JPS60105A - 周波数制御可能な発振回路 - Google Patents

周波数制御可能な発振回路

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Publication number
JPS60105A
JPS60105A JP10810583A JP10810583A JPS60105A JP S60105 A JPS60105 A JP S60105A JP 10810583 A JP10810583 A JP 10810583A JP 10810583 A JP10810583 A JP 10810583A JP S60105 A JPS60105 A JP S60105A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resonator
capacitor
amplifier
input
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP10810583A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Kusakabe
博巳 日下部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP10810583A priority Critical patent/JPS60105A/ja
Publication of JPS60105A publication Critical patent/JPS60105A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は周波数制御可能な発振回路の改良に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、音響機器を含む電子機器一般に使用される周波数
制御可能な発振回路として第1図に示すように構成され
たものが知られている。
すなわち、これはセラミックまたはクリスタルまた紘ク
リスタル等の共振子Xを使用して電圧(また社電流でも
可)により発振周波数を制御可能な構成であるところか
らいわゆるv cx。
回路と称されているものである。
そして、[源Vcc と接地間に縦続接続される二組の
差動対トランジスタQ1−QtおよびQs e Q4 
K対し1図示の如くバイアス電圧源VB、制御入力源■
。、移相用コンデンサCおよび共振子Xt−接続してな
るものである。
しかしながら、このような発振回路にあっては、電源V
CCと接地間に三組の差動対トランジスタQ1−Qtお
よびQl 、Q4 を縦続接続しているために、低電圧
動作化に適さないという問題を有していた。
また、IC化を図る場合には通常図示の如きT1 * 
T2 a T′s な”る3端子を必要とするので。
全体としての端子数が増加してしまうという問題を有し
ていた。
この場合、端子数を削減するために、移送用のコンデン
サCをIC内に内蔵するにしても、共振子Xを接続する
ための2端子は少なくとも必要となる。
〔発明の目的〕
そこで、この発明り以上のような点に鑑みてなされたも
ので、低電圧動作化に適すると共に、IC化した場合に
端子数を可及的に削減し得るように改良した極めて良好
なる周波数制御可能な発振回路を提供することを目的と
している。
〔発明の概要〕
すなわち、この発明による周波数制御可能な発振回路は
、カスケード接続された第1および第2の反転増幅器と
、前記第1の反転増幅器の入出力部間に接続された第1
のコンデンサと。
前記第1の反転増幅器の入力部と前記第2の反転増幅器
の出力部間に接続された第2のコンデンサと、前記第1
の反転増幅器の入力部に接続された共振子または該共振
子と等価なLC組み栖・せ回路と、前記第1および第2
の反転増幅器のゲインをそれぞれ逆方向に制御する制御
手段とを具備してなることを特徴としている。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき詳細に説
ツJする。
すなわち、第2図において1は積分用のコンデンサあっ
て、トランジスタ6のベース電極とコレクタ電極間に接
続されている。
同じく、2は帰還用のコンデンサであって、ト’)7S
)ス416のベース電極とトランジスタ8のコレクタ電
極間に接続されている。
同じ<、、S、aはそれぞれトランジスタ6゜1のバイ
アス用抵抗であって、それぞれトランジスタ6.7のベ
ース電極とコレクタ電極間に対応的に接続されている。
同l;<、5は負荷抵抗であってトランジスタ80コレ
クタ電極と電源11との間に接続されている。
同じく、9はトランジスタ6.7の動作用定電流源であ
って、電源11とトランジスタ6#7の共通コレクタ電
極間に接続されている。
同じく、10唸発振周波数を制御するための制御用電流
源であって、その一端がトランジスタ7.8の共通ベー
ス電極に接続され、且つその他端が図示の場合は接地さ
れているが、定電流源の性質として特定点に接続する必
然性はない。
同じく、13は例えばセラミック等の共振子であって、
その一端が端子12t−介してトランジスタ60ベース
に接続され、且つその他端が接地されている。
なお、トランジスタ6.1.8の各エミッタ電極はいず
れも接地されている。
而して、以上の構成において、トランジスタ6.7は制
