JPS6010681A - 光電変換部材の製造装置 - Google Patents
光電変換部材の製造装置Info
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- JPS6010681A JPS6010681A JP58118748A JP11874883A JPS6010681A JP S6010681 A JPS6010681 A JP S6010681A JP 58118748 A JP58118748 A JP 58118748A JP 11874883 A JP11874883 A JP 11874883A JP S6010681 A JPS6010681 A JP S6010681A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ緑等を示す）のような電磁波に
感受性のある光電変換部材の製造装置に関し、特にＣＶ
Ｄ （ケミカルペイパーデポジション）法やグラズマＣ
Ｖ’Ｄ法等のような、光導電性の薄膜を支持体を加熱し
つつ笑施する光電変換部材の連続的な製造装置に関する
。
線、赤外光線、Ｘ線、γ緑等を示す）のような電磁波に
感受性のある光電変換部材の製造装置に関し、特にＣＶ
Ｄ （ケミカルペイパーデポジション）法やグラズマＣ
Ｖ’Ｄ法等のような、光導電性の薄膜を支持体を加熱し
つつ笑施する光電変換部材の連続的な製造装置に関する
。
固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真用
像形成部材や原稿読取装置における光電変換層を形成す
る光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（工
ｐ） ／ （Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に誓易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務器としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。
像形成部材や原稿読取装置における光電変換層を形成す
る光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（工
ｐ） ／ （Ｉｄ） ）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であること、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に誓易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務器としてオフィスで使用される電子写真装置内に
組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使
用時における無公害性は重要な点である。
このような観点に立脚して、最近注目されている光導電
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記する
）があシ、例えば独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への
応用が、また、独国公開第２９３３４１１号公報には光
電変換読取装置への応用がそれぞれ記載されている。
材料にアモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記する
）があシ、例えば独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材への
応用が、また、独国公開第２９３３４１１号公報には光
電変換読取装置への応用がそれぞれ記載されている。
このような光電変換部材の製造装置としては、同一のチ
ャンバー内で加熱、光電変換層の形成（以下、反応と略
称する）、冷却の三工程を実施するパッチタイプが最も
原始的女装芭であるが、工業的な生産方式としては効率
が悪く合理的なものではカい。また、半パッチタイプと
して、同一のチャンバー内で、加熱、反応、冷却の、三
工程のうちのいずれかの連続する二工程を実施する装置
もあるが、この装置に於いてもパッチタイプと同様な問
題点が存在する。
ャンバー内で加熱、光電変換層の形成（以下、反応と略
称する）、冷却の三工程を実施するパッチタイプが最も
原始的女装芭であるが、工業的な生産方式としては効率
が悪く合理的なものではカい。また、半パッチタイプと
して、同一のチャンバー内で、加熱、反応、冷却の、三
工程のうちのいずれかの連続する二工程を実施する装置
もあるが、この装置に於いてもパッチタイプと同様な問
