JPS60104938A - 固体表面加工用マスク転写材 - Google Patents
固体表面加工用マスク転写材Info
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- JPS60104938A JPS60104938A JP21347283A JP21347283A JPS60104938A JP S60104938 A JPS60104938 A JP S60104938A JP 21347283 A JP21347283 A JP 21347283A JP 21347283 A JP21347283 A JP 21347283A JP S60104938 A JPS60104938 A JP S60104938A
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- photosensitive resin
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/04—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for treating only selected parts of a surface, e.g. for carving stone or glass
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体表面加工用マスク転写拐、さらに詳しくい
えば、被加工基材への転写が可能な、繊細な図柄をもつ
サンドブラスト用マスクパターン層を有した固体表面加
工用マスク転写材に関するものである。
えば、被加工基材への転写が可能な、繊細な図柄をもつ
サンドブラスト用マスクパターン層を有した固体表面加
工用マスク転写材に関するものである。
ガラス、石材、陶磁器、木材、合成樹脂、金属、皮革な
どの表面にサンドブラストにより彫刻などを施す際に、
通常非彫刻面を保護するためにマスクが用いられる。
どの表面にサンドブラストにより彫刻などを施す際に、
通常非彫刻面を保護するためにマスクが用いられる。
従来、このサンドブラスト用マスクを用いる場合、手加
工によりゴムや紙などからパターンを有するマスクを得
、これを被加工基材に接着剤を用いて貼着していだが、
この方法では手間がかかる上に繊細な図柄を有するマス
クを得ることができなかった。
工によりゴムや紙などからパターンを有するマスクを得
、これを被加工基材に接着剤を用いて貼着していだが、
この方法では手間がかかる上に繊細な図柄を有するマス
クを得ることができなかった。
したがって、このような欠点を改善するために、最近感
光性樹脂を用いたサンドブラスト用マスクを使用する方
法が各種提案されている。例えば被加工暴利上に直接感
光性樹脂層を設け、画像露光、現像を行ってパターンを
有するマスクを作成する方法（特公昭４６−３５６８１
号公報）が提案されている。しかしながら、この方法に
おいては、曲面加工が困難である上に、被加工基材が大
きい場合には、多大の労力を必要とするなどの欠点があ
る。
光性樹脂を用いたサンドブラスト用マスクを使用する方
法が各種提案されている。例えば被加工暴利上に直接感
光性樹脂層を設け、画像露光、現像を行ってパターンを
有するマスクを作成する方法（特公昭４６−３５６８１
号公報）が提案されている。しかしながら、この方法に
おいては、曲面加工が困難である上に、被加工基材が大
きい場合には、多大の労力を必要とするなどの欠点があ
る。
また、支持体フィルム上に感光性樹脂によるマスフパタ
ーン層を形成させて成るマスク転写材を被加工暴利に貼
り付けて転写する方法（特開昭５３−９９２５８号公報
）が提案されている。しかしながら、この方法において
は、前記の方法における欠点がある程度改善されるもの
の、該支持体フィルム上に接着剤層が設けられていない
ために、マスクパターン層の作成における現像工程など
で点や線などの細かい硬化樹脂層が該支持体フィルムか
ら脱落してしまうという問題があシ、その上被加工基材
に該転写材を貼着したのち、その支持体フィルムを剥離
する際に、該支持体フィルムと硬化物との粘着力のため
に、細かい図柄のマスクパターン層が被加工基材から脱
離し、繊細な図柄の加工には使用することができないと
いう問題がある。
ーン層を形成させて成るマスク転写材を被加工暴利に貼
り付けて転写する方法（特開昭５３−９９２５８号公報
）が提案されている。しかしながら、この方法において
は、前記の方法における欠点がある程度改善されるもの
の、該支持体フィルム上に接着剤層が設けられていない
ために、マスクパターン層の作成における現像工程など
で点や線などの細かい硬化樹脂層が該支持体フィルムか
ら脱落してしまうという問題があシ、その上被加工基材
に該転写材を貼着したのち、その支持体フィルムを剥離
する際に、該支持体フィルムと硬化物との粘着力のため
に、細かい図柄のマスクパターン層が被加工基材から脱
離し、繊細な図柄の加工には使用することができないと
いう問題がある。
さらに、支持体フィルム上に感光性樹脂で形成されたマ
スクパターン層を有するマスク転写制において、該支持
体フィルムとマスクパターン層との間に、該フィルムと
は剥離可能で、抑圧により被加工基材と密着し、かつサ
ンドブラストによシ破壊される性質を有するメタクリル
酸エステルのような中間被膜を設ける方法（実開昭５５
−８９５５５号公報）が提案されている。しかしながら
、この提案においては、該転写材を被加工基材に貼着し
たのち、支持体フィルムを剥離する際のマスク・くター
ン層の脱離は改善されるものの、該中間被膜層と支持体
フィルムとの剥離を容易にすると感光性樹脂硬化物との
接着力が弱くなって、マスクツくターン層を形成するだ
めの現像工程において、該マスクパターン層の脱落が起
こり、また逆に感光性樹脂硬化物との接着力を十分にす