御用電流源10からの制御電流により。
略差動的な動作をするようになる。今、かかる制御電流
がそれまでよりも多く流し込まれたとすると、トランジ
スタ7.8の動作電流は増大するようになるが、トラン
ジスタ6の動作電流は減少するようになる。
何故なら、トランジスタ6.7の動作電流の和が電流$
9からの一定電流に抑見られているためで、一方が増大
すれば他方は減少する如くした差動関係を営むからであ
る。
また、トランジスタ8はトランジスタ7とベースおよび
エミッタ電極が共通であるため、その動作環流はトラン
ジスタ7のそれ・と同一の値となっている。
このとき、トランジスタ6の相互コンダクタンスgmが
低下し、)ランジスタフ、8の相互コンダクタンスgm
が増大することになるので、端子12からみた入力容量
が減少して発振周波数鉱高い方に変化するようになる。
また、仁の場合、帰還容量2の働きによって、端子12
からみた入力インピーダンス(実数分)は負性抵抗を示
し、発振を持続するに足るエネルギーが等測的に共振子
13に供給されることになる。
第3図は以上のような発振回路の発振周波数制御特性を
示している。但し、第2図の各パラメータの値は、抵抗
3が75にΩ、抵抗4が36にΩ、抵抗5がIIKΩ、
コンデンサ1が6.8PF、コンデンサ2が6.8PF
、電流源9が70μ人で且つ電源11がi、svの場合
である。
そして、かかる第3図の特性曲線から約2、5 KHz
 の範囲で発振周波数を制御することができるのが分る
M4図は第2図の等価回路を示すもので、第1および第
2の反転増幅部21.22をカスケード接続し、第1の
コンデンサC□を第1の反転増幅部21の入出力部間に
接続し、第2のコンデンサC!を第2の反転増幅器22
の出力部と第1の反転増幅器21の入力部間に接続し、
共振子Xを全体の入力部に接続し、ゲイン制御部23に
より第1および第2の反転増幅部21.22のゲインを
それぞれ逆方向に制御する如くした構成である。
すなわち、かかる構成において第1の増幅部210ダイ
ンを小圧すると、入力容量が小となって、共振子Xのイ
ンダクティゾリアクタンスLが高いとζろで発振するよ
うになる。
そして、第2図の発振回路によれば電源1ノ電圧が1V
以下(約0.8〜0.9V)までの低電圧まで動作可能
である。
また、コンデンサ1,2は小容量で済むためにICに内
蔵可能(但し、共振周波数が数100 KHzオーダー
のセラミック共振子を用いた場合)であり、これによっ
てIC化を図る際の端子数を端子12の1端子とし得る
如く可及的な削減が可能である。
なお、この発明は上記し且つ図示した実施例のみに限定
されることなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形や適用が可能であること#′i首う迄もない。
例えば、セラミック等の共振子13に代えて第5図に示
す如きインダクタンスLおよびコンテンtCの組み合わ
せ回路を用いるようにしてもよい。
また、トランジスタ6.7.8の極性および電源11の
極性を反転してもよい。
さらには、制御用電流源10をトランジスタ60ヘース
Itlliに接続するようにしてもよく、この場合、制
御電流による発振周波数の変化は第2図のときと逆(低
い)方向となる。
〔発明の効果〕
従って、以上詳述したようにこの発明によれば、低電圧
動作化に適すると共に、IC化を図る場合に端子数を可
及的に削減し得るように改良した極めて良好なる周波数
制御可能な発振回路を提供することを目的としている。
【図面の簡単な説明】 第1図は従来の発振回路を示す構成説明図、第2図はこ
の発明に係る発振回路の一実施例を示す構成説明図、第
3図は第2図の発振周波数制御特性を示す曲線図、第4
図は第2図の等価回路を示す構成説明図、第5図は第2
図の共振子に代るLC組合せ回路を示す図である。 1.2°・・コンデンサ、3,4.5・・・抵抗、6.
7,8・・・トランジスタ、9・・・定電流源、1o・
・・制御用電流源、1ノ・・・電源、12・・・端子、
13・・・共振子。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦篤1 図 第2図 第3図 第4図 第5図 2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 カスケード接続された第1および第2の反転増幅器と、
    前記第1の反転増幅器の入出力部間に接続された第1の
    コンデンサと、前記第1の反転増幅器の入力部と前記第
    2の反転増幅器の出力部間に、接続された第2のコンデ
    ンサと、前記第1の反転増幅器の入力部に接続された共
    振子または該共振子と等価なLC組み合せ回路と。 前記第1および第2の反転増幅器のゲインをそれぞれ逆
    方向に制御する制御手段とを具備してなる仁とを特徴と
    する周波数制御可能な発振回路。
JP10810583A 1983-06-16 1983-06-16 周波数制御可能な発振回路 Pending JPS60105A (ja)

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JPS60105A true JPS60105A (ja) 1985-01-05

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