JPS6010743A - 半導体素子特性測定方法 - Google Patents
半導体素子特性測定方法Info
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- JPS6010743A JPS6010743A JP11959783A JP11959783A JPS6010743A JP S6010743 A JPS6010743 A JP S6010743A JP 11959783 A JP11959783 A JP 11959783A JP 11959783 A JP11959783 A JP 11959783A JP S6010743 A JPS6010743 A JP S6010743A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は半導休りエーハに整列させて形成された多数
の半導体素子と個々に順次特性測定する方法で、詳しく
は７台のテスターで４１故の半得体りエーハの半導体素
子ｔ／個ずつ同時に特性測定する並列測定法の改良に関
する＠（→ 従来技術 通′ホ、半導体クエーハにおける半４木索子の個々の特
性測定は７つの千４体素子の表萌電極にテスターに接続
されたプローパのグローブニードルｔｍ触させて順次行
われる。また７回の半導体素子の特性測定は６櫨の特性
ＪＪ４目毎に分けて順次に行われ、途中の／項目の測定
結果が不良と判定されると伐９の特性項目の測定は行わ
れずに久の半導体素子の測定動作にφ行させて少しでも
固定時間を短くシ、テスターの嫁助率を上げるようにし
ている。例えば７回の特性測定項目の多い例えばＬ日Ｉ
孝子においては先ず高速パルスにて大まかな予備テスト
であるルーズ７アンクシヨンテスト（以ＦＬＦＴと略記
する）金行い、このＬＩ！’Ｔ結果が艮と出れば正規の
細かい特性測定を行い、ＬＥＴ結果が不良の場合は仮り
に正規の特性測定を行ってもほぼ１ｏｏｓｏ鐘率で不良
結果が出るので正規の特性測定を行わず次のＬ日工巣子
の測定を行うようにしている。
の半導体素子と個々に順次特性測定する方法で、詳しく
は７台のテスターで４１故の半得体りエーハの半導体素
子ｔ／個ずつ同時に特性測定する並列測定法の改良に関
する＠（→ 従来技術 通′ホ、半導体クエーハにおける半４木索子の個々の特
性測定は７つの千４体素子の表萌電極にテスターに接続
されたプローパのグローブニードルｔｍ触させて順次行
われる。また７回の半導体素子の特性測定は６櫨の特性
ＪＪ４目毎に分けて順次に行われ、途中の／項目の測定
結果が不良と判定されると伐９の特性項目の測定は行わ
れずに久の半導体素子の測定動作にφ行させて少しでも
固定時間を短くシ、テスターの嫁助率を上げるようにし
ている。例えば７回の特性測定項目の多い例えばＬ日Ｉ
孝子においては先ず高速パルスにて大まかな予備テスト
であるルーズ７アンクシヨンテスト（以ＦＬＦＴと略記
する）金行い、このＬＩ！’Ｔ結果が艮と出れば正規の
細かい特性測定を行い、ＬＥＴ結果が不良の場合は仮り
に正規の特性測定を行ってもほぼ１ｏｏｓｏ鐘率で不良
結果が出るので正規の特性測定を行わず次のＬ日工巣子
の測定を行うようにしている。
また半導体菓子の特性横目か多くなる程これｔ−測定ｒ
るテスターが高１曲になり、その橡助平で決まるコスト
パフォーマンスが千尋体製点能力ｋＲめる重要なものと
なり、そこでテスターのコストパフォーマンス倉上げる
ため、釆々な工夫がなされている。
るテスターが高１曲になり、その橡助平で決まるコスト
パフォーマンスが千尋体製点能力ｋＲめる重要なものと
なり、そこでテスターのコストパフォーマンス倉上げる
