JP3001284B2 - 電圧制御発振システム - Google Patents
電圧制御発振システムInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/002—Structural aspects of oscillators making use of ceramic material
-
- H—ELECTRICITY
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ステレオ復調器におけ
るＶＣＯ（電圧制御発振器）に関する。
るＶＣＯ（電圧制御発振器）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＦＭ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ）チューナの復調器においてＰＬＬ（Ｐ
ｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）動作に重要なＶＣ
Ｏ（電圧制御発振器）の発振周波数初期設定の無調整化
が進んでいる。
ｕｌａｔｉｏｎ）チューナの復調器においてＰＬＬ（Ｐ
ｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）動作に重要なＶＣ
Ｏ（電圧制御発振器）の発振周波数初期設定の無調整化
が進んでいる。
【０００３】従来の無調整化されたＶＣＯシステムを図
３に示す。本システムは、増幅器１１，セラミック共振
子１４，可変リアクタンス回路１３より構成される。増
幅器１１の出力１２は正帰還され、さらに増幅器１１の
出力１２は、セラミック共振子１４と、可変リアクタン
ス回路１３に接続されており、この増幅器１１の出力１
２がＶＣＯの出力端子となる。図４にセラミック共振子
１４の等価回路を示す。ここで、可変リアクタンス回路
の等価容量をＣｖとし、セラミック共振子１４の等価並
列容量をＣａ，等価直列容量をＣｒ，等価直列インダク
タンスをＬ、等価直列抵抗をｒとすると出力端子１２
は、（１）式の周波数にて発振する。
３に示す。本システムは、増幅器１１，セラミック共振
子１４，可変リアクタンス回路１３より構成される。増
幅器１１の出力１２は正帰還され、さらに増幅器１１の
出力１２は、セラミック共振子１４と、可変リアクタン
ス回路１３に接続されており、この増幅器１１の出力１
２がＶＣＯの出力端子となる。図４にセラミック共振子
１４の等価回路を示す。ここで、可変リアクタンス回路
の等価容量をＣｖとし、セラミック共振子１４の等価並
列容量をＣａ，等価直列容量をＣｒ，等価直列インダク
タンスをＬ、等価直列抵抗をｒとすると出力端子１２
は、（１）式の周波数にて発振する。
【０００４】
【０００５】かくして、ｆOSC は、可変リアクタンス回
路の等価容量Ｃｖを制御することにより制御できる。但
しＶＣＯの初期設定の無調整化を行う為、初期発振周波
数（可変リアクタンス回路無制御）は、セラミック共振
子１４の固有の並列共振周波数でなければならない。そ
の為に可変リアクタンス回路１３の無制御時における容
量成分Ｃｖは０であり、一方制御時には負の容量成分か
ら正の容量成分まで可変できる特性を有する必要があ
る。
路の等価容量Ｃｖを制御することにより制御できる。但
しＶＣＯの初期設定の無調整化を行う為、初期発振周波
数（可変リアクタンス回路無制御）は、セラミック共振
子１４の固有の並列共振周波数でなければならない。そ
の為に可変リアクタンス回路１３の無制御時における容
量成分Ｃｖは０であり、一方制御時には負の容量成分か
ら正の容量成分まで可変できる特性を有する必要があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来システム
における出力端子１２つまり増幅器１１の出力の負荷
は、可変リアクタンス回路１３とセラミック共振子１４
となり、合成負荷Ｚは（２）式となる。
における出力端子１２つまり増幅器１１の出力の負荷
は、可変リアクタンス回路１３とセラミック共振子１４
となり、合成負荷Ｚは（２）式となる。
【０００７】
【０００８】共振状態にあると考えるとωは（３）式と
なる。
なる。
【０００９】
【００１０】（２），（３）式より出力端子１２の負荷
の絶対値｜Ｚ｜は（４）式となる。
の絶対値｜Ｚ｜は（４）式となる。
【００１１】
【００１２】（１），（４）式より共振周波数の増加と
共に発振レベルも増加することが分かる。
共に発振レベルも増加することが分かる。
【００１３】出力端子１２の発振レベルは、増幅器１
１、可変リアクタンス回路１３の入出力ダイナミックに
制限される為、入出力ダイナミック以上の発振において
は、制御が不可能となる。このことは、ＶＣＯの希望可
変発振周波数の高域側が可変できなくなることになり、
希望の可変周波数範囲をとる為には、発振レベルを小さ
くする。つまり増幅器１１の出力電流能力を下げる必要
がある。このため、ＶＣＯの発振能力を下げ安定な発振
の接続が困難となる。また、（１）式より可変リアクタ
ンス回路１３の等価容量Ｃｖが正、負、同じ値で変化す
