JPH04253405A - 発振器出力信号の振幅調節方法および発振器増幅器回路装置 - Google Patents
発振器出力信号の振幅調節方法および発振器増幅器回路装置Info
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- JPH04253405A JPH04253405A JP3176203A JP17620391A JPH04253405A JP H04253405 A JPH04253405 A JP H04253405A JP 3176203 A JP3176203 A JP 3176203A JP 17620391 A JP17620391 A JP 17620391A JP H04253405 A JPH04253405 A JP H04253405A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L5/00—Automatic control of voltage, current, or power
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
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- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
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- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1271—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the frequency being controlled by a control current, i.e. current controlled oscillators
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- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/03—Varying beside the frequency also another parameter of the oscillator in dependence on the frequency
- H03B2201/031—Varying beside the frequency also another parameter of the oscillator in dependence on the frequency the parameter being the amplitude of a signal, e.g. maintaining a constant output amplitude over the frequency range
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、制御可能な電流源を介
して供給電位にエミッタ端子が接続されている少なくと
も1つの発振器トランジスタを有し、また1つの周波数
決定要素、たとえば少なくとも1つの発振器トランジス
タの少なくともベース端子又はコレクタ端子に接続され
ている振動回路を有する発振器の振幅を調節するための
方法であって、発振器トランジスタの少なくとも1つの
ベース端子に与えられている信号の振幅変化が制御可能
な電流源の電流の変更により調節される方法、およびこ
のような方法を実施するための回路装置に関する。
して供給電位にエミッタ端子が接続されている少なくと
も1つの発振器トランジスタを有し、また1つの周波数
決定要素、たとえば少なくとも1つの発振器トランジス
タの少なくともベース端子又はコレクタ端子に接続され
ている振動回路を有する発振器の振幅を調節するための
方法であって、発振器トランジスタの少なくとも1つの
ベース端子に与えられている信号の振幅変化が制御可能
な電流源の電流の変更により調節される方法、およびこ
のような方法を実施するための回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】特に周波数を決定する共振回路のなかに
同調ダイオードを有する発振器は、周波数に関係して比
較的大きいQ変化に基づいて、発振器増幅器の振幅が調
節されない場合には、通常約10dbないし15dbの
振幅行程を有する。予め定められた周波数帯域幅を有す
る発振器増幅器に対して発振器増幅器に与えられる電流
が、発振器が下側の帯域端で十分な振動の確実さを有す
るように設定されるならば、それにより上側の帯域端で
振動振幅が過大になる。このことは放射挙動に有害に作
用し得る。このような発振器増幅器がモノリシックに集
積されているならば、たとえば振動回路が結合されるこ
の発振器増幅器の外部端子に有害に大きい振幅が生じ得
る。さらに、発振器トランジスタが発振器の周波数帯域
の一部分のなかで飽和領域で動作するならば、有害に作
用し得る基板電流が流れる。
同調ダイオードを有する発振器は、周波数に関係して比
較的大きいQ変化に基づいて、発振器増幅器の振幅が調
節されない場合には、通常約10dbないし15dbの
振幅行程を有する。予め定められた周波数帯域幅を有す
る発振器増幅器に対して発振器増幅器に与えられる電流
が、発振器が下側の帯域端で十分な振動の確実さを有す
るように設定されるならば、それにより上側の帯域端で
振動振幅が過大になる。このことは放射挙動に有害に作
用し得る。このような発振器増幅器がモノリシックに集
積されているならば、たとえば振動回路が結合されるこ
の発振器増幅器の外部端子に有害に大きい振幅が生じ得
る。さらに、発振器トランジスタが発振器の周波数帯域
の一部分のなかで飽和領域で動作するならば、有害に作
用し得る基板電流が流れる。
【0003】図4には、発振器出力信号の振幅調節のた
めの上述の方法を行う発振器回路の原理回路図が示され
ている。このような発振器回路はたとえば市場で入手可
能な集積回路TDA5230に含まれている。図4には
、エミッタ端子で互いに接続されている第1および第2
の発振器トランジスタT1およびT2が示されている。 第2のトランジスタT2のベース端子は第3のトランジ
スタT3のベース端子と一括接続されている。第1のト
ランジスタT1のベース端子は第4のトランジスタT4
のベース端子と一括接続されている。第3のトランジス
タT3のエミッタ端子は別のトランジスタT3aのベー
ス端子に接続されており、第4のトランジスタT4のエ
ミッタ端子は別のトランジスタT4aのベース端子に接
続されている。トランジスタT3、T3a、T4および
T4aのコレクタ端子は共通に第1の供給電位VCCに
接続されており、従ってトランジスタT3はトランジス
タT3aと共に、またトランジスタT4はトランジスタ
T4aと共に機能の面からそれぞれ高い電流増幅率を有
するトランジスタのようにみなすことができる。第1お
よび第4のトランジスタT1およびT4のベース端子は
いわゆるバイアス抵抗RB1を介していわゆるバイアス
電位UBSに接続されており、また第2および第3のト
ランジスタT2およびT3のベース端子はバイアス抵抗
RB2を介して同様にバイアス電位UBSに接続されて
いる。このバイアス電位UBSおよびこれらのバイアス
抵抗RB1、RB2によりトランジスタT1、T2、T
3、T3a、T4およびT4aの動作点が与えられるエ
ミッタ電流に関係して設定可能である。第1のトランジ
