JPH04323906A - 電圧制御発振システム - Google Patents
電圧制御発振システムInfo
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- JPH04323906A JPH04323906A JP3091851A JP9185191A JPH04323906A JP H04323906 A JPH04323906 A JP H04323906A JP 3091851 A JP3091851 A JP 3091851A JP 9185191 A JP9185191 A JP 9185191A JP H04323906 A JPH04323906 A JP H04323906A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 16
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/0014—Structural aspects of oscillators
- H03B2200/002—Structural aspects of oscillators making use of ceramic material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ステレオ復調器におけ
るＶＣＯ（電圧制御発振器）に関する。
るＶＣＯ（電圧制御発振器）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＦＭ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｍｏ
ｄｕｌａｔｉｏｎ）チューナの復調器においてＰＬＬ（
Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）動作に重要
なＶＣＯ（電圧制御発振器）の発振周波数初期設定の無
調整化が進んでいる。
ｄｕｌａｔｉｏｎ）チューナの復調器においてＰＬＬ（
Ｐｈａｓｅ Ｌｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）動作に重要
なＶＣＯ（電圧制御発振器）の発振周波数初期設定の無
調整化が進んでいる。
【０００３】従来の無調整化されたＶＣＯシステムを図
３に示す。本システムは、増幅器１１，セラミック共振
子１４，可変リアクタンス回路１３より構成される。増
幅器１１の出力１２は正帰還され、さらに増幅器１１の
出力１２は、セラミック共振子１４と、可変リアクタン
ス回路１３に接続されており、この増幅器１１の出力１
２がＶＣＯの出力端子となる。図４にセラミック共振子
１４の等価回路を示す。ここで、可変リアクタンス回路
の等価容量をＣｖとし、セラミック共振子１４の等価並
列容量をＣａ，等価直列容量をＣｒ，等価直列インダク
タンスをＬ、等価直列抵抗をｒとすると出力端子１２は
、（１）式の周波数にて発振する。
３に示す。本システムは、増幅器１１，セラミック共振
子１４，可変リアクタンス回路１３より構成される。増
幅器１１の出力１２は正帰還され、さらに増幅器１１の
出力１２は、セラミック共振子１４と、可変リアクタン
ス回路１３に接続されており、この増幅器１１の出力１
２がＶＣＯの出力端子となる。図４にセラミック共振子
１４の等価回路を示す。ここで、可変リアクタンス回路
の等価容量をＣｖとし、セラミック共振子１４の等価並
列容量をＣａ，等価直列容量をＣｒ，等価直列インダク
タンスをＬ、等価直列抵抗をｒとすると出力端子１２は
、（１）式の周波数にて発振する。
【０００４】
【０００５】かくして、ｆＯＳＣ は、可変リアクタン
ス回路の等価容量Ｃｖを制御することにより制御できる
。但しＶＣＯの初期設定の無調整化を行う為、初期発振
周波数（可変リアクタンス回路無制御）は、セラミック
共振子１４の固有の並列共振周波数でなければならない
。その為に可変リアクタンス回路１３の無制御時におけ
る容量成分Ｃｖは０であり、一方制御時には負の容量成
分から正の容量成分まで可変できる特性を有する必要が
ある。
ス回路の等価容量Ｃｖを制御することにより制御できる
。但しＶＣＯの初期設定の無調整化を行う為、初期発振
周波数（可変リアクタンス回路無制御）は、セラミック
共振子１４の固有の並列共振周波数でなければならない
。その為に可変リアクタンス回路１３の無制御時におけ
る容量成分Ｃｖは０であり、一方制御時には負の容量成
分から正の容量成分まで可変できる特性を有する必要が
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来システム
における出力端子１２つまり増幅器１１の出力の負荷は
、可変リアクタンス回路１３とセラミック共振子１４と
なり、合成負荷Ｚは（２）式となる。
における出力端子１２つまり増幅器１１の出力の負荷は
、可変リアクタンス回路１３とセラミック共振子１４と
なり、合成負荷Ｚは（２）式となる。
【０００７】
【０００８】共振状態にあると考えるとωは（３）式と
なる。
なる。
【０００９】
【００１０】（２），（３）式より出力端子１２の負荷
