JPS6010678A - 絶縁ゲ−ト電界効果型トランジスタ - Google Patents
絶縁ゲ−ト電界効果型トランジスタInfo
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- JPS6010678A JPS6010678A JP11921083A JP11921083A JPS6010678A JP S6010678 A JPS6010678 A JP S6010678A JP 11921083 A JP11921083 A JP 11921083A JP 11921083 A JP11921083 A JP 11921083A JP S6010678 A JPS6010678 A JP S6010678A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4916—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen
- H01L29/4925—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は絶縁ゲート電界効果型トランジスタ（ＭＯ８
電界効果型トランジスタ）に関するものである。
電界効果型トランジスタ）に関するものである。
従来ＭＯ８集積回路装置において、ゲート電極配線と、
アルミ電極配線を接続する場合、ゲート電極配線をフィ
ールド酸化膜上にまで伸ばし、フィールド酸化膜上でコ
ンタクト孔を介し、アルミ配線と接続していた。こわは
、シリコン中でのアルミの拡散係数が大きいため、ゲー
ト電極のポリシリコン中をアルミが拡散し、ゲート電極
、基板間の短絡、あるいはゲート耐圧不良の問題が生じ
るためである。このため、フィールド、酸化膜上にコン
タクト領域としである程度の面積を必要とし、高集積化
、高密度化することが困難であった。
アルミ電極配線を接続する場合、ゲート電極配線をフィ
ールド酸化膜上にまで伸ばし、フィールド酸化膜上でコ
ンタクト孔を介し、アルミ配線と接続していた。こわは
、シリコン中でのアルミの拡散係数が大きいため、ゲー
ト電極のポリシリコン中をアルミが拡散し、ゲート電極
、基板間の短絡、あるいはゲート耐圧不良の問題が生じ
るためである。このため、フィールド、酸化膜上にコン
タクト領域としである程度の面積を必要とし、高集積化
、高密度化することが困難であった。
本発明の目的は、チャネル領域ゲート上でコンタクト開
孔が可能なＭＯ８電界効果型トランジスタによシ、高密
度な、半導体集積回路装置を提供することにある。
孔が可能なＭＯ８電界効果型トランジスタによシ、高密
度な、半導体集積回路装置を提供することにある。
本発明の特徴はゲート電極としてそのチャネル領域の少
なくとも一部を多結晶シリコンとＴｉＮの２層構造とし
、該ＴｉＮのＡ、ｄに対するバリヤ性によシチャネル領
域のゲート電極上でコンタクト孔を介し、Ａ４配線との
接続を行なうＭＯ８電界効果型トランジスタにある。
なくとも一部を多結晶シリコンとＴｉＮの２層構造とし
、該ＴｉＮのＡ、ｄに対するバリヤ性によシチャネル領
域のゲート電極上でコンタクト孔を介し、Ａ４配線との
接続を行なうＭＯ８電界効果型トランジスタにある。
次に図面を用いて本発明の一実施例について説明する。
第１図には従来のシリコンゲートＭＯＳトランジスタの
平面図を示す。多結晶ポリシリコンによるゲート両極３
はアルミ配線と接続するためフィールド酸化膜上１にま
で伸ばし、コンタクト孔８Ａを介しア′ルミ配線７Ａと
接続する。このため、このコンタクト領域にある程度の
面積を要する。
平面図を示す。多結晶ポリシリコンによるゲート両極３
はアルミ配線と接続するためフィールド酸化膜上１にま
で伸ばし、コンタクト孔８Ａを介しア′ルミ配線７Ａと
接続する。このため、このコンタクト領域にある程度の
面積を要する。
こｉＫ対し、本発明のＭ ０８ ’４界効果型トランジ
スタの一実施例を第２図に示す。ゲート酸化膜２、多結
晶シリコン膜３、を成長後ＴｉＮ膜４を拡散層５を形成
する。ここで、ＴｉＮ膜は高融点材料であるため、自己
整合による拡散層の形成は可能であシ、かつ、Ａ４に対
してバリヤ性を持つため、層間脳６全改長後、チャネル
領域のゲート電極上でコンタクト孔を介し、アルミ配線
７Ａとの接続が可能となる。
スタの一実施例を第２図に示す。ゲート酸化膜２、多結
晶シリコン膜３、を成長後ＴｉＮ膜４を拡散層５を形成
する。ここで、ＴｉＮ膜は高融点材料であるため、自己
整合による拡散層の形成は可能であシ、かつ、Ａ４に対
してバリヤ性を持つため、層間脳６全改長後、チャネル
領域のゲート電極上でコンタクト孔を介し、アルミ配線
７Ａとの接続が可能となる。
次に他の実施例を第３図に示す。グー１化膜２、多結晶
シリコン膜３乞成畏後、拡散＋ｉｆ ５ ′！ｉ−形成
し、１−間膜６を成長する。その後多結晶シリコンゲー
ト電極３上およびソース・ドレイン領域の拡散層５上に
コンタクト孔を開け、配線金橋のアルミ會被着する前に
ＴｉＮ膜４全４全薄００λ程度被着する。このようにシ
リコンとアルミとの接続部にのみＴｉＮ膜を形成しシリ
コン中へのアル′ ミの拡散を防ぐ。こねによりチャネ
ル領域のゲートポリシリコン電極上で、アルミ配線７Ａ
との接続が可能であると同時にこの場合、拡散層５とア
ルミ配線７ＢにもＴｉＮ膜があるため、拡散層の浅接合
化にも有効である。
シリコン膜３乞成畏後、拡散＋ｉｆ ５ ′！ｉ−形成