スタT1のベース端子は結合キャパシタンスCK1を介
して、また第2のトランジスタT2のコレクタ端子は別
の結合キャパシタンスCK2を介して、キャパシタンス
CおよびインダクタンスLにより構成される並列振動回
路の1つの端子に接続されており、またこの並列振動回
路の他方の端子は基準電位(接地電位)に接続されてい
る。第2のトランジスタT2のコレクタ端子はコレクタ
抵抗RKを介して第1の供給電位VCCに接続されてい
る。第4のトランジスタT1のコレクタ端子は図1中で
は直接にこの第1の供給電位VCCに接続されているが
、第1のトランジスタのコレクタ端子と第1の供給電位
VCCとの間に1つまたはそれ以上のpn接合を設ける
ことも可能である。第2のトランジスタT2のベース端
子は、従ってまた第3のトランジスタT3のベース端子
もキャパシタンスC1を介して交流的に基準電位(接地
電位)に接続されている。第1および第2のトランジス
タT1およびT2のエミッタ端子は抵抗REを介してト
ランジスタT5のコレクタ端子に接続されており、その
エミッタ端子は基準電位(接地)に接続されている。図
4中でトランジスタT5のコレクタ端子とベース端子と
の間に接続されているキャパシタンスC3は回路を電動
作させる上で必要であるが、場合によっては既にこのト
ランジスタT5のミラー‐キャパシタンスにより形成す
ることもできる。トランジスタT5は抵抗REと共に制
御可能な電流源を形成する。トランジスタT5のベース
端子はトランジスタT6のコレクタ端子と一括接続され
ており、そのエミッタ端子は基準電位(接地電位)に接
続されている。このトランジスタT6のコレクタ端子は
抵抗R1を介して第1の供給電位VCCに接続されてお
り、また抵抗R2を介してトランジスタT6のベース端
子に接続されている。トランジスタT6は図4に示され
ている回路のなかでインバータとして作用する。トラン
ジスタT6のベース端子はトランジスタT7のコレクタ
端子と接続されており、そのエミッタ端子は基準電位(
接地電位)に接続されている。このトランジスタT7の
ベース端子はダイオードD1のアノードと一括接続され
ており、そのカソードは基準電位に接続されている。ダ
イオードD1はトランジスタT7と共に電流ミラー回路
として作用する。トランジスタT7のベース端子はさら
に抵抗R3を介してトランジスタT3aのエミッタ端子
と接続されており、トランジスタT7のコレクタ端子は
さらに抵抗R4を介してトランジスタT4aのエミッタ
端子と接続されている。トランジスタT4のエミッタ端
子はキャパシタンスC2を介して基準電位(接地電位)
と接続されており、またこうして交流的に接地電位と接
続されている。トランジスタT3、T3a、T4、T4
aおよびT7ならびにダイオードD1から成る回路装置
は1つの調節増幅器を形成する。この際にトランジスタ
T4はエミッタホロワとして接続されており、またピー
ク値整流器として作用する。この回路装置からインバー
タとして動作するトランジスタT6のベース端子に供給
される制御信号は、第1のトランジスタT1のベース端
子に与えられる交流電圧信号の信号振幅と直接に関連し
ている。発振器トランジスタT1およびT2と抵抗RE
およびトランジスタT5により形成される電流源とから
形成される発振器回路の出力信号の振幅は一方では第1
のトランジスタT1のベース端子に与えられる駆動信号
に関係し、また他方では電流源T5、REにより与えら
れる電流に関係する。トランジスタT1のベース端子に
おける駆動信号の増大と共に図4による回路ではピーク
値整流器T4により与えられる信号が増大し、従ってイ
ンバータT6の中間接続により制御可能な電流源T5、
REの電流が制限される。
めの上述の方法を行う発振器回路の原理回路図が示され
ている。このような発振器回路はたとえば市場で入手可
能な集積回路TDA5230に含まれている。図4には
、エミッタ端子で互いに接続されている第1および第2
の発振器トランジスタT1およびT2が示されている。 第2のトランジスタT2のベース端子は第3のトランジ
スタT3のベース端子と一括接続されている。第1のト
ランジスタT1のベース端子は第4のトランジスタT4
のベース端子と一括接続されている。第3のトランジス
タT3のエミッタ端子は別のトランジスタT3aのベー
ス端子に接続されており、第4のトランジスタT4のエ
ミッタ端子は別のトランジスタT4aのベース端子に接
続されている。トランジスタT3、T3a、T4および
T4aのコレクタ端子は共通に第1の供給電位VCCに
接続されており、従ってトランジスタT3はトランジス
タT3aと共に、またトランジスタT4はトランジスタ
T4aと共に機能の面からそれぞれ高い電流増幅率を有
するトランジスタのようにみなすことができる。第1お
よび第4のトランジスタT1およびT4のベース端子は
いわゆるバイアス抵抗RB1を介していわゆるバイアス
電位UBSに接続されており、また第2および第3のト
ランジスタT2およびT3のベース端子はバイアス抵抗
RB2を介して同様にバイアス電位UBSに接続されて
いる。このバイアス電位UBSおよびこれらのバイアス
抵抗RB1、RB2によりトランジスタT1、T2、T
3、T3a、T4およびT4aの動作点が与えられるエ
ミッタ電流に関係して設定可能である。第1のトランジ
スタT1のベース端子は結合キャパシタンスCK1を介
して、また第2のトランジスタT2のコレクタ端子は別
の結合キャパシタンスCK2を介して、キャパシタンス
CおよびインダクタンスLにより構成される並列振動回
路の1つの端子に接続されており、またこの並列振動回
路の他方の端子は基準電位(接地電位)に接続されてい
る。第2のトランジスタT2のコレクタ端子はコレクタ
抵抗RKを介して第1の供給電位VCCに接続されてい
る。第4のトランジスタT1のコレクタ端子は図1中で
は直接にこの第1の供給電位VCCに接続されているが
、第1のトランジスタのコレクタ端子と第1の供給電位
VCCとの間に1つまたはそれ以上のpn接合を設ける
ことも可能である。第2のトランジスタT2のベース端
子は、従ってまた第3のトランジスタT3のベース端子
もキャパシタンスC1を介して交流的に基準電位(接地
電位)に接続されている。第1および第2のトランジス
タT1およびT2のエミッタ端子は抵抗REを介してト
ランジスタT5のコレクタ端子に接続されており、その
エミッタ端子は基準電位(接地)に接続されている。図
4中でトランジスタT5のコレクタ端子とベース端子と
の間に接続されているキャパシタンスC3は回路を電動
作させる上で必要であるが、場合によっては既にこのト
ランジスタT5のミラー‐キャパシタンスにより形成す
ることもできる。トランジスタT5は抵抗REと共に制
御可能な電流源を形成する。トランジスタT5のベース
端子はトランジスタT6のコレクタ端子と一括接続され
ており、そのエミッタ端子は基準電位(接地電位)に接
続されている。このトランジスタT6のコレクタ端子は
抵抗R1を介して第1の供給電位VCCに接続されてお
り、また抵抗R2を介してトランジスタT6のベース端
子に接続されている。トランジスタT6は図4に示され
ている回路のなかでインバータとして作用する。トラン
ジスタT6のベース端子はトランジスタT7のコレクタ
端子と接続されており、そのエミッタ端子は基準電位(
接地電位)に接続されている。このトランジスタT7の
ベース端子はダイオードD1のアノードと一括接続され
ており、そのカソードは基準電位に接続されている。ダ
イオードD1はトランジスタT7と共に電流ミラー回路
として作用する。トランジスタT7のベース端子はさら
に抵抗R3を介してトランジスタT3aのエミッタ端子
