JPS61159800A - シ−ルドケ−ス - Google Patents
シ−ルドケ−スInfo
- Publication number
- JPS61159800A JPS61159800A JP59280923A JP28092384A JPS61159800A JP S61159800 A JPS61159800 A JP S61159800A JP 59280923 A JP59280923 A JP 59280923A JP 28092384 A JP28092384 A JP 28092384A JP S61159800 A JPS61159800 A JP S61159800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield case
- gate
- flow range
- grounding
- synthetic resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T10/00—Road transport of goods or passengers
- Y02T10/10—Internal combustion engine [ICE] based vehicles
- Y02T10/12—Improving ICE efficiencies
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は導電性合成樹脂材料を射出成形して得られるシ
ールドケースに関する。
ールドケースに関する。
し発明の技術的背景とその問題点]
近年、外部の妨害電波から電子回路を保護し、かつ発振
回路から発生する不要・な電波を外部に漏洩するのを防
止するために、電子機器の筐体を電磁波シールド材料に
より形成することが要求されている。このような電磁波
シールド材料としては金属材料や金属フィラーを充填し
た導電性合成樹脂材料等が挙げられるが、前者の金属材
料は優れた電磁波シールド効果を有する反面、重い、高
価である、加工性が悪い等の欠点があるため、後者の導
電性合成樹脂材料が主に使用されるようになってきてい
る。この導電性合成樹脂材料でシールドケースを製造す
る場合、主に多点ゲートで射出成形して製造されるが、
その場合成形品の各ゲートの流動範囲内では導電性は環
境試験等の加熱試験を行なってもほとんど低下しないが
、ウェルド部においては導電性が低く、特に加熱試験を
行なうとウェルド部を境に導電性が極端に低下し、充分
なシールド効果が得られないという問題があった。ちな
みに変性ポリフェニレンオキサイドM脂に銅IINを3
0重ω%充填し、射出成形して第5図に示すようなウェ
ルド部1が中央にある成形品2を得、この成形品2の両
端面に銀ペースト3を塗布して70℃に加熱後、体積抵
抗率を測定すると第6図のグラフに示すようになる。こ
のグラフからもわかるように、この成形品は時間の経過
とともに導電性が低下し、また成形時の樹脂温度が低い
ほど導電性が低いという結果が得られる。また第7図に
示すように、3点のビンポイントゲートで射出成形して
シールドケース4を製造し、内部部品との接地用部材と
して接地ボス5を第2ゲートG2の流動範囲内に取りつ
けると、この接地ボス5と第1ゲートG1の流動範囲ま
たは第3ゲートG3の流動範囲との間では抵抗が大きい
のでシールドケースは内部部品と接地されていてもシー
ルド効果が得られるのは実際には第2ゲートG2の流動
範囲内に限られ、全体としてはシールド効果がないシー
ルドケースになってしまうという問題があった。なお第
7図中符号6はスプレー、符号7はランナーである。こ
れを第8図に示す電気回路でさらに説明すると、第2ゲ
ートの流動範囲はウェルド部12、ウェルド部23を介
してそれぞれ第1ゲートの流動範囲、第3ゲートの流動
範囲と接続しているので、ウェルド部23の抵抗RW
23 、ウェルド部12の抵抗RW+zが大きくなると
、第3ゲートの流動範囲または第1ゲートの流動範囲か
らグランドGまでの抵抗はそれぞれRa 3+Rw 2
3 、Rc + +Rw + 2となってシールド効果
が非常に低下する。Rc + 、Rc 2、RC3は各
ゲートG1、G2、G3の流動範囲内の抵抗であり、R
W+2、RW23、RW!+はそれぞれウェルド部12
.23.31の抵抗である。
回路から発生する不要・な電波を外部に漏洩するのを防
止するために、電子機器の筐体を電磁波シールド材料に
より形成することが要求されている。このような電磁波
シールド材料としては金属材料や金属フィラーを充填し
た導電性合成樹脂材料等が挙げられるが、前者の金属材
料は優れた電磁波シールド効果を有する反面、重い、高
価である、加工性が悪い等の欠点があるため、後者の導
電性合成樹脂材料が主に使用されるようになってきてい
る。この導電性合成樹脂材料でシールドケースを製造す
る場合、主に多点ゲートで射出成形して製造されるが、
その場合成形品の各ゲートの流動範囲内では導電性は環
境試験等の加熱試験を行なってもほとんど低下しないが
、ウェルド部においては導電性が低く、特に加熱試験を
行なうとウェルド部を境に導電性が極端に低下し、充分
なシールド効果が得られないという問題があった。ちな
みに変性ポリフェニレンオキサイドM脂に銅IINを3