の絶対値｜Ｚ｜は（４）式となる。
の絶対値｜Ｚ｜は（４）式となる。
【００１１】
【００１２】（１），（４）式より共振周波数の増加と
共に発振レベルも増加することが分かる。
共に発振レベルも増加することが分かる。
【００１３】出力端子１２の発振レベルは、増幅器１１
，可変リアクタンス回路１３の入出力ダイナミックに制
限される為、入出力ダイナミック以上の発振においては
、制御が不可能となる。このことは、ＶＣＯの希望可変
発振周波数の高域側が可変できることになり、希望の可
変周波数範囲をとる為には、発振レベルを小さくする。 つまり増幅器１１の出力電流能力を下げる必要がある。 このため、ＶＣＤの発振能力を下げ安定な発振の接続が
困難となる。また（１）式より可変リアクタンス回路１
３の等価容量Ｃｖが正，負，同じ値で変化する為、高域
の可変範囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャプチャーレ
ンジの非対称といった問題がある。
，可変リアクタンス回路１３の入出力ダイナミックに制
限される為、入出力ダイナミック以上の発振においては
、制御が不可能となる。このことは、ＶＣＯの希望可変
発振周波数の高域側が可変できることになり、希望の可
変周波数範囲をとる為には、発振レベルを小さくする。 つまり増幅器１１の出力電流能力を下げる必要がある。 このため、ＶＣＤの発振能力を下げ安定な発振の接続が
困難となる。また（１）式より可変リアクタンス回路１
３の等価容量Ｃｖが正，負，同じ値で変化する為、高域
の可変範囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャプチャーレ
ンジの非対称といった問題がある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のＶＣＯシステム
は、出力端子に設定発振レベル以上にて動作するリミッ
タ回路（ダンピング回路）を設けていることを特徴とす
る。
は、出力端子に設定発振レベル以上にて動作するリミッ
タ回路（ダンピング回路）を設けていることを特徴とす
る。
【００１５】かくして、出力端子の負荷の絶対値は下が
り、高域でのＶＣＯ発振の可変範囲の確保し、さらにＰ
ＬＬのキャプチャーレンジを対称にすることができる。
り、高域でのＶＣＯ発振の可変範囲の確保し、さらにＰ
ＬＬのキャプチャーレンジを対称にすることができる。
【００１６】
【実施例】次に本発明の実施例につき詳述する。図１は
本発明一実施例によるブロック図である。本システムは
増幅器１，可変リアクタンス回路３，セラミック共振子
４，リミッタ回路６から構成される。増幅器１の出力２
は、正帰還され、さらに増幅器１の出力２は、セラミッ
ク共振子４と可変リアクタンス回路３及びリミッタ回路
６に接続されており、増幅器１の出力２がＶＣＯの出力
端子となる。可変リアクタンス回路３には制御電圧２０
が印加され、同電圧でその等価容量が制御される。ここ
で可変リアクタンス回路３の等価容量をＣｖとし、セラ
ミック共振子４の等価並列容量をＣａ，等価直列容量を
Ｃｒ，等価直列インダクタンスをＬ，等価直列抵抗をｒ
とすると出力端子２は、従来システムと同様（１）式の
周波数にて発振する。本実施例におけるＶＣＯの出力端
子２の負荷は、リミッタ回路６が動作していない時は従
来システムと同様である。
本発明一実施例によるブロック図である。本システムは
増幅器１，可変リアクタンス回路３，セラミック共振子
４，リミッタ回路６から構成される。増幅器１の出力２
は、正帰還され、さらに増幅器１の出力２は、セラミッ
ク共振子４と可変リアクタンス回路３及びリミッタ回路
６に接続されており、増幅器１の出力２がＶＣＯの出力
端子となる。可変リアクタンス回路３には制御電圧２０
が印加され、同電圧でその等価容量が制御される。ここ
で可変リアクタンス回路３の等価容量をＣｖとし、セラ
ミック共振子４の等価並列容量をＣａ，等価直列容量を
Ｃｒ，等価直列インダクタンスをＬ，等価直列抵抗をｒ
とすると出力端子２は、従来システムと同様（１）式の
周波数にて発振する。本実施例におけるＶＣＯの出力端
子２の負荷は、リミッタ回路６が動作していない時は従
来システムと同様である。
【００１７】本発明におけるリミッタ回路６は、増幅器
１及び可変リアクタンス回路３の入出力ダイナミック内
で動作させ、リミッタ回路６が動作した時には、ＶＣＯ
の出力端子２の負荷の絶対値がリミッタ回路６により下
がり発振レベルが減衰することにより、高域の可変周波
数範囲の確保できる。
１及び可変リアクタンス回路３の入出力ダイナミック内
で動作させ、リミッタ回路６が動作した時には、ＶＣＯ
の出力端子２の負荷の絶対値がリミッタ回路６により下
がり発振レベルが減衰することにより、高域の可変周波
数範囲の確保できる。
【００１８】図２にリミッタ回路の一実施例を示す。回
路は、ＮＰＮ型トランジスタ７，ＰＮＰ型トランジスタ
８，電源９，１０より成り、トランジスタ７とトランジ
スタ８のエミッタが共通で出力端子２に接続され、トラ
ンジスタ７のベースに電源１０，トランジスタ８のベー
スに電源９が接続されている。ここでトランジスタ７の
