JPS60101816A - Ｎｂ３Ｓｎ系超電導線材の製造方法 - Google Patents
Ｎｂ３Ｓｎ系超電導線材の製造方法Info
- Publication number
- JPS60101816A JPS60101816A JP58209746A JP20974683A JPS60101816A JP S60101816 A JPS60101816 A JP S60101816A JP 58209746 A JP58209746 A JP 58209746A JP 20974683 A JP20974683 A JP 20974683A JP S60101816 A JPS60101816 A JP S60101816A
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- JP
- Japan
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- wire
- plating layer
- base
- superconducting
- composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
・技術分野
この発明はＮｂａＳｎ系超電導系材電導線材法に関する
ものである。
ものである。
合金系超電導線材料よシ、数々の超電４４Ｇ性面で優れ
ているといわれる金属間化合物系の超電導材料は、その
加工性の悪さから、従来、実用化が困難なものであった
が、未だ金属間化合物となっていない複合状態で加工を
加え、その加工後に拡散熱処理を加えて金属間化合物を
生成させるといった金属の拡散反応を利用した製造方法
の開発によ如広く実用化されるに至った。
ているといわれる金属間化合物系の超電導材料は、その
加工性の悪さから、従来、実用化が困難なものであった
が、未だ金属間化合物となっていない複合状態で加工を
加え、その加工後に拡散熱処理を加えて金属間化合物を
生成させるといった金属の拡散反応を利用した製造方法
の開発によ如広く実用化されるに至った。
・先行技術およびその問題点
上記金属間化合物系超電導材料の中でも、臨界温度（Ｔ
（りが高く、シかも強磁界発生が容易欧ものの１つとし
てＮｂ５Ｓｎ系超電導材料があシ、このＮ ｂ ３ Ｓ
ｎ系超電導材料を用いた超電導線の代表的製造方法とし
て従来、ブロンズ法とＳｎメンキ法が知られている。前
者のブロンズ法は、望ましくは１０−／ｊｗｔ％程度の
５ｎ１ｉ１度を有する（：ｕ−Ｓｎ合金（ブロンズ）の
基地中にＮｂフィラメントを配して所定の線径の複合線
を作り、その後拡散熱処理を施してＣｕ −３ｎ合金基
地中のＳｎｆ拡散させてＮｂ５Ｓｎフイラメントを有す
る超電導＠を得る方法である。また、後者のＳｎメッキ
法は、純Ｃｕ（あるいはＣｕ −ｓｎ合金）基地中にＮ
ｂフィラメントを配して所定の線材とした後、Ｃｕ基地
の外周上にＳｎメッキを施し、その後拡散熱処理を施し
て外側のＳｎメッキ層からＣｕ基地を介してＳｎを拡散
させてＮ ｂ ３ ｓｎフィラメントを有する超電導線
を得る方法である。
（りが高く、シかも強磁界発生が容易欧ものの１つとし
てＮｂ５Ｓｎ系超電導材料があシ、このＮ ｂ ３ Ｓ
ｎ系超電導材料を用いた超電導線の代表的製造方法とし
て従来、ブロンズ法とＳｎメンキ法が知られている。前
者のブロンズ法は、望ましくは１０−／ｊｗｔ％程度の
５ｎ１ｉ１度を有する（：ｕ−Ｓｎ合金（ブロンズ）の
基地中にＮｂフィラメントを配して所定の線径の複合線
を作り、その後拡散熱処理を施してＣｕ −３ｎ合金基
地中のＳｎｆ拡散させてＮｂ５Ｓｎフイラメントを有す
る超電導＠を得る方法である。また、後者のＳｎメッキ
法は、純Ｃｕ（あるいはＣｕ −ｓｎ合金）基地中にＮ
ｂフィラメントを配して所定の線材とした後、Ｃｕ基地