0重ω%充填し、射出成形して第5図に示すようなウェ
ルド部1が中央にある成形品2を得、この成形品2の両
端面に銀ペースト3を塗布して70℃に加熱後、体積抵
抗率を測定すると第6図のグラフに示すようになる。こ
のグラフからもわかるように、この成形品は時間の経過
とともに導電性が低下し、また成形時の樹脂温度が低い
ほど導電性が低いという結果が得られる。また第7図に
示すように、3点のビンポイントゲートで射出成形して
シールドケース4を製造し、内部部品との接地用部材と
して接地ボス5を第2ゲートG2の流動範囲内に取りつ
けると、この接地ボス5と第1ゲートG1の流動範囲ま
たは第3ゲートG3の流動範囲との間では抵抗が大きい
のでシールドケースは内部部品と接地されていてもシー
ルド効果が得られるのは実際には第2ゲートG2の流動
範囲内に限られ、全体としてはシールド効果がないシー
ルドケースになってしまうという問題があった。なお第
7図中符号6はスプレー、符号7はランナーである。こ
れを第8図に示す電気回路でさらに説明すると、第2ゲ
ートの流動範囲はウェルド部12、ウェルド部23を介
してそれぞれ第1ゲートの流動範囲、第3ゲートの流動
範囲と接続しているので、ウェルド部23の抵抗RW
23 、ウェルド部12の抵抗RW+zが大きくなると
、第3ゲートの流動範囲または第1ゲートの流動範囲か
らグランドGまでの抵抗はそれぞれRa 3+Rw 2
3 、Rc + +Rw + 2となってシールド効果
が非常に低下する。Rc + 、Rc 2、RC3は各
ゲートG1、G2、G3の流動範囲内の抵抗であり、R
W+2、RW23、RW!+はそれぞれウェルド部12
.23.31の抵抗である。
[発明の目的1
本発明はこのような問題を解消するためなされたもので
、シールド効果が大きく、信頼性の高いシールドケース
を提供することを目的とする。
、シールド効果が大きく、信頼性の高いシールドケース
を提供することを目的とする。
[発明の概要]
すなわち本発明のシールドケースは、導電性合成樹脂材
料を多点ゲートで射出成形して得られるシールドケース
であって、各ゲートの流動範囲内の少なくとも1箇所に
接地用部材を配設してなることを特徴としている。
料を多点ゲートで射出成形して得られるシールドケース
であって、各ゲートの流動範囲内の少なくとも1箇所に
接地用部材を配設してなることを特徴としている。
[発明の実施例]
次に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図は、導電性合成樹脂材料を3点のビンポイントゲ
ートで射出したシールドケースをそのスプレーおよびラ
ンナーとともに示す正面図である。
ートで射出したシールドケースをそのスプレーおよびラ
ンナーとともに示す正面図である。
なお第1図において、第7図と共通する部分は同一符号
で示す。
で示す。
本発明のシールドケース8は各ゲートの流動範囲内のそ
れぞれに接地用部材として接地ボス5a。
れぞれに接地用部材として接地ボス5a。
5b 、5cをとりつけたものであり、これを電気回路
で示すと第2図のようになる。このようにウェルド部1
2.23.31の抵抗が大きくなっても各ゲートの流動
範囲内は共通のグランドGで接地されているのでシール
ド効果の低下が少ない。
で示すと第2図のようになる。このようにウェルド部1
2.23.31の抵抗が大きくなっても各ゲートの流動
範囲内は共通のグランドGで接地されているのでシール
ド効果の低下が少ない。
ちなみに導電性合成樹脂材料として変性ポリフェニレン
オキサイド樹脂に30重」%の銅繊維を添加混合したも
のを使用し、成形温度を270℃にして4点のビンポイ
ントゲートで射出成形し、接地用部材として各ゲートの
流動範囲内にそれぞれ金属インサートを設けてシールド
ケースを製造し、回路基板のグランドとねじ止めして接
地をとったものについて、70℃で500時間加熱した
のち電界強度を測定したところ第3図に示すような結果
が得られた。
オキサイド樹脂に30重」%の銅繊維を添加混合したも
のを使用し、成形温度を270℃にして4点のビンポイ
ントゲートで射出成形し、接地用部材として各ゲートの
流動範囲内にそれぞれ金属インサートを設けてシールド
ケースを製造し、回路基板のグランドとねじ止めして接
地をとったものについて、70℃で500時間加熱した
のち電界強度を測定したところ第3図に示すような結果
が得られた。
一方、従来のように接地用部材として金属インサートを
一ケ所のみに設けたものについて同様に試験して電界強
度を測定したところ、第4図に示すような結果が得られ
た。これらのグラフからも明らかなように本発明品では
安定したシールド効果が得られる。
一ケ所のみに設けたものについて同様に試験して電界強
度を測定したところ、第4図に示すような結果が得られ
た。これらのグラフからも明らかなように本発明品では
安定したシールド効果が得られる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明のシールドケースでは各ゲー
トの流動範囲内にそれぞれ接地用部材が設けられている
ので内部部品に接地することにより安定したシールド効
果が得られる。
トの流動範囲内にそれぞれ接地用部材が設けられている
ので内部部品に接地することにより安定したシールド効
果が得られる。
第1図は本発明のシールドケースをそのスプレーおよび