と接続されており、トランジスタT7のコレクタ端子は
さらに抵抗R4を介してトランジスタT4aのエミッタ
端子と接続されている。トランジスタT4のエミッタ端
子はキャパシタンスC2を介して基準電位(接地電位)
と接続されており、またこうして交流的に接地電位と接
続されている。トランジスタT3、T3a、T4、T4
aおよびT7ならびにダイオードD1から成る回路装置
は1つの調節増幅器を形成する。この際にトランジスタ
T4はエミッタホロワとして接続されており、またピー
ク値整流器として作用する。この回路装置からインバー
タとして動作するトランジスタT6のベース端子に供給
される制御信号は、第1のトランジスタT1のベース端
子に与えられる交流電圧信号の信号振幅と直接に関連し
ている。発振器トランジスタT1およびT2と抵抗RE
およびトランジスタT5により形成される電流源とから
形成される発振器回路の出力信号の振幅は一方では第1
のトランジスタT1のベース端子に与えられる駆動信号
に関係し、また他方では電流源T5、REにより与えら
れる電流に関係する。トランジスタT1のベース端子に
おける駆動信号の増大と共に図4による回路ではピーク
値整流器T4により与えられる信号が増大し、従ってイ
ンバータT6の中間接続により制御可能な電流源T5、
REの電流が制限される。
【0004】上記の回路では、トランジスタT2のベー
ス端子およびトランジスタT3のベース端子が交流的に
キャパシタンスC1を介して基準電位(接地電位)に接
続されていることが無条件に必要である。従って、この
ような増幅器回路によっては発振器をトランジスタT1
およびT2の対称な駆動により作動させることができな
い。すなわち、トランジスタT2のベース端子が交流的
に基準電位(接地電位)に接続されていないと、トラン
ジスタT3およびT4から成る整流器回路は信号に関係
する差電圧を供給することができない。さらに、図4に
よる回路装置では整流器のなかにキャパシタンスC2を
付加することが必要である。
ス端子およびトランジスタT3のベース端子が交流的に
キャパシタンスC1を介して基準電位(接地電位)に接
続されていることが無条件に必要である。従って、この
ような増幅器回路によっては発振器をトランジスタT1
およびT2の対称な駆動により作動させることができな
い。すなわち、トランジスタT2のベース端子が交流的
に基準電位(接地電位)に接続されていないと、トラン
ジスタT3およびT4から成る整流器回路は信号に関係
する差電圧を供給することができない。さらに、図4に
よる回路装置では整流器のなかにキャパシタンスC2を
付加することが必要である。
【0005】図4による回路装置では付加の要素、すな
わち調節器または整流器が発振器増幅器回路の高周波信
号に対して臨界的な個所に、ここでは発振器トランジス
タT1のベース端子に接続されている。これらの付加の
要素はこのような発振器回路の上限周波数に影響する付
加の寄生キャパシタンスを伴っている。
わち調節器または整流器が発振器増幅器回路の高周波信
号に対して臨界的な個所に、ここでは発振器トランジス
タT1のベース端子に接続されている。これらの付加の
要素はこのような発振器回路の上限周波数に影響する付
加の寄生キャパシタンスを伴っている。
【0006】振幅調節可能な発振器増幅器回路の他の構
成はヨーロッパ特許出願公開第 0299464号明細
書に示されている。特にこの公開明細書の図1には、上
記の従来技術で説明されているような発振器増幅器回路
が示されている。しかしながら、整流器として作用する
調節増幅器は発振器トランジスタT1およびT2のベー
ス端子に接続されておらず、第2のトランジスタT2の
コレクタ端子に接続されている。ヨーロッパ特許出願公
開第 0299464号明細書による回路でも、発振器
増幅器の交流信号に関係して調節器回路を介して発振器
増幅器回路のエミッタ電流が制御される。ヨーロッパ特
許出願公開第 0299464号明細書から公知のこの
ような回路では、発振器増幅器を対称に駆動されるよう
に作動させることは確かに可能であるが、このような回
路においてもたとえば調節器のような付加の要素が交流
信号に対して臨界的な点に、ここでは発振器トランジス
タT2のコレクタ端子に接続されている。ここでも付加
の寄生キャパシタンスがこのような発振器の上限周波数
に不利に作用する。さらにヨーロッパ特許出願公開第
0299464号明細書による回路装置においても、付
加のキャパシタンスを有するピーク値整流器の形態の調
節器が必要である。
成はヨーロッパ特許出願公開第 0299464号明細
書に示されている。特にこの公開明細書の図1には、上
記の従来技術で説明されているような発振器増幅器回路
が示されている。しかしながら、整流器として作用する
調節増幅器は発振器トランジスタT1およびT2のベー
ス端子に接続されておらず、第2のトランジスタT2の
コレクタ端子に接続されている。ヨーロッパ特許出願公
開第 0299464号明細書による回路でも、発振器
増幅器の交流信号に関係して調節器回路を介して発振器
増幅器回路のエミッタ電流が制御される。ヨーロッパ特
許出願公開第 0299464号明細書から公知のこの
ような回路では、発振器増幅器を対称に駆動されるよう
に作動させることは確かに可能であるが、このような回
路においてもたとえば調節器のような付加の要素が交流
信号に対して臨界的な点に、ここでは発振器トランジス
タT2のコレクタ端子に接続されている。ここでも付加
の寄生キャパシタンスがこのような発振器の上限周波数
に不利に作用する。さらにヨーロッパ特許出願公開第
0299464号明細書による回路装置においても、付
加のキャパシタンスを有するピーク値整流器の形態の調
節器が必要である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、発振
器増幅器の振幅調節のための方法およびその実施のため
の回路装置を、発振器回路の交流挙動に対して臨界的な
点が付加の寄生要素により負荷されないように構成する
ことである。
器増幅器の振幅調節のための方法およびその実施のため
の回路装置を、発振器回路の交流挙動に対して臨界的な
点が付加の寄生要素により負荷されないように構成する
ことである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明においては、請求項1又は2に記載する方法
、請求項5に記載する回路装置を用いるものである。
め、本発明においては、請求項1又は2に記載する方法
、請求項5に記載する回路装置を用いるものである。
【0009】本発明の好ましい構成は請求項3、4に記
載されている。
載されている。
【0010】振幅調節のための本発明による方法にとっ
て重要なことは、制御可能な電流源により定められるエ
ミッタ電流を有する発振器増幅器においてこの制御可能
な電流源に対する制御量として発振器トランジスタT1
のエミッタ端子における電圧レベルの相対的変化が利用
されることである。それにより、制御量を発振器トラン
ジスタT1のベース端子における信号振幅に関係して与
える付加のピーク値整流器が必要でない。発振器トラン
ジスタT1のベース‐エミッタ‐ダイオードの整流器作
用の結果として、発振器トランジスタのエミッタ端子に
おける電圧が発振器トランジスタのベース端子における
電圧の直流成分に対して相対的に発振器トランジスタの
ベース端子における交流信号の振幅に関係して変化する
。同じことが、1つよりも多い発振器トランジスタT1
が設けられているときにも当てはまる。
て重要なことは、制御可能な電流源により定められるエ
ミッタ電流を有する発振器増幅器においてこの制御可能
