KR970004620B1

KR970004620B1 - 리액턴스 회로

Info

Publication number: KR970004620B1
Application number: KR1019880007212A
Authority: KR
Inventors: 가즈히사 이시구로; 마끼오 야마기시
Original assignee: 상요덴기 가부시기가이샤; 이우에 사또시
Priority date: 1987-06-17
Filing date: 1988-06-16
Publication date: 1997-03-29
Also published as: CA1289619C; US4990872A; EP0295704A2; DE3887009D1; EP0295704B1; KR890000954A; DE3887009T2; EP0295704A3

Abstract

요약 없음

Description

리액턴스 회로

제1도는 리액턴스 소자로서 콘덴서를 구비한 가변 리액턴스 회로의 블럭도.

제2도는 리액턴스 소자로서 코일을 구비한 가변 리액턴스 회로의 블록도.

제3도는 리액턴스 소자로서 콘덴서를 구비함과 동시에 등가 리액턴스 부의 값에서 정의 값까지 변화시킬수 있는 가변 리액턴스 회로의 블럭도.

제4도는 리액턴스 소자로서 코일을 구비함과 동시에 등가 리액턴스를 부의 값에서 정의 값까지 변화시킬 수 있는 가변 리액턴스 회로의 블록도.

제5도는 가변 리액턴스 회로를 구비한 발진회로의 블록도.

제6도는 본 발명의 리액턴스 회로의 등가 회로도.

제7도는 종래의 가변 리액턴스 회로의 블록도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1, 19 : 제1트랜지스터2, 20 : 제2트랜지스터

3 : 가변 전류원4 : 전류 밀러 회로

5, 8, 25, 29, 32 : 콘덴서9, 33 : 저항

10 : 출력 단자14, 37, 38 : 코일

17 : 제1가변 리액턴스 회로18 : 제2가변 리액턴스 회로

26 : 제3트랜지스터27 : 제4트랜지스터

본 발명은 각종 전자기기에 장비되는 리액턴스 회로에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발진의 가능성을 방지한 리액턴스 회로에 관한 것이다.

출원인은 이전에, 반도체 집적회로에 조입할 수 있는 가변 리액턴스 회로를 제안하였다(미국 특허 제4, 587, 500호). 제7도는 상기 가변 리액턴스 회로에 있어서, 부의 리액턴스를 발생시키기 위해 장비된 등가 리액턴스를 도시한 것이다.

이 회로는, 에미터가 서로 연결된 제1 및 제2트랜지스터(51, 52)와, 이 제1 및 제2트랜지스터(51, 52)의 공통 에미터에 접속된 가변 전류원(53)과, 상기 제1 및 제2트랜지스터(51, 52)의 콜렉터에 접속된 전류 밀러 회로(54)와, 상기 제1 및 제2트랜지스터(51, 52)의 베이스 사이에 접속된 저항(55)와, 제2트랜지스터(52)의 콜렉터와 제1크랜지스터(51)의 베이스와의 사이에 접속된 콘덴서(56)으로 구성된다. 이 리액턴스 회로는, 제2트랜지스터(52)의 콜렉터에 접속된 출력 단자(57)에서 보아, 부의 등가 리액턴스로서 동작하는 것이다. 이 리액턴스 회로의 리액턴스 X는 다음과 같이 표시된다.

X≒-2ωgm RC(1)

여기에서 ω는 각 주파수, gm은 제1 및 제2트랜지스터로 구성되는 차동 증폭회로의 상호 콘덕턴스, R은 저항(55)의 저항치, C는 콘덴서(56)의 용량이다. 또한, 상기 차동 증폭회로의 상호 콘덕턴스 gm은 다음과 같이 표시된다.

여기에서, T는 절대온도, q는 전자의 전하량, K는 볼츠만 정수, α는 전류 증폭율, I는 가변 전류원(53)으로 흐르는 전류이다.

