JPS60103018A - 大面積シリコン結晶体の製造方法 - Google Patents
大面積シリコン結晶体の製造方法Info
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- JPS60103018A JPS60103018A JP59216031A JP21603184A JPS60103018A JP S60103018 A JPS60103018 A JP S60103018A JP 59216031 A JP59216031 A JP 59216031A JP 21603184 A JP21603184 A JP 21603184A JP S60103018 A JPS60103018 A JP S60103018A
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- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/007—Pulling on a substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、完成ノリコノ結晶体の・Ｊ仄に適合した小
結晶粒／・ノコン焼結体を出発＋Ｊ、ｒｌとしてコンベ
ア式の水平熱処理装置に入れ、支持体−１で溶融させ続
いて結晶１ヒさぜることにより太にｖ屯池川用大面積／
リコン結晶体を製造する方ｔ、！ｊ ｉ’１ｌ−Ｉ Ｉ
Ｉ：、ｌ ノ“る。 〔従来の技術〕 この種の方法の一つ（・ま既に提条されている（西独国
特許出願公開第３３０５９３ ：３づ公（・Ｋ）が、そ
れによればグツファイト砿賄の網でｆ乍られン）支持体
がそれに適合したづ′法のンリコ／焼結体と共に水平加
熱装置内を移動し、その際支局体上の焼結体が、容融１
−グラファイト網の網目内に結晶化す６゜この方法にＪ
二って太陽電池用７）／リコンリボンの連続生産力１り
能となる。 〔発明が解決し４Ｌうとする問題点〕 −１−：記のカシ、に牛ノ′る問題は、ンリコ／内にグ
ラツアーｆ ｌ−網り；絹み１へ士れるためその中に存
在する不純′吻が：／ＩＪ ：：＋ノＡ１１１晶格了内
に拡散し、結晶の品質とぞれで（／ｌら拘／ｃｋ、陽屯
池わ電気特性を悪ぐすることである。。 この発明はこの、ｆうな欠点を示さない製造方法を促供
ノーるこ、！：る一目的とする。 〔問題点を、１１イ決するｆｃめの手段〕この目的は、
／リコン焼４吉体の＋８ 關＋とそれにも“
結晶粒／・ノコン焼結体を出発＋Ｊ、ｒｌとしてコンベ
ア式の水平熱処理装置に入れ、支持体−１で溶融させ続
いて結晶１ヒさぜることにより太にｖ屯池川用大面積／
リコン結晶体を製造する方ｔ、！ｊ ｉ’１ｌ−Ｉ Ｉ
Ｉ：、ｌ ノ“る。 〔従来の技術〕 この種の方法の一つ（・ま既に提条されている（西独国
特許出願公開第３３０５９３ ：３づ公（・Ｋ）が、そ
れによればグツファイト砿賄の網でｆ乍られン）支持体
がそれに適合したづ′法のンリコ／焼結体と共に水平加
熱装置内を移動し、その際支局体上の焼結体が、容融１
−グラファイト網の網目内に結晶化す６゜この方法にＪ
二って太陽電池用７）／リコンリボンの連続生産力１り
能となる。 〔発明が解決し４Ｌうとする問題点〕 −１−：記のカシ、に牛ノ′る問題は、ンリコ／内にグ
ラツアーｆ ｌ−網り；絹み１へ士れるためその中に存