る為、高域の可変範囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャ
プチャーレンジの非対称といった問題がある。
１、可変リアクタンス回路１３の入出力ダイナミックに
制限される為、入出力ダイナミック以上の発振において
は、制御が不可能となる。このことは、ＶＣＯの希望可
変発振周波数の高域側が可変できなくなることになり、
希望の可変周波数範囲をとる為には、発振レベルを小さ
くする。つまり増幅器１１の出力電流能力を下げる必要
がある。このため、ＶＣＯの発振能力を下げ安定な発振
の接続が困難となる。また、（１）式より可変リアクタ
ンス回路１３の等価容量Ｃｖが正、負、同じ値で変化す
る為、高域の可変範囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャ
プチャーレンジの非対称といった問題がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のＶＣＯシステム
は、出力端子に設定発振レベル以上にて動作するリミッ
タ回路（ダンピング回路）を設けていることを特徴とす
る。
は、出力端子に設定発振レベル以上にて動作するリミッ
タ回路（ダンピング回路）を設けていることを特徴とす
る。
【００１５】かくして、出力端子の負荷の絶対値は下が
り、高域でのＶＣＯ発振の可変範囲の確保し、さらにＰ
ＬＬのキャプチャーレンジを対称にすることができる。
り、高域でのＶＣＯ発振の可変範囲の確保し、さらにＰ
ＬＬのキャプチャーレンジを対称にすることができる。
【００１６】
【実施例】次に本発明の実施例につき詳述する。図１は
本発明一実施例によるブロック図である。本システムは
増幅器１，可変リアクタンス回路３，セラミック共振子
４，リミッタ回路６から構成される。増幅器１の出力２
は、正帰還され、さらに増幅器１の出力２は、セラミッ
ク共振子４と可変リアクタンス回路３及びリミッタ回路
６に接続されており、増幅器１の出力２がＶＣＯの出力
端子となる。可変リアクタンス回路３には制御電圧２０
が印加され、同電圧でその等価容量が制御される。ここ
で可変リアクタンス回路３の等価容量をＣｖとし、セラ
ミック共振子４の等価並列容量をＣａ，等価直列容量を
Ｃｒ，等価直列インダクタンスをＬ，等価直列抵抗をｒ
とすると出力端子２は、従来システムと同様（１）式の
周波数にて発振する。本実施例におけるＶＣＯの出力端
子２の負荷は、リミッタ回路６が動作していない時は従
来システムと同様である。
本発明一実施例によるブロック図である。本システムは
増幅器１，可変リアクタンス回路３，セラミック共振子
４，リミッタ回路６から構成される。増幅器１の出力２
は、正帰還され、さらに増幅器１の出力２は、セラミッ
ク共振子４と可変リアクタンス回路３及びリミッタ回路
６に接続されており、増幅器１の出力２がＶＣＯの出力
端子となる。可変リアクタンス回路３には制御電圧２０
が印加され、同電圧でその等価容量が制御される。ここ
で可変リアクタンス回路３の等価容量をＣｖとし、セラ
ミック共振子４の等価並列容量をＣａ，等価直列容量を
Ｃｒ，等価直列インダクタンスをＬ，等価直列抵抗をｒ
とすると出力端子２は、従来システムと同様（１）式の
周波数にて発振する。本実施例におけるＶＣＯの出力端
子２の負荷は、リミッタ回路６が動作していない時は従
来システムと同様である。
【００１７】本発明におけるリミッタ回路６は、増幅器
１及び可変リアクタンス回路３の入出力ダイナミック内
で動作させ、リミッタ回路６が動作した時には、ＶＣＯ
の出力端子２の負荷の絶対値がリミッタ回路６により下
がり発振レベルが減衰することにより、高域の可変周波
数範囲の確保できる。
１及び可変リアクタンス回路３の入出力ダイナミック内
で動作させ、リミッタ回路６が動作した時には、ＶＣＯ
の出力端子２の負荷の絶対値がリミッタ回路６により下
がり発振レベルが減衰することにより、高域の可変周波
数範囲の確保できる。
【００１８】図２にリミッタ回路の一実施例を示す。回
路は、ＮＰＮ型トランジスタ７，ＰＮＰ型トランジスタ
８，電源９，１０より成り、トランジスタ７とトランジ
スタ８のエミッタが共通で出力端子２に接続され、トラ
ンジスタ７のベースに電源１０，トランジスタ８のベー
スに電源９が接続されている。ここでトランジスタ７の
動作時のベース−エミッタ間電圧をＶBE7 ，トランジス
タ８の動作時のベース−エミッタ間電圧をＶBE8 とし電
源９，電源１０の電圧値をそれぞれＶ9 ，Ｖ10とすると
本発明の出力端子２の発振振幅電圧値がＶ9 ＋ＶBE8 以
上で上側振幅でリミッタが動作し、Ｖ10−ＶBE7 以下で
下側振幅でリミッタが動作し、設定は、電源９，１０に
より自由にでき、増幅器１及び可変リアクタンス回路３
の入出力ダイナミックに応じて設定できる。
路は、ＮＰＮ型トランジスタ７，ＰＮＰ型トランジスタ
８，電源９，１０より成り、トランジスタ７とトランジ
スタ８のエミッタが共通で出力端子２に接続され、トラ
ンジスタ７のベースに電源１０，トランジスタ８のベー
スに電源９が接続されている。ここでトランジスタ７の
動作時のベース−エミッタ間電圧をＶBE7 ，トランジス
タ８の動作時のベース−エミッタ間電圧をＶBE8 とし電