따라서, 제7도의 회로는, 상기 (1)식 및 (2)식에서 명백한 바와 같이, 상기 가변 전류원(53)의 전류치 I를 변하게 함으로써 변화하는 부의 용량성 리액턴스 X를 갖는 가변 리액턴스 회로를 형성하게 된다. 이 리액턴스 회로는 IC화가 용이하다는 등의 잇점을 갖고 있다.

그런데, 제7도의 리액턴스 회로는, 제1트랜지스터(51)의 베이스로부터 이 트랜지스터의 콜렉터, 전류 밀러 회로(54), 및 콘덴서(56)을 거쳐 제1트랜지스터(51)의 베이스에 돌아가는 정궤한 루우프를 갖고 있는 것에 기인해서, 하기와 같이 발진이 일어날 가능성이 있었다. 즉, 커다란 부의 리액턴스를 얻고자 하여, 가변 전류원(53)으로 흐르는 전류를 크게 설정하여, 제1 및 제2트랜지스터(51, 52)로 이루어지는 차동 증폭회로의 이득을 증대시킨 경우, 예를 들면 출력 단자(57)에 접속되는 신호에 따라서 제1트랜지스터(51)의 베이스 전압이 상승했다고 하면, 제1트랜지스터(51)의 콜렉터 전류가 증대하고, 전류 밀러 회로(54)의 입력측(M점)의 전류가 증대한다. 이 결과, 전류 밀러 회로(54)는, 상기 입력측의 전류와 균등한 전류를 출력측(N점)으로 흐르게 한다. 한편, 상기 제1트래지스터(51)의 베이스 전압의 상승에 따라서, 제2트랜지스터(52)의 콜렉터 전류가 감소한다. 전류 밀러 회로(54)의 출력측의 전류 증대와 제2트랜지스터(52)의 콜렉터 전류의 감소 결과로서, 출력 단자(57)에는 높은 레벨의 전압이 생기고, 이 전압이 콘덴서(56)을 통해서 제1트랜지스터(51)의 베이스에 정궤환되는 것이다. 이 정궤한 루우프의 형성은 발진의 원인이 된다.

또한, 상기 미국 특허 제4, 587, 500호에는, 부궤환 루우프를 갖는 리액턴스 회로에 대해서 개시되어 있지만, 이 리액턴스 회로는 정의 리액턴스를 갖는 것이며, 부의 리액턴스를 발휘할 수는 없다.

본 발명의 목적은, 불필요한 발진을 일으킬 우려가 없는 리액턴스 회로를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 정궤환 루우프를 형성하는 일없이, 부궤환 루우프만이 형성된 리액턴스 회로이며, 더구나 부의 리액턴스를 얻을 수 있는 리액턴스 회로를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은, 부의 리액턴스를 갖는 제1가변 리액턴스 회로와, 정의 리액턴스를 갖는 제2가변 리액턴스 회로를 장비함으로써, 부의 값으로부터 정의값에 걸쳐 넓은 범위에 걸쳐서 리액턴스를 조정할 수 있는 리액턴스 회로를 제공하는 것이다.

본 발명에 관한 리액턴스 회로는 제1 및 제2트랜지스터를 서로 차동적으로 접속해서 차동 증폭회로를 형성하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터에는 부하를 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 베이스와 기준 전위점과의 사이에 리액터스 소자를 개장하고, 또한 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 베이스와의 사이에, 콘덴서 및 저항을 직렬로 접속하여 구성되고, 상기 콘덴서 및 저항에 의해서 제1트랜지스터에 대한 부궤환 루우프가 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터를 출력 단자로 했을 경우, 이 출력 단자에는, 상기 차동 증폭회로, 리액턴스 소자, 저항 등의 특성이나 값에 의해서 규정되는 부의 등가 리액턴스가 얻어진다.

본 발명에 관한 리액턴스 회로에는, 정궤환 루우프는 형성되어 있지 않으므로, 불필요한 발진을 일으킬 우려는 없다.