在する不純′吻が：／ＩＪ ：：＋ノＡ１１１晶格了内
に拡散し、結晶の品質とぞれで（／ｌら拘／ｃｋ、陽屯
池わ電気特性を悪ぐすることである。。 この発明はこの、ｆうな欠点を示さない製造方法を促供
ノーるこ、！：る一目的とする。 〔問題点を、１１イ決するｆｃめの手段〕この目的は、
／リコン焼４吉体の＋８ 關＋とそれにも“
【、ぐ結晶
化に際し−この支持体として溶融／リコンにＪ二つ−（
−はとんど、１す、イ、い（−Ｊ、全く席〕らされるこ
とのない主として石英ＩＡｌ！、ｆ、ｌＩから成る織物
を使用し、浴副；／リコンの結’ＩＩ冒１−：の後この
織物と１４ｙ、り除くこと１７Ｃよって達成ン：７ｔイ
）。 別々に調整１り能ノ）ｔエノ微の加熱帯域から構成され
る熱処理装置ｇを１史用ノーることもこの発明の枠内に
ある。この場合溶融に先立って／リコン焼、Ｌ’ｉ （
４； 、が予備加熱され、溶融後にｌは支持体の丙加熱
と同時に結晶化したノリコン体の局部的な冷却が実施さ
几る。一時的な予備加熱により例えｄイｈ 、７１：・
、’ガラス繊維７）織物で作られた支持体がイク・ｚ−
要に１（い１．ｉ］ｔｌ高い温度に昨かれてその組込み
が起る危険ｔｅｊ ｌ１ｉｆ ｒｊられる。Ｆからの再
加熱と上からの冷却が回［ｌ、冒ｌ（行われることはノ
リコン溶融体の指向性；２１−・１（ｌ（とって有利で
ある。織物上の溶１夕１ｆ ／リコン１漠の！’ＩＩ″
１Ｎは出発ｒｌ別としての／リコン焼結体のノＩｒ′さ
ｅｃ」、って決められる。 この発明の有利、を実施Ｑ１は１１族コ１．請求の範囲
第２項以■・に示される。 〔実施例〕 図１百１を参照し実施例シてついてこの発１１ｊを四ｒ
（＝詳細に説明する。 第１図乃至第３図には支持体の移動機１！！ｌ Ｉは示
されていなｌ／１ｏ これはこの発明を理解する十に必
安ではないものである。 焼結板又Ｕよ１４１出板としての平面吠シリコン体ＩＱ
よマガジ／又ｔｒ、ｊ、巻Ｈ「・から引き出され、石英
ガラス繊・（イ「戦′：勿又は〕、うｆ ｌ□ （：＜
Ａ／−２０３・２５ｉ０２ ）から成−５支持体２と
１１、；にノｊ（・ト熱処理装置に導かれ、そこで溶融
体１０力；１′１られる。石英慣、イｆ（１）儒れ性が
、’、’４ｊ ’ｖ′ｌだめ熾′吻２がｊ（ｒｈ望１１
体Ｊ （ｌで包１れることばない。熱処理装置〆１゛白
体（・１、別々に調整Ｉ拝能の’ＪＬＩ ７ソ１炉１゜
ｔ’ ＋ ６．７と冷、１．ｌ暉、ｌ？’ｌ“８から構
成され、／リコンハ決１１ｉ体が溶Ｉｉｉ！ｌ！体１（
１となる前に４１１ｊ桔゛枦４で予１而ＵＩ＋熱され、
溶融・い５々加熱・いＣ５による溶融・；ｔ・域全通り
抜けた後を与υＩＩ ；？Ａ −１，１： ７に入り、
（す゛加熱される。冷却装置８は支１．１体２１の／リ
コンの結晶化を助ける１、結晶比した／す′：Ｊ／板１
２ｉｄ冷力ｊ後石英ガラス鷹２織ｌ吻２から容易Ｌ′ζ
引；＼ばがずことができる。 矢印りは支持体の・＋ｉｊ、ｌＪ方向を示す。輸送速度
はほぼ５０（７）７ｍに４１′４幣される。 石英ガラス又ｄ５ノ、ライトの鐵イｆ１１シリコンの浴
融；ｉｊ；ｉ ｌ川においてはパノ時間′Ｃ軟化し丑に
東せられているシリコン板の１１力で変形するから、織
物２ｉｌ″ｊ′片持ち式に加熱冷却装置（４，、５，（
３，７’、８ ）を通過させないでグラファイトの網又
は箔を支えに使用するのが有利である。このようなｌｌ