ると、支持体フィルムとの剥離抵抗が増して、該支持体
フィルムの剥離時にマスクパターン層が脱離するように
なるため、該中間被膜層における前記接着力の・くラン
スをとることが困難であるという問題がある。
スクパターン層を有するマスク転写制において、該支持
体フィルムとマスクパターン層との間に、該フィルムと
は剥離可能で、抑圧により被加工基材と密着し、かつサ
ンドブラストによシ破壊される性質を有するメタクリル
酸エステルのような中間被膜を設ける方法（実開昭５５
−８９５５５号公報）が提案されている。しかしながら
、この提案においては、該転写材を被加工基材に貼着し
たのち、支持体フィルムを剥離する際のマスク・くター
ン層の脱離は改善されるものの、該中間被膜層と支持体
フィルムとの剥離を容易にすると感光性樹脂硬化物との
接着力が弱くなって、マスクツくターン層を形成するだ
めの現像工程において、該マスクパターン層の脱落が起
こり、また逆に感光性樹脂硬化物との接着力を十分にす
ると、支持体フィルムとの剥離抵抗が増して、該支持体
フィルムの剥離時にマスクパターン層が脱離するように
なるため、該中間被膜層における前記接着力の・くラン
スをとることが困難であるという問題がある。
本発明者らは、このような問題を解決し、繊細な図柄を
もつマスクパターン層を有し、かつ該マスクパターン層
を全く損わずに被加工基材へ転写しうる固体表面加工用
マスク転写材を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、支持
暴利とマスクツくターン層との間に、水不溶性セルロー
ス誘導体から成る保持層を介在させることによシ、その
目的を達成しうろことを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。
もつマスクパターン層を有し、かつ該マスクパターン層
を全く損わずに被加工基材へ転写しうる固体表面加工用
マスク転写材を提供すべく鋭意研究を重ねた結果、支持
暴利とマスクツくターン層との間に、水不溶性セルロー
ス誘導体から成る保持層を介在させることによシ、その
目的を達成しうろことを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、支持基材表面に水不溶性セルロー
ス誘導体から成る保持層を設け、さらにその上に感光性
樹脂組成物を硬化させて形成させたマスクパターン層を
設けて成る固体表面加工用マスク転写材を提供するもの
である。
ス誘導体から成る保持層を設け、さらにその上に感光性
樹脂組成物を硬化させて形成させたマスクパターン層を
設けて成る固体表面加工用マスク転写材を提供するもの
である。
本発明のマスク転写材において用いる支持基材としては
、例えばポリプロピレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンな
どの合成樹脂フィルム、スチールやアルミニウムのよう
な金属ソートなどが挙げられる。これらの支持暴利の厚
みは５０μ〜１ｍｍの範囲が好適である。この厚みが５
０μよシ薄いと支持暴利に、いわゆるコシがなくなって
支持基材としての働きができにくくなシ、また１ ａｍ
より厚くなると取り扱い作業性が悪くなって好ましくな
い。
、例えばポリプロピレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンな
どの合成樹脂フィルム、スチールやアルミニウムのよう
な金属ソートなどが挙げられる。これらの支持暴利の厚
みは５０μ〜１ｍｍの範囲が好適である。この厚みが５
０μよシ薄いと支持暴利に、いわゆるコシがなくなって
支持基材としての働きができにくくなシ、また１ ａｍ
より厚くなると取り扱い作業性が悪くなって好ましくな
い。
本発明のマスク転写材において、支持基材と、感光性樹
脂組成物を硬化させて成るマスク・々ターン層との間に
介在させる支持層は水不溶性セルロース誘導体から成り
、それ自体は粘着性を有していないが、該マスクパター
ン層とは十分に強い接着力を有し、しかも支持基材とは
容易に剥離可能であり、その上サンドブラストにより破
壊される性質を有している。
脂組成物を硬化させて成るマスク・々ターン層との間に
介在させる支持層は水不溶性セルロース誘導体から成り
、それ自体は粘着性を有していないが、該マスクパター
ン層とは十分に強い接着力を有し、しかも支持基材とは
容易に剥離可能であり、その上サンドブラストにより破
壊される性質を有している。
この水不溶性セルロース誘導体から成る保持層は、支持
基村上にマスクパターン層を形成させる際の未露光感光
性樹脂組成物を洗い出す工程において用いる水、アルカ
リ水溶液、界面活性剤水溶液などの水系洗い出し液に不
溶であって、該工程において、細かい点や線の樹脂硬化
物が支持暴利から脱離するのを防ぐ役目を有し、その上
該転写材を被加工基材に貼着したのち、支持基材を剥離
する際に、マスクパターン層が該被加工暴利から脱離す
るのを防ぐ役目を有している。この保持層と支持基材と
の剥離抵抗値は、該支持基材を剥離する際の作業性の点
から１０ ｆ １０ｎ以下であることが望ましい。
基村上にマスクパターン層を形成させる際の未露光感光
性樹脂組成物を洗い出す工程において用いる水、アルカ
リ水溶液、界面活性剤水溶液などの水系洗い出し液に不
溶であって、該工程において、細かい点や線の樹脂硬化
物が支持暴利から脱離するのを防ぐ役目を有し、その上
該転写材を被加工基材に貼着したのち、支持基材を剥離
する際に、マスクパターン層が該被加工暴利から脱離す
るのを防ぐ役目を有している。この保持層と支持基材と
の剥離抵抗値は、該支持基材を剥離する際の作業性の点
から１０ ｆ １０ｎ以下であることが望ましい。
前記保持層に用いられる水不溶性セルロース誘導体の中
でも、特にエチルセルロースやメチルセルｏ −スナ（
！ｌ’ ノアルキルセルロース類、セルロースアセテー