본 발명의 리액턴스 회로는, 기본적으로는 제1도에 도시한 바와 같이 제1트랜지스터(1)과 제2트랜지스터(2)를 차동적으로 접속하여 차동 증폭회로를 형성하고, 제1트랜지스터(1)의 콜렉터에는, 전류 밀러회로(4), 또는 자항 등의 부하를 접속하고, 제1트랜지스터(1)의 베이스와 기준 전위점 A와의 사이에 콘덴서(5), 또는 코일 등의 리액턴스 소자를 개장하고, 또한 제1트랜지스터(1)의 콜렉터와 상기 리액턴스 소자와의 사이에, 콘덴서(8) 및 저항(9)를 지렬로 접속해서 형성되는 것이다.

이하, 제1도 내지 제4도에 의해서, 본 발명의 리액턴스 회로의 구체적인 구성에 대해서 설명한다.

또한 제1도 및 제2도는, 각각 부의 등가 용량 리액턴스 및 부의 등가 유도 리액턴스를 발휘하는 가변 리액턴스 회로의 구성예를 도시하고, 제3도 및 제4도는 부 및 정의 등가 리액턴스를 발휘하는 가변 리액턴스 회로의 구성예를 도시한 것이다.

제1구성예

제1도에 도시한 바와 같이, 제1트랜지스터(1)의 에미터와 제2트랜지스터(2)의 에미터를 서로 연결함과 동시에, 이연결점이 가변 전류원(3)에 접속하고, 이로써 차동 증폭회로를 형성한다. 또한, 양 트랜지서트(1, 2)의 콜렉터에는 전류 밀러 회로(4)의 입력단 M 및 출력단 N을 각각 접속한다. 전류 밀러 회로(4)에는 전원 Vcc가 접속되어 있다.

제1트랜지스터(1)의 베이스와 직류 전압원(11)의 출력단인 기준 전위점 A와의 사이에는, 제1콘덴서(5) 및 제1저항(6)이 병렬로 접속됨과 동시에, 제2트랜지스터(2)의 베이스와 상기 기준 전위점 A와의 사이에는, 제2저항(7)이 접속되어 있다. 또한 제1트랜지스터(1)의 베이스와 콜렉터 사이에는, 제2콘덴서(8) 및 제3저항(9)가 직렬로 접속되어 있다. 또한, 제2콘덴서(8)과 제1트랜지스터(1)의 콜렉터와의 연결점에 출력단다(10)이 설치된다.

전류 밀러 회로(4)는, 제4트랜지스터(12)의 베이스와 제5트랜지스터(13)의 베이스를 서로 연결함과 동시에, 제5트랜지스터(13)의 베이스와 콜렉터를 단락해서 형성되고, 제4트랜지스터(12)의 콜렉터에 연결되는 출력단 N과 제5트랜지스터(13)의 콜렉터에 연결되는 입력단 M에 균등한 전류를 흐르게 하는 동작을 행한다.

상기 리액턴스 회로는, 후술한 것과 같이 출력단자(10)측에서 보아, 부의 등가 리액턴스로서 동작하게 된다.

가변 전류원(3)에 전류 I₀가 흘러서 제1도의 리액턴스 회로가 동작 상태로 있을 때, 출력 단자(10)에 전압 e₀의 신호가 인가되었다고 하면, 제2콘덴서(8)에 흐르는 전류 ic는 다음과 같이 표시된다.

여기에서, Z₁은 제2콘덴서(8)과 제3저항(9)와의 합성 임피던스, Z₂는 제1콘덴서(5)와 제1저항(6)의 합성 임피던스이다.

상기 합성 임피던스 Z₁및 Z₂는 다음과 같이 표시된다.

Z₁=Ra+1/jωC₁(4)

여기에서, Ra는 제3저항(9)의 저항치, C1은 제2콘덴서(8)의 용량치, R1은 제1저항(6)의 저항치, Ca는 제1콘덴서(5)의 용량치, ω는는 각 주파수이다.

또한, 제1트랜지스터(1)의 베이스 전압 ec는 다음과 같이 표시된다.

ec=ic·Z₂(6)

한편, 제1트랜지스터(1)의 콜렉터 전류 i₁은 다음과 같이 표시된다.

i₁=gm·ec(7)

여기에서, gm은 제1트랜지스터(1) 및 제2트랜지스터(21)로 이루어지는 차동 증폭회로의 상호 콘덕턴스이다.