１ｉｉ＆迄機構は図面に示されていない。結晶化の後シ
リコン板１２と織物２をこの支えから引き上げ、織物２
はシリコン板１２から分離する。織物２は連続式のスク
レーバでシリコンを取シ除き再使用することができる。 溶融体ＪＯから結晶化した／リコン帯＋２に移る過程の
詳細を第２図に示す。再加熱炉７と予備９口熱炉４は図
から除かれている。ｌ １１は結晶化前面である。 第３図は第２図（７）別法として特に粗粒のポリシリコ
ン板１２が溶融結晶化によってシリ−１ノ板１２となる
過程を示す。この場合加熱炉にはシリコン板１２の凝固
が中央から両外側に向って進むように構成されている。 加熱炉６のくさび形の切り込みは例えば冷却板で被覆さ
れる。その代りに板１２に冷却ガスを吹悸つけてもよい
。これによって始めの凝固中心のｂが減少し、同化粒子
が大形となる。 溶融シリコンによって濡らさ五ない織物の基礎材ｑとし
ては、石英ガラス繊維の外にＳ】０２層で涛われたグラ
ファイトＦＪｉ、維とあぐめきされてＳｉ ＯＫ組織か
ら成るガラス＊＃Ｅが特に適している。このガラス繊維
は高純′吻′πであり、しかも廉１ｉ１１ｉに製作する
ことができる。 溶融シリコンによって濡らされない織物を使用−１−る
と次の利点が達成さ扛る。 （１） 製造容易で基板が廉価となり、しかも再使用ｉ
ｊＪ能である。 （２） 作られたＮＦＩ−面状／リコン体が基板イシ料
から受ける不純′Ｉ！ｌ／Ｉゲ少ない。 （３）平面状ン１７７ｒ ：／の結晶の質が高い。 この発明による平面状シリコンを使用した太陽°電池の
効率は１２％に達し、しかも廉価、な出発材￥１の使用
がｆ’Ｊ ＩｊＢである。平面状の／リコン体は例（ば
焼結シリコン又は射出テープ状のシリコンとして廉価に
かつ大きな寸法に作ることができる。 焼結シリコンを出発材料としてのノリコン結晶体の製作
には西独国特許田顆公開第２９２７ ｆ＋ ８ （ｉ号
（特開昭５６−］、 ５０８２号）公報にｉｉ＋シ載さ
れている方法が適轟である。この場合粗ＩＡばシリコン
粉末であシ、最初に消が作られ、これを焼ｆＡ１’；に
際しての収縮を考えて太陽電池の寸法（例え６−１゛］
、 ＯＸ １０ ｔ＊２）に対応する寸法に切断する。 箔を片持ち可能の状仲にする予備焼結はｉｆＧも１１（
ｃえＪして１２５０℃から１３００℃の間の温度で行、
ｔう。 予め片持ち状態に固められた板を使ｊ）ゴすることがで
きるのであるから予１＃焼、晴の温度経過は余り爪斐で
１はない。更に例えば抵抗炉を使用し、結舎剤を焼き尽
くすため最初の中ｒｉＮ素を含む雰囲気内で／リコン箔
を加熱する場合には、予（ｊｉｆ＋焼結を゛むめろこと
ができることも確かめられている。 焼結された板は粗拐筋として堆積群に積みポねることが
できる。堆積群のＴ：側を移動する石英ガラス繊維の支
持体には連続的にあるいは第１図、第３図て示すＪ：
Ｉ＞ Ｖ（Ｊ当な間隔を置いて板を配置することができ
る０、 シリコンのＦ １１ｉｉｉ位結と溶融は真空中又はアル
ゴン雰囲気中で実／１１１１；Ｎれる。 この発明にＪ：イ）゛に商法７リコン体の製法には廉１
１Ｉｌｌな出発月本１が１史用されるから、太陽電池の
原価７）著１−い低１・が期ｊ、°ｊされる。 この発明のツノ法？（従って作られた平面状シリコンは
半導体デバイスにメ’Ｊするコスト的に有利なシリコン
基板飼料となるものである。
化に際し−この支持体として溶融／リコンにＪ二つ−（