し、１−間膜６を成長する。その後多結晶シリコンゲー
ト電極３上およびソース・ドレイン領域の拡散層５上に
コンタクト孔を開け、配線金橋のアルミ會被着する前に
ＴｉＮ膜４全４全薄００λ程度被着する。このようにシ
リコンとアルミとの接続部にのみＴｉＮ膜を形成しシリ
コン中へのアル′ ミの拡散を防ぐ。こねによりチャネ
ル領域のゲートポリシリコン電極上で、アルミ配線７Ａ
との接続が可能であると同時にこの場合、拡散層５とア
ルミ配線７ＢにもＴｉＮ膜があるため、拡散層の浅接合
化にも有効である。
第２図及び第３図の構造の電界効果型ＭＯＳトランジス
タの平面図を第４図に示す。ゲートポリシリコン電極３
とアルミ配線７Ａとの接続はチャネル領域上のコンタク
ト孔８八を介し、可能であシ、フィールド酸化膜上にコ
ンタクト領域を形成した従来のトランジスタ第１図と比
べ面積を小さくできる。
タの平面図を第４図に示す。ゲートポリシリコン電極３
とアルミ配線７Ａとの接続はチャネル領域上のコンタク
ト孔８八を介し、可能であシ、フィールド酸化膜上にコ
ンタクト領域を形成した従来のトランジスタ第１図と比
べ面積を小さくできる。
第１図は従来のＭＯ８電界効果型トランジスタ、第２図
は本発明の実施例を示す断面図、第３図は １本発明の
他の実施例を示す断面図、第４図は本発明の実施例を示
すＭＯ８電界効果型トランジスタの平面図、である。 尚、図において、１８・・・・・フィールド酸化膜、２
・・・・・・ゲート酸化膜、３・・・・・・ゲートポリ
シリコン電極、４・・・・・・ＴｉＮ膜、５・・・・・
・ソース・ドレイン領域、６・・・・・・層間絶縁膜、
７Ａ・・・・・・ゲートアルミ配線、７Ｂ・・・・・・
ソース・ドレイン・アルミ配線、８Ａ・・・・・・ゲー
トポリシリ電極とアルミ配線のコンタクト孔、８Ｂ・・
・・・・ソース・ドレインとアルミ配線のコンタクト孔
、１０・・・・・・Ｐ型シリコン基板、である。 ５− 第 ／ＷＪ 第３ 図 第ｊ し
は本発明の実施例を示す断面図、第３図は １本発明の
他の実施例を示す断面図、第４図は本発明の実施例を示
すＭＯ８電界効果型トランジスタの平面図、である。 尚、図において、１８・・・・・フィールド酸化膜、２
・・・・・・ゲート酸化膜、３・・・・・・ゲートポリ
シリコン電極、４・・・・・・ＴｉＮ膜、５・・・・・
・ソース・ドレイン領域、６・・・・・・層間絶縁膜、
７Ａ・・・・・・ゲートアルミ配線、７Ｂ・・・・・・
ソース・ドレイン・アルミ配線、８Ａ・・・・・・ゲー
トポリシリ電極とアルミ配線のコンタクト孔、８Ｂ・・
・・・・ソース・ドレインとアルミ配線のコンタクト孔
、１０・・・・・・Ｐ型シリコン基板、である。 ５− 第 ／ＷＪ 第３ 図 第ｊ し
Claims (1)
- 絶縁ゲート電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電
極の少なくとも一部が多結晶シリコンと窒化チタンとの
２層構造よりなることを特徴とする絶縁ゲート電界効果
型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11921083A JPS6010678A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 絶縁ゲ−ト電界効果型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11921083A JPS6010678A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 絶縁ゲ−ト電界効果型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010678A true JPS6010678A (ja) | 1985-01-19 |
Family
ID=14755658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11921083A Pending JPS6010678A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 絶縁ゲ−ト電界効果型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293059A (en) * | 1987-09-07 | 1994-03-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | MOS semiconductor device with double-layer gate electrode structure |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP11921083A patent/JPS6010678A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293059A (en) * | 1987-09-07 | 1994-03-08 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | MOS semiconductor device with double-layer gate electrode structure |
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