ため、釆々な工夫がなされている。
例えば／酋のテスターで複政枚の半４体りエーハの半４
体菓子金／個ずつ交互に一足する択一測定法がある。こ
ｔＬは第７図及び第２図に示すように７６のテスター（
１）とテスター（１）に接続された２つのプローバ（２
ａ）（２ｂ入及び、２台の９励ステージ（３ａＸ３ｂ）
Ｊｔ用意し、谷０Ｊ′助ステージ（３ａ）（３ｂ）上に
７枚ずつ半導体クエーハ（以ｆり工−ハと祢ｆ ） （
４ａＸ４ｂ）ｉ位置決め載直し、谷可動ステージ（３ａ
）（３１））（ｉ−交互に駆動させて否り工−ハ（４ａ
）（４ｂ）の複数の半導体索子（以Ｆ３１ｅ子と弥す）
（５ａ）・・・ｓ （６ｂ）・・・の７１固ずつを対
形するプローバ（２ａ）（２ｂ）のＦ面に医用するプロ
ーグニードル（６ａ）（６ｂ）に磁気的接触させて第３
図のタイムチャートに示す即く特性測定全連続的に行う
方法である。つまり、ｆＪ／のクエーノ）（４ａ）Ｊ）
１つの素子（５ａ）の１定が完了し之信号でもって第２
のクエーハ（４ｂ）の／りの素子（５１））の測定を始
め、この菓子（５ｂ）の測定時１４内に第１のクエーハ
（４ａ）ｋ入の素子（５ａ）の測定が行えるよう移励さ
せ、この！４１Ｊ作を交互に行ってテスター（１）金体
訳せること黒く連ｄして＃妨させるよりにし几方決であ
る。しかし、この択一測定法は／Ｉｌｉ！ｉＩの索子の
特性測足時ｔｉｌｋ短縮しない限や処理総力の改暦は望
めず、特に特性測定時、間が政沙かρ為るり、８工素子
などに対してはコストパフォーマンスが悪い問題があっ
た。
体菓子金／個ずつ交互に一足する択一測定法がある。こ
ｔＬは第７図及び第２図に示すように７６のテスター（
１）とテスター（１）に接続された２つのプローバ（２
ａ）（２ｂ入及び、２台の９励ステージ（３ａＸ３ｂ）
Ｊｔ用意し、谷０Ｊ′助ステージ（３ａ）（３ｂ）上に
７枚ずつ半導体クエーハ（以ｆり工−ハと祢ｆ ） （
４ａＸ４ｂ）ｉ位置決め載直し、谷可動ステージ（３ａ
）（３１））（ｉ−交互に駆動させて否り工−ハ（４ａ
）（４ｂ）の複数の半導体索子（以Ｆ３１ｅ子と弥す）
（５ａ）・・・ｓ （６ｂ）・・・の７１固ずつを対
形するプローバ（２ａ）（２ｂ）のＦ面に医用するプロ
ーグニードル（６ａ）（６ｂ）に磁気的接触させて第３
図のタイムチャートに示す即く特性測定全連続的に行う
方法である。つまり、ｆＪ／のクエーノ）（４ａ）Ｊ）
１つの素子（５ａ）の１定が完了し之信号でもって第２
のクエーハ（４ｂ）の／りの素子（５１））の測定を始
め、この菓子（５ｂ）の測定時１４内に第１のクエーハ
（４ａ）ｋ入の素子（５ａ）の測定が行えるよう移励さ
せ、この！４１Ｊ作を交互に行ってテスター（１）金体
訳せること黒く連ｄして＃妨させるよりにし几方決であ
る。しかし、この択一測定法は／Ｉｌｉ！ｉＩの索子の
特性測足時ｔｉｌｋ短縮しない限や処理総力の改暦は望
めず、特に特性測定時、間が政沙かρ為るり、８工素子
などに対してはコストパフォーマンスが悪い問題があっ
た。
上記問題を解決するも・Ｄとして、久の並列測定法が開
−７１！され−Ａ施されている。これは／ｄのテスター
で、２改のクエーハの索子の谷／Ｊ固ずつの計コｄを同
時に測定する方決で、クエーハメ劫は上記択一測定法の
可動ステージと同様なも 書のが使用され、まｆｃ２枚
のクエーハは同−ａ 類のものが使用される。２枚のク
エーハの６ ／ ｔＩ！の索子は！４グ図のタイムチャ
ートの即く同時に同じ時間で測定され、６と、両りエニ
ハが同時に夢、初して欠の４子の一足に多行する。この
並列ａｔ！ｌ定伝は良品の菓子の特性測定時、４’ｒ１
がクエーハの＄動に要する時間Ｔ２より長けれは択一ダ
タ測定ムより十分に妨來削であることが分る。