−はとんど、１す、イ、い（−Ｊ、全く席〕らされるこ
とのない主として石英ＩＡｌ！、ｆ、ｌＩから成る織物
を使用し、浴副；／リコンの結’ＩＩ冒１−：の後この
織物と１４ｙ、り除くこと１７Ｃよって達成ン：７ｔイ
）。 別々に調整１り能ノ）ｔエノ微の加熱帯域から構成され
る熱処理装置ｇを１史用ノーることもこの発明の枠内に
ある。この場合溶融に先立って／リコン焼、Ｌ’ｉ （
４； 、が予備加熱され、溶融後にｌは支持体の丙加熱
と同時に結晶化したノリコン体の局部的な冷却が実施さ
几る。一時的な予備加熱により例えｄイｈ 、７１：・
、’ガラス繊維７）織物で作られた支持体がイク・ｚ−
要に１（い１．ｉ］ｔｌ高い温度に昨かれてその組込み
が起る危険ｔｅｊ ｌ１ｉｆ ｒｊられる。Ｆからの再
加熱と上からの冷却が回［ｌ、冒ｌ（行われることはノ
リコン溶融体の指向性；２１−・１（ｌ（とって有利で
ある。織物上の溶１夕１ｆ ／リコン１漠の！’ＩＩ″
１Ｎは出発ｒｌ別としての／リコン焼結体のノＩｒ′さ
ｅｃ」、って決められる。 この発明の有利、を実施Ｑ１は１１族コ１．請求の範囲
第２項以■・に示される。 〔実施例〕 図１百１を参照し実施例シてついてこの発１１ｊを四ｒ
（＝詳細に説明する。 第１図乃至第３図には支持体の移動機１！！ｌ Ｉは示
されていなｌ／１ｏ これはこの発明を理解する十に必
安ではないものである。 焼結板又Ｕよ１４１出板としての平面吠シリコン体ＩＱ
よマガジ／又ｔｒ、ｊ、巻Ｈ「・から引き出され、石英
ガラス繊・（イ「戦′：勿又は〕、うｆ ｌ□ （：＜
Ａ／−２０３・２５ｉ０２ ）から成−５支持体２と
１１、；にノｊ（・ト熱処理装置に導かれ、そこで溶融
体１０力；１′１られる。石英慣、イｆ（１）儒れ性が
、’、’４ｊ ’ｖ′ｌだめ熾′吻２がｊ（ｒｈ望１１
体Ｊ （ｌで包１れることばない。熱処理装置〆１゛白
体（・１、別々に調整Ｉ拝能の’ＪＬＩ ７ソ１炉１゜
ｔ’ ＋ ６．７と冷、１．ｌ暉、ｌ？’ｌ“８から構
成され、／リコンハ決１１ｉ体が溶Ｉｉｉ！ｌ！体１（
１となる前に４１１ｊ桔゛枦４で予１而ＵＩ＋熱され、
溶融・い５々加熱・いＣ５による溶融・；ｔ・域全通り
抜けた後を与υＩＩ ；？Ａ −１，１： ７に入り、
（す゛加熱される。冷却装置８は支１．１体２１の／リ
コンの結晶化を助ける１、結晶比した／す′：Ｊ／板１
２ｉｄ冷力ｊ後石英ガラス鷹２織ｌ吻２から容易Ｌ′ζ
引；＼ばがずことができる。 矢印りは支持体の・＋ｉｊ、ｌＪ方向を示す。輸送速度
はほぼ５０（７）７ｍに４１′４幣される。 石英ガラス又ｄ５ノ、ライトの鐵イｆ１１シリコンの浴
融；ｉｊ；ｉ ｌ川においてはパノ時間′Ｃ軟化し丑に
東せられているシリコン板の１１力で変形するから、織
物２ｉｌ″ｊ′片持ち式に加熱冷却装置（４，、５，（
３，７’、８ ）を通過させないでグラファイトの網又
は箔を支えに使用するのが有利である。このようなｌｌ
１ｉｉ＆迄機構は図面に示されていない。結晶化の後シ
リコン板１２と織物２をこの支えから引き上げ、織物２
はシリコン板１２から分離する。織物２は連続式のスク
レーバでシリコンを取シ除き再使用することができる。 溶融体ＪＯから結晶化した／リコン帯＋２に移る過程の
詳細を第２図に示す。再加熱炉７と予備９口熱炉４は図
から除かれている。ｌ １１は結晶化前面である。 第３図は第２図（７）別法として特に粗粒のポリシリコ
