JPS60106190A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPS60106190A JPS60106190A JP58214733A JP21473383A JPS60106190A JP S60106190 A JPS60106190 A JP S60106190A JP 58214733 A JP58214733 A JP 58214733A JP 21473383 A JP21473383 A JP 21473383A JP S60106190 A JPS60106190 A JP S60106190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- hybrid integrated
- integrated circuit
- resistor
- plated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は混成集積回路、特に短時間負荷寿命および長時
間負荷寿命を持つニッケルメッキ抵抗体を有する混成集
積回路に関する。
間負荷寿命を持つニッケルメッキ抵抗体を有する混成集
積回路に関する。
（ロ）従来技術
従来の混成集積回路の構造を第１図に示す。（１）は良
熱伝導性アルミニウム基板、（２）は陽極酸化により形
成した酸化アルミニウム被膜、（３）はエポキシ樹脂層
、（４）は銅箔による導電路、（５）は導電路（４）間
に設けたニッケルメッキ抵抗体である。
熱伝導性アルミニウム基板、（２）は陽極酸化により形
成した酸化アルミニウム被膜、（３）はエポキシ樹脂層
、（４）は銅箔による導電路、（５）は導電路（４）間
に設けたニッケルメッキ抵抗体である。
期る混成集積回路では放熱性が良好であるのでニッケル
メッキ抵抗体（５）で大電力を消費するととができる。
メッキ抵抗体（５）で大電力を消費するととができる。
ニッケルメッキ抵抗体（５）はニッケルの岬電界メッキ
により約２〜３μ厚に形成され、５Ω以下の大電力用抵
抗体として利用される。し力１し斯上した基板では熱抵
抗が１°Ｃ／Ｗと大きく、十分にニッケルメッキ抵抗体
（５）の消費電力の向上を図っていると言えなかった。
により約２〜３μ厚に形成され、５Ω以下の大電力用抵
抗体として利用される。し力１し斯上した基板では熱抵
抗が１°Ｃ／Ｗと大きく、十分にニッケルメッキ抵抗体
（５）の消費電力の向上を図っていると言えなかった。
←１ 発明の目的
本発明は斯点に鑑みてなされ、更にニッケルメッキ抵抗
体の短時間負荷寿命および長時間負荷寿命を向上させた
混成集積回路を実現することを目的とする。
体の短時間負荷寿命および長時間負荷寿命を向上させた
混成集積回路を実現することを目的とする。
に）発明の構成
本発明に依る混成集積回路は第２図に示す如く、良熱伝
導性金属基板（１υと、基板１１１表面に設けた良熱伝
導性絶縁薄１１！ＩＵＪと、絶縁薄層←り上に形成した
ニッケルメッキ抵抗体Ｉより構成されてＸ、Ｓる。
導性金属基板（１υと、基板１１１表面に設けた良熱伝
導性絶縁薄１１！ＩＵＪと、絶縁薄層←り上に形成した
ニッケルメッキ抵抗体Ｉより構成されてＸ、Ｓる。
（羽 実施例
良熱伝導性金属基板Ｉとしてはアルミニウムを用いる。
そして基板Ｉ表面にはアルミナ（ＡＩ、０．）、ＢＮ、
シリカ等を３０％程度混入したエポキシ樹脂より成る絶
縁薄層αのを塗布する。この絶縁薄層ａ４は約６０μの
厚さに形成され、熱抵抗は０．５〜０．８°Ｃ／Ｗに改
善された低熱抵抗基板を実現できる。導電路α騰として
は絶縁薄層ａ２１全面に貼着した銅箔をエツチングして
所望形状に形成する。なお導電路Ｑ３）の表面を酸化か
ら防止するために表面にニッケルメッキ層を付層する。
シリカ等を３０％程度混入したエポキシ樹脂より成る絶
縁薄層αのを塗布する。この絶縁薄層ａ４は約６０μの
厚さに形成され、熱抵抗は０．５〜０．８°Ｃ／Ｗに改
善された低熱抵抗基板を実現できる。導電路α騰として
は絶縁薄層ａ２１全面に貼着した銅箔をエツチングして
所望形状に形成する。なお導電路Ｑ３）の表面を酸化か
ら防止するために表面にニッケルメッキ層を付層する。
導電路α段間には周知のカーボンレジン印Ｍｉｌｌ抵抗
ペーストをスクリーン印刷して焼成して形成する印刷抵
抗体を適宜形成する他に、本発明のｌ時機とするニッケ
ルメッキ抵抗体側を形成する。ニッケルメッキ抵抗体側
はニッケルの無電界メッキにより約２〜３μ厚に形成さ
れ、５Ω以下の大電力用抵抗体として出力トランジスタ
のエミッタ抵抗等に利用される。
ペーストをスクリーン印刷して焼成して形成する印刷抵
抗体を適宜形成する他に、本発明のｌ時機とするニッケ
ルメッキ抵抗体側を形成する。ニッケルメッキ抵抗体側
はニッケルの無電界メッキにより約２〜３μ厚に形成さ