−７１！され−Ａ施されている。これは／ｄのテスター
で、２改のクエーハの索子の谷／Ｊ固ずつの計コｄを同
時に測定する方決で、クエーハメ劫は上記択一測定法の
可動ステージと同様なも 書のが使用され、まｆｃ２枚
のクエーハは同−ａ 類のものが使用される。２枚のク
エーハの６ ／ ｔＩ！の索子は！４グ図のタイムチャ
ートの即く同時に同じ時間で測定され、６と、両りエニ
ハが同時に夢、初して欠の４子の一足に多行する。この
並列ａｔ！ｌ定伝は良品の菓子の特性測定時、４’ｒ１
がクエーハの＄動に要する時間Ｔ２より長けれは択一ダ
タ測定ムより十分に妨來削であることが分る。
（）） 殆明か解決しよう七する問題点ところで上記並
列測定法は同時測定される２つの菓子が共に良品、共に
不良品であれば問題黒いが、一方の菓子が良品、他ガの
素子が不良品でめルば４艮素子の測定は正規の測定時間
Ｔよより短かい時間Ｔ３で兄ｒして、良品索子の測定が
完ｒする′までの時＋４（Ｔｌ−Ｔ３）だけ不良素子測
定のブローパが遊び時間金主じることになる。この遊び
時間（＾ｌ−”３）の同テスターは七の処理能力の５θ
％しか元揮できｒ１従ってりニーへの菓子良品率が悪く
て同時測定される一つ、／）Ｊ子が成品、不良品となる
傭半が高い程テスターｌ／）処理能力半減時間が最〈耽
シ、コストパフォーマンスを悪くしていた。実＋余、Ｌ
ａ工粱（５） 子の予備測定であるＬＦＴ時１４は正規の測定時間の約
／１０であり、またＬＳＩ爾子の７枚のり工−ハにおけ
る良品率は３０％前後と悪いのが現状である几め、この
ＬＢ工素子の特性測定ｋ −。
列測定法は同時測定される２つの菓子が共に良品、共に
不良品であれば問題黒いが、一方の菓子が良品、他ガの
素子が不良品でめルば４艮素子の測定は正規の測定時間
Ｔよより短かい時間Ｔ３で兄ｒして、良品索子の測定が
完ｒする′までの時＋４（Ｔｌ−Ｔ３）だけ不良素子測
定のブローパが遊び時間金主じることになる。この遊び
時間（＾ｌ−”３）の同テスターは七の処理能力の５θ
％しか元揮できｒ１従ってりニーへの菓子良品率が悪く
て同時測定される一つ、／）Ｊ子が成品、不良品となる
傭半が高い程テスターｌ／）処理能力半減時間が最〈耽
シ、コストパフォーマンスを悪くしていた。実＋余、Ｌ
ａ工粱（５） 子の予備測定であるＬＦＴ時１４は正規の測定時間の約
／１０であり、またＬＳＩ爾子の７枚のり工−ハにおけ
る良品率は３０％前後と悪いのが現状である几め、この
ＬＢ工素子の特性測定ｋ −。
並列測定法で行った場合の処理能力は択＝ｌ枦測定法に
対し約２θ条８！度しか同上させることができなかった
。
対し約２θ条８！度しか同上させることができなかった
。
に）問題点を解決するための手段
本発明は上記並列測定法の問題点に鑑み、こ７Ｌ金Ｓ犬
するためン７トクエア処理を次のように改成した並列測
定法による半導体素子持性測疋方法金提供する。
するためン７トクエア処理を次のように改成した並列測
定法による半導体素子持性測疋方法金提供する。
零晃例は７つのテスターで２枚のクエーハの６７個の素
子を同時に特性測定ｒるに除し、両方の素子が共に良品
、共に不良品の場合は従来の並列測定法と同・庫に測定
させ、一方の菓子のみが不良品であればこの素子が不良
と判定された時点で肉票子の測定動作を中萌して、良品
側の素子と不良と判定された素子のあるクエーノ・０次
の被測定素子との同時並列測定姑作に移行（６） させること全特徴とする。このようにすると２個同時測
定される素子の一方が不良品であってもグローμの遊び
時間が黒くなり、テスターの処理能力の同上化が可能と
なる。
子を同時に特性測定ｒるに除し、両方の素子が共に良品