題点が存在する。
一方、連続式三チャンバータイプとして、加熱、反応、
冷却の三工程を異なった三つのチャンバーで実施する装
置も知られている。しかし、この連続的製造装置に於い
ては、加熱室が支持体の搬入のたびに外界に開放される
ために加熱室内の温度変動が大きく、加熱エネルギーの
ロスが大きく、加えて、排気及びリークすべき空気の容
積が太きいという問題点が存在した。
冷却の三工程を異なった三つのチャンバーで実施する装
置も知られている。しかし、この連続的製造装置に於い
ては、加熱室が支持体の搬入のたびに外界に開放される
ために加熱室内の温度変動が大きく、加熱エネルギーの
ロスが大きく、加えて、排気及びリークすべき空気の容
積が太きいという問題点が存在した。
本発明は、上記諸点に鑑みなされたものであって、生産
効率の高い光電変換部材の連続的な製造装置を提供する
ことを目的とする。 １本発明による光電変換部材の製
造装置は、減圧された反応室内で基体を加熱しなから光
電変換層形成用の原料ガスを反応室内に導入し該基体上
に光電変換の為の薄膜を形成することによって光電変換
部材を製造する装置において、基体を投入した後に減圧
可能な投入室と、減圧可能であって、常に一定の加熱状
態を保っていて該投入室から搬入される基体を一定温度
に加熱する加熱室と、該加熱室から搬入される一定温度
に加熱された基体上に光電変換の為の薄膜を形成する、
減圧可能な反応室と、常に一定の冷却状態を保ち得て該
反応室から搬入される成膜済みの基体を冷却する減圧可
能な冷却室と、冷却された成膜済み基体を受入れた後に
周囲圧力に戻されて成膜済み基体をとシ出す搬出室とを
備え、基体を順次に上記の投入室、加熱室、反応室、冷
却室、搬出室に連続的に通しながら光電変換部材を製造
することを特徴とするものである。
効率の高い光電変換部材の連続的な製造装置を提供する
ことを目的とする。 １本発明による光電変換部材の製
造装置は、減圧された反応室内で基体を加熱しなから光
電変換層形成用の原料ガスを反応室内に導入し該基体上
に光電変換の為の薄膜を形成することによって光電変換
部材を製造する装置において、基体を投入した後に減圧
可能な投入室と、減圧可能であって、常に一定の加熱状
態を保っていて該投入室から搬入される基体を一定温度
に加熱する加熱室と、該加熱室から搬入される一定温度
に加熱された基体上に光電変換の為の薄膜を形成する、
減圧可能な反応室と、常に一定の冷却状態を保ち得て該
反応室から搬入される成膜済みの基体を冷却する減圧可
能な冷却室と、冷却された成膜済み基体を受入れた後に
周囲圧力に戻されて成膜済み基体をとシ出す搬出室とを
備え、基体を順次に上記の投入室、加熱室、反応室、冷
却室、搬出室に連続的に通しながら光電変換部材を製造
することを特徴とするものである。
本発明の製造装置において使用される支持体としては、
導電性のものでも電気絶縁性のものであっても良い。導
電性支持体としては、代表的にはＡｌｊや１′ス′テン
レス等の金属や合金が挙げられる。
導電性のものでも電気絶縁性のものであっても良い。導
電性支持体としては、代表的にはＡｌｊや１′ス′テン
レス等の金属や合金が挙げられる。
（５）
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリアミド
、ポリイミド等；耐熱性のある合成樹脂のフィルム又は
シート； ガラス、セラミック等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少々くともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に光
導電性を有する薄膜が設けられるのが望ましい。すなわ
ち、例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ ｓ
ｋｉ ｔ Ｃｒ等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付与される。支持体の形状としては、所望によっ
てその形状は決定されるが、例えば電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写用の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするガが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成されるように
適宜決定されるが、一般に支持体の製造上及び取扱い上
、更には機械的強度等の点から、通常は、１０μｍ以上
とされる。
、ポリイミド等；耐熱性のある合成樹脂のフィルム又は