動作時のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ７ ，トラン
ジスタ８の動作時のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ８
とし電源９，電源１０の電圧値をそれぞれＶ９ ，Ｖ
１０とすると本発明の出力端子２の発振振幅電圧値がＶ
９ ＋ＶＢＥ８ 以上で上側振幅でリミッタが動作し、
Ｖ１０−ＶＢＥ７ 以下で下側振幅でリミッタが動作し
、設定は、電源９，１０により自由にでき、増幅器１及
び可変リアクタンス回路３の入出力ダイナミックに応じ
て設定できる。
路は、ＮＰＮ型トランジスタ７，ＰＮＰ型トランジスタ
８，電源９，１０より成り、トランジスタ７とトランジ
スタ８のエミッタが共通で出力端子２に接続され、トラ
ンジスタ７のベースに電源１０，トランジスタ８のベー
スに電源９が接続されている。ここでトランジスタ７の
動作時のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ７ ，トラン
ジスタ８の動作時のベース−エミッタ間電圧をＶＢＥ８
とし電源９，電源１０の電圧値をそれぞれＶ９ ，Ｖ
１０とすると本発明の出力端子２の発振振幅電圧値がＶ
９ ＋ＶＢＥ８ 以上で上側振幅でリミッタが動作し、
Ｖ１０−ＶＢＥ７ 以下で下側振幅でリミッタが動作し
、設定は、電源９，１０により自由にでき、増幅器１及
び可変リアクタンス回路３の入出力ダイナミックに応じ
て設定できる。
【００１９】逆に本発明のシステムにおいては、リミッ
タ回路６の減衰能力と増幅器１及び可変リアクタンス回
路３の入出力ダイナミックの関係により高域における可
変周波数範囲を制限することが可能となる。（１）式よ
り従来システムにおいては、可変リアクタンス回路等価
容量Ｃｖが正，負、同じ値で変化する為、高域の可変範
囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャプチャーレンジの非
対称の問題があったが、本システムにおいては、前述し
たようにリミッタ回路６により高域の可変周波数範囲を
制限することにより、ＰＬＬのキャプチャーレンジを対
称にできる。
タ回路６の減衰能力と増幅器１及び可変リアクタンス回
路３の入出力ダイナミックの関係により高域における可
変周波数範囲を制限することが可能となる。（１）式よ
り従来システムにおいては、可変リアクタンス回路等価
容量Ｃｖが正，負、同じ値で変化する為、高域の可変範
囲の方が大きくなり、ＰＬＬのキャプチャーレンジの非
対称の問題があったが、本システムにおいては、前述し
たようにリミッタ回路６により高域の可変周波数範囲を
制限することにより、ＰＬＬのキャプチャーレンジを対
称にできる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＶＣＯシス
テムにおいては、出力端子にリミッタ回路を設けること
により、高域の可変周波数範囲を確保し、さらにＰＬＬ
のキャプチャーレンジの高域低域の対称化ができる効果
がある。
テムにおいては、出力端子にリミッタ回路を設けること
により、高域の可変周波数範囲を確保し、さらにＰＬＬ
のキャプチャーレンジの高域低域の対称化ができる効果
がある。
【図１】本発明の一実施例のＶＣＯシステムを示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】図１で示した具体的な一例のリミッタ回路を有
するＶＣＯシステム図である。
するＶＣＯシステム図である。
【図３】従来例のブロック図である。
【図４】セラミック共振子等価回路図である。
１，１１ 増幅器
２，１２ 出力端子
３，１３ 可変リアクタンス回路４，１４
セラミック共振子 ５，１５ 電源 ６ リミッタ回路 ７，８ トランジスタ ９，１０ 電源
セラミック共振子 ５，１５ 電源 ６ リミッタ回路 ７，８ トランジスタ ９，１０ 電源
Claims (1)
- 【請求項１】 出力を正相入力に帰還した増幅器の出
力に、セラミック共振子、可変リアクタンス回路および
リミッタ回路を従属接続し、前記可変リアクタンス回路
に印加する制御電圧によって該可変リアクタンス回路の
等価容量を可変することにより、前記増幅器の発振周波
数を制御することを特徴とする電圧制御発振システム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091851A JP3001284B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 電圧制御発振システム |
| US07/862,166 US5225793A (en) | 1991-04-23 | 1992-04-02 | Voltage-controlled oscillator system |
