JPS60105297A - 合成樹脂シ−ルドケ−ス - Google Patents
合成樹脂シ−ルドケ−スInfo
- Publication number
- JPS60105297A JPS60105297A JP21284783A JP21284783A JPS60105297A JP S60105297 A JPS60105297 A JP S60105297A JP 21284783 A JP21284783 A JP 21284783A JP 21284783 A JP21284783 A JP 21284783A JP S60105297 A JPS60105297 A JP S60105297A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- synthetic resin
- frame
- conductive
- shield case
- frequency filter
- Prior art date
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- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電磁波に基づく誘Ｓ障害及び外部端子からの
高周波ノイズの侵入を防止した合成樹脂製のシールドケ
ースに関する。
高周波ノイズの侵入を防止した合成樹脂製のシールドケ
ースに関する。
従来、電磁波の妨害対策には金属製のシールドケースが
使われている。又、外部端子には、シールドケース使用
者が、高周波ろ波回路を接続し、 ′外部から侵入覆る
高周波ノイズを遮断する必要があった。このため、この
様な外部端子からの雑富の侵入を防止したシールドケー
スを設計するには、個別に使用者が設計しな【プればな
らず、使用上不便であった。
使われている。又、外部端子には、シールドケース使用
者が、高周波ろ波回路を接続し、 ′外部から侵入覆る
高周波ノイズを遮断する必要があった。このため、この
様な外部端子からの雑富の侵入を防止したシールドケー
スを設計するには、個別に使用者が設計しな【プればな
らず、使用上不便であった。
又、金属体を使用しているためシールドケースが重くな
ると共に、製造に工数がかかるという欠点がある。
ると共に、製造に工数がかかるという欠点がある。
そこで本発明は、従来のこの様な欠点を改良するために
成されたものであり、軽量でかつ製造が容易なうえ、電
磁波妨害対策が施され、かつ、外部端子からの雑音の侵
入を防止した合成樹脂製のシールドケースを提供するこ
とを目的とする。
成されたものであり、軽量でかつ製造が容易なうえ、電
磁波妨害対策が施され、かつ、外部端子からの雑音の侵
入を防止した合成樹脂製のシールドケースを提供するこ
とを目的とする。
（発明の構成）
即ち、本発明は、導電性合成樹脂から成る枠体と、該枠
体内に埋設されその接地極が該枠体と電気的に接続され
た高周波フィルタ素子と、咳高周波フィルタ素子の非接
地極に接続され、前記枠体と電気的に絶縁された外部端
子と、 から成ることを特徴とする合成樹脂シールドケースに関
する。
体内に埋設されその接地極が該枠体と電気的に接続され
た高周波フィルタ素子と、咳高周波フィルタ素子の非接
地極に接続され、前記枠体と電気的に絶縁された外部端
子と、 から成ることを特徴とする合成樹脂シールドケースに関
する。
ここで、導電性合成樹脂は、一般の熱可塑性及び熱硬化
性合成樹脂に、鉄、アルミニウム、銅等の金属粉、金属
繊維、金属フレーク、又は導電性カーボン等の導電性物
質を１種又は２種以上充填して形成することができる。
性合成樹脂に、鉄、アルミニウム、銅等の金属粉、金属
繊維、金属フレーク、又は導電性カーボン等の導電性物
質を１種又は２種以上充填して形成することができる。
この導電性合成樹脂の比抵抗は、０ΩＣｎ＋、又は１Ｏ
−１（ンｃｍ以下に（１４成するのが望ましい。
−１（ンｃｍ以下に（１４成するのが望ましい。
又、他の導電性合成樹脂としては、合成樹脂にＳ電性有
機高分子物質、導電性無機高分子物質、又は低分子電荷
移動錯体のうち１種又は２種以上を充填して形成するこ
ともできる。このうち、導電性有機高分子物質は、ポリ
アセチレン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリ
チェニレン、ポリバラフェニレンビニレン、ポリジアレ
ヂレンのうち１種に不純物をドープして得られる物質で
構成できる。ドープすべき不純物としては、臭素（Ｂｒ
）、ヨウ素（１）等のハロゲン元素、又は５フツ化砒素
（ＡＳＦｓ＞等の電子受容体、又はナトリウム（Ｎａ）
、リチウム（Ｌｉ ）等のアルカリ金属の電子供与体を
使用することができる。