れ、５Ω以下の大電力用抵抗体として出力トランジスタ
のエミッタ抵抗等に利用される。
貼る本発明の混成集積回路に依れば、基板の放熱の大巾
に改善によりニッケルメッキ抵抗体αａの消費電力を大
巾に向上できる。短時間負荷寿命試験に於いて５秒間で
ニッケルメッキ抵抗体αａが焼断するまで負荷を上昇さ
せると、従来では１ｍｕｆｌ当り３Ｗであったのが本発
明では６Ｗまで向上できた。更に長時間負荷寿命試験に
於いて１０００時間でニッケルメッキ抵抗体（１４）の
抵抗値変動が５％以上になる負荷は従来では１−当り２
００ｍＷであったのが本発明では４００ｍＷまで向上で
きた。
に改善によりニッケルメッキ抵抗体αａの消費電力を大
巾に向上できる。短時間負荷寿命試験に於いて５秒間で
ニッケルメッキ抵抗体αａが焼断するまで負荷を上昇さ
せると、従来では１ｍｕｆｌ当り３Ｗであったのが本発
明では６Ｗまで向上できた。更に長時間負荷寿命試験に
於いて１０００時間でニッケルメッキ抵抗体（１４）の
抵抗値変動が５％以上になる負荷は従来では１−当り２
００ｍＷであったのが本発明では４００ｍＷまで向上で
きた。
これは基板を低熱抵抗として放熱性を高め、ニッケルメ
ッキ抵抗体（１４）の温度上昇を下げたことに寄因する
。
ッキ抵抗体（１４）の温度上昇を下げたことに寄因する
。
（へ）発明の効果
本発明に依ればニッケルメッキ抵抗体（１４の消費電力
を２倍に増加できるので、混成集積回路への更に大電力
を消費する抵抗体の組み込みを可能とできる。そして従
来では外付部品とされていた大電力用のセメント抵抗体
等も混成集積回路内に一体に形成でき、電子機器の実装
密度の向上に寄与できる。
を２倍に増加できるので、混成集積回路への更に大電力
を消費する抵抗体の組み込みを可能とできる。そして従
来では外付部品とされていた大電力用のセメント抵抗体
等も混成集積回路内に一体に形成でき、電子機器の実装
密度の向上に寄与できる。
第１図は従来の混成集積回路を説明する断面図、第２図
は本発明の混成集積回路を説明する断面図である。 ａυは良熱伝導性金属基板、 ａ２は絶縁薄層、α（至
）は導電路、 Ｉはニッケルメッキ抵抗体である。 第１図
は本発明の混成集積回路を説明する断面図である。 ａυは良熱伝導性金属基板、 ａ２は絶縁薄層、α（至
）は導電路、 Ｉはニッケルメッキ抵抗体である。 第１図
Claims (1)
- （１）良熱伝導性金属基板と該基板表面に設けた良熱伝
導性絶縁薄層と該絶縁薄層上に形成したニッケルメッキ
抵抗体とを具備することを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214733A JPS60106190A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58214733A JPS60106190A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60106190A true JPS60106190A (ja) | 1985-06-11 |
Family
ID=16660703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58214733A Pending JPS60106190A (ja) | 1983-11-14 | 1983-11-14 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60106190A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110001U (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | ||
| JPH0569977U (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | 京セラ株式会社 | 多層回路基板 |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP58214733A patent/JPS60106190A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110001U (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | ||
| JPH0569977U (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | 京セラ株式会社 | 多層回路基板 |
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