源９，電源１０の電圧値をそれぞれＶ9 ，Ｖ10とすると
本発明の出力端子２の発振振幅電圧値がＶ9 ＋ＶBE8 以
上で上側振幅でリミッタが動作し、Ｖ10−ＶBE7 以下で
下側振幅でリミッタが動作し、設定は、電源９，１０に
より自由にでき、増幅器１及び可変リアクタンス回路３
の入出力ダイナミックに応じて設定できる。
【００１９】逆に本発明のシステムにおいては、リミッ
タ回路６の減衰能力と増幅器１及び可変リアクタンス回
路３の入出力ダイナミックの関係により高域における可
変周波数範囲を制限することが可能となる。（１）式よ
り従来システムにおいては、可変リアクタンス回路等価
容量Ｃｖが正，負、同じ値で変化する為、高域の可変範
囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャプチャーレンジの非
対称の問題があったが、本システムにおいては、前述し
たようにリミッタ回路６により高域の可変周波数範囲を
制限することにより、ＰＬＬのキャプチャーレンジを対
称にできる。
タ回路６の減衰能力と増幅器１及び可変リアクタンス回
路３の入出力ダイナミックの関係により高域における可
変周波数範囲を制限することが可能となる。（１）式よ
り従来システムにおいては、可変リアクタンス回路等価
容量Ｃｖが正，負、同じ値で変化する為、高域の可変範
囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャプチャーレンジの非
対称の問題があったが、本システムにおいては、前述し
たようにリミッタ回路６により高域の可変周波数範囲を
制限することにより、ＰＬＬのキャプチャーレンジを対
称にできる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＶＣＯシス
テムにおいては、出力端子にリミッタ回路を設けること
により、高域の可変周波数範囲を確保し、さらにＰＬＬ
のキャプチャーレンジの高域低域の対称化ができる効果
がある。
テムにおいては、出力端子にリミッタ回路を設けること
により、高域の可変周波数範囲を確保し、さらにＰＬＬ
のキャプチャーレンジの高域低域の対称化ができる効果
がある。
【図１】本発明の一実施例のＶＣＯシステムを示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】図１で示した具体的な一例のリミッタ回路を有
するＶＣＯシステム図である。
するＶＣＯシステム図である。
【図３】従来例のブロック図である。
【図４】セラミック共振子等価回路図である。
１，１１ 増幅器 ２，１２ 出力端子 ３，１３ 可変リアクタンス回路 ４，１４ セラミック共振子 ５，１５ 電源 ６ リミッタ回路 ７，８ トランジスタ ９，１０ 電源
フロントページの続き (72)発明者 東山 尚稔 東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株 式会社内 (72)発明者 大久保 文一 神奈川県川崎市中原区小杉町一丁目403 番53日本電気アイシーマイコンシステム 株式会社内 (72)発明者 中村 哲夫 埼玉県川越市山田字西町25番地１号パイ オニア株式会社 川越工場内 (56)参考文献 特開 昭61−267403（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−13590（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03B 5/00 - 5/42
Claims (1)
- 【請求項１】 出力が正相入力に帰還された増幅器と、
該増幅器の出力に従属接続されたセラミック共振子およ
び可変リアクタンス回路とを有し、前記可変リアクタン
ス回路に印加する制御電圧によって該可変リアクタンス
回路の等価容量を可変することにより、前記増幅器の発
振周波数を制御する電圧制御発振システムにおいて、 前記増幅器の可変周波数のうちの所定の周波数以上の領
域において、前記増幅器の出力が前記所定の周波数にお
ける前記増幅器の出力の振幅値以下になるように前記増
幅器の出力を減衰させるリミッタ回路をさらに有する こ
とを特徴とする電圧制御発振システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091851A JP3001284B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 電圧制御発振システム |
| US07/862,166 US5225793A (en) | 1991-04-23 | 1992-04-02 | Voltage-controlled oscillator system |
