　（＠人化成
社製）１０重量部とを、ｉ、２−ジクロロエタン匍重量
部に溶解した液を乾燥後の膜厚が１２μｍＫなるように
肱布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感
光体な作成した。

この電子写真感光体について実施例１と同様にして測定
を行なったところ、Ｖ人＝−ｓｓｏｖ、ｇ％＝１．９１
ｕｘａｓｅｃ　、　Ｖｘ＝　ＯＶであった。

比較例　２ キャリア発生物質として、下記トリスアゾ化合物を用い
たほかは実施例３と同様圧して比較用電この比較用電子
写真感光体について実施例１と同様の測定を行なったと
ころ、Ｖム：−６７０Ｖ。

Ｅ％　＝＝　７．２１ｕｘｓａｓｅ　、　ＶＲ：！−１
２Ｖであった・以上の結果から明らかなように本発明の
電子写真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、その
初期特性において著しく優れたものである。

実施例　４ 実施例３による本発明の電子写真感光体と比較例２によ
る比較用電子写真感光体の各々を、電子写真複写機［Ｕ
　−Ｂｉｘ　２０００ＲＪ　（小西六写真工業社製）に
装置して、帯電・露光轡クリーニングの操作を１０，０
００回繰り返し【耐久試験を行なった後、直ちに再び実
施例ＩＫおけると同様の測定を行なった。結果は第４表
に示す通りである。

第　４　表 １０．０００回耐久試験後の特性 この結果から明らかなように比較例２の電子写真感光体
の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、実施例３０本発
明の電子写真感光体は、１０，０００回の帯電・露光の
繰り返しにおいても、その特性が初期とはとんと変らず
安定していることがわかる。

実施例　５ 実施例１で用いた導電性支持体上に例示化合物（Ａ−１
１）２重量部と、ポリカーボネート「パンライ）Ｌ−１
２５０４（量大化成社製）２重量部を、１．２−ジクロ
ロエタン１４０重量部に分散混合した液を乾燥後の膜厚
が１１１ｍになるように塗布してキャリア発生層を形成
した。

次いで、３−（ｐ−メトキシスチリル）−９−（ｐ−メ
トキシフェニル）カルバゾール６重量部と、メタクリル
樹脂「アクリベット」（三菱レイヨン社製）１０重量部
とを１．２−ジクロロエタン匍重量部に溶解した液を乾
燥後の膜厚が１０μｍになるよ５Ｋｍ布してキャリア輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について実施例１と同様に測定した
ところ、Ｅ％＝　２．０１ｕｘ＊ａ＊ｅ　、　ＶＲ＝　
ＯＶであった。

実施例　６ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に例示
化合物（Ａ−１４）の２％エチレンジアミ／溶液を乾燥
後の膜厚が０．３μｍＫなるように塗布しキャリア発生
層な形成した。

さらＫその上Ｋ１−７＝ニル−３−（ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−Ｆｉ−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン６重量部と、ポリカーボネート「ニーピロン
８−１００Ｊ（三菱ガス化学社製）１０重量部とを、ｌ
、２−ジクロルエタン匍重量部に溶解し、乾燥後の膜厚
が１４μＩＩＩＫなるよ５に塗布してキャリア輸送層を
形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真ｇｔ元体について、実施例１と同様にして
測定したところ、Ｅ％　＝　１．９１ｕｘ＠ｔｒ＊ｅ　
、　Ｖｘ　＝Ｏｖであった。

また、この電子写真感光体を電子写真複写機「ｕ　−、
Ｂ１１２０００ＲＪ　（小西六写真工業社製）に装置し
、画像の複写を行なったところ、原画に忠実でコントラ
ストが高く、階調性の優れた鮮明な複写画像を得た。こ
れは連続１０，０００回繰り返しても初期と同様の複写
画像が得られた。