トフチレートナトのセルロースとモノカルボン酸とのエ
ステル化合物が水系洗い出し液に対する不溶性に優れて
いる点で好ましい。
でも、特にエチルセルロースやメチルセルｏ −スナ（
！ｌ’ ノアルキルセルロース類、セルロースアセテー
トフチレートナトのセルロースとモノカルボン酸とのエ
ステル化合物が水系洗い出し液に対する不溶性に優れて
いる点で好ましい。
この保持層は、好ましくは０．５〜２０μの厚さで用い
られる。この厚さが０．５μ未満では保持層としての機
能が劣シ、また２０μを超えると、このような保持層を
設けた支持基椙の製造が困難となって経済的でない。
られる。この厚さが０．５μ未満では保持層としての機
能が劣シ、また２０μを超えると、このような保持層を
設けた支持基椙の製造が困難となって経済的でない。
本発明のマスク転写材におけるマスクパターン層を形成
するために用いる感光性樹脂組成物は、その硬化物が十
分なサンドプラスート耐性と、例えば被加工基材との剥
離抵抗値が２０℃の温度でａｏｏｆ／α以上であるよう
な表面粘着性とを有し、しかも水、アルカリ水溶液、界
面活性剤水溶液などの水系洗い出し液で未露光部の洗い
出しができることが必要である。このような感光性樹脂
組成物の好適な例としては、 （イ）一般式 ％式％（） 〔式中のＸはウレタン残基、Ａはポリエーテル、ポリエ
ステル、ポリエーテルポリエステルブロックコポリマー
、ポリジエン、ポリエン及びこれらの混合物、Ｂは一般
式ａｎ２＝ｃ（ｚ）ｃｏｙ （ただし、１ Ｚは水素原子又はメチル基、ｙｕ＋ｃＨ２７ｍ＋ｏ−１
−（ＣＨ２ＣＨ２０７ｍ２又は（Ｃ！Ｈ２ＣＨ２Ｏ７ｍ
３、ｍｌは１〜６、ｍ２及びｍ３はそれぞれ１〜１５で
ある）で示される化合物、ｎは１〜１０である〕 で表わされる不飽和ポリウレタン、（ロ）エチレン性不
溶和化合物及び（ハ）光重合間ｉ剤を主成分として含有
して成る感光性樹脂組成物を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
するために用いる感光性樹脂組成物は、その硬化物が十
分なサンドプラスート耐性と、例えば被加工基材との剥
離抵抗値が２０℃の温度でａｏｏｆ／α以上であるよう
な表面粘着性とを有し、しかも水、アルカリ水溶液、界
面活性剤水溶液などの水系洗い出し液で未露光部の洗い
出しができることが必要である。このような感光性樹脂
組成物の好適な例としては、 （イ）一般式 ％式％（） 〔式中のＸはウレタン残基、Ａはポリエーテル、ポリエ
ステル、ポリエーテルポリエステルブロックコポリマー
、ポリジエン、ポリエン及びこれらの混合物、Ｂは一般
式ａｎ２＝ｃ（ｚ）ｃｏｙ （ただし、１ Ｚは水素原子又はメチル基、ｙｕ＋ｃＨ２７ｍ＋ｏ−１
−（ＣＨ２ＣＨ２０７ｍ２又は（Ｃ！Ｈ２ＣＨ２Ｏ７ｍ
３、ｍｌは１〜６、ｍ２及びｍ３はそれぞれ１〜１５で
ある）で示される化合物、ｎは１〜１０である〕 で表わされる不飽和ポリウレタン、（ロ）エチレン性不
溶和化合物及び（ハ）光重合間ｉ剤を主成分として含有
して成る感光性樹脂組成物を挙げることができるが、こ
れらに限定されるものではない。
前記の感光性樹脂組成物に用いるエチレン性不飽和化合
物としては、例えばアクＩＪ ）し酸、メタクリ酸又は
これらのエステル類、例えばアルキルシクロアルキル、
テトラヒドロフルフリル、アリル、グリシジル、ヒドロ
キシアルキルアクリレートやそれらのメタクリレート、
アルキレングリコール、ポリアルキレングリコールのモ
ノ、ジアクリレートやそれらのメタクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレートやそのメタクリレー
トなど；アクリルアミド、メタクリルアミド又はこれら
の誘導体、例えばＮ−メチロールアクリルアミドやその
メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−アルキレンビスアクリル
アミドやそのメタクリルアミド、ジアセトンアクリルア
ミドやそのメタクリルアミドなど；付加重合可能な不飽
和単量体、例えばスチレン、ビニルトルエン、ジビニル
ベンゼン、ジアリルフタレート、トリアリルシアヌレー
ト、ビニルアセテート、アクリロニトリルなど；不飽和
ポリエステル、アルキッド樹脂；ヒドロキシアクリレー
トやそのメタクリレートなどの活性水素を壱する付加重
合可能な単量体で改質されたポリウレタンのような不飽
和ポリウレタンなどが挙げられる。
物としては、例えばアクＩＪ ）し酸、メタクリ酸又は
これらのエステル類、例えばアルキルシクロアルキル、
テトラヒドロフルフリル、アリル、グリシジル、ヒドロ
キシアルキルアクリレートやそれらのメタクリレート、
アルキレングリコール、ポリアルキレングリコールのモ
ノ、ジアクリレートやそれらのメタクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレートやそのメタクリレー
トなど；アクリルアミド、メタクリルアミド又はこれら
の誘導体、例えばＮ−メチロールアクリルアミドやその
メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−アルキレンビスアクリル
アミドやそのメタクリルアミド、ジアセトンアクリルア
ミドやそのメタクリルアミドなど；付加重合可能な不飽
和単量体、例えばスチレン、ビニルトルエン、ジビニル
ベンゼン、ジアリルフタレート、トリアリルシアヌレー
ト、ビニルアセテート、アクリロニトリルなど；不飽和
ポリエステル、アルキッド樹脂；ヒドロキシアクリレー
トやそのメタクリレートなどの活性水素を壱する付加重
合可能な単量体で改質されたポリウレタンのような不飽
和ポリウレタンなどが挙げられる。
また、前記感光性樹脂組成物に用いられる光重合開始剤
としては、例えばベンゾイン、ベンゾインアルキルエス
テル、α−メチルベンゾインやそ（７）フルキルエーテ