상기 (7)식에 (6)식을 대입함으로써, 콜렉터 전류 i₁은 다음과 같이 표시된다.

i₁=gm·ic·Z₂(8)

따라서, 출력 단자(10)에 신호 e₀를 인가 했을때에 출력단가(10)에 흐르는 전류 i는 다음과 같이 표시된다.

i=2i₁+ic(9)

상기 (9)식에 (3)식 및 (8)식을 대입함으로써, 하기 식의 관계가 얻어진다.

여기에서, Ra》1/ωC₁과 R₁》1/ωCa의 조건을 고려하면, 상기 (10)식은 다음과 같이 변환된다.

또한 Ra》1/ωCa의 조건을 고려하면, 상기 (11)식은 다음과 같이 변환된다.

상기 (12)식은, 제1도의 리랙턴스 회로를 출력 단자(10)측에서 보았을 경우에, 이 리액턴스 회로가, 제6도에 도시한 바와 같이 저항치가 Ra의 저항(15)와, 유도 리액턴스가 ωCaRa/2gm의 코일(16)으로 구성되는 병렬 회로로 등가 변환되는 것을 의미하고 있다.

또한, 상기 유도 리액턴스(ωCaRa/2gm)에 대해서, 상기 (2)식에 상등하는 gm=ωI₀/104의 관계를 대입하면, 유도 리액턴스 x는 다음과 같이 표시된다.

X=ωCaRa(52/αI₀)(13)

상기 (13)식은, 제1도의 회로가, 가변 전류원(3)의 전류 I₀를 가변 요소로 하는 부의 가변 리액턴스 회로로서 동작하는 것을 의미하고 있다.

그런데, 제1도의 리액턴스 회로에는, 종래와 같은 정궤한 루우프는 형성되어 있지 않고, 그 뿐인가, 회로의 안전 동작에 기여하는 2개의 부궤환 루우프가 형성되어 있다. 제1부궤환 루우프는, 제1트랜지스터(1)의 콜렉터로부터 제2콘덴서(8) 및 제3저항(9)를 거쳐 제1트랜지스터(1)의 베이스로 돌아가는 루우프이다. 제2부궤환 루우프는, 제1트랜지스터(1)의 에미터에서 제2트랜지스터(2), 전류 밀러 회로(4), 제2콘덴서(8), 및 제3저항(9)를 거쳐, 제1트랜지스터(1)의 베이스로 돌아가는 루우프이다.

커다란 부의 리액턴스를 얻고자 하여, 가변 전류원(3)에 커다란 전류를 흐르게 한 경우, 예를 들면 출력단자(10)에 접속되는 신호에 따라서 제1트랜지스터(1)의 베이스 전압이 상승했다고 하면, 제1트랜지스터(1)의 콜렉터 전류 및 에미터 전류가 증대한다. 제1트랜지스터(1)의 콜렉터 전류의 증대에 따라서, 출력단자(10)에서는, 상기 콜렉터 전류의 증대분만큼 많은 전류가 제1트랜지스터(1)의 콜렉터에 유입하게 되고, 이에 따른 출력 단자(10)의 전압 저하가, 제2콘덴서(8) 및 제3저항(9)를 통해서 제1트랜지스터(1)의 베이스로 부궤환되고, 상기 제1부궤환 루우프가 형성되는 것이다. 또한, 제1트랜지스터(1)의 에미터 전류가 증대한 몫만큼, 제2트랜지스터(2)의 에미터 전류 및 콜렉터 전류가 감소하고, 이로써 전류 밀러 회로(4)의 입력측(M점)의 전류가 감소한다. 이 전류 감소에 따라서, 출격단자(10)에서는, 상기 전류의 감소분만큼 많은 전류가 제1트랜지스터(1)의 콜렉터에 유입하게 되고, 이에 따른 출력 단자(10)의 전압 저하가, 제2콘덴서(8) 및 제3저항(9)를 통해서 제1트랜지스터(1)의 베이스에 부궤환되고 상기 제2부궤환 루우프가 형성되는 것이다.