ン板１２が溶融結晶化によってシリ−１ノ板１２となる
過程を示す。この場合加熱炉にはシリコン板１２の凝固
が中央から両外側に向って進むように構成されている。 加熱炉６のくさび形の切り込みは例えば冷却板で被覆さ
れる。その代りに板１２に冷却ガスを吹悸つけてもよい
。これによって始めの凝固中心のｂが減少し、同化粒子
が大形となる。 溶融シリコンによって濡らさ五ない織物の基礎材ｑとし
ては、石英ガラス繊維の外にＳ】０２層で涛われたグラ
ファイトＦＪｉ、維とあぐめきされてＳｉ ＯＫ組織か
ら成るガラス＊＃Ｅが特に適している。このガラス繊維
は高純′吻′πであり、しかも廉１ｉ１１ｉに製作する
ことができる。 溶融シリコンによって濡らされない織物を使用−１−る
と次の利点が達成さ扛る。 （１） 製造容易で基板が廉価となり、しかも再使用ｉ
ｊＪ能である。 （２） 作られたＮＦＩ−面状／リコン体が基板イシ料
から受ける不純′Ｉ！ｌ／Ｉゲ少ない。 （３）平面状ン１７７ｒ ：／の結晶の質が高い。 この発明による平面状シリコンを使用した太陽°電池の
効率は１２％に達し、しかも廉価、な出発材￥１の使用
がｆ’Ｊ ＩｊＢである。平面状の／リコン体は例（ば
焼結シリコン又は射出テープ状のシリコンとして廉価に
かつ大きな寸法に作ることができる。 焼結シリコンを出発材料としてのノリコン結晶体の製作
には西独国特許田顆公開第２９２７ ｆ＋ ８ （ｉ号
（特開昭５６−］、 ５０８２号）公報にｉｉ＋シ載さ
れている方法が適轟である。この場合粗ＩＡばシリコン
粉末であシ、最初に消が作られ、これを焼ｆＡ１’；に
際しての収縮を考えて太陽電池の寸法（例え６−１゛］
、 ＯＸ １０ ｔ＊２）に対応する寸法に切断する。 箔を片持ち可能の状仲にする予備焼結はｉｆＧも１１（
ｃえＪして１２５０℃から１３００℃の間の温度で行、
ｔう。 予め片持ち状態に固められた板を使ｊ）ゴすることがで
きるのであるから予１＃焼、晴の温度経過は余り爪斐で
１はない。更に例えば抵抗炉を使用し、結舎剤を焼き尽
くすため最初の中ｒｉＮ素を含む雰囲気内で／リコン箔
を加熱する場合には、予（ｊｉｆ＋焼結を゛むめろこと
ができることも確かめられている。 焼結された板は粗拐筋として堆積群に積みポねることが
できる。堆積群のＴ：側を移動する石英ガラス繊維の支
持体には連続的にあるいは第１図、第３図て示すＪ：
Ｉ＞ Ｖ（Ｊ当な間隔を置いて板を配置することができ
る０、 シリコンのＦ １１ｉｉｉ位結と溶融は真空中又はアル
ゴン雰囲気中で実／１１１１；Ｎれる。 この発明にＪ：イ）゛に商法７リコン体の製法には廉１
１Ｉｌｌな出発月本１が１史用されるから、太陽電池の
原価７）著１−い低１・が期ｊ、°ｊされる。 この発明のツノ法？（従って作られた平面状シリコンは
半導体デバイスにメ’Ｊするコスト的に有利なシリコン
基板飼料となるものである。
第１図はこの発明の対象となっている平面状シリコン結
晶体製６１法に使用さｎる熱処理装置ｕの概要を示し、
第ニジ図と第３図Ｑ−１溶融／リコン嘆結晶化過程の原
Ｊｊｌｉを示す略図である。 Ｊ・・−シリコン焼結体、２・ シリコン板支持体。 ４．８・・熱処」！Ｉｉ校置装
晶体製６１法に使用さｎる熱処理装置ｕの概要を示し、
第ニジ図と第３図Ｑ−１溶融／リコン嘆結晶化過程の原
Ｊｊｌｉを示す略図である。 Ｊ・・−シリコン焼結体、２・ シリコン板支持体。 ４．８・・熱処」！Ｉｉ校置装