| EP19920303137 EP0510836A3 (en) | 1991-04-23 | 1992-04-08 | Voltage-controlled oscillator system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3091851A JP3001284B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 電圧制御発振システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323906A true JPH04323906A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3001284B2 JP3001284B2 (ja) | 2000-01-24 |
Family
ID=14038076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3091851A Expired - Fee Related JP3001284B2 (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 電圧制御発振システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5225793A (ja) |
| EP (1) | EP0510836A3 (ja) |
| JP (1) | JP3001284B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5473287A (en) * | 1994-11-14 | 1995-12-05 | Micronetics, Inc. | Electronic oscillator with transmission line tuning of phase noise and linearity |
| US5653537A (en) * | 1995-03-17 | 1997-08-05 | Ircon, Inc. | Non-contacting infrared temperature thermometer detector apparatus |
| US5812270A (en) * | 1997-09-17 | 1998-09-22 | Ircon, Inc. | Window contamination detector |
| JP2002271193A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Fujitsu Ltd | 位相同期発振器および通信装置 |
| JP2004228946A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2019110505A (ja) * | 2017-12-20 | 2019-07-04 | 株式会社村田製作所 | 送信ユニット |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3421111A (en) * | 1967-08-29 | 1969-01-07 | Us Navy | Voltage controlled field-effect transistor l-c oscillator |
| JPH065805B2 (ja) * | 1985-07-27 | 1994-01-19 | キヤノン株式会社 | 振幅制限回路 |
| JPS6397003A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リミツタ回路 |
| JPS63314011A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リミッタ回路 |
| US4887053A (en) * | 1987-11-27 | 1989-12-12 | American Telephone And Telegraph Company | High frequency VLSI oscillator |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP3091851A patent/JP3001284B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-02 US US07/862,166 patent/US5225793A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-08 EP EP19920303137 patent/EP0510836A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5225793A (en) | 1993-07-06 |
| EP0510836A3 (en) | 1992-11-25 |
| EP0510836A2 (en) | 1992-10-28 |
| JP3001284B2 (ja) | 2000-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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