JPS59204276A - 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 - Google Patents
絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置Info
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- JPS59204276A JPS59204276A JP7898083A JP7898083A JPS59204276A JP S59204276 A JPS59204276 A JP S59204276A JP 7898083 A JP7898083 A JP 7898083A JP 7898083 A JP7898083 A JP 7898083A JP S59204276 A JPS59204276 A JP S59204276A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41775—Source or drain electrodes for field effect devices characterised by the proximity or the relative position of the source or drain electrode and the gate electrode, e.g. the source or drain electrode separated from the gate electrode by side-walls or spreading around or above the gate electrode
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は絶縁ゲート電界効果型（ＭＯ８’）トランジス
タからなる半導体装置に於ける、ソース・ドレイン電極
の構造およびソース・ドレイン電極の引き出し方法に関
する。
タからなる半導体装置に於ける、ソース・ドレイン電極
の構造およびソース・ドレイン電極の引き出し方法に関
する。
近年、ＭＯ８ＩＣの集積度が上がるにつれて、ＭＯＳ）
う／ジスタのスケールダウンが必要になってきている。
う／ジスタのスケールダウンが必要になってきている。
そのためには、ソース・ドレインの拡散層の深さを浅く
しなければいけない。しかし浅い拡散層を用いることは
以下のような欠点がある。即ち拡散層の層抵抗が大きく
、ソース・ドレインの付加抵抗が大きくなシ、トランジ
スタの実効的能力を下げてしまうこと、および金属配線
と接続するためのコンタクト孔をソース・ドレインの拡
散層上にあけると、ソース・ドレイン拡散層と基板との
間に形成されるＰＮ接合にリーフ電流が増大しやすいこ
とである。
しなければいけない。しかし浅い拡散層を用いることは
以下のような欠点がある。即ち拡散層の層抵抗が大きく
、ソース・ドレインの付加抵抗が大きくなシ、トランジ
スタの実効的能力を下げてしまうこと、および金属配線
と接続するためのコンタクト孔をソース・ドレインの拡
散層上にあけると、ソース・ドレイン拡散層と基板との
間に形成されるＰＮ接合にリーフ電流が増大しやすいこ
とである。
本発明の目的はソース・ドレイン拡散層の深さを浅くし
ても、前記のような、２つ欠点を持たないＭＯＳトラン
ジスタからなる、半導体装置を提供することにある。
ても、前記のような、２つ欠点を持たないＭＯＳトラン
ジスタからなる、半導体装置を提供することにある。
本発明の特徴は、ソースまたは拡散層領域上に、その領
域のおおよそ５０％以上の面積を有する第１のコンタク
ト開口部を形成し、次に前記コンタクト開口部を完全に
覆うように、シリサイド、または金属とドープドポリシ
リコンの２層構造からなるソース ド、レインの引き出
し配線を形成し、次に、前記引き出し配線上に、ソース
・ドレイン拡散層領域にかからないように、上層の金属
配線との接続のだめの第２のコンタクト開口部を形成す
ることにある。
域のおおよそ５０％以上の面積を有する第１のコンタク
ト開口部を形成し、次に前記コンタクト開口部を完全に
覆うように、シリサイド、または金属とドープドポリシ
リコンの２層構造からなるソース ド、レインの引き出
し配線を形成し、次に、前記引き出し配線上に、ソース
・ドレイン拡散層領域にかからないように、上層の金属
配線との接続のだめの第２のコンタクト開口部を形成す
ることにある。
本発明によれば、第１のコンタクトの開口部が大きいこ
と、引き出し配線として、シリサイド、または金属とド
ープドポリシリコンの２層構造を使用していることによ
り、ソースまたはドレインの付加抵抗を小さくすること
ができ、また、上層の金属配線との接続のだめのコンタ
クト開口部を、ソース・ドレイン拡散層領域上に直接形
成しないため、ソース・ドレイン拡散層と基板間のｌ）
Ｎ接合のリーク電流の増大を防ぐことができる。