機高分子物質、導電性無機高分子物質、又は低分子電荷
移動錯体のうち１種又は２種以上を充填して形成するこ
ともできる。このうち、導電性有機高分子物質は、ポリ
アセチレン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリ
チェニレン、ポリバラフェニレンビニレン、ポリジアレ
ヂレンのうち１種に不純物をドープして得られる物質で
構成できる。ドープすべき不純物としては、臭素（Ｂｒ
）、ヨウ素（１）等のハロゲン元素、又は５フツ化砒素
（ＡＳＦｓ＞等の電子受容体、又はナトリウム（Ｎａ）
、リチウム（Ｌｉ ）等のアルカリ金属の電子供与体を
使用することができる。
又、低分子電荷移動錯体としては、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）−テトラデアフルバレン（ＴＴＦ）
錯体をあげることができる。又、合成樹脂母体物質は、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等
で構成できる。
メタン（ＴＣＮＱ）−テトラデアフルバレン（ＴＴＦ）
錯体をあげることができる。又、合成樹脂母体物質は、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等
で構成できる。
本発明は、この様な導電性合成樹脂を用いて枠体を形成
している。この枠体には、高周波フィルタ素子が埋設さ
れている。高周波フィルタ素子とは、コンデンサ、コイ
ルとコンデンサを組合わせたもの、又は、コンデンサと
フェライトビーズ等で構成される。この高周波フィルタ
の非接地極は、前記枠体の内部と外部とを電気的に接続
する外部端子に接続されている。又、この高周波フィル
タ素子の接地極は、枠体に電気的に接続されている。
している。この枠体には、高周波フィルタ素子が埋設さ
れている。高周波フィルタ素子とは、コンデンサ、コイ
ルとコンデンサを組合わせたもの、又は、コンデンサと
フェライトビーズ等で構成される。この高周波フィルタ
の非接地極は、前記枠体の内部と外部とを電気的に接続
する外部端子に接続されている。又、この高周波フィル
タ素子の接地極は、枠体に電気的に接続されている。
この様に、外部端子に、高周波フィルタ素子を接続し、
その接地端子を枠体に接続してそれを枠体中に埋設して
おくことにより、外部端子から侵入する高周波ノイズを
枠体にバイパスすることができる。高周波フィルタ素子
としては最も簡単には、円筒型の貫通型コンデンサを用
いることができる。貫通型円筒コンデンサの内部電極は
前記の外部端子に接続され、外側電極は枠体に埋設され
てそれに電気的に接続することにより、高周波フィルタ
を構成することができる。
その接地端子を枠体に接続してそれを枠体中に埋設して
おくことにより、外部端子から侵入する高周波ノイズを
枠体にバイパスすることができる。高周波フィルタ素子
としては最も簡単には、円筒型の貫通型コンデンサを用
いることができる。貫通型円筒コンデンサの内部電極は
前記の外部端子に接続され、外側電極は枠体に埋設され
てそれに電気的に接続することにより、高周波フィルタ
を構成することができる。
〔実施例）
以下、本発明を具体的な実施例に基づいてｈ丁シく説明
する。
する。
第１図は、本発明の具体的な実施例にかかる合成樹脂シ
ールドケースの構成を示した構成断面図である。導電性
合成樹脂から成る枠体２は、１〕１３丁樹脂に黄銅繊維
を配合して体積固有抵抗を１０−１０ｃｍにした材料を
用いている。この枠体は、導電性合成樹脂を図示の形状
にモールドして製造される。又、枠体２の底部には同じ
く導電性合成樹脂でできた蓋部２１が、導電性接着剤又
は溶着により接続されている。枠体２の上部端面にＩ３
Ｌ、貫通型コンデンサ４及び６が枠体に接合されている
。第３図は、コンデンサが接続される端子部の構成を示
した構成図−である。貫通型コンデンサ４は、内部電極
４１、外側電極４２及び誘電体物質４３を有している。
ールドケースの構成を示した構成断面図である。導電性
合成樹脂から成る枠体２は、１〕１３丁樹脂に黄銅繊維
を配合して体積固有抵抗を１０−１０ｃｍにした材料を
用いている。この枠体は、導電性合成樹脂を図示の形状
にモールドして製造される。又、枠体２の底部には同じ
く導電性合成樹脂でできた蓋部２１が、導電性接着剤又
は溶着により接続されている。枠体２の上部端面にＩ３
Ｌ、貫通型コンデンサ４及び６が枠体に接合されている
。第３図は、コンデンサが接続される端子部の構成を示
した構成図−である。貫通型コンデンサ４は、内部電極
４１、外側電極４２及び誘電体物質４３を有している。
又、他方の貫通型コンデンサ６についても同様な構成に
なっている。それらの貫通型コンデンサ４．６の外側電