ル、α−フェニルベンツイン、α−アリルベンゾイン、
アンスラキノン、クロロアンスラキノン、メチルアンス
ラキノン、エチルアンスラキノン、ベンジル、ジアセチ
ル、アセトフェノン、ω−ブロモアセトフェノン、２，
２−ジメトキシフェニルアセトフェノン、α−ナフタレ
ンスルホニルクロリド、ジフェニルジスルフィド、エオ
シンやチオニンのような染料などが挙げらオＬる０ 次に、本発明のマスク転写材を製造する方法についてそ
の１例を示すと、筐ず保護フィルムの表面に該フィルム
と剥離しやすく、かつ未露光感光性樹脂組成物の洗い出
し液に可溶な被膜を形成し、この保護フィルムを該被膜
が露出するような状態で透明画像担体上に設ける。該保
護フィルムとしては、例えばポリプロピレン、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、
ボリアミド、酢酸セルロース、ポリカーボネートなどの
透明な合成樹脂フィルムが挙げられ、その厚みは通常５
〜５０μのものが用いられる。これより厚いと、該フィ
ルム内での光の散乱により画像の再現性が低下し、これ
より薄いと取り扱い性が悪く々る。好１しくは９〜２５
μの厚さである。
としては、例えばベンゾイン、ベンゾインアルキルエス
テル、α−メチルベンゾインやそ（７）フルキルエーテ
ル、α−フェニルベンツイン、α−アリルベンゾイン、
アンスラキノン、クロロアンスラキノン、メチルアンス
ラキノン、エチルアンスラキノン、ベンジル、ジアセチ
ル、アセトフェノン、ω−ブロモアセトフェノン、２，
２−ジメトキシフェニルアセトフェノン、α−ナフタレ
ンスルホニルクロリド、ジフェニルジスルフィド、エオ
シンやチオニンのような染料などが挙げらオＬる０ 次に、本発明のマスク転写材を製造する方法についてそ
の１例を示すと、筐ず保護フィルムの表面に該フィルム
と剥離しやすく、かつ未露光感光性樹脂組成物の洗い出
し液に可溶な被膜を形成し、この保護フィルムを該被膜
が露出するような状態で透明画像担体上に設ける。該保
護フィルムとしては、例えばポリプロピレン、ポリエス
テル、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、
ボリアミド、酢酸セルロース、ポリカーボネートなどの
透明な合成樹脂フィルムが挙げられ、その厚みは通常５
〜５０μのものが用いられる。これより厚いと、該フィ
ルム内での光の散乱により画像の再現性が低下し、これ
より薄いと取り扱い性が悪く々る。好１しくは９〜２５
μの厚さである。
また、該フィルムの酸素透過性が小さいと、形成される
サンドブラスト用マスクパターン層の表面粘着性を減少
させる傾向を示すので、酸素み過量が３０Ｘ１０−６ｒ
／２４ｈｒ／ｙｎ”／ＩＩＩＷ厚／ａｎＩｑｇ（２１℃
）以上であるものが好ましい。この点からポリフロピレ
ンフィルム、セルロースエステル系フィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレ
ンフィルムナト力ｉ！している。さらに取扱い性を考慮
するとポリプロピレンフィルムが最も適している。
サンドブラスト用マスクパターン層の表面粘着性を減少
させる傾向を示すので、酸素み過量が３０Ｘ１０−６ｒ
／２４ｈｒ／ｙｎ”／ＩＩＩＷ厚／ａｎＩｑｇ（２１℃
）以上であるものが好ましい。この点からポリフロピレ
ンフィルム、セルロースエステル系フィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレ
ンフィルムナト力ｉ！している。さらに取扱い性を考慮
するとポリプロピレンフィルムが最も適している。
この保護フィルムの表面に設ける被膜は、該フィルムと
剥離が容易であって、未露光感光性樹脂組成物の洗い出
し液に可溶であることが必要である・また該フ１ルムと
の剥離抵抗値は１ｏ７／ｃ１ｎ以下であることが好まし
い。したがって、この被膜ニは、例えばヒドロキシル基
含有セルロースエーテル又ハエステル、カルボキシル基
含有セルロースエーテル又はエステルナトのセルロース
誘導体、部分ケン化ポリ酢酸ビニルなどが使用可能であ
る。ヒドロキシル基含有セルロース誘導体としてｉｄ、
例、ｔばヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロ
ピルセルロース、セルロースヒドロキシ酢酸エステルな
どが、カルボキシル基含有セルロースエーテルとしては
、例えばカルボキシメチルセルロース、カルボキシエチ
ルセルロースなどが挙げられる。捷だ、カルボキシル基
含有セルロースエーテルとしては、セルロースと、ジ又
はトリカルボ／酸などのポリカルボン酸、例えばコノ・
り酸、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル
酸、テレフタル酸、トリメリット酸などとの、あるいは
これらの一部を酢酸、プロピオン酸、酪酸、安、つ、香
酸などのモノカルボン酸で置き換えたものとのエステル
化反応物が挙げられる。捷だ、これらのカルボン酸は塩
の状態になっていてもよい。
剥離が容易であって、未露光感光性樹脂組成物の洗い出
し液に可溶であることが必要である・また該フ１ルムと
の剥離抵抗値は１ｏ７／ｃ１ｎ以下であることが好まし
い。したがって、この被膜ニは、例えばヒドロキシル基
含有セルロースエーテル又ハエステル、カルボキシル基
含有セルロースエーテル又はエステルナトのセルロース
誘導体、部分ケン化ポリ酢酸ビニルなどが使用可能であ
る。ヒドロキシル基含有セルロース誘導体としてｉｄ、
例、ｔばヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロ
ピルセルロース、セルロースヒドロキシ酢酸エステルな
どが、カルボキシル基含有セルロースエーテルとしては
、例えばカルボキシメチルセルロース、カルボキシエチ
ルセルロースなどが挙げられる。捷だ、カルボキシル基