、共に不良品の場合は従来の並列測定法と同・庫に測定
させ、一方の菓子のみが不良品であればこの素子が不良
と判定された時点で肉票子の測定動作を中萌して、良品
側の素子と不良と判定された素子のあるクエーノ・０次
の被測定素子との同時並列測定姑作に移行（６） させること全特徴とする。このようにすると２個同時測
定される素子の一方が不良品であってもグローμの遊び
時間が黒くなり、テスターの処理能力の同上化が可能と
なる。
（ホ）実施例
例えば第７図に、２枚の同−櫨屓のクエーハ（７ａ）（
７ｂ）とこれｔ位置法め載置する独立した２台のり切ス
テージ（８ａ）（８ｂ入及び粱子特性測定用の２つのグ
ローμ（９ａ）（９ｂ）と２素子の同時特性測定かり歳
なテスター１１０）を示し、２枚のクエーハ（）ａ）（
’７りの４−列に並）谷索子（ｌｌａｌ）（’１ｌａ２
）・・・、（ｌｌｂ上）（１１０，）−ａｓ を図面丘
から石へと順次に並列測定法で特性測定する場合金考え
る。
７ｂ）とこれｔ位置法め載置する独立した２台のり切ス
テージ（８ａ）（８ｂ入及び粱子特性測定用の２つのグ
ローμ（９ａ）（９ｂ）と２素子の同時特性測定かり歳
なテスター１１０）を示し、２枚のクエーハ（）ａ）（
’７りの４−列に並）谷索子（ｌｌａｌ）（’１ｌａ２
）・・・、（ｌｌｂ上）（１１０，）−ａｓ を図面丘
から石へと順次に並列測定法で特性測定する場合金考え
る。
いま第／ ノｙ ニー ハ（’／ａ）の菓子（ｌｌａｌ
）〜（ｌｌａ、）の全てが成品であり、第２のクエーハ
（）ｂ）Ｊ）才子（１１１；＋ｌ）〜（１１ｂ１）の内
の索子（ｌｌｂ３）（ｌｌｂ５）（ｌｌｂ、）が不良品
であるとすると、テスターｔ１０）は第５図に示す即く
特性測定全行う。即ち、始めの２つの才子（ｌｌ＆□）
（ｌｌｂ□）と次の２つの菓子（ｌｌａ２）（ｌｌｂに
）は従米同庫に行われる。ＪＬｇ］目の測定時は一方の
才子（ＩＩＥ１３）が不良品であるのでこの索子（ｌｉ
ｔ＋３）＋７）不良ヤ」定１盲号にて画素子（１１ａ３
）（：ｕ〜）の測定動作が中折し、不良品側の第一のク
エーハ（７ｂ）の移動のみが行われ、ｆＪ／のクエーハ
（７り及びグローμ（９ａ）は菓子（ｌｌａ、ｓ ）を
測定した時の状繊のま２保持される。次に第７のクエー
／％ （’７ａ）の測定中４７ ｋ受けた菓子（ｌｌａ
３）と’ｆ、Ｊのクエーハ（’ｙｂ）のグ番目の才子（
１１１）、）との同時測定が１始され、この測定が完了
すると両りエーハ（７ａ）（ＶＤ庫移動して次は才子（
ｌｌａｉ４）と素子（ｌｌａ ａ ）の同時測定に入る
。この場合も一方の才子（１ｍａａ泗；不艮品であるの
で画素子（：ｕａ、バよ１ｏ５）の測定は途中で中折さ
れ、第一のクエーハ（’ｒｂ）のみ４４ｉ＋−＃ＪＩ、
て次は才子（ｘｌＩＬ４ ）と菓子（ｌ↓ｂ６％同時測
定に入る。素子（１１に＋６）も不良品であるので両菓
子（１ユ’４Ｘｌｌｂ６）も測定が中折され、ｇ、２の
９ｘ−ハ（１ｂ）のみ移動して次は素子（１１ａ４ ）
と菓子（ｌｌｂ７）の同時測定に入る。 ］このような
本発明による並列測定法は同時測定に共される２枚のク
エーハの素子良品率が大幅に異なれば良品率の悪いクエ
ーハの全木子の測定が光ｒした時点で良品率の艮いクエ
ーハ側に未測定素子が多く伐る不都合が生じるが、２枚
のクエーハＶｉ同−裂慮工程金経たものがｌよとんどそ
の両ｉの菓子良品率はほぼ同一であるので上記不都合が
生じる心配はまず無く、従って２つのグローμの遊び時
間が大幅に減少してテスターの処理能力が同上する。例
えばＬ８工素子の良品率がｇ０％楓度のＬＥ３Ｘクエー
ハコ枚を便って本発明ガ法で特性測定を行ったところ、
テスターの処理能力は錘米の択−測定法よ）約ｔｏ％向