な電流源に対する制御量として発振器トランジスタT1
のエミッタ端子における電圧レベルの相対的変化が利用
されることである。それにより、制御量を発振器トラン
ジスタT1のベース端子における信号振幅に関係して与
える付加のピーク値整流器が必要でない。発振器トラン
ジスタT1のベース‐エミッタ‐ダイオードの整流器作
用の結果として、発振器トランジスタのエミッタ端子に
おける電圧が発振器トランジスタのベース端子における
電圧の直流成分に対して相対的に発振器トランジスタの
ベース端子における交流信号の振幅に関係して変化する
。同じことが、1つよりも多い発振器トランジスタT1
が設けられているときにも当てはまる。
【0011】
【発明の効果】本発明による回路装置の主要な利点は、
振幅調節に対する制御量を導き出すために付加の回路要
素、従ってまた発振器トランジスタのコレクタおよびベ
ースの範囲内の付加の寄生キャパシタンスが必要でない
ことである。
振幅調節に対する制御量を導き出すために付加の回路要
素、従ってまた発振器トランジスタのコレクタおよびベ
ースの範囲内の付加の寄生キャパシタンスが必要でない
ことである。
【0012】
【実施例】以下、本発明を図1、図2および図3に示さ
れている実施例により一層詳細に説明する。
れている実施例により一層詳細に説明する。
【0013】図1には、ベース端子でインダクタンスL
を介して供給電位、ここでは基準電位(接地電位)に接
続されている発振器トランジスタT1が示されており、
そのベース端子はさらにキャパシタンスCaを介してそ
のエミッタ端子に接続されており、またさらに動作点設
定のために必要なバイアス抵抗RBを介してバイアス電
位UBSに接続されている。発振器トランジスタT1の
ベース端子とインダクタンスLとの間にこのベース端子
を直流的に接地点に対して脱結合する結合コンデンサC
K3が設けられている。発振器トランジスタT1のコレ
クタ端子は抵抗RKを介して第1の供給電位VCCに接
続されており、またさらに交流的にキャパシタンスC4
を介してこの第1の供給電位VCCに接続されている。 発振器トランジスタT1のエミッタ端子はキャパシタン
スCbを介して基準電位(接地電位)に接続されており
、トランジスタTIのコレクタ端子と一括接続されてお
り、またさらに抵抗R5を介して調節増幅器A1の入力
端に接続されている。この調節増幅器A1の他方の入力
端は参照電位UREFを与えられている。この調節増幅
器A1の出力端子はダイオードD2のカソード端子と接
続されており、そのアノード端子は基準電位(接地電位
)と接続されている。さらに調節増幅器A1の出力端子
はトランジスタTIのベース端子と接続されている。ト
ランジスタTIのエミッタ端子は基準電位(接地電位)
と接続されている。調節増幅器A1の特に簡単な実施例
としてpnpトランジスタT8が示されており、そのベ
ース端子は調節増幅器の一方の入力端を形成し、そのエ
ミッタ端子は調節増幅器の他方の入力端を形成し、また
そのコレクタ端子は調節増幅器の出力端を形成している
。インダクタンスLはキャパシタンスCaおよびCbか
ら成る直列回路と共に並列振動回路を形成している。こ
の並列振動回路は、トランジスタT1のエミッタ端子か
らキャパシタンスCaを介してこのトランジスタT1の
ベース端子に作用する反結合に基づいて励起され、また
このトランジスタT1のベース端子において動作点設定
のために必要な直流電圧に重畳される1つの信号の周波
数を決定する。トランジスタT1のベース端子に生ずる
直流電圧はダイオード通過電圧だけ低い直流電圧をこの
トランジスタT1のベース端子に生じさせる。トランジ
スタT1のエミッタ端子における直流電圧に重畳されて
いる交流信号はキャパシタンスCbの相応の大きさによ
り得られる積分作用に基づいて、発振器トランジスタT
1のベース端子における交流信号の不存在の際にそのエ
ミッタ端子に生じている直流電圧に重畳される付加の直
流電圧を生じさせる。この付加の直流電圧は発振器トラ
ンジスタT1のベース端子における交流信号の振幅に直
接に関係している。
を介して供給電位、ここでは基準電位(接地電位)に接
続されている発振器トランジスタT1が示されており、
そのベース端子はさらにキャパシタンスCaを介してそ
のエミッタ端子に接続されており、またさらに動作点設
定のために必要なバイアス抵抗RBを介してバイアス電
位UBSに接続されている。発振器トランジスタT1の
ベース端子とインダクタンスLとの間にこのベース端子
を直流的に接地点に対して脱結合する結合コンデンサC
K3が設けられている。発振器トランジスタT1のコレ
クタ端子は抵抗RKを介して第1の供給電位VCCに接
続されており、またさらに交流的にキャパシタンスC4
を介してこの第1の供給電位VCCに接続されている。 発振器トランジスタT1のエミッタ端子はキャパシタン
スCbを介して基準電位(接地電位)に接続されており
、トランジスタTIのコレクタ端子と一括接続されてお
り、またさらに抵抗R5を介して調節増幅器A1の入力
端に接続されている。この調節増幅器A1の他方の入力
端は参照電位UREFを与えられている。この調節増幅
器A1の出力端子はダイオードD2のカソード端子と接
続されており、そのアノード端子は基準電位(接地電位
)と接続されている。さらに調節増幅器A1の出力端子
はトランジスタTIのベース端子と接続されている。ト
ランジスタTIのエミッタ端子は基準電位(接地電位)
と接続されている。調節増幅器A1の特に簡単な実施例
としてpnpトランジスタT8が示されており、そのベ
ース端子は調節増幅器の一方の入力端を形成し、そのエ
ミッタ端子は調節増幅器の他方の入力端を形成し、また
そのコレクタ端子は調節増幅器の出力端を形成している
。インダクタンスLはキャパシタンスCaおよびCbか
ら成る直列回路と共に並列振動回路を形成している。こ
の並列振動回路は、トランジスタT1のエミッタ端子か
らキャパシタンスCaを介してこのトランジスタT1の
ベース端子に作用する反結合に基づいて励起され、また
このトランジスタT1のベース端子において動作点設定
のために必要な直流電圧に重畳される1つの信号の周波
数を決定する。トランジスタT1のベース端子に生ずる
直流電圧はダイオード通過電圧だけ低い直流電圧をこの
トランジスタT1のベース端子に生じさせる。トランジ
スタT1のエミッタ端子における直流電圧に重畳されて
いる交流信号はキャパシタンスCbの相応の大きさによ
り得られる積分作用に基づいて、発振器トランジスタT
1のベース端子における交流信号の不存在の際にそのエ
ミッタ端子に生じている直流電圧に重畳される付加の直
流電圧を生じさせる。この付加の直流電圧は発振器トラ
ンジスタT1のベース端子における交流信号の振幅に直
接に関係している。
【0014】調節増幅器A1の出力量は第1のトランジ
スタT1のエミッタ端子における直流電圧レベルの変化
に関係して参照電位UREFに対する比を変更される。 参照電位UREFは発振器トランジスタT1の動作点設
定のためにこの発振器トランジスタT1のベース端子に
生じる直流電圧レベルと1つの固定的関係にあるべきで
あろう。その場合にのみ発振器トランジスタT1のベー
ス端子における交流信号の振幅の1つの変化にこの発振
器トランジスタT1のエミッタ端子における直流電圧の
1つの変化が固定的に対応付け可能である。発振器トラ
ンジスタT1のベース端子における直流電圧レベルがバ
イアス回路により固定の電位に保たれるならば、参照電
位UREFは同じく固定であれば十分である。図1に示
されている原理回路では調節増幅器A1がトランジスタ
TIおよびダイオードD2から形成される電流ミラー回