と、引き出し配線として、シリサイド、または金属とド
ープドポリシリコンの２層構造を使用していることによ
り、ソースまたはドレインの付加抵抗を小さくすること
ができ、また、上層の金属配線との接続のだめのコンタ
クト開口部を、ソース・ドレイン拡散層領域上に直接形
成しないため、ソース・ドレイン拡散層と基板間のｌ）
Ｎ接合のリーク電流の増大を防ぐことができる。
以下ＮチャンネルＭＯＳトランジスタへの実施例をもっ
て詳細に説明する。第１図は本実施例の平面図第２図は
第１図のＡへ′断面図である。通常のシリコンゲート技
術により、ポリシリコンゲート電極１および砒素による
ソース拡散層領域２、ドレイン拡散層領域２′を形成す
る。ゲート電極のゲート長は約１２μ、砒素拡散層の深
さは約０．１５μとする。次に第１のコンタクト開口部
３および３′を、拡散層領域２および２′上に形成する
。このときコンタクト開口部の一部は拡散層領域から、
はみだしている。次にり／をドープした３０００Ａのポ
リシリコンとその上に蒸着したＬ０００λのモリブデン
からなる２層構造からなる引き出し配線４．４′を形成
する。このときこの引き出し配線がソース・ドレイン拡
散領域上のコンタクト開口部を完全に覆うようにする。
て詳細に説明する。第１図は本実施例の平面図第２図は
第１図のＡへ′断面図である。通常のシリコンゲート技
術により、ポリシリコンゲート電極１および砒素による
ソース拡散層領域２、ドレイン拡散層領域２′を形成す
る。ゲート電極のゲート長は約１２μ、砒素拡散層の深
さは約０．１５μとする。次に第１のコンタクト開口部
３および３′を、拡散層領域２および２′上に形成する
。このときコンタクト開口部の一部は拡散層領域から、
はみだしている。次にり／をドープした３０００Ａのポ
リシリコンとその上に蒸着したＬ０００λのモリブデン
からなる２層構造からなる引き出し配線４．４′を形成
する。このときこの引き出し配線がソース・ドレイン拡
散領域上のコンタクト開口部を完全に覆うようにする。
次にＣＶＤシリコン酸化膜１２を層間絶縁膜として被着
したあと、引き出し配線上に、アルミ配線との接続のだ
めの第２のコンタクト開口部５および５′を、ソース・
ドレイン拡散領域からはずれた所に開口する。最後に他
の素子との間の相互結線となるアルミ配線を形成する。
したあと、引き出し配線上に、アルミ配線との接続のだ
めの第２のコンタクト開口部５および５′を、ソース・
ドレイン拡散領域からはずれた所に開口する。最後に他
の素子との間の相互結線となるアルミ配線を形成する。
６はソースとつながるアルミ配線、６′はドレインとつ
ながるアルミ配線、７は他の素子間をつなぐアルミ配線
であシ、ソース ドレイン拡散層領域上を通過すること
ができる。
ながるアルミ配線、７は他の素子間をつなぐアルミ配線
であシ、ソース ドレイン拡散層領域上を通過すること
ができる。
本実施例の構造によれば、ソース・ドレイン砒素拡散層
は、引き出し配線のリンドープポリシリコンとのみ接触
しており、また引き出し配線がコンタクト開口部を完全
に覆っており、かつ上層の金属配線とのコンタクト開口
部が、拡散層領域上にないため、アロイスパイクなどに
よるソース・ドレイン拡散層と基板との間の接合のリー
ク電流の増大を防ぐことができる。引き出し配線がポリ
シリコン上にモリブデンをのせているのは、ソース・ド
レインの付加抵抗を減らすためである。この目的のため
には、ソース・ドレイン拡散層領域上のコンタクト開口
部はできるだけ大きい方が良い。
は、引き出し配線のリンドープポリシリコンとのみ接触
しており、また引き出し配線がコンタクト開口部を完全
に覆っており、かつ上層の金属配線とのコンタクト開口
部が、拡散層領域上にないため、アロイスパイクなどに
よるソース・ドレイン拡散層と基板との間の接合のリー
ク電流の増大を防ぐことができる。引き出し配線がポリ
シリコン上にモリブデンをのせているのは、ソース・ド
レインの付加抵抗を減らすためである。この目的のため
には、ソース・ドレイン拡散層領域上のコンタクト開口
部はできるだけ大きい方が良い。
本実施例において、ゲート長が約２μの場合に通常用い
られている拡散層深さ０３μの拡散層抵抗と同程度の付
加抵抗におさえるためには、コンタクト開口部の面積が
ソース・ドレインの拡散層領域の面積の約５０％以上あ
ることが必要である。
られている拡散層深さ０３μの拡散層抵抗と同程度の付
加抵抗におさえるためには、コンタクト開口部の面積が
ソース・ドレインの拡散層領域の面積の約５０％以上あ
ることが必要である。
以上のように、本発明によれば、ソース・ドレインの拡
散層による付加抵抗が小さく、かつソース・ドレインの
拡散層と基板間の接合リークが小さく、シかもソース・
ドレインの拡散層深さの浅いＭＯＳトランジスタが実現
でき、ＭＯＳトランジスタからなる半導体装置のスケー
ルダウンに極めて有効である。またソース・ドレイン拡
散層領域上を、上層の金属配線が、引き出し配線と直交
するように走ることができ、チノプザイズの縮小に有効
である。