따라서, 제1도의 리액턴스 회로에 의하면, 제1트랜지스터(1)의 베이스와 콜렉터와의 사이에 정궤환 루우프를 형성하는 일 없이, 부의 리액턴스를 얻을 수 있고, 이 결과, 가변 전류원(3)의 전류를 증대시킨 경우에도, 발진을 일으키는 일 없이, 안정된 동작을 실현할 수 있다.

제2구성예

제2도에 도시한 바와 같이, 상기 제1콘덴서(5) 대신에, 리액턴스 소자로서 코일(14)를 갖춘 경우에도, 제1도의 회로와 동일한 회로 동작이 행해지고, 부궤환 루우프를 갖는 리액턴스 회로가 형성되는 것은 명백하다. 이 경우, 출력단자(10)에는, 저의 등가 용량 리액턴스가 발생하게 된다.

제3구성예

제3도에 도시한 리랙턴스 회로는, 정의 등가 리액턴스로서 동작하는 제1가변 리액턴스 회로(17)과, 부의 등가 리액턴스로 동작하는 제2가변 리액턴스 회로(18)을 구비하고 있다. 또한, 제2가변 리액턴스 회로(18)은, 제1도의 가변 리액턴스 회로와 같은 구성이다.

제1가변 리액턴스 회로(17)은, 제1트랜지스터(19)의 에미터와 제2트랜지스터(20)의 에미터를 제1가변 전류원(21)에 공통으로 접속함과 동시에, 양 트랜지스터(19, 20)의 콜렉터에는 전류 밀러 회로(22)를 접속하고 있다.

제1트랜지스터(19)의 베이스와 직류 전압원(34)의 출력단인 기준 전위점 A와의 사이에는, 제1저항(23)이 접속됨과 동시에, 제2트랜지스터(20)의 베이스와 상기 기준 전위점 A와의 사이에는, 제2저항(24)가 접속되어 있다. 또한, 제1트랜지스터(19)의 베이스와 콜렉터와의 사이에는 제1콘덴서(25)가 접속되어 있다. 또한, 제1콘덴서(25)와 제1트랜지스터(19)이 콜렉터와의 연결점에 출력단자(10)이 설치된다.

한편, 제2가변 리액턴스 회로(18)은, 제3트랜지스터(26)의 에미터와 제4트랜지스터(27)의 에미터를 제2가변 전류원(28)에 공통으로 접속함과 동시에, 양 트랜지스터(26, 27)의 콜렉터에는 상기 전류 밀러 회로(22)가 접속 되어 있다.

제3트랜지스터(26)의 베이스와 상기 기준 전위점 A와의 사이에는, 제2콘덴서(29) 및 제2저항(30)이 병렬로 접속됨과 동시에, 제4트랜지스터(27)의 베이스와 상기 기준 전위점 A와의 사이에는, 제3저항(31)이 접속되어 있다. 또한, 제3트랜지스터((26)의 베이스와 콜렉터와의 사이에는, 제3콘덴서(32) 및 제4저항(33)이 직렬로 접속되어 있다.

전류 밀러 회로(22)는, 제5트랜지스터(35) 및 제6트랜지스터(36)으로 이루어지는 상기와 동일한 구성을 구비하고 있다.

제1가변 리액턴스 회로(17)은 출력단자(10) 측에서 보아서, 정의 등가 리액턴스로서 동작하고, 제2가변 리액턴스 회로(18)은, 출력단자(10)측에서 보아서, 부의 등가 리액턴스로서 동작한다.

제3도의 리액턴스 회로에 있어서, 정의 리액턴스를 얻는 경우에는, 제1가변 전류원(21)에 전류 I₀를 흐르게 하고, 제2가변 전류원(28)은 동작을 정지시킨다.

이 경우, 리액턴스 회로의 리액턴스 X는, 상기(1)식에 대응해서, 다음과 같이 표시된다.