ランナーとともに示した正面図、第2図は本発明のシー
ルドケースを電気回路で示した図、第3図は本発明のシ
ールドケースについて加熱試験後に測定した電界強度を
示すグラフ、第4図は従来のシールドケースについて加
熱試験後、測定した電界強度を示すグラフ、第5図は中
央にウェルド部を有する成形品の導電性を評価する状態
を示す斜視図、第6図は第5図の成形品を加熱したのち
に測定した体積抵抗率を示すグラフ、第7図は従来のシ
ールドケースをそのスプレーおよびランナーとともに示
した正面図、第8図は従来のシールドケースを電気回路
で示した図である。 1.12.23.31・・・ウェルド部3・・・・・・
・・・・・・銀ペースト4.8・・・・・・シールドケ
ース 5.5a 、 5b 、 5c ・・・接地ホス代理人
弁理士 須 山 佐 − 1に4図 第6図
ランナーとともに示した正面図、第2図は本発明のシー
ルドケースを電気回路で示した図、第3図は本発明のシ
ールドケースについて加熱試験後に測定した電界強度を
示すグラフ、第4図は従来のシールドケースについて加
熱試験後、測定した電界強度を示すグラフ、第5図は中
央にウェルド部を有する成形品の導電性を評価する状態
を示す斜視図、第6図は第5図の成形品を加熱したのち
に測定した体積抵抗率を示すグラフ、第7図は従来のシ
ールドケースをそのスプレーおよびランナーとともに示
した正面図、第8図は従来のシールドケースを電気回路
で示した図である。 1.12.23.31・・・ウェルド部3・・・・・・
・・・・・・銀ペースト4.8・・・・・・シールドケ
ース 5.5a 、 5b 、 5c ・・・接地ホス代理人
弁理士 須 山 佐 − 1に4図 第6図
Claims (2)
- (1)導電性合成樹脂材料を多点ゲートで射出成形して
得られるシールドケースであつて、各ゲートの流動範囲
内の少なくとも1箇所に接地用部材を配設してなること
を特徴とするシールドケース。 - (2)接地用部材はボスまたは金属インサートからなり
、内部部品にねじ止めされて接地されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のシールドケース。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59280923A JPS61159800A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | シ−ルドケ−ス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59280923A JPS61159800A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | シ−ルドケ−ス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61159800A true JPS61159800A (ja) | 1986-07-19 |
JPH0556680B2 JPH0556680B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=17631814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59280923A Granted JPS61159800A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | シ−ルドケ−ス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61159800A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012767A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5492362U (ja) * | 1977-12-13 | 1979-06-29 | ||
JPS5544399U (ja) * | 1979-10-04 | 1980-03-22 |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP59280923A patent/JPS61159800A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5492362U (ja) * | 1977-12-13 | 1979-06-29 | ||
JPS5544399U (ja) * | 1979-10-04 | 1980-03-22 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012767A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
JP2020013806A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0556680B2 (ja) | 1993-08-20 |
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