路に固定した電流を与える。
スタT1のエミッタ端子における直流電圧レベルの変化
に関係して参照電位UREFに対する比を変更される。 参照電位UREFは発振器トランジスタT1の動作点設
定のためにこの発振器トランジスタT1のベース端子に
生じる直流電圧レベルと1つの固定的関係にあるべきで
あろう。その場合にのみ発振器トランジスタT1のベー
ス端子における交流信号の振幅の1つの変化にこの発振
器トランジスタT1のエミッタ端子における直流電圧の
1つの変化が固定的に対応付け可能である。発振器トラ
ンジスタT1のベース端子における直流電圧レベルがバ
イアス回路により固定の電位に保たれるならば、参照電
位UREFは同じく固定であれば十分である。図1に示
されている原理回路では調節増幅器A1がトランジスタ
TIおよびダイオードD2から形成される電流ミラー回
路に固定した電流を与える。
【0015】図1による発振器の信号は一方ではトラン
ジスタT1の定められたエミッタ電流により、また他方
ではこの発振器トランジスタT1のベース端子に生じる
交流信号により設定され得るので、図示されている回路
では、振幅調節が、発振器トランジスタT1のベース端
子における信号振幅の増大の際にこの発振器トランジス
タT1のエミッタ電流が相応の度合いで減少されること
により達成される。
ジスタT1の定められたエミッタ電流により、また他方
ではこの発振器トランジスタT1のベース端子に生じる
交流信号により設定され得るので、図示されている回路
では、振幅調節が、発振器トランジスタT1のベース端
子における信号振幅の増大の際にこの発振器トランジス
タT1のエミッタ電流が相応の度合いで減少されること
により達成される。
【0016】図2には、第1の発振器トランジスタT1
および第2の発振器トランジスタT2を有する発振器増
幅器回路が示されており、それらのエミッタ端子は互い
に接続されている。第1の発振器トランジスタT1のコ
レクタ端子は接続端子O1に接続されており、またコレ
クタ抵抗RK1を介して第1の供給電位VCCに接続さ
れている。第2の発振器トランジスタT2のコレクタ端
子は接続端子O2に接続されており、またコレクタ抵抗
RK2を介して第1の供給電位VCCに接続されている
。第1の発振器トランジスタT1のベース端子はバイア
ス抵抗RB1を介してバイアス電位UBSに接続されて
いる。第2の発振器トランジスタT2のベース端子はバ
イアス抵抗RB2を介して同時にこのバイアス電位UB
Sに接続されている。周波数決定要素として図2には、
インダクタンスLおよびこれに対して並列に接続されて
いるキャパシタンスCから形成されている並列振動回路
が示されており、この並列振動回路の1つの端子は基準
電位(接地電位)に接続されている。この並列振動回路
の他方の端子は一方では第1の結合キャパシタンスCK
1を介して第1の発振器トランジスタT1のベース端子
に接続されており、また他方では第2の結合キャパシタ
ンスCK2を介して接続端子O2に、またこうして第2
の発振器トランジスタT2のコレクタ端子に接続されて
いる。第2の発振器トランジスタT2のベース端子は図
2では破線で示されているキャパシタンスC1を介して
基準電位に接続されている。この回路変形例は、発振器
増幅器が非対称に駆動されるときに応用される。全く同
じく良好に発振器増幅器は対称にも駆動され得る。その
ためには、インダクタンスLに相応するインダクタンス
およびキャパシタンスCに相応するキャパシタンスを有
する別の振動回路が必要である。この振動回路はその場
合に結合キャパシタンスCK1に相応する結合キャパシ
タンスを介して第2の発振器トランジスタT2のベース
端子に接続すべきであり、またさらに結合キャパシタン
スCK2に相応する結合キャパシタンスを介して出力端
子O1に、またこうして第1の発振器トランジスタT1
のコレクタ端子に接続すべきである。
および第2の発振器トランジスタT2を有する発振器増
幅器回路が示されており、それらのエミッタ端子は互い
に接続されている。第1の発振器トランジスタT1のコ
レクタ端子は接続端子O1に接続されており、またコレ
クタ抵抗RK1を介して第1の供給電位VCCに接続さ
れている。第2の発振器トランジスタT2のコレクタ端
子は接続端子O2に接続されており、またコレクタ抵抗
RK2を介して第1の供給電位VCCに接続されている
。第1の発振器トランジスタT1のベース端子はバイア
ス抵抗RB1を介してバイアス電位UBSに接続されて
いる。第2の発振器トランジスタT2のベース端子はバ
イアス抵抗RB2を介して同時にこのバイアス電位UB
Sに接続されている。周波数決定要素として図2には、
インダクタンスLおよびこれに対して並列に接続されて
いるキャパシタンスCから形成されている並列振動回路
が示されており、この並列振動回路の1つの端子は基準
電位(接地電位)に接続されている。この並列振動回路
の他方の端子は一方では第1の結合キャパシタンスCK
1を介して第1の発振器トランジスタT1のベース端子
に接続されており、また他方では第2の結合キャパシタ
ンスCK2を介して接続端子O2に、またこうして第2
の発振器トランジスタT2のコレクタ端子に接続されて
いる。第2の発振器トランジスタT2のベース端子は図
2では破線で示されているキャパシタンスC1を介して
基準電位に接続されている。この回路変形例は、発振器
増幅器が非対称に駆動されるときに応用される。全く同
じく良好に発振器増幅器は対称にも駆動され得る。その
ためには、インダクタンスLに相応するインダクタンス
およびキャパシタンスCに相応するキャパシタンスを有
する別の振動回路が必要である。この振動回路はその場
合に結合キャパシタンスCK1に相応する結合キャパシ
タンスを介して第2の発振器トランジスタT2のベース
端子に接続すべきであり、またさらに結合キャパシタン
スCK2に相応する結合キャパシタンスを介して出力端
子O1に、またこうして第1の発振器トランジスタT1
のコレクタ端子に接続すべきである。
【0017】発振器トランジスタT1およびT2のエミ
ッタ端子は、接続端子bで基準電位(接地電位)に接続
されている回路部分S1の接続端子aに接続されている
。回路部分S1は、接続端子aと接続端子bとの間に1
つの電流を与える制御可能な電流源IEを含んでいる。 電流源IEの制御入力端は調節増幅器として設けられて
いる差増幅器A1の出力端と一括接続されている。 差増幅器A1として差増幅器入力端を有する演算増幅器
が設けられていてもよい。電流源IEの制御入力端と接
続端子aとの間には、調節増幅器A1により形成された
調節器が跳躍振動する傾向がないことを防止するキャパ
シタンスC3が設けられている。調節ループを実現する
ため差増幅器A1の1つの信号入力端は抵抗R5を介し
て接続端子aに接続されている。差増幅器A1の他方の
信号入力端は抵抗R6を介して参照電位UREFを与え
られる回路節点と接続されている。参照電位UREFは
この際特に、バイアス電位UBSと参照電位UREFを
導く回路節点間に1つまたはそれ以上のPN接合がたと
えばダイオードD3の形態で設けられているようにバイ
アス電位UBSから導き出されていてよい。
ッタ端子は、接続端子bで基準電位(接地電位)に接続
されている回路部分S1の接続端子aに接続されている
。回路部分S1は、接続端子aと接続端子bとの間に1
つの電流を与える制御可能な電流源IEを含んでいる。 電流源IEの制御入力端は調節増幅器として設けられて
いる差増幅器A1の出力端と一括接続されている。 差増幅器A1として差増幅器入力端を有する演算増幅器
が設けられていてもよい。電流源IEの制御入力端と接
続端子aとの間には、調節増幅器A1により形成された