極４２及び６２は１！導電性成樹脂から成る枠体２と電
気的に密接に接合されている。この貫通型コンデンサ−
４，６は枠体２の成形と同時にインザート成形して枠体
と一体的に形成されている。又、それらの内部電極４１
．６１は外部端子８．１０にそれぞれ接続されている。
なっている。それらの貫通型コンデンサ４．６の外側電
極４２及び６２は１！導電性成樹脂から成る枠体２と電
気的に密接に接合されている。この貫通型コンデンサ−
４，６は枠体２の成形と同時にインザート成形して枠体
と一体的に形成されている。又、それらの内部電極４１
．６１は外部端子８．１０にそれぞれ接続されている。
外部端子８．１０の枠体内部側の端子８ａ、１０ａは、
内部に保持された電子回路部１２に、それぞれ接続され
ている。又、枠体２の外側には、耐熱性電気絶縁性合成
樹脂から成る保護枠体１４がそれに接合して設けられて
いる。この保護枠体１４は外部端子８及び１０を内側に
含んだ突設部１４ａを有している。
内部に保持された電子回路部１２に、それぞれ接続され
ている。又、枠体２の外側には、耐熱性電気絶縁性合成
樹脂から成る保護枠体１４がそれに接合して設けられて
いる。この保護枠体１４は外部端子８及び１０を内側に
含んだ突設部１４ａを有している。
本第１実施例の合成樹脂シールドケースはこの様な構成
から成る。電子回路部１２の動作を妨害する電磁波は、
導電性合成樹脂から成る枠体２によってシールドされる
。又、外部端子８及び１０に接続された信号線から入ノ
Ｊｌる高周波ノイズは、貫通型コンデンサ４及び６を介
して導電性合成樹脂から成る枠体２にバイパスされるの
で、外部端子８及び１０の枠体内部側に接続された端子
部８ａ１１０ａにはノイズが誘導されない。この様にし
て、外部電磁波及び信号線に誘導された高周波ノイズの
、内部の電子回路部１２に対する影響を除去することが
できる。
から成る。電子回路部１２の動作を妨害する電磁波は、
導電性合成樹脂から成る枠体２によってシールドされる
。又、外部端子８及び１０に接続された信号線から入ノ
Ｊｌる高周波ノイズは、貫通型コンデンサ４及び６を介
して導電性合成樹脂から成る枠体２にバイパスされるの
で、外部端子８及び１０の枠体内部側に接続された端子
部８ａ１１０ａにはノイズが誘導されない。この様にし
て、外部電磁波及び信号線に誘導された高周波ノイズの
、内部の電子回路部１２に対する影響を除去することが
できる。
次に第２実施例にかかる合成樹脂シールドウースについ
て説明する。第２図は本第２実施例にかかるシールドケ
ースの構成斜視図である。本実施例は、シールドケース
をコネクタとして使用した例である。本実施例のコネク
タは、０字レール状を成し、導電性合成樹脂から成る枠
体２と、その内側に枠体２に接合された耐熱性電気絶縁
性合成樹脂から成る保護枠体１４とを有している。そし
て、導電性合成樹脂から成る枠体２には、前実施例と同
様に貫通型コンデンサ４がそれぞれ配設されている。貫
通型コンデンサ４の内部電極４１には、外部端子８が電
気的に接続されている。保護枠体１４の内側空間には、
外部端子８が突出し、その外側空間に突出した外部端子
８にはリード線１６がそれぞれ接続されている。この様
にして、電磁障害及び高周波誘導ノイズの影響を防止し
たコネクタを構成づ−ることができる。
て説明する。第２図は本第２実施例にかかるシールドケ
ースの構成斜視図である。本実施例は、シールドケース
をコネクタとして使用した例である。本実施例のコネク
タは、０字レール状を成し、導電性合成樹脂から成る枠
体２と、その内側に枠体２に接合された耐熱性電気絶縁
性合成樹脂から成る保護枠体１４とを有している。そし
て、導電性合成樹脂から成る枠体２には、前実施例と同
様に貫通型コンデンサ４がそれぞれ配設されている。貫
通型コンデンサ４の内部電極４１には、外部端子８が電
気的に接続されている。保護枠体１４の内側空間には、
外部端子８が突出し、その外側空間に突出した外部端子
８にはリード線１６がそれぞれ接続されている。この様
にして、電磁障害及び高周波誘導ノイズの影響を防止し
たコネクタを構成づ−ることができる。
第４図は第１実施例及び第２実施例に用いられた貫通型
コンデンサを接続した端子部の高周波遮断特性を測定し
たものである。又、第３図は、その測定方法を図示して
いる。即ち、外部端子８及び１０の両端に発振器５ｏを
接続し、外部端子８及び１０の枠体２の内側に突出した
端子８１及び１００の両ｊＷ４に高周波メータを取（＝
Ｉ’ ４プて端子８１及び１００の両端に現われる電圧
を測定し、その減衰徂を測定した。
コンデンサを接続した端子部の高周波遮断特性を測定し
たものである。又、第３図は、その測定方法を図示して
いる。即ち、外部端子８及び１０の両端に発振器５ｏを