含有セルロースエーテルとしては、セルロースと、ジ又
はトリカルボ／酸などのポリカルボン酸、例えばコノ・
り酸、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル
酸、テレフタル酸、トリメリット酸などとの、あるいは
これらの一部を酢酸、プロピオン酸、酪酸、安、つ、香
酸などのモノカルボン酸で置き換えたものとのエステル
化反応物が挙げられる。捷だ、これらのカルボン酸は塩
の状態になっていてもよい。
前記以外のものでも、洗い出し液に可溶で被膜比を有す
るものであれば使用可能である。
るものであれば使用可能である。
また、これらの被膜材の酸素透過性が小さいと露光過程
で表面の硬化がよく進み、形成されるサンドブラスト用
マスクパターン層の粘着性が低下するので好ましくなく
、この点から酸素、透過性の高イセルロース誘導体カ好
ましい。このセルロース誘導体の中でも、吸湿性が小さ
く、弱アルカリ水溶液や界面活性剤水溶液に可溶なカル
ボキシル基含有セルロース誘導体が好ましく、さらに好
１しくけセルロースとポリカルボン酸及びモノカルボン
酸とのエステルであシ、特に入手の容易さからセルロー
スアセテートフタレートが最適である。
で表面の硬化がよく進み、形成されるサンドブラスト用
マスクパターン層の粘着性が低下するので好ましくなく
、この点から酸素、透過性の高イセルロース誘導体カ好
ましい。このセルロース誘導体の中でも、吸湿性が小さ
く、弱アルカリ水溶液や界面活性剤水溶液に可溶なカル
ボキシル基含有セルロース誘導体が好ましく、さらに好
１しくけセルロースとポリカルボン酸及びモノカルボン
酸とのエステルであシ、特に入手の容易さからセルロー
スアセテートフタレートが最適である。
この被膜の厚さは、通常０．１〜１０μの範囲である。
これよシ厚いと画像の再現性が低下し、これより薄いと
製造上厚みコントロールが難しく、またピンホールなど
が発生しゃすくなる。好ましい被膜の厚さは０．２〜５
μの範囲である。
製造上厚みコントロールが難しく、またピンホールなど
が発生しゃすくなる。好ましい被膜の厚さは０．２〜５
μの範囲である。
次に、前記の保護フィルムの被膜の上に、感光性樹脂組
成物層を設け、さらにその上に、保持層を設けた支持基
材を、該保持層が感光性樹脂組成物層に接するようにラ
ミネートする。次いで透明画像担体全通して活性光線で
画像露光を行ったのち、透明画像担体を外いさらに保護
フィルムを剥離して、未露光部を洗い出し、乾燥するこ
とにより、本発明の転写材が得られる。
成物層を設け、さらにその上に、保持層を設けた支持基
材を、該保持層が感光性樹脂組成物層に接するようにラ
ミネートする。次いで透明画像担体全通して活性光線で
画像露光を行ったのち、透明画像担体を外いさらに保護
フィルムを剥離して、未露光部を洗い出し、乾燥するこ
とにより、本発明の転写材が得られる。
この際、保護フ・ｆルｌ、の波膜上に設ける感光性樹脂
組成物層の厚さは、通常０．０５〜３ ｍｍの範囲テア
ル。これより薄いと十分なサンドブラスト耐性が得られ
ず、またこれよシ厚いと解像力が悪くなって好ましくな
い。
組成物層の厚さは、通常０．０５〜３ ｍｍの範囲テア
ル。これより薄いと十分なサンドブラスト耐性が得られ
ず、またこれよシ厚いと解像力が悪くなって好ましくな
い。
また、画像露光に用いる活性光線の光源としては、例え
ばアーク灯、水銀灯、キセノン灯、けい光灯、紫外線発
生装置、太陽光などが挙げられる。
ばアーク灯、水銀灯、キセノン灯、けい光灯、紫外線発
生装置、太陽光などが挙げられる。
活性光線の波長としては２００〜８００ｍμ、好塘しく
け３００〜５００ｍμの範囲である。
け３００〜５００ｍμの範囲である。
さらに、未露光部の洗い出し液としては、例えば水、又
は水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、酸性炭酸ナトリ
ウム、ホウ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸す
トリウム、トリエタノールアミンなどのアルカリ水溶液
、あるいはセラクン、アルキルベンゼンスルボネート、
アルキルスルボネート、アルキルアミンクロリド、ポリ
オキシアルキレングリコ−乞ポリオキンアルキレングリ
コールアルキルエーテル、ポリオキンアルキレングリコ
ールアルキルエステル、ソルビタン脂肪酸エステルｈボ
）オキシアルキレングリコールソルビタン脂肪酸エステ
ルなどの界面活性剤水溶液が挙げられる。また、乾燥は
温風又は熱風の吹きつけや、室温での放置などによって
行われる。
は水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、酸性炭酸ナトリ
ウム、ホウ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸す
トリウム、トリエタノールアミンなどのアルカリ水溶液
、あるいはセラクン、アルキルベンゼンスルボネート、
アルキルスルボネート、アルキルアミンクロリド、ポリ
オキシアルキレングリコ−乞ポリオキンアルキレングリ
コールアルキルエーテル、ポリオキンアルキレングリコ
ールアルキルエステル、ソルビタン脂肪酸エステルｈボ
）オキシアルキレングリコールソルビタン脂肪酸エステ
ルなどの界面活性剤水溶液が挙げられる。また、乾燥は
温風又は熱風の吹きつけや、室温での放置などによって
行われる。
本発明の固体表面加工用マスク転写材はａに田な１図柄
をもつマスクパターン層を有しており、該転写材を被加
工基材へ貼り付けて支持暴利を剥離する際に、マスクパ
ターン層の脱離が生じることがなく、該マスクパターン
層金全く損わずに被加工基材へ転写することができる。
をもつマスクパターン層を有しており、該転写材を被加
工基材へ貼り付けて支持暴利を剥離する際に、マスクパ
ターン層の脱離が生じることがなく、該マスクパターン