調節器が跳躍振動する傾向がないことを防止するキャパ
シタンスC3が設けられている。調節ループを実現する
ため差増幅器A1の1つの信号入力端は抵抗R5を介し
て接続端子aに接続されている。差増幅器A1の他方の
信号入力端は抵抗R6を介して参照電位UREFを与え
られる回路節点と接続されている。参照電位UREFは
この際特に、バイアス電位UBSと参照電位UREFを
導く回路節点間に1つまたはそれ以上のPN接合がたと
えばダイオードD3の形態で設けられているようにバイ
アス電位UBSから導き出されていてよい。
【0018】図2に示されている発振器では発振器作用
に対して第1の発振器トランジスタT1はエミッタ接地
で作動させられており、また第2の発振器トランジスタ
T2はベース接地で作動させられている。回路部分S1
は操作要素として電流源IEを有する調節回路を示して
いる。この調節回路のなかの有効なキャパシタンスおよ
び抵抗値は、調節回路が発振器回路の目標周波数の範囲
内で作用しないように選定するのが有利である。発振器
トランジスタT1およびT2のベース端子における駆動
信号レベルの変化はベース‐エミッタ‐PN接合を介し
てそれぞれエミッタ端子に、従ってまた接続端子aに伝
達される。接続端子aにおける電位は抵抗R5を介して
実際値を調節増幅器として使用されている差増幅器A1
の1つの信号入力端に供給する。この調節増幅器はその
信号出力端を介して、接続端子aと接続端子bとの間を
流れる電流源IEの電流を、接続端子aにおける電位が
参照電位UREFにより予め定められた目標値に適合さ
れるに至るまで、変更する。
に対して第1の発振器トランジスタT1はエミッタ接地
で作動させられており、また第2の発振器トランジスタ
T2はベース接地で作動させられている。回路部分S1
は操作要素として電流源IEを有する調節回路を示して
いる。この調節回路のなかの有効なキャパシタンスおよ
び抵抗値は、調節回路が発振器回路の目標周波数の範囲
内で作用しないように選定するのが有利である。発振器
トランジスタT1およびT2のベース端子における駆動
信号レベルの変化はベース‐エミッタ‐PN接合を介し
てそれぞれエミッタ端子に、従ってまた接続端子aに伝
達される。接続端子aにおける電位は抵抗R5を介して
実際値を調節増幅器として使用されている差増幅器A1
の1つの信号入力端に供給する。この調節増幅器はその
信号出力端を介して、接続端子aと接続端子bとの間を
流れる電流源IEの電流を、接続端子aにおける電位が
参照電位UREFにより予め定められた目標値に適合さ
れるに至るまで、変更する。
【0019】図3には、図2に原理回路図の形態で示さ
れている回路部分S1を実現するための特に望ましい実
施例が示されており、図3に示されている回路はさらに
供給電位VCCからバイアス電位電位UBSおよび参照
電位UREFを発生する。図2に参照符号IEを付され
ている電流源は図3では3つの電流源抵抗RE1、RE
2およびRE3ならびに電流源トランジスタTIにより
構成されている。接続端子aと接続端子bとの間に抵抗
RE1が接続されている。抵抗RE2の1つの端子は接
続端子aに接続されており、この抵抗RE2の他方の端
子は電流源トランジスタTIのコレクタ端子に接続され
ており、またさらにキャパシタンスC3を介してこの電
流源トランジスタTIのベース端子に接続されている。 電流源トランジスタTIのエミッタ端子は抵抗RE3を
介して接続端子bに接続されている。図3中のキャパシ
タンスC3はその作用の点で図2中のキャパシタンスC
3に相応する。電流源抵抗RE1は接続端子aおよび接
続端子bに与えられている電圧に関係して電流源IEを
流れる最小電流を決定する。この電流は電流源トランジ
スタTIの駆動に関係して大きくされ、その際に電流源
IEにより許容される最大電流は接続端子aおよび接続
端子bに与えられている電圧に関係して抵抗RE1と抵
抗RE2およびRE3の和との並列回路により決定され
る。
れている回路部分S1を実現するための特に望ましい実
施例が示されており、図3に示されている回路はさらに
供給電位VCCからバイアス電位電位UBSおよび参照
電位UREFを発生する。図2に参照符号IEを付され
ている電流源は図3では3つの電流源抵抗RE1、RE
2およびRE3ならびに電流源トランジスタTIにより
構成されている。接続端子aと接続端子bとの間に抵抗
RE1が接続されている。抵抗RE2の1つの端子は接
続端子aに接続されており、この抵抗RE2の他方の端
子は電流源トランジスタTIのコレクタ端子に接続され
ており、またさらにキャパシタンスC3を介してこの電
流源トランジスタTIのベース端子に接続されている。 電流源トランジスタTIのエミッタ端子は抵抗RE3を
介して接続端子bに接続されている。図3中のキャパシ
タンスC3はその作用の点で図2中のキャパシタンスC
3に相応する。電流源抵抗RE1は接続端子aおよび接
続端子bに与えられている電圧に関係して電流源IEを
流れる最小電流を決定する。この電流は電流源トランジ
スタTIの駆動に関係して大きくされ、その際に電流源
IEにより許容される最大電流は接続端子aおよび接続
端子bに与えられている電圧に関係して抵抗RE1と抵
抗RE2およびRE3の和との並列回路により決定され
る。
【0020】トランジスタT9のコレクタ端子は供給電
位VCCに接続されており、このトランジスタT9のベ
ース端子は抵抗R7を介して同じく供給電位VCCに接
続されており、またさらにトランジスタT10のコレク
タ端子と一括接続されている。トランジスタT9のエミ
ッタ端子はバイアス電位UBSを与える役割をし、また
なかんずく抵抗R12を介してトランジスタT10のベ
ース端子と接続されている。トランジスタT10のエミ
ッタ端子は参照電位UREFを与える役割をし、また抵
抗R8を介して基準電位(接地電位)に接続されている
。トランジスタT9もトランジスタT10もエミッタホ
ロワ回路で作動させられる。バイアス電位UBSはこう
してトランジスタT9のベース‐エミッタ間電圧だけこ
のトランジスタT9のベースにかかる電位よりも低い。 この電位は、抵抗R7の値とトランジスタT9のベース
電流およびトランジスタT10のコレクタ電流の和との
積から形成される電圧だけ供給電位VCCよりも小さい
。参照電位UREFはトランジスタT10のベース‐エ
ミッタ間電圧だけバイアス電位UBSよりも低い。こう
して、予め定められた供給電位VCCにおいて、トラン
ジスタT9およびT10のベース‐エミッタ間電圧の顧
慮のもとに、バイアス電位UBSは抵抗R7およびR8
の値の適切な選定により設定可能である。図2中の調節
増幅器A1に相応する回路部分は図3では、コレクタ端
子でバイアス電位UBSに接続されているトランジスタ
T11およびT12により構成されている。トランジス
タT12のベース端子は調節増幅器の信号入力端を形成
しており、また抵抗R5を介して接続端子aに接続され
ている。トランジスタT11のベース端子は調節増幅器
の他方の信号入力端を形成しており、また抵抗R6を介
して参照電位UREFを与える回路節点に接続されてい
る。 トランジスタT11のエミッタ端子は抵抗R9の1つの
端子と接続されており、この抵抗R9の他方の端子は調
節増幅器の信号出力端をなしており、また一方では電流
源トランジスタTIのベース端子と接続され、他方では
トランジスタT14のコレクタ端子に接続されている。 トランジスタT14のエミッタ端子は接続端子bに、従
ってまた接地点に接続されている。トランジスタT12
のエミッタ端子は抵抗R10を介してトランジスタT1
3のコレクタ端子およびベース端子に、また同じくトラ