の外周上にＳｎメッキを施し、その後拡散熱処理を施し
て外側のＳｎメッキ層からＣｕ基地を介してＳｎを拡散
させてＮ ｂ ３ ｓｎフィラメントを有する超電導線
を得る方法である。
ところが上記ブロンズ法とＳｎメッキ法で代表されるＮ
ｂ −Ｓ ｎの拡散反応で生成されるＮｂ３Ｓｎは、
／Ｉ！；ＩＴ（テスラ）までの外部磁界では高い臨界電
流（Ｊ （りを示すが、それより高い磁界のもとでは、
Ｊｃ値が急激に低下するといわれてきた。
ｂ −Ｓ ｎの拡散反応で生成されるＮｂ３Ｓｎは、
／Ｉ！；ＩＴ（テスラ）までの外部磁界では高い臨界電
流（Ｊ （りを示すが、それより高い磁界のもとでは、
Ｊｃ値が急激に低下するといわれてきた。
ところで、最近、Ｎｂフィラメントあるいはブロンズ基
地中にＮｂ、Ｓｎ以外の第３元素（例えばＴｉ、Ｓｉ、
Ｈｆ）を添加すると１０Ｔ近傍以上の高磁界域において
Ｊｃ値の低下割合を改善できることが判明してきた。（
Ｔｉ添加に関しては特願昭５７−５４２６０号明細書お
よび第１図参照、ｓｉ添加に関しては％願昭５７−５４
２５９全容細誉、Ｈｆ添加に関しては特願昭５６−６９
７２１号および特願１）Ｔ４５６−６９７２２号明細書
を各々参照）しかし、Ｎｂフィラメントおるいはブロン
ズ基地中にＴｉ等を直接添加すると、加工性が低下し、
伸線加工に問題を生じる虞れがある。
地中にＮｂ、Ｓｎ以外の第３元素（例えばＴｉ、Ｓｉ、
Ｈｆ）を添加すると１０Ｔ近傍以上の高磁界域において
Ｊｃ値の低下割合を改善できることが判明してきた。（
Ｔｉ添加に関しては特願昭５７−５４２６０号明細書お
よび第１図参照、ｓｉ添加に関しては％願昭５７−５４
２５９全容細誉、Ｈｆ添加に関しては特願昭５６−６９
７２１号および特願１）Ｔ４５６−６９７２２号明細書
を各々参照）しかし、Ｎｂフィラメントおるいはブロン
ズ基地中にＴｉ等を直接添加すると、加工性が低下し、
伸線加工に問題を生じる虞れがある。
また、本発明の出願人は、特公昭５５−１８５６５号、
特公昭５５−１８５６６号および特公昭５５−２３６８
１号各公報にみるように、加工が容易かつ良好な超電導
特性を有するＮ ｂ Ｂ Ｓｎ系超電導線を製造する方
法を提案している。これらは主としてＳｎ＠度の低い青
銅を基地として縮径加工をなし、加工後にＳｎメッキを
施し、次に拡散熱処理を行うものであった。
特公昭５５−１８５６６号および特公昭５５−２３６８
１号各公報にみるように、加工が容易かつ良好な超電導
特性を有するＮ ｂ Ｂ Ｓｎ系超電導線を製造する方
法を提案している。これらは主としてＳｎ＠度の低い青
銅を基地として縮径加工をなし、加工後にＳｎメッキを
施し、次に拡散熱処理を行うものであった。
■ 発明の目的
この発明は、上記した第３元素の添加によるＪｃ値の改
善に関する結果に基づくとともに、本発明者が優先に提
案【−た方法を発展させて完成したもので、第３元素の
添加を行った場合でも縮径加工時の加工性を良好にでき
るとともに、高磁界域においても高いＪｃ値を有するＮ
ｂ Ｂ Ｓ ｎ系超電導線材を得ることができる製造
方法を提供するととを目的とする。
善に関する結果に基づくとともに、本発明者が優先に提
案【−た方法を発展させて完成したもので、第３元素の
添加を行った場合でも縮径加工時の加工性を良好にでき
るとともに、高磁界域においても高いＪｃ値を有するＮ
ｂ Ｂ Ｓ ｎ系超電導線材を得ることができる製造
方法を提供するととを目的とする。
ｍ 発明の詳細な説明および作用
以下に、添加する第３元素をＴｉとした場合におけるＮ
ｂ５Ｓｎ系超電導線材の製造を例にとってこの発明を説
明する。
ｂ５Ｓｎ系超電導線材の製造を例にとってこの発明を説
明する。
この発明の製造方法においては、まず、第２図（２）に
示すように棒状、線材状、もしくは粉末状のＮｂ芯材１
を望ましくはＳｎ含有量２〜／ｊ重量％のＣｕ−ｆａｎ
合金もしくはＣｕ製の中空パイプ（基地）２に挿入し、