上することが認められた。
）〜（ｌｌａ、）の全てが成品であり、第２のクエーハ
（）ｂ）Ｊ）才子（１１１；＋ｌ）〜（１１ｂ１）の内
の索子（ｌｌｂ３）（ｌｌｂ５）（ｌｌｂ、）が不良品
であるとすると、テスターｔ１０）は第５図に示す即く
特性測定全行う。即ち、始めの２つの才子（ｌｌ＆□）
（ｌｌｂ□）と次の２つの菓子（ｌｌａ２）（ｌｌｂに
）は従米同庫に行われる。ＪＬｇ］目の測定時は一方の
才子（ＩＩＥ１３）が不良品であるのでこの索子（ｌｉ
ｔ＋３）＋７）不良ヤ」定１盲号にて画素子（１１ａ３
）（：ｕ〜）の測定動作が中折し、不良品側の第一のク
エーハ（７ｂ）の移動のみが行われ、ｆＪ／のクエーハ
（７り及びグローμ（９ａ）は菓子（ｌｌａ、ｓ ）を
測定した時の状繊のま２保持される。次に第７のクエー
／％ （’７ａ）の測定中４７ ｋ受けた菓子（ｌｌａ
３）と’ｆ、Ｊのクエーハ（’ｙｂ）のグ番目の才子（
１１１）、）との同時測定が１始され、この測定が完了
すると両りエーハ（７ａ）（ＶＤ庫移動して次は才子（
ｌｌａｉ４）と素子（ｌｌａ ａ ）の同時測定に入る
。この場合も一方の才子（１ｍａａ泗；不艮品であるの
で画素子（：ｕａ、バよ１ｏ５）の測定は途中で中折さ
れ、第一のクエーハ（’ｒｂ）のみ４４ｉ＋−＃ＪＩ、
て次は才子（ｘｌＩＬ４ ）と菓子（ｌ↓ｂ６％同時測
定に入る。素子（１１に＋６）も不良品であるので両菓
子（１ユ’４Ｘｌｌｂ６）も測定が中折され、ｇ、２の
９ｘ−ハ（１ｂ）のみ移動して次は素子（１１ａ４ ）
と菓子（ｌｌｂ７）の同時測定に入る。 ］このような
本発明による並列測定法は同時測定に共される２枚のク
エーハの素子良品率が大幅に異なれば良品率の悪いクエ
ーハの全木子の測定が光ｒした時点で良品率の艮いクエ
ーハ側に未測定素子が多く伐る不都合が生じるが、２枚
のクエーハＶｉ同−裂慮工程金経たものがｌよとんどそ
の両ｉの菓子良品率はほぼ同一であるので上記不都合が
生じる心配はまず無く、従って２つのグローμの遊び時
間が大幅に減少してテスターの処理能力が同上する。例
えばＬ８工素子の良品率がｇ０％楓度のＬＥ３Ｘクエー
ハコ枚を便って本発明ガ法で特性測定を行ったところ、
テスターの処理能力は錘米の択−測定法よ）約ｔｏ％向
上することが認められた。
（へ）発明の効果
以上説明したように、本発明によれば高価なテスターの
稼動率が艮くなってコストパフォーマンスの改祷が図れ
、特にＬＩＳ工素子のように７回の特性項目が多いもの
程イ幼で、その実施効果は櫨めて大きい。
稼動率が艮くなってコストパフォーマンスの改祷が図れ
、特にＬＩＳ工素子のように７回の特性項目が多いもの
程イ幼で、その実施効果は櫨めて大きい。
ｆｉ／図及び第２図は従来の半導体素子特性側（９）
定装置の一例を示す概略正面図及び平面図、第３図はｆ
；７図装置のテスターにおける測定薊作のタイムチャー
ト、ｆｌｙ図は従来の並列測定法と説明するだめのテス
ターにおける測定動作のタイムチャート、ｆＪｊ図は本
発明を説明するための天施装−例の概略平面図（部分削
訳大図を含む）、第３図は第５′図のテスターｖｃおけ
る共体削測足励作のタイムチャートでるる。 （’７ａ）（）ｂ）＊ ａ半４体りエーハ、（９ａ）（
９ｂ）−＠グローμ、（１０１−−テスター、（１１ａ
、）（ｌｌａ２） 、、。 （１’ｌ、）（ｌｌｌｂ２１）・・・・−半４休粱子・
（１０）
；７図装置のテスターにおける測定薊作のタイムチャー
ト、ｆｌｙ図は従来の並列測定法と説明するだめのテス
ターにおける測定動作のタイムチャート、ｆＪｊ図は本
発明を説明するための天施装−例の概略平面図（部分削
訳大図を含む）、第３図は第５′図のテスターｖｃおけ