ンジスタT14のベース端子に接続されている。トラン
ジスタT13のエミッタ端子は抵抗R11を介して接続
端子bに接続されている。トランジスタT13およびト
ランジスタT14は抵抗R11と共に電流ミラー回路を
形成し、この電流ミラー回路はトランジスタT11およ
びT12と共同作用し、接続端子aにおける電位の1つ
の変化がトランジスタT12のエミッタ電流の変化を生
じさせ、それによりトランジスタT13のエミッタ電流
の変化、したがってまたトランジスタT14のエミッタ
電流の変化が生ぜしめられ、またこうして電流源トラン
ジスタTIの駆動が接続端子aに与えられている電位の
変化に関係して変更される。有効な抵抗および有効なキ
ャパシタンス、特にキャパシタンスC3は、調節回路が
所望の周波数範囲内でのみ作用するような大きさにすべ
きである。
位VCCに接続されており、このトランジスタT9のベ
ース端子は抵抗R7を介して同じく供給電位VCCに接
続されており、またさらにトランジスタT10のコレク
タ端子と一括接続されている。トランジスタT9のエミ
ッタ端子はバイアス電位UBSを与える役割をし、また
なかんずく抵抗R12を介してトランジスタT10のベ
ース端子と接続されている。トランジスタT10のエミ
ッタ端子は参照電位UREFを与える役割をし、また抵
抗R8を介して基準電位(接地電位)に接続されている
。トランジスタT9もトランジスタT10もエミッタホ
ロワ回路で作動させられる。バイアス電位UBSはこう
してトランジスタT9のベース‐エミッタ間電圧だけこ
のトランジスタT9のベースにかかる電位よりも低い。 この電位は、抵抗R7の値とトランジスタT9のベース
電流およびトランジスタT10のコレクタ電流の和との
積から形成される電圧だけ供給電位VCCよりも小さい
。参照電位UREFはトランジスタT10のベース‐エ
ミッタ間電圧だけバイアス電位UBSよりも低い。こう
して、予め定められた供給電位VCCにおいて、トラン
ジスタT9およびT10のベース‐エミッタ間電圧の顧
慮のもとに、バイアス電位UBSは抵抗R7およびR8
の値の適切な選定により設定可能である。図2中の調節
増幅器A1に相応する回路部分は図3では、コレクタ端
子でバイアス電位UBSに接続されているトランジスタ
T11およびT12により構成されている。トランジス
タT12のベース端子は調節増幅器の信号入力端を形成
しており、また抵抗R5を介して接続端子aに接続され
ている。トランジスタT11のベース端子は調節増幅器
の他方の信号入力端を形成しており、また抵抗R6を介
して参照電位UREFを与える回路節点に接続されてい
る。 トランジスタT11のエミッタ端子は抵抗R9の1つの
端子と接続されており、この抵抗R9の他方の端子は調
節増幅器の信号出力端をなしており、また一方では電流
源トランジスタTIのベース端子と接続され、他方では
トランジスタT14のコレクタ端子に接続されている。 トランジスタT14のエミッタ端子は接続端子bに、従
ってまた接地点に接続されている。トランジスタT12
のエミッタ端子は抵抗R10を介してトランジスタT1
3のコレクタ端子およびベース端子に、また同じくトラ
ンジスタT14のベース端子に接続されている。トラン
ジスタT13のエミッタ端子は抵抗R11を介して接続
端子bに接続されている。トランジスタT13およびト
ランジスタT14は抵抗R11と共に電流ミラー回路を
形成し、この電流ミラー回路はトランジスタT11およ
びT12と共同作用し、接続端子aにおける電位の1つ
の変化がトランジスタT12のエミッタ電流の変化を生
じさせ、それによりトランジスタT13のエミッタ電流
の変化、したがってまたトランジスタT14のエミッタ
電流の変化が生ぜしめられ、またこうして電流源トラン
ジスタTIの駆動が接続端子aに与えられている電位の
変化に関係して変更される。有効な抵抗および有効なキ
ャパシタンス、特にキャパシタンスC3は、調節回路が
所望の周波数範囲内でのみ作用するような大きさにすべ
きである。
【0021】図3中に示されている抵抗RE3およびR
11は、個々にまたは共に、省略されてもよい。なかん
ずくこれらの抵抗RE3およびR11により設定され得
る調節増幅は、トランジスタT13およびT14のエミ
ッタ面積を相異なる大きさとし、特にトランジスタT1
4のエミッタ面積をトランジスタT13のエミッタ面積
の何倍かにすることによっても設定することができる。
11は、個々にまたは共に、省略されてもよい。なかん
ずくこれらの抵抗RE3およびR11により設定され得
る調節増幅は、トランジスタT13およびT14のエミ
ッタ面積を相異なる大きさとし、特にトランジスタT1
4のエミッタ面積をトランジスタT13のエミッタ面積
の何倍かにすることによっても設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の接続図である。
【図2】本発明の別の実施例の接続図である。
【図3】本発明のさらに別の実施例の接続図である。
【図4】従来の一例の接続図である。
A1 調節増幅器
IE 電流源
S1 調節回路
UBS バイアス電位
UREF 参照電位
VCC 供給電位
Claims (5)
- 【請求項1】 制御可能な電流源(IE;TI;T5
、RE;T5、RE1、RE2、RE3)を介して供給
電位(接地電位)にエミッタ端子が接続されている少な
くとも1つの発振器トランジスタ(T1;T1、T2)
を有し、また発振器トランジスタ(T1;T1、T2)
の少なくとも1つの少なくともベース端子に接続されて
いる周波数決定要素を有する発振器の出力信号の振幅を
調節するための方法において、発振器トランジスタ(T
1;T1、T2)の少なくとも1つのベース端子に与え
られている信号の振幅変化の結果として少なくともこの
1つの発振器トランジスタ(T1;T1、T2)のエミ
ッタ端子に生ずる直流電圧変化が制御可能な電流源(I
E;TI;TI、RE1、RE2、RE3)の電流に対
する制御量として用いられていることを特徴とする発振
器出力信号の振幅調節方法。 - 【請求項2】 制御可能な電流源(IE;TI;T5
、RE;TI、RE1、RE2、RE3)を介して供給
電位(接地電位)にエミッタ端子が接続されている少な
くとも1つの発振器トランジスタ(T1;T1、T2)
を有し、また発振器トランジスタ(T1;T1、T2)
の少なくとも1つの少なくともコレクタ端子に接続され
ている周波数決定要素を有する発振器の振幅を調節する
ための方法において、発振器トランジスタ(T1;T1
、T2)の少なくとも1つのベース端子に与えられてい
る信号の振幅変化の結果として少なくともこの1つの発
振器トランジスタ(T1;T1、T2)のエミッタ端子
に生ずる直流電圧変化が制御可能な電流源(IE;TI
;TI、RE1、RE2、RE3)の電流に対する制御
量として用いられていることを特徴とする発振器出力信
号の振幅調節方法。 - 【請求項3】 制御可能な電流源(TI)およびキャ
パシタンス(Cb)の並列回路を介して供給電位(接地
電位)にエミッタ端子が接続されている発振器トランジ
スタ(T1)を有し、また少なくとも発振器トランジス
タ(T1)のベース端子に接続されている周波数決定要
素(L、Ca、Cb)を有する発振器の振幅を調節する
ための方法において、発振器トランジスタ(T1)のベ
ース端子に与えられている信号の振幅変化の結果として
この1つの発振器トランジスタ(T1)のエミッタ端子
に生ずる直流電圧変化が制御可能な電流源(TI)の電
流に対する制御量として用いられていることを特徴とす
る請求項1記載の発振器出力信号の振幅調節方法。 - 【請求項4】 制御可能な電流源(IE;TI;T5