X≒2ωgm₁R₁C₁(14)

여기에서, gm₁은 제1 및 제2트랜지스터(19, 20)으로 이루어지는 차동 증폭회로의 상호 콘덕턴스, R₁은 제1저항(23)의 저항치, C₁은 제1콘덴서(25)의 용량치이다. 또한 상호 콘덕턴스 gm₁은, 상기 (2)식과 동일하게 다음과 같이 표시된다.

따라서, 제1가변 리액턴스 회로(17)은, 제1가변 전류원(21)의 전류치 I₀에 따라서 0으로부터 정의 소정치로 변화하는 등가 리액턴스로서동작하게 된다.

다음으로, 부의 리액턴스를 얻는 경우에는, 제1가변 전류원(21)의 동작을 정지시켜서, 제2가변 전류원(28)에 전류 I₀를 흐르게 한다.

이 경우, 제1도의 리액턴스 회로의 경우와 모두 동일하게 하여, 다음 관계가 얻어진다.

X=ωCaRa(52/αI₀)(17)

여기에서, i는 출력단자(10)에 흐르는 전류, Ra는 제4저항(33)의 저항치, Ca는 제2콘덴서(29)의 용량치, gm은 제3트랜지스터(26) 및 제4트랜지스터(27)로 이루어지는 차동 증폭회로의 상호 콘덕턴스이다.

상기 (16)식은, 제2가변 리액턴스 회로(18)을 출력 단자(10)에서 보았을 경우에, 이 리액턴스 회로(18)이, 제6도에 도시한 바와 같이 자항치가 Ra의 저항(15)와 유도 리액턴스가 CaRa/2gm의 코일(16)으로 구성되는 병렬회로로 등가 변환되는 것을 의미하고 있다.

따라서, 제2가변 리액턴스 회로(18)은, 제2가변 전류원(28)의 전류치 I₀으로부터 부의 수정치까지 변화하는 등가 리액턴스로서 동작하게 된다.

이 결과, 제3도의 리액턴스 회로에 의하며, 전술한 바와 같이 제1 및 제2가변 전류원(21, 28)에 흐르는 전류를 변하게 함으로써, 출력 단자(10)에서 본 등가 리액턴스를 부의 소정치로부터 정의 소정치까지 변화시킬 수 있다.

그런데, 제3도의 제2갸변 리액턴스 회로(18)에 2개의 부궤환 루우흐가 형성되어 있는 것은, 제1도의 리액턴스 회로와 동일하지만, 제1가변 리액턴스 회로(17)에도, 2개의 부궤환 루우프가 형성되고, 정궤환 루우프는 형성되어 있지 않다.

즉, 제1가변 리액턴스 회로(17)의 제1부궤환 루우프는, 제1트랜지스터(19)의 콜렉터로부터 제1콘덴서(25)를 거쳐 제1트랜지스터(19)의 베이스로 돌아가는 루우프이고, 제2부궤환 루우프는, 제1트랜지스터(19)의 에미터로부터 제2트랜지스터(20), 전류 밀러 회로(22), 및 제1콘덴서(25)를 거쳐 제1트랜지스터(19)의 베이스로 돌아가는 루우프이다. 어느 루우프도 부궤환으로 되는 것은 명백하다. 따라서, 안정된 회로 동작이 실현된다.

제4구성예

제4도에 도시한 바와 같이, 상기 제1콘덴서(25) 및 제2콘덴서(29) 대신에, 리액턴스 소자로서 제1코일(37) 및 제2코일(38)을 갖춘 경우에도, 출력 단자(10)에는, 부의 소정치로부터 정의 소정치까지 변화하는 등가 리액턴스가 얻어지는 것은 물론이다.

또한, 상기 제1 내지 제4의 구성예에 있어서는, 차동 증폭회로이 부하로서 전류 밀러 회로(4, 22)가 장비되어 있지만, 저항에 의해서 부하를 구성해도 좋은 것을 물론이다.

전자기기에의 응용예

제5도는 본 발명한 관한 리액턴스 회로를, 라디오 수신기의 VCO(전압제어 발진기) 등을 구성하는 발진회로에 응용한 한 예를 도시한 것이다.