シート； ガラス、セラミック等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少々くともその一
方の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に光
導電性を有する薄膜が設けられるのが望ましい。すなわ
ち、例えばガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ ｓ
ｋｉ ｔ Ｃｒ等から成る薄膜を設けることによって導
電性が付与される。支持体の形状としては、所望によっ
てその形状は決定されるが、例えば電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写用の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするガが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成されるように
適宜決定されるが、一般に支持体の製造上及び取扱い上
、更には機械的強度等の点から、通常は、１０μｍ以上
とされる。
以下、図面を参照して本発明装置を詳細に説明する。
第１図は、本発明による光電変換部材の連続−（６）
造装置の基本的構成を示す概略図である。図中、Ａは光
電変換部材の基体が投入される減圧可能な投入室、Ｂは
常に一定の加熱状態を保っている減圧可能な加熱室、Ｃ
は基体上に光導電材料の薄膜を形成する加熱され減圧可
能な反応室、Ｄは常に一定の冷却状態を保っている減圧
可能な冷却室、Ｅは成膜済みの基体をとシ出す際に周囲
圧力に戻すことのできる搬出室を示す。図中、１−１３
は、この装置内を順次に搬送される基体の位置を示す。
電変換部材の基体が投入される減圧可能な投入室、Ｂは
常に一定の加熱状態を保っている減圧可能な加熱室、Ｃ
は基体上に光導電材料の薄膜を形成する加熱され減圧可
能な反応室、Ｄは常に一定の冷却状態を保っている減圧
可能な冷却室、Ｅは成膜済みの基体をとシ出す際に周囲
圧力に戻すことのできる搬出室を示す。図中、１−１３
は、この装置内を順次に搬送される基体の位置を示す。
光電変換部材の製造のプロセスは次の通シである。光電
変換部材の基体を投入室Ａに投入しく基体位置１）、こ
の投入室Ａを減圧する。加熱室Ｂはすでに減圧され一定
の温度に加熱されている。
変換部材の基体を投入室Ａに投入しく基体位置１）、こ
の投入室Ａを減圧する。加熱室Ｂはすでに減圧され一定
の温度に加熱されている。
減圧された投入室Ａから基体を加熱室Ｂに移動する（基
体位置２）、基体が加熱室Ｂに移動されたら、投入室Ａ
はリークして、その圧力を周囲圧力に戻す。基体を加熱
室Ｂ内で移動しながら（基体位置２−５）、基体の温度
を上昇させて基体を一定の温度とする（基体位置５）。
体位置２）、基体が加熱室Ｂに移動されたら、投入室Ａ
はリークして、その圧力を周囲圧力に戻す。基体を加熱
室Ｂ内で移動しながら（基体位置２−５）、基体の温度
を上昇させて基体を一定の温度とする（基体位置５）。
次に基体を反応室Ｃ内に移動する（基体位置６）。反応
室Ｃ内に光電変換の為の薄膜を形成するための原料を導
入し、反応させて、基体上に光電変換の為の薄膜を形成
する（基体位置６，７）。一定の成膜が完了したら、基
体を冷却室り内に移動する（基体位置８）。冷却室りに
おいて基体は一定の温度まで冷却される（基体位置８−
１２）。一定の温度に冷却された基体は、減圧された搬
出室Ｅに移動され（基体位置１３）、その後、搬出室Ｅ
はリークされて周囲圧力とされ、基体はと９出される。
室Ｃ内に光電変換の為の薄膜を形成するための原料を導
入し、反応させて、基体上に光電変換の為の薄膜を形成
する（基体位置６，７）。一定の成膜が完了したら、基
体を冷却室り内に移動する（基体位置８）。冷却室りに
おいて基体は一定の温度まで冷却される（基体位置８−
１２）。一定の温度に冷却された基体は、減圧された搬
出室Ｅに移動され（基体位置１３）、その後、搬出室Ｅ
はリークされて周囲圧力とされ、基体はと９出される。
上述の装置においては、室Ｂ ｔ Ｃ＋ Ｄは常に減圧
状態に保たれ、また、加熱室Ｂ反応室Ｃは常に一定の加
熱状態、冷却室りは常に一定の冷却状態に保たれていて
、加熱室には１個以上の基体を連続的に投入でき、また
冷却室では１個以上の基体を連続的に冷却でき、室Ａ、
Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅより成る連続製造装置によって効率よく
光電変換部材を連続して製造できる。
状態に保たれ、また、加熱室Ｂ反応室Ｃは常に一定の加
熱状態、冷却室りは常に一定の冷却状態に保たれていて
、加熱室には１個以上の基体を連続的に投入でき、また
冷却室では１個以上の基体を連続的に冷却でき、室Ａ、
Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅより成る連続製造装置によって効率よく
光電変換部材を連続して製造できる。
第２図は、アモルファスシリコンよシ成る光導 １電膜
を設けた光導電部材を製造するのに使用される本発明装
置の実施例を示す。この装置は第１図に示す基本的構成
と概ね一致するもので、投入室Ａ１加熱室Ｂ１反応室Ｃ
１ｔＣ２、冷却室Ｄ１搬出室Ｅよシ成るものであるが、
第２図においては基体を予め洗浄してゴミ等の問題を防
止するために、投入室Ａの前に洗浄室Ｆが直結されてい
る。
を設けた光導電部材を製造するのに使用される本発明装
置の実施例を示す。この装置は第１図に示す基本的構成
と概ね一致するもので、投入室Ａ１加熱室Ｂ１反応室Ｃ
１ｔＣ２、冷却室Ｄ１搬出室Ｅよシ成るものであるが、
第２図においては基体を予め洗浄してゴミ等の問題を防
止するために、投入室Ａの前に洗浄室Ｆが直結されてい
る。
また、反応室の形状を考慮して、これを、中継室部ｃ１
とによって構成し、加熱室Ｂから搬入される基体先ず
中継室部Ｃ！に入れ、中継室部Ｃ１から反応室部Ｃ２に
送シ込んで成膜をなし、成膜済みの基体を再び中継室部
Ｃ，に移動して、これから次段の冷却室りに送り込む。
とによって構成し、加熱室Ｂから搬入される基体先ず
中継室部Ｃ！に入れ、中継室部Ｃ１から反応室部Ｃ２に
送シ込んで成膜をなし、成膜済みの基体を再び中継室部
Ｃ，に移動して、これから次段の冷却室りに送り込む。
１−１１は、順次に送られる基体位置を示す。なお、こ
の装置において、加熱後に洗浄工程を入れることもでき
る。
の装置において、加熱後に洗浄工程を入れることもでき
る。
これら堆積層を形成するために反応室Ｃに導入される原
料ガスとしては、ａ−８ｔ成膜材料としてのシラン（Ｓ
ｉＦ４，５１２Ｈ６，５１３Ｈ８，５１４Ｈ１ｏ等）の
他、ペースガスとしてのＨ２，希ガス；フッ素導入用の
ＳｉＦ４； ｐ又はｎ伝導性の制御用のＢ２Ｈ，Ｓ ｙ
ＰＨ３＋ＡｓＨ３：窒素ドープ用のＮ２ｔ ＮＨ３；酸
素ドープ用のＮ２０゜ＮＯ；炭素ドープ用の炭化水素、
例えばＣＨ４ｔ Ｃ２Ｈ４；（９） 等をはじめ、ドーピング可能なものとして知られている
各種ガスを挙げることができる。これら原料ガスを、マ
スフローコントローラー等を用いて所定の比率で混合し
、適宜必要に応じた量が反応室Ｃに供給される。
料ガスとしては、ａ−８ｔ成膜材料としてのシラン（Ｓ
ｉＦ４，５１２Ｈ６，５１３Ｈ８，５１４Ｈ１ｏ等）の
他、ペースガスとしてのＨ２，希ガス；フッ素導入用の
ＳｉＦ４； ｐ又はｎ伝導性の制御用のＢ２Ｈ，Ｓ ｙ
ＰＨ３＋ＡｓＨ３：窒素ドープ用のＮ２ｔ ＮＨ３；酸
素ドープ用のＮ２０゜ＮＯ；炭素ドープ用の炭化水素、
例えばＣＨ４ｔ Ｃ２Ｈ４；（９） 等をはじめ、ドーピング可能なものとして知られている
各種ガスを挙げることができる。これら原料ガスを、マ
スフローコントローラー等を用いて所定の比率で混合し
、適宜必要に応じた量が反応室Ｃに供給される。
本発明にいう、支持体を加熱しつつ、原料物質のガス雰
囲気中で放電を生起させることによシ光導電性を有する
薄膜を製造する方法としては、例えば、グロー放電法、
スフ４ツタリング法あるいはイオンブレーティング法等
の所謂真空堆積法が挙げられる。
囲気中で放電を生起させることによシ光導電性を有する
薄膜を製造する方法としては、例えば、グロー放電法、
スフ４ツタリング法あるいはイオンブレーティング法等
の所謂真空堆積法が挙げられる。
上述のように、本発明による光電変換部材の製造装置は
、光電変換部材の基体を投入室、加熱室、反応室、冷却
室、搬出室に順次に通すことによって、効率よく光電変
換部材を連続製造することができる。この装置において
は、加熱室は常に一定の加熱状態に保たれているので、
基体の加熱時間は短縮され、また、冷却室は常に一定の
冷却状態に保たれているので、基体の冷却時間も短縮さ
れ、且つ冷却室内の一定温度の基体のみを取シ出すこ（
１０） とができる。また、減圧およびリークは投入室および搬
出室のみにおいて行なわれるので、排気およびリークの
体積は減少され、これに伴って、製造工程の時間は短縮
される。
、光電変換部材の基体を投入室、加熱室、反応室、冷却
室、搬出室に順次に通すことによって、効率よく光電変
換部材を連続製造することができる。この装置において
は、加熱室は常に一定の加熱状態に保たれているので、
基体の加熱時間は短縮され、また、冷却室は常に一定の
冷却状態に保たれているので、基体の冷却時間も短縮さ
れ、且つ冷却室内の一定温度の基体のみを取シ出すこ（
１０） とができる。また、減圧およびリークは投入室および搬
出室のみにおいて行なわれるので、排気およびリークの