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■）小結晶粒／リコン焼結体（１）を出発利料としてコ
ンベア式の水平熱処理装置（１〜８）に入れ、支持体上
で溶融させた後結晶化ノーる方法において、溶融とそれ
に続く結晶化の際の支持体として溶融／リコンによって
全くあるいはほとんど、需らされない主としてイ５１英
から成る織物（２）が使用され、結晶化の後この織物が
除去されることｆ：％徴とする太陽ｒＩＬ池用の犬面債
／リコノ結晶体の製造方法。 ２）別・（に調整可能の複数の加熱帯域から成る熱処理
装置（４〜８）が使用され、シリコン焼結体（１）の溶
融に先立ってその］’ １ｌｉｉｌ加熱（４）が酢なわ
れ、そのｆ容融後に支持体（２）■再加熱（７）と同時
（て結晶化１７だシリコ／体（１２）の局部的冷却（８
ンが行なわれることを１１）徴とする特許請求の範囲第
ｊ墳１１ピ載の方法。 ３）焼１貼体（１）の１答融（１０）に使用される加熱
炉（６）が平面形のシリコン溶融体（１２）の凝固（１
１）が中央から外側（で向って生ずるように構成さ九て
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
ｄピ載の方法。 ４）加熱炉（（５）が輸送方向に対して逆回きの（さび
形すＪり込みを持つことを特徴とする特許請求の範囲第
：３項ｉｋ： ！ｉｔ！の方法。 ５）支持体（２）として石英ｉ繊維又はケイ酸アルεニ
ウｌ、（ムライト３ ＡＡ２０３ ・２５ｉ０２） 、
、’１ｊｌｉ維の織物あるいは５１０２で被覆されたグ
ラファイトＩ裁、＜、１１の織′吻が使用されることを
特徴とするｑヶ１１′１請求の範囲第１項乃至第４項の
いずれかにｌｌ［シ載の方法。 ６）あ（’ｆｒＩ：いｊ７だガラス繊維の織物、バ使用
されることを１１旨改とする特許請求の範囲第５項、１
ピ載の方法。 ７）繊維織物（２ンがグラファイト・の板、２市又は網
に乗せられて熱処理装置内を運ばれることを特徴とする
特許請求の範囲第１゛項乃至第６項のいずれかに記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3338335.9 | 1983-10-21 | ||
| DE19833338335 DE3338335A1 (de) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | Verfahren zum herstellen von grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103018A true JPS60103018A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=6212456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59216031A Pending JPS60103018A (ja) | 1983-10-21 | 1984-10-15 | 大面積シリコン結晶体の製造方法 |
Country Status (3)
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