이 발진 회로는, 도시한 바와 같이 서로 차동 접속된 제1 및 제2트랜지스터(41, 42), 제2트랜지스터(42)의 콜렉터에 접속된 수정 진동자 등의 발진 소자(43), 가변 리액턴스 회로(39) 등으로 구성되어 있고, 가변 리액턴스 회로(39)로서, 제1도 내지 제4도에 도시된 어느 가변 리액턴스 회로가 갖추어진다.

상기 발진회로에 있어서는, 발진소자(43)의 리액턴스에 대해서, 가변 리액턴스 회로(39)의 등가 리액턴스가 병렬 접속되게 되고, 이 등가 리액턴스의 값에 따라서 발진 회로의 공진 주파수가 변화한다.

특히, 가변 리액턴스 회로(39)로서 제3도 또는 제4도의 리액턴스 회로를 갖추면, 발진회로(40)의 발진 주파수를, 발진소자(43) 고유의 발진 주파수를 중심으로 하는 넓은 범위에 걸쳐서, 정방향 및 부방향으로 제어할 수 있는 잇점이 있다.

또한, 본 발명의 각 부 구성은 상기 실시예에 한정되지 않고 특허청구 범위에 기재한 본 발명의 취지에서 이탈하지 않는 범위에서 본 분야의 전문가라면 가능한 여러 가지 변경을 행 할 수 있다.

Claims

제1 및 제2트랜지스터(1, 2)를 차동적으로 접속하여 형성된 차동 증폭회로와, 상기 제1트랜지스터(1)의 콜렉터와 전원과의 사이에 접속된 부하와, 상기 제1트랜지스터(1)의 베이스와 기주 전위점과의 사이에 접속된 리액턴스 소자와, 상기 제1트랜지스터(1)의 콜렉터와 베이스와의 사이에 직렬로 접속된 콘덴서(8) 및 저항(9)로 구성되고, 상기 제1트랜지스터(1)의 콜렉터에 출력단자(10)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제1항에 있어서, 리액턴스 소자가 콘덴서(5)인 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제1항에 있어서, 리액턴스소자가 코일(14)인 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제1항에 있어서, 부하가 전류 밀러 회로(4)인 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제1항에 있어서, 부하가 저항인 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제1항에 있어서, 차동 증폭회로가, 제1트랜지스터(1)의 에미터와 제2트랜지스터(2)의 에미터를 서로 연결함과 동시에, 이 연결점을 가변 전류원(3)에 접속해서 구성된 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
정의 등가 리액턴스로서 동작하는 제1가변 리액턴스 회로(17)과, 부의 등가 리액턴스로서 동작하는 제2가변 리액턴스 회로(18)을 공통 출력 단자(10)에 접속해서 구성되고, 제1가변 리액턴스 회로(17)이, 제1 및 제2트랜지스터(19, 20)을 차동 접속해서 형성된 제1차동 증폭회로와, 상기 제1트랜지스터(19)의 베이스와 콜렉터와의 사이에 접속된 제1리액턴스 소자를 구비하고, 제2가변 리액턴스 회로(18)이, 제3 및 제4트랜지스터(26, 27)을 차동 접속해서 형성된 제2차동 증폭회로와, 상기 제3트랜지스터(26)의 베이스와 기준 전위점과의 사이에 접속된 제2리액턴스 소자와, 상기 제3트랜지스터(26)의 콜렉터와 베이스와의 사이에 접속된 콘덴서(32)의 저항(33)을 구비하고, 상기 제1 및 제2차동 증폭회로를 각각 제어함으로써, 상기 출력단자(10)에서 본 등가 리액턴스를 부의 값으로부터 정의 값까지 변화시키도록 한 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제7항에 있어서, 제1 및 제2리액턴스 소자가 각각 콘덴서(25, 29)인 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.
제7항에 있어서, 제1 및 제2리액턴스 소자가 각각 코일(37, 38)인 것을 특징으로 하는 리액턴스 회로.