接続し、外部端子８及び１０の枠体２の内側に突出した
端子８１及び１００の両ｊＷ４に高周波メータを取（＝
Ｉ’ ４プて端子８１及び１００の両端に現われる電圧
を測定し、その減衰徂を測定した。
又、銅板から成るシールドケースに貫通型コンデンサを
ハンダづけして高周波フィルタ素子を構成した従来の比
較例シールドケースについて同様な実験をした結果が第
４図に比較例として示されている。両者の特性から分か
る様に、本実施例のシールドケースは、従来の比較例の
ものと比べて、高周波雑音の遮断特性が同等、むしろ５
００ Ｍ ＋−１２以下では、やや良いことが分った。
ハンダづけして高周波フィルタ素子を構成した従来の比
較例シールドケースについて同様な実験をした結果が第
４図に比較例として示されている。両者の特性から分か
る様に、本実施例のシールドケースは、従来の比較例の
ものと比べて、高周波雑音の遮断特性が同等、むしろ５
００ Ｍ ＋−１２以下では、やや良いことが分った。
以上、要するに本発明は、導電性合成樹脂から成る枠体
に高周波フィルタ素子を埋設し、その接地極を枠体に電
気的に接合し、非接地極を外部端子に接続して構成した
合成樹脂製のシールドケースである。
に高周波フィルタ素子を埋設し、その接地極を枠体に電
気的に接合し、非接地極を外部端子に接続して構成した
合成樹脂製のシールドケースである。
本発明のシールドケースの枠体は、合成４ｉ１脂から成
るために軽量であり、モールド等により容易に成形する
ことができる。又、高周波フィルタ素子は、導電性合成
樹脂の枠体に埋設されて枠体と一体化されており、特に
高周波フィルタを使用者が設Ｊ１する必要がないので該
シールドケースの使ｎＪが便利である。又、合成４Ｉｉ
１脂を用いているために、従来の金属シールドケースに
比べて軽量である。
るために軽量であり、モールド等により容易に成形する
ことができる。又、高周波フィルタ素子は、導電性合成
樹脂の枠体に埋設されて枠体と一体化されており、特に
高周波フィルタを使用者が設Ｊ１する必要がないので該
シールドケースの使ｎＪが便利である。又、合成４Ｉｉ
１脂を用いているために、従来の金属シールドケースに
比べて軽量である。
第１図は、本発明の第１実施例にががる合成樹脂シール
ドウースの構成を示した構成断面図である。第２図は、
本発明の第２実施例にががる合成樹脂シールドケースの
構成を示したＦＪ １図である。 第３図は、第１及び第２実施例にががる合成樹脂シール
ドケースの端子部の詳細図である。第４図は、第１及び
第２実施例にかかる合成樹脂シールドケースの高周波ノ
イズ′ａ断特性と、金属製シールドケースから成る比較
例の高周波ノイズ遮断特性を示した測定図である。 ２・・・枠体 ４．６・・・貫通型コンデン４Ｊ− ８，１０・・・外部端子 １２・・・電子回路部 １４・・・保護枠体 ４１．６１・・・内部電極 ４２．６２・・・外側Ｔｉ極 ４３．６３・・・誘電体 特許出願人 日本電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 藤谷 修 同 ブ↑理士 丸山明夫 第４図 ト→ 実旅例 同波数（ＭＨｚ）
ドウースの構成を示した構成断面図である。第２図は、
本発明の第２実施例にががる合成樹脂シールドケースの
構成を示したＦＪ １図である。 第３図は、第１及び第２実施例にががる合成樹脂シール
ドケースの端子部の詳細図である。第４図は、第１及び
第２実施例にかかる合成樹脂シールドケースの高周波ノ
イズ′ａ断特性と、金属製シールドケースから成る比較
例の高周波ノイズ遮断特性を示した測定図である。 ２・・・枠体 ４．６・・・貫通型コンデン４Ｊ− ８，１０・・・外部端子 １２・・・電子回路部 １４・・・保護枠体 ４１．６１・・・内部電極 ４２．６２・・・外側Ｔｉ極 ４３．６３・・・誘電体 特許出願人 日本電装株式会社 代理人 弁理士 大川 宏 同 弁理士 藤谷 修 同 ブ↑理士 丸山明夫 第４図 ト→ 実旅例 同波数（ＭＨｚ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）導電性合成樹脂から成る枠体と、該枠体内に埋設
されその接地極が該枠体と電気的に接続された高周波フ
ィルタ素子と、該高周波フィルタ素子の非接地極に接続
され、前記枠体と電気的に絶縁された外部端子と、から
成ることを特徴とする合成樹脂シールドケース。 （２〉前記導電性合成樹脂は、合成樹脂社金属粉、金属
繊維、金属フレーク、カーボンのうち１種又は２種以上
の導電性物質を充填したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の合成樹脂シールドケース。 （３）前記導電性合成樹脂は、合成樹脂に、導電性有機