る共体削測足励作のタイムチャートでるる。 （’７ａ）（）ｂ）＊ ａ半４体りエーハ、（９ａ）（
９ｂ）−＠グローμ、（１０１−−テスター、（１１ａ
、）（ｌｌａ２） 、、。 （１’ｌ、）（ｌｌｌｂ２１）・・・・−半４休粱子・
（１０）
Claims (1)
- （ｌ）／酋のテスターと４１敗台のプローパで複数枚の
半導体クエーハに形成された多数の半導体素子の−Ｓ／
１１！ずつ２１４時に特性測定する並列測定法において
、同時測定される複数個の半導体素子の一つが不良と判
定された時点で各半導体素子の測定動作金中新して、他
の半導体素子と不良と判定された半導体素子のある半導
体クエーハの次の４１測定牛導体素子との同時並列測定
動作にφ行するようにしたことを特徴とする半導体素子
特性測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11959783A JPS6010743A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体素子特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11959783A JPS6010743A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体素子特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010743A true JPS6010743A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14765325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11959783A Pending JPS6010743A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体素子特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034684A (en) * | 1988-10-24 | 1991-07-23 | Tokyo Electron Limited | Probe device and method of controlling the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176944A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nec Corp | 試験方法 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11959783A patent/JPS6010743A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176944A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Nec Corp | 試験方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034684A (en) * | 1988-10-24 | 1991-07-23 | Tokyo Electron Limited | Probe device and method of controlling the same |
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