層金全く損わずに被加工基材へ転写することができる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。
本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではな
い。
実施例１
セルロースアセテートフタレートをメチルエチルケトン
／酢酸セロソルブ混合溶媒（重量比６／Ａ）に溶解させ
、これを厚さ２２μのポリプロピレンフィルム上にバー
コーターを用いてコーティングすることにより、２μ厚
さのセルロースアセテートフタレート膜を有するポリプ
ロピレンフィルムを得た。これをフィルムＡとする。
／酢酸セロソルブ混合溶媒（重量比６／Ａ）に溶解させ
、これを厚さ２２μのポリプロピレンフィルム上にバー
コーターを用いてコーティングすることにより、２μ厚
さのセルロースアセテートフタレート膜を有するポリプ
ロピレンフィルムを得た。これをフィルムＡとする。
また、エチルセルロースをメチルエチルケトンに溶解さ
せ、これを厚さ７５μのポリニスアルフィルム上にバー
コーターを用いてコーティングし、８μ厚のエチルセル
ロース層を有するポリエステルフィルムを得た。これを
フィルムＢとする、・サラニ、ポリプロピレングリコー
ルアジペートジオール（数平均分子量２５００）３９重
量部、ポリプロピレングリコール（両末端にエチレンオ
ギシド合計１０重量係付加させたもので、数平均分子量
２５００）３９重量部及びトルイレンジイソシアネート
６重量部全反応させて、両末端にイソシアネート基を有
するポリウレタンを得た。これに、１５重量部の２−ヒ
ドロキシシロピルメタクリレートを反応させて、両末端
にメタクリレート基を有する不飽和ポリウレタンを得た
。この不飽和ポリウレタンに、ポリプロピレングリコー
ルモノメタクリレート（数平均分子量５５０ ） ２０
重量部、ジエチレングリコールジメタクリレート３重量
部、２．２−ジメトキシフェニルアセトフェノン１．５
ｉ量部、２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．
１重量部を添加混合して液状感光性樹脂組成物を得た。
せ、これを厚さ７５μのポリニスアルフィルム上にバー
コーターを用いてコーティングし、８μ厚のエチルセル
ロース層を有するポリエステルフィルムを得た。これを
フィルムＢとする、・サラニ、ポリプロピレングリコー
ルアジペートジオール（数平均分子量２５００）３９重
量部、ポリプロピレングリコール（両末端にエチレンオ
ギシド合計１０重量係付加させたもので、数平均分子量
２５００）３９重量部及びトルイレンジイソシアネート
６重量部全反応させて、両末端にイソシアネート基を有
するポリウレタンを得た。これに、１５重量部の２−ヒ
ドロキシシロピルメタクリレートを反応させて、両末端
にメタクリレート基を有する不飽和ポリウレタンを得た
。この不飽和ポリウレタンに、ポリプロピレングリコー
ルモノメタクリレート（数平均分子量５５０ ） ２０
重量部、ジエチレングリコールジメタクリレート３重量
部、２．２−ジメトキシフェニルアセトフェノン１．５
ｉ量部、２．６−ジーｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．
１重量部を添加混合して液状感光性樹脂組成物を得た。
次に、厚さ１０ｍｍのガラス板上にポジフィルムを置キ
、その上を前記フィルムＡでセルロースアセテートフタ
レート膜がむき出しになるようにして覆った。さらに厚
さ０．３朋のテフロン製スペーサーを置き、前記のよう
にして調製した液状感光性樹脂組成物を注いだ。次いで
前記フィルムＢをエチルセルロース膜が感光性樹脂組成
物層と接するようにしてラミネートシ、その上に１０朋
厚のガラス板を置いて西端をクリップで固定することに
より厚みを制御しプ？：、０ このようにして得た構成体１２ＫＷの高圧水銀灯から５
０ｃ１ｎの位置に置き、ポジフィルムを通して８０秒間
露光した。次いでガラス板を外し、ポジフィルムに接し
ていたフィルムＡを剥離した。この際の剥離抵抗はほと
んどなく、小さな硬化樹脂部分も脱離することはなかっ
た。次に２重量係の界面活性剤（ライオン■梨、ライボ
ンＦ）水溶液ｆ ０ 、８ Ｋ９ ／ ｃｒｌの圧力で
１５０秒間吹きつけることにより、未露光感光性樹脂組
成物を洗い出した。このときも硬化樹脂が脱離すること
はなかった。次いで６０℃で１０分間乾燥することによ
り、サンドブラスト用マスク転写材を得た。
、その上を前記フィルムＡでセルロースアセテートフタ
レート膜がむき出しになるようにして覆った。さらに厚
さ０．３朋のテフロン製スペーサーを置き、前記のよう
にして調製した液状感光性樹脂組成物を注いだ。次いで
前記フィルムＢをエチルセルロース膜が感光性樹脂組成
物層と接するようにしてラミネートシ、その上に１０朋
厚のガラス板を置いて西端をクリップで固定することに
より厚みを制御しプ？：、０ このようにして得た構成体１２ＫＷの高圧水銀灯から５
０ｃ１ｎの位置に置き、ポジフィルムを通して８０秒間
露光した。次いでガラス板を外し、ポジフィルムに接し
ていたフィルムＡを剥離した。この際の剥離抵抗はほと
んどなく、小さな硬化樹脂部分も脱離することはなかっ
た。次に２重量係の界面活性剤（ライオン■梨、ライボ
ンＦ）水溶液ｆ ０ 、８ Ｋ９ ／ ｃｒｌの圧力で
１５０秒間吹きつけることにより、未露光感光性樹脂組
成物を洗い出した。このときも硬化樹脂が脱離すること
はなかった。次いで６０℃で１０分間乾燥することによ
り、サンドブラスト用マスク転写材を得た。
次に、この転写材を厚さ７龍のガラス板に貼着し、フィ
ルムＢのポリエステルフィルムを剥ぎ取った。このとき
剥離抵抗はほとんどなかった。次いでサイホン式サンド
プラスターを用い、研磨材としてアランダム＃ １８０
ｆ ３．５ Ｋ９ ／ ｃｒｌの空気圧で全面に３０
秒間吹きつけて彫刻を行ったところ。