高分子物質、導電性無機高分子物質、又は低分子電荷移
動錯体のうち１又は２以上を充填したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の合成樹脂シールドケース。 （４）前記高周波フィルタ素子は、貫通型円筒コンデン
サから成り、その内部電極が、前記外部端子に接続され
、その外側電極が、前記枠体に埋設されて、その枠体に
電気的に接続されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の合成樹脂シールドケース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21284783A JPS60105297A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 合成樹脂シ−ルドケ−ス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21284783A JPS60105297A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 合成樹脂シ−ルドケ−ス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60105297A true JPS60105297A (ja) | 1985-06-10 |
Family
ID=16629312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21284783A Pending JPS60105297A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 合成樹脂シ−ルドケ−ス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60105297A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315303A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 学習制御方法 |
| JPS6343164A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-24 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JPS6365298U (ja) * | 1986-10-17 | 1988-04-30 | ||
| JP2022075654A (ja) * | 2020-11-06 | 2022-05-18 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5765754A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-21 | Fukuda Kinzoku Hakufun Kogyo Kk | Electromagnetic wave-shielding electrically conductive plastic composition |
| JPS5873198A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-02 | 太平洋工業株式会社 | 電波遮蔽筐体 |
| JPS58191497A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | 王子製紙株式会社 | 導電性高分子多孔体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21284783A patent/JPS60105297A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| JPH0211834Y2 (ja) * | 1986-10-17 | 1990-04-03 | ||
| JP2022075654A (ja) * | 2020-11-06 | 2022-05-18 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置 |
| US11837438B2 (en) | 2020-11-06 | 2023-12-05 | Semes Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
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