必要に応じてスェージング加工、伸線・引抜加工等の縮
径加工を施して、第２図の）に示すようにＣｕ−Ｓｎ合
金もしくはｃｕの基地２ＫＮｂ芯材１が埋込まれた複合
１ｇ８３を作成する。次にこの複合素線３を第４図２．
（、Ｃ）に示すように複数本集合して望ましくはｓｎ含
有量コ〜ノｊ重量％のＣｕ −Ｓ ｎ合金もしくは（’
ｕからなる中空パイプ（基地）４に挿入し、スェージン
グ加工、伸線・引抜加工等の縮径加工を施して、所望の
線径すなわち最終的に得るべき超電導線材とほぼ同じ外
径になるまで縮径する。上記の縮径工程においては、基
地２．４のＳｎ濃度が低く、加工硬化は少ない。
示すように棒状、線材状、もしくは粉末状のＮｂ芯材１
を望ましくはＳｎ含有量２〜／ｊ重量％のＣｕ−ｆａｎ
合金もしくはＣｕ製の中空パイプ（基地）２に挿入し、
必要に応じてスェージング加工、伸線・引抜加工等の縮
径加工を施して、第２図の）に示すようにＣｕ−Ｓｎ合
金もしくはｃｕの基地２ＫＮｂ芯材１が埋込まれた複合
１ｇ８３を作成する。次にこの複合素線３を第４図２．
（、Ｃ）に示すように複数本集合して望ましくはｓｎ含
有量コ〜ノｊ重量％のＣｕ −Ｓ ｎ合金もしくは（’
ｕからなる中空パイプ（基地）４に挿入し、スェージン
グ加工、伸線・引抜加工等の縮径加工を施して、所望の
線径すなわち最終的に得るべき超電導線材とほぼ同じ外
径になるまで縮径する。上記の縮径工程においては、基
地２．４のＳｎ濃度が低く、加工硬化は少ない。
次いで縮径した線の表面にメッキ法により第２図（Ｄ）
Ｋ示すようにＴ１メッキ層５を形成し、その表面に更
にメッキ法によシＳｎメッキ層６を形成してメッキ複合
線７を得る。この後拡散熱処理を真空中または不活性ガ
ス雰囲気中で施す。ここで拡散熱処理温度は４１０℃〜
１００℃程度で良く、処理時間は１０時間〜ｉｏｏ時間
程度で良い。この拡散熱処理を施すことによって基地２
゜４中のＳｎおよびＳｎメッキ層６中のＳｎとＴ１メッ
キ層５中のＴｉとが各々拡散して、Ｎｂ芯材１の周囲に
ＮｂａＳｎ−ＴＩが生成される３、なお、上記拡散によ
ってＳｎメッキ層６中のＳｎが基地２．４内に拡散する
ので充分な量のＮ ｂ ３ Ｓｎを形成できる。
Ｋ示すようにＴ１メッキ層５を形成し、その表面に更
にメッキ法によシＳｎメッキ層６を形成してメッキ複合
線７を得る。この後拡散熱処理を真空中または不活性ガ
ス雰囲気中で施す。ここで拡散熱処理温度は４１０℃〜
１００℃程度で良く、処理時間は１０時間〜ｉｏｏ時間
程度で良い。この拡散熱処理を施すことによって基地２
゜４中のＳｎおよびＳｎメッキ層６中のＳｎとＴ１メッ
キ層５中のＴｉとが各々拡散して、Ｎｂ芯材１の周囲に
ＮｂａＳｎ−ＴＩが生成される３、なお、上記拡散によ
ってＳｎメッキ層６中のＳｎが基地２．４内に拡散する
ので充分な量のＮ ｂ ３ Ｓｎを形成できる。
上述の説明においては７本のＮｂ芯材１を中壁パイプ２
に挿入したが、透孔な多数形成した棒状の基地に複数の
Ｎｂ芯材を挿入し、これを縮径して多芯化した複合線を
作製し、これを第一図Ｃ）→■に示す手順と同様な手順
で集合、加工を旋【２て超電導線材を製造するとともで
きる。なお、これまでの説明においては複合線の集合を
１回のみ行う場合について述べたが、複合線の集合は伺
回行っても差し支えない。また、ＳｎメッキとＴＩメッ
キとはどちらを先に行ってもよく、各メッキを施す方法
は化学メッキ法、真空蒸着法、ＣｖＤ法等任意でよい。
に挿入したが、透孔な多数形成した棒状の基地に複数の
Ｎｂ芯材を挿入し、これを縮径して多芯化した複合線を
作製し、これを第一図Ｃ）→■に示す手順と同様な手順
で集合、加工を旋【２て超電導線材を製造するとともで
きる。なお、これまでの説明においては複合線の集合を
１回のみ行う場合について述べたが、複合線の集合は伺
回行っても差し支えない。また、ＳｎメッキとＴＩメッ