ルムＢのポリエステルフィルムを剥ぎ取った。このとき
剥離抵抗はほとんどなかった。次いでサイホン式サンド
プラスターを用い、研磨材としてアランダム＃ １８０
ｆ ３．５ Ｋ９ ／ ｃｒｌの空気圧で全面に３０
秒間吹きつけて彫刻を行ったところ。
マスクがガラスよシ剥離することがなく、目的とするパ
ターンを彫刻することができた。
ターンを彫刻することができた。
実施例２
実施例１におけるフィルムＢとして、４μ厚さのゼルロ
ースアセテートブチレート被１１１１２０μ厚のポリエ
ステルフィルム上に設けたものを用いる以外は、実施例
１と全く同様にして、サンドブラスト用々スク転写材を
作成［また。次いで、実施例１と同様にして、前記転写
材のガラス板への貼ｐ付は及びサンドブラスト加工を行
ったところ、目的とするパターンを彫刻することができ
た。
ースアセテートブチレート被１１１１２０μ厚のポリエ
ステルフィルム上に設けたものを用いる以外は、実施例
１と全く同様にして、サンドブラスト用々スク転写材を
作成［また。次いで、実施例１と同様にして、前記転写
材のガラス板への貼ｐ付は及びサンドブラスト加工を行
ったところ、目的とするパターンを彫刻することができ
た。
比較例
実施例１におけるフィルムＢの代りに、１０μ厚のポリ
メタクリル酸メチルエステル被膜ヲ７５μ厚のポリエス
テルフィルム上に設けたもの、及びこの保持層を設けな
い７５μ厚のポリエステルフィルムを用いて、実施例１
と同様にして、サンドブラスト用マスク転写材を作成し
ようとしたが、いずれの場合も未硬化樹脂の現像工程で
、トビ柄になっている小さい点や線の樹脂硬化物がフィ
ルムから脱離して目的とするパターンを得ることができ
なかった。
メタクリル酸メチルエステル被膜ヲ７５μ厚のポリエス
テルフィルム上に設けたもの、及びこの保持層を設けな
い７５μ厚のポリエステルフィルムを用いて、実施例１
と同様にして、サンドブラスト用マスク転写材を作成し
ようとしたが、いずれの場合も未硬化樹脂の現像工程で
、トビ柄になっている小さい点や線の樹脂硬化物がフィ
ルムから脱離して目的とするパターンを得ることができ
なかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 成る保持層を設け、さらにその上に感光性樹脂組成物を
硬化させて形成させたマスクパターン層を設けて成る固
体表面加工用マスク転写材。 ２ 水不溶性セルロース誘導体がアルキルセルロース、
又はセルロースとモノカルボン酸トのエステル化合物で
ある特許請求の範囲第１項記載の転写制。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21347283A JPS60104938A (ja) | 1982-05-13 | 1983-11-14 | 固体表面加工用マスク転写材 |
| US06/601,825 US4587186A (en) | 1982-05-13 | 1984-04-19 | Mask element for selective sandblasting and a method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079184A JPS58196971A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | サンドブラスト用マスクの製造方法 |
| JP21347283A JPS60104938A (ja) | 1982-05-13 | 1983-11-14 | 固体表面加工用マスク転写材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60104938A true JPS60104938A (ja) | 1985-06-10 |
| JPH0420178B2 JPH0420178B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=26420235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21347283A Granted JPS60104938A (ja) | 1982-05-13 | 1983-11-14 | 固体表面加工用マスク転写材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60104938A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214499U (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-28 | ||
| JPH0269754A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Aisero Kagaku Kk | 彫食刻マスク用感光性積層フイルム |
| JPH0379270A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-04 | Aisero Kagaku Kk | 彫食刻マスク用感光性積層フイルム |
| WO1992007303A1 (en) * | 1990-10-22 | 1992-04-30 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Method of engraving with image mask and photosensitive laminate film for said image mask |
| JPH07252444A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-10-03 | Aisero Kagaku Kk | サンドブラストレジストインキ |