実施例　７ ポリエステルフィルムにアルミニクムを蒸着した上に塩
化ビニル−酢鍍ビニルー無水マレイン鐘共重合体［エス
レ、りＭＦ−１０Ｊ（積木化学社製）から成る厚さ０．
０５ｍの中間層を設け、その上に例示化合物（Ａ−１３
）３重量部と、４．４′−ジメチルトリフ、ニルアミン
６重量部と、ボリカーボネート「パンライトＬ−１２５
０Ｊ（量大化成社製）　１０重量部とを１．２−ジクロ
ロエタン１００重量部中に加え、ボールミルでよ（分散
混合した液を乾燥後の膜厚が１０μｍＫなるように塗布
して本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について静電複写紙試験装＠　［Ｓ
　Ｐ　−４２８！１ｌＪＪ　（川口電機製作所層）を用
いダイナミック方式で電子写真特性を測定した。

感光層表面を＋６　ＫＶで５秒間帯電し、次いでタング
ステンランプの光を感光層表面における照度が３５１ｕ
ｘＫなるように、シて照射し、半減露光量（鴎）をめた
ところ、Ｅ％　＝　１．８１ｕｘ＠ｓｅｃであり、さら
に３０１ｕｘ会ｓｓｅの露光量を与えたときの表面電位
（残留電位）はＶｎ＝ＯＶであった。

実施例　８ 直径１００鰭、のアルミニクム製ドラムの表面に塩化ビ
ニル−酢酸ビニルー無水マレイン酸共重合体［エスレ、
りＭＦ−１０Ｊ（覆水化学社製）より成る厚さ０．０５
μｍの中間層な設け、その上に例示化合物（Ａ−４）４
．９を１．２−ジクロロエタ７４００ｗ１１に混合し、
ボールミル分散機で冴時間分散した分散液を乾燥後の膜
厚が０．６μｍになるように、シて塗布し、キャリア発
生層を形成した。

さらにこの上に下記め構造式で表わされるＮ。

Ｎ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェ
ニルヒドラゾン３０ｇと ポリカーボネート樹脂「ニーピロンＳ−１０００Ｊ（三
菱ガス化学社製）５０ｇとを１．２−ジクロロエタン４
００ｄに溶解し、乾燥後の膜厚が１３μｍになるように
塗布してキャリア輸送層を形成し、ドラム状の電子写真
感光体を作成した。

このようにして作成した感光体を電子複写機ｒＵ−Ｂｌ
ｘＶ２Ｊ（小西六写真工業社製）の改造機に装着し、画
像を複写したところ、コントラストが高く、原画に忠実
で、かつ鮮明な複写画像を得た。

また、これは１０，０００回繰り返しても変わることは
なかった。

比較例　３ 実施例８において例示化合物（Ａ−４）を下記の構造式
で表わされるトリスアゾ化合物に代えた他は、実施例８
と同様にしてドラム状の比較用電子写真感光体を作成し
、実施例８と同様にして複写画像を評価したところ、カ
プリが多い画像しか得られなかった。また複写を繰り返
してい（に従い、複写画像のコントラストが低下し、１
００００回繰り返すと、はとんど複写画像は得られなか
った。

実施例 ポリエステルフィルム上にアルミニクム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニルー
無水！レイン酸共重合体「エスレ！りＭＦ−１０Ｊ（積
木化学社＃ｌ）より成る厚さα０５＃ｍの中間層を設け
、その上に例示化合物（Ａ−１８）５ＩＩとポリカーボ
ネート樹脂「パンライ）Ｌ−１２５０Ｊ（量大化成社製
）３．３．９とをジクｏｏメタン１００ｄｊＫｊｌ；Ｊ
え、ボールミルで別時間分散した分散液を乾燥時の膜厚
が１０−になるように塗布し、電子写真ＩＩＡ九体を作
成した。

以上のようにして得られた感光体を帯電圧を＋６に％Ｉ
Ｔ／ｃ代えた他は実施例１と同様にしてＥ％とＶＲを測
定した。１回目の結果はＥ％＝３．Ｉ　ｌｕｘ・８＠ｃ
およびＶｘ＝−ＦｉＶであった。