散層による付加抵抗が小さく、かつソース・ドレインの
拡散層と基板間の接合リークが小さく、シかもソース・
ドレインの拡散層深さの浅いＭＯＳトランジスタが実現
でき、ＭＯＳトランジスタからなる半導体装置のスケー
ルダウンに極めて有効である。またソース・ドレイン拡
散層領域上を、上層の金属配線が、引き出し配線と直交
するように走ることができ、チノプザイズの縮小に有効
である。
なお、実施例に於ては、引き出し配線としてモリブデン
とポリシリコンの２層配線を用いたが、アロイスパイク
のおそれのない、モリブデンシリサイドなどの７リサイ
ド配線を用いても同様な効果をもつ。またＰチャンネル
ＭＯＳトランジスタに於ても同様な構造を形成できるこ
とは当然のことである。
とポリシリコンの２層配線を用いたが、アロイスパイク
のおそれのない、モリブデンシリサイドなどの７リサイ
ド配線を用いても同様な効果をもつ。またＰチャンネル
ＭＯＳトランジスタに於ても同様な構造を形成できるこ
とは当然のことである。
第１図は本発明の実施例の平面図、第２図は第１図のＡ
Ａ’断面図である。 なお図において、１・・・・・・ポリシリコンゲート電
極、２・・・・・・ソース拡散層領域、２′・・・・・
ドレイン拡散層領域、３．３’・・・・・・第１のコン
タクト開口部、４．４′・・・・・・モリブデン・ポリ
シリコンの２層構造よりなる引き出し配線、５．５’・
・・・・・第２のコンタクト開口部、６．６′・・・・
・・アルミ配線、７・・・・・・アルミ配勝、１０・・
・・・・ンリコン基板（Ｐ型）、１１・・・・・・熱シ
リコン酸化膜、１２・・・・・・ＣＶＤシリコン酸化膜
、である。
Ａ’断面図である。 なお図において、１・・・・・・ポリシリコンゲート電
極、２・・・・・・ソース拡散層領域、２′・・・・・
ドレイン拡散層領域、３．３’・・・・・・第１のコン
タクト開口部、４．４′・・・・・・モリブデン・ポリ
シリコンの２層構造よりなる引き出し配線、５．５’・
・・・・・第２のコンタクト開口部、６．６′・・・・
・・アルミ配線、７・・・・・・アルミ配勝、１０・・
・・・・ンリコン基板（Ｐ型）、１１・・・・・・熱シ
リコン酸化膜、１２・・・・・・ＣＶＤシリコン酸化膜
、である。
Claims (2)
- （１） ソースまたはドレイン領域上に、少くとも一
部がかかるように形成された第１のコンタクト開口部の
前記ソース、ドレイン領域上の面積が前記ソース、ドレ
イン領域の面積のおおよそ５０％以上に形成され、前記
第１のコンタクト開口部を介して前記ソース、上゛レイ
ン領域と接続される引き出し配線が、シリサイドまたは
金属とドーグドボリノリコンの２層構造を含んで構成さ
れ、かつ該引き出し配線は前記第１のコンタクト開口部
を完全に覆って設けられておシ、前記引き出し配線上の
前記ソース、ドレイン領域上でない領域に第２のコンタ
クト開口部が形成されていることを特徴とする絶縁ゲー
ト電界効果型半導体装置。 - （２）引き出し配線と該引き出し配線の上層に設けられ
た金属配線とがほぼ直交していることを特徴とする特許
請求の範凹第（１）項記載の絶縁ゲート電界効果型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7898083A JPS59204276A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7898083A JPS59204276A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204276A true JPS59204276A (ja) | 1984-11-19 |
Family
ID=13677036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7898083A Pending JPS59204276A (ja) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | 絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036383A (en) * | 1989-04-27 | 1991-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved bonding pad |
-
1983
- 1983-05-06 JP JP7898083A patent/JPS59204276A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5036383A (en) * | 1989-04-27 | 1991-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an improved bonding pad |
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