| US5518857A (en) * | 1991-03-28 | 1996-05-21 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Image-carrying mask photo-sensitive laminate film for use in making an image carry mask |
| US5629132A (en) * | 1991-03-28 | 1997-05-13 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Method for engraving and/or etching with image-carrying mask and photo-sensitive laminate film for use in making the mask |
| JP2005037830A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | サンドブラスト用感光性樹脂積層体 |
| DE102019211858A1 (de) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Audi Ag | Verfahren zum Maskieren von zu mattierenden Oberflächen |
-
1983
- 1983-11-14 JP JP21347283A patent/JPS60104938A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214499U (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-28 | ||
| JPH0414799Y2 (ja) * | 1985-07-10 | 1992-04-02 | ||
| JPH0269754A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Aisero Kagaku Kk | 彫食刻マスク用感光性積層フイルム |
| JPH0379270A (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-04 | Aisero Kagaku Kk | 彫食刻マスク用感光性積層フイルム |
| WO1992007303A1 (en) * | 1990-10-22 | 1992-04-30 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Method of engraving with image mask and photosensitive laminate film for said image mask |
| US5427890A (en) * | 1990-10-22 | 1995-06-27 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Photo-sensitive laminate film for use in making the mask comprising a supporting sheet, an image mask protection layer which is water insoluble and a water soluble image mask forming composition |
| US5518857A (en) * | 1991-03-28 | 1996-05-21 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Image-carrying mask photo-sensitive laminate film for use in making an image carry mask |
| US5629132A (en) * | 1991-03-28 | 1997-05-13 | Aicello Chemical Co., Ltd. | Method for engraving and/or etching with image-carrying mask and photo-sensitive laminate film for use in making the mask |
| JPH07252444A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-10-03 | Aisero Kagaku Kk | サンドブラストレジストインキ |
| JP2005037830A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | サンドブラスト用感光性樹脂積層体 |
| JP4497862B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-07-07 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | サンドブラスト用感光性樹脂積層体 |
| DE102019211858A1 (de) * | 2019-08-07 | 2021-02-11 | Audi Ag | Verfahren zum Maskieren von zu mattierenden Oberflächen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0420178B2 (ja) | 1992-03-31 |
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