実施例　１０ 直径１００ｍのアルイエりム製トリムの表面Ｋ。

塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エ
スレ、りＭＦ−１０Ｊ（覆水化学社製）よりなる厚さ０
．０５μｍの中間層を設け、その上に例示化合物（Ａ　
−：３＋　）　４　ｇを１．２−ジクロロエタン４００
１に混合し、ボールミル分散機で冴時間分散した分散液
を乾燥後の膜厚が０．５μｍになるよ５Ｋして塗布し、
キャリア発生層を形成Ｌｆｉ。

さらにその上Ｋｐ−（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズ
アルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン３０ｇとポ
リカーボネート樹脂［パンライトＬ−１２５０Ｊ　（密
入化成社製）５０ｇとを１．２−ジクロロエタン４００
コに溶解し、乾燥後の膜厚力１２μｍＫなるように塗布
してキャリア輸送層を形成し、ドラム上の電子写真感光
体を作成した。

この感光体の７８０ｎｍにおける分子ｔ、感度は０，８
５μ囚（半減ｊ１元量）であった。　− 次にこの感光体を感光体表面でのレーザー光強度が０．
８５　ｍＷ　となる半導体レーザー（７８０ｎｍ）を装
置した実験機により実写テストな行なった。

感光体の表面を一６ＫＶに帯電した後、レーザー露光し
Ｌａ５ｏ　ｖのバイアス電圧で反転現像したところ、カ
プリのない良好な画像が得られた。

また、これは１０，０００回繰り返しても変わることは
なかった。

実施例　１１−１４ 実施例１０において例示化合物（Ａ−３１）に代えて、
例示化合物（Ａ−３２）、、　（Ａ−３４）　、ｔ　（
Ａ−３６）　、　（Ａ−４０、）　ｙ　（Ａ−４５）を
用いた他は同様にしてドラム状の感光体を得次〇 それぞれの感光体の７８０　ａｍ　における分光感度は
第５表に示す通りであった。

第５表 次に実施例１０に記した実験機による実写テストにおい
てもそれぞれの感光体はカブリの無い良好な画像を与え
、これらはいずれも１０，０００回繰り返しても変わら
なかった。

以上の結果から明らかなように、本発明の些光体は、感
度、残留電位等の特性において、また繰り返しの特性に
おいても著しく優れたものである。

さらに長波長における感度および繰り返しの安定性にお
いても十分実用的な優れた感光体である。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の電子写真感光体の機
械的構成例について示す断面図である。 ｌ・・・導電性支持体 ２・・・キャリア発生層 ３・・・キャリア輸送層 ４・・・感光層 ５・・・中間層 ６・・・キャリア輸送物質を含有する層７・・・キャリ
ア発生物質 代理人　桑　原　義　灸

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　下記一般式（Ｉｌｌで表わされるテトラキスア
   ゾ化合物を少なくとも一種、導電性支持体上の感光層に
   有することを特徴とする感光体。 一般式ＣＩ〕 （式中、 Ｘｓ　＊　Ｘｔ　ｅ　Ｘｓ　ｒ　Ｘ４　：水素原子、ハ
   ロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基また ハ炭素数１〜４のアルコキシ 基 ２：芳香族炭素環または芳香族複素環を構成するに必要
   な原子群 Ｙ：カルバモイル基またはスルファモイル基鳥：水素原
   子、炭素数１〜４のアルキル基、アミノ基、シアノ基、
   カルバモイル基、カルボキシ基またはそのエステル基 鳥：Ｊ香族羨素環基 Ｒ，オ！ヒ編：　炭素ＩＮ〜４のアルキル基、アラルキ
   ル基、芳香族炭素環基 な表わす。）
2. （２）　前記感光層かキャリア発生物質とキャリア輸送
   物質を含有し、当該キャリア発生物質が前記一般式ＣＩ
   ）で表わされるテトラキスアゾ化合物である特許請求の
   範囲第（１）項記載の感光体。