体積は減少され、これに伴って、製造工程の時間は短縮
される。
第１図は本発明による光電変換部材の連続製造装置の基
本的構成を示す概略図、第２図はその実施例の構成を示
す概略図である。 Ａ・・・投入室、 Ｂ・・・加熱室、 Ｃ・・・反応室、 Ｄ・・・冷却室、 Ｅ・・・搬出室、 Ｆ・・・洗浄室。 （１１）
本的構成を示す概略図、第２図はその実施例の構成を示
す概略図である。 Ａ・・・投入室、 Ｂ・・・加熱室、 Ｃ・・・反応室、 Ｄ・・・冷却室、 Ｅ・・・搬出室、 Ｆ・・・洗浄室。 （１１）
Claims (3)
- （１）減圧された反応室内で基体を加熱しなから光電変
換層形成用の原料ガスを反応室内に導入し該基体上に光
電変換の為の薄膜を形成することによって光電変換部材
を製造する装置において、基体を投入した後に減圧可能
な投入室と、減圧可能であって、常に一定の加熱状態を
保っていて該投入室から搬入される基体を一定温度に加
熱する加熱室と、該加熱室から搬入される一定温度に加
熱された基体上に光電変換の為の薄膜を形成する、減圧
可能な反応室と、常に一定の冷却状態を保ち得て該反応
室から搬入される成膜済みの基体を冷却する減圧可能な
冷却室と、冷却された成膜済み基体を受け入れた後に周
囲圧力に戻されて成膜済み基体をとシ出す搬出室とを備
え、基体を順次に上記の投入室、加熱室、反応室、冷却
室、搬出室に連続的に通しなから光電変換部材を製造す
るととを特徴とする光電変換部材の製造装置。 - （２）上記の投入室の前に基体を洗浄する洗浄室を設け
た特許請求の範囲第（１）項記載の装置。 - （３）上記の反応室は、基体上に光電変換用の薄膜を形
成するための反応室部と、上記の加熱室から搬入される
基体を該反応室部に送シ込み且つ成膜済みの基体を該反
応室部から受けとってこれを上記の冷却室に送シ込むた
めの中継室部と備えている特許請求の範囲第（１）項記
載の装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118748A JPS6010681A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光電変換部材の製造装置 |
| US07/873,629 US5258075A (en) | 1983-06-30 | 1992-04-23 | Process for producing photoconductive member and apparatus for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118748A JPS6010681A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光電変換部材の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010681A true JPS6010681A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14744073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118748A Pending JPS6010681A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 光電変換部材の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010681A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509629A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-01-31 | ||
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5893322A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58118748A patent/JPS6010681A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509629A (ja) * | 1973-05-29 | 1975-01-31 | ||
| JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5893322A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
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