| EP19920303137 EP0510836A3 (en) | 1991-04-23 | 1992-04-08 | Voltage-controlled oscillator system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091851A JP3001284B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 電圧制御発振システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323906A JPH04323906A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3001284B2 true JP3001284B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=14038076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3091851A Expired - Fee Related JP3001284B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 電圧制御発振システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5225793A (ja) |
| EP (1) | EP0510836A3 (ja) |
| JP (1) | JP3001284B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473287A (en) * | 1994-11-14 | 1995-12-05 | Micronetics, Inc. | Electronic oscillator with transmission line tuning of phase noise and linearity |
| US5653537A (en) * | 1995-03-17 | 1997-08-05 | Ircon, Inc. | Non-contacting infrared temperature thermometer detector apparatus |
| US5812270A (en) * | 1997-09-17 | 1998-09-22 | Ircon, Inc. | Window contamination detector |
| JP2002271193A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Fujitsu Ltd | 位相同期発振器および通信装置 |
| JP2004228946A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2019110505A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 株式会社村田製作所 | 送信ユニット |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3421111A (en) * | 1967-08-29 | 1969-01-07 | Us Navy | Voltage controlled field-effect transistor l-c oscillator |
| JPH065805B2 (ja) * | 1985-07-27 | 1994-01-19 | キヤノン株式会社 | 振幅制限回路 |
| JPS6397003A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リミツタ回路 |
| JPS63314011A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リミッタ回路 |
| US4887053A (en) * | 1987-11-27 | 1989-12-12 | American Telephone And Telegraph Company | High frequency VLSI oscillator |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3091851A patent/JP3001284B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-02 US US07/862,166 patent/US5225793A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-08 EP EP19920303137 patent/EP0510836A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5225793A (en) | 1993-07-06 |
| JPH04323906A (ja) | 1992-11-13 |
| EP0510836A3 (en) | 1992-11-25 |
| EP0510836A2 (en) | 1992-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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