、RE;TI、RE1、RE2、RE3)を介して供給
電位(接地電位)にエミッタ端子が接続されている少な
くとも2つの発振器トランジスタ(T1、T2)を有し
、また発振器トランジスタ(T1;T2)の少なくとも
1つのベース端子および発振器トランジスタ(T2;T
1)の他方のコレクタ端子に接続されている周波数決定
要素(L、C)を有する発振器の振幅を調節するための
方法において、発振器トランジスタ(T1、T2)の少
なくとも1つのベース端子に与えられている信号の振幅
変化の結果として発振器トランジスタ(T1、T2)の
エミッタ端子に生ずる直流電圧変化が制御可能な電流源
(IE;TI、RE1、RE2、RE3)の電流に対す
る制御量として用いられていることを特徴とする請求項
2記載の発振器出力信号の振幅調節方法。 - 【請求項5】 請求項1ないし4の1つによる方法を
実施するための発振器増幅器回路装置において、少なく
とも1つの発振器トランジスタ(T1;T1、T2)の
エミッタ端子が調節増幅器(A1)の1つの入力端と一
括接続されており、この調節増幅器(A1)の他方の入
力端が参照電位(UREF)と一括接続されており、こ
の参照電位(UREF)が少なくとも1つの発振器トラ
ンジスタ(T1;T1、T2)のベース端子に与えられ
ている信号の直流信号成分と固定的関係にあり、また制
御可能な電流源(IS、TI、D2;T5、RE1、R
E2、RE3)の電流が調節増幅器(A1)の出力量に
関係して設定されることを特徴とする発振器増幅器回路
装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP90111680A EP0462304B1 (de) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | Schaltungsanordnung zur Regelung der Amplituden eines Oszillators |
AT90111680.6 | 1990-06-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04253405A true JPH04253405A (ja) | 1992-09-09 |
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Family Applications (1)
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---|---|
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EP (1) | EP0462304B1 (ja) |
JP (1) | JPH04253405A (ja) |
KR (1) | KR920001826A (ja) |
AT (1) | ATE121237T1 (ja) |
DE (1) | DE59008905D1 (ja) |
ES (1) | ES2070214T3 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016096533A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-26 | スティヒティング・イメック・ネーデルラントStichting IMEC Nederland | 発振器デバイス |
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WO1998006170A1 (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-12 | Philips Electronics N.V. | Oscillator |
DE10033741B4 (de) * | 2000-07-12 | 2012-01-26 | Synergy Microwave Corp. | Oszillatorschaltung |
DE10223537A1 (de) * | 2002-05-27 | 2003-12-11 | Sick Ag | Optoelektronischer Sensor |
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US4588968A (en) * | 1984-02-16 | 1986-05-13 | National Semiconductor Corporation | Low noise constant amplitude oscillator circuit |
EP0301319A1 (de) * | 1987-07-17 | 1989-02-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithisch integrierbare, amplitudengeregelte Oszillator-Differenzverstärkerschaltung |
EP0299464A1 (de) * | 1987-07-17 | 1989-01-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithisch integrierbare, amplitudenregelbare Oszillator-Verstärker-Schaltung |
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- 1990-06-20 AT AT90111680T patent/ATE121237T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-06-20 DE DE59008905T patent/DE59008905D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-20 ES ES90111680T patent/ES2070214T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-20 EP EP90111680A patent/EP0462304B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-19 KR KR1019910010175A patent/KR920001826A/ko not_active Application Discontinuation
- 1991-06-19 JP JP3176203A patent/JPH04253405A/ja active Pending
- 1991-06-20 US US07/717,988 patent/US5144263A/en not_active Expired - Lifetime
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JP2016096533A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-26 | スティヒティング・イメック・ネーデルラントStichting IMEC Nederland | 発振器デバイス |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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