キとはどちらを先に行ってもよく、各メッキを施す方法
は化学メッキ法、真空蒸着法、ＣｖＤ法等任意でよい。
なお、メッキ層５を形成する第３元素はＴｉの他にＳｔ
＊Ｈｆ ＊ｈｔｍＺｖ＊ Ｉｎ等、Ｎｂ３Ｓｎの高磁
界域での臨界電流値を向上させるものであれば任意でよ
い。なおＮｂ芯材が埋込まれる基地２．４としては、前
述のようにＣｕもしくは（：ｕ−８ｎ合金を用いればよ
いが、Ｎｂ３Ｓｎ生成に当っては、基地２．４′内のＳ
ｎ量が減少するとＳｎメッキ層６からＳｎが補充される
ため、Ｃｕ−８ｎ合金は低Ｓｎ濃度のもので充分である
。したがって加工性を良好にして縮径加工における中間
焼鈍の回数を少なくするためには、Ｓｎ濃度が１０ｗｔ
％未満、よシ最適にはｆｗｔ−以下程度のＣｕ−８ｎ合
金を用いることが望ましい。
＊Ｈｆ ＊ｈｔｍＺｖ＊ Ｉｎ等、Ｎｂ３Ｓｎの高磁
界域での臨界電流値を向上させるものであれば任意でよ
い。なおＮｂ芯材が埋込まれる基地２．４としては、前
述のようにＣｕもしくは（：ｕ−８ｎ合金を用いればよ
いが、Ｎｂ３Ｓｎ生成に当っては、基地２．４′内のＳ
ｎ量が減少するとＳｎメッキ層６からＳｎが補充される
ため、Ｃｕ−８ｎ合金は低Ｓｎ濃度のもので充分である
。したがって加工性を良好にして縮径加工における中間
焼鈍の回数を少なくするためには、Ｓｎ濃度が１０ｗｔ
％未満、よシ最適にはｆｗｔ−以下程度のＣｕ−８ｎ合
金を用いることが望ましい。
またこのＣｕ−８ｎ合金としては小量のＰを含有するも
の、すなわちリン青銅を用いることもできる１、 以下にこの発明の実施例を記す。
の、すなわちリン青銅を用いることもできる１、 以下にこの発明の実施例を記す。
実施例１
外径１ｏｔｒａｎ、肉厚、２ｗのＳｎ濃廖： Ａ ｗ
ｔ ％の青銅製のパイプに外径！ｒｊｔａｎのＮｂ＠を
挿入し、伸線加工および中間焼鈍を繰返して外径ａり簡
の一次複合素線を得た。次に、この−次複合素線をｌり
本集合１１、外径１０１ｍ％肉厚０．１Ｗ＋の６ｗｔ％
Ｓｎを含有する青銅製のパイプに挿入１−１伸線加工お
よび中間焼鈍を繰返し、外径ａり簡の二次複合素線を得
た。さらにこの二次複合素線を６７本集合し、これらの
全体を外径ノコ闘、肉厚１ｊｔｔｒｍの無酸素銅パイプ
に挿入して、伸線加工および中間焼鈍を繰返して外径が
ｌ１０Ｔ１になるまで縮径した。
ｔ ％の青銅製のパイプに外径！ｒｊｔａｎのＮｂ＠を
挿入し、伸線加工および中間焼鈍を繰返して外径ａり簡
の一次複合素線を得た。次に、この−次複合素線をｌり
本集合１１、外径１０１ｍ％肉厚０．１Ｗ＋の６ｗｔ％
Ｓｎを含有する青銅製のパイプに挿入１−１伸線加工お
よび中間焼鈍を繰返し、外径ａり簡の二次複合素線を得
た。さらにこの二次複合素線を６７本集合し、これらの
全体を外径ノコ闘、肉厚１ｊｔｔｒｍの無酸素銅パイプ
に挿入して、伸線加工および中間焼鈍を繰返して外径が
ｌ１０Ｔ１になるまで縮径した。
ここでＮｂ芯材の総数はｉｉｒり本であυ、また横断面
積のうちＣｕの占める割合は約ｉｒｏチである。次いで
上記縮径した線の表面に１１μ厚のＳｎメッキ層を電気
メツキ法によシ形成し、続いて真空蒸着法によ１ｌＴｉ
メッキ層を形成してメッキ複合線を得た。このメッキ複
合線を分析した結果、パイプの成分はＣｕ −／ Ｊ
Ｗ ｔ ＊ Ｓ ｎ −Ｑ Ｊ Ｗ ｔ％Ｔｉとなって
いる。そして、このメッキ複合線と同様な手順で作製さ
れ上記Ｔｉメッキ層の形成のみを省略した＠（すなわち
Ｃｕ−８ｎマトリツクス＠）と、上記メッキ複合＠（す
なわちＣｕ−８ｎ−Ｔｉマトリックス線）とに各々７１
ｔＯ℃×１００時間の拡散熱処理を施してＮｂ５Ｓｎも
しくはＮｂａＳｎ−Ｔｉを生成させ、コ種類の超電導線
材を得た。第１表に各超電導線材の臨界電流特性の測定
結果を示す。
積のうちＣｕの占める割合は約ｉｒｏチである。次いで
上記縮径した線の表面に１１μ厚のＳｎメッキ層を電気
メツキ法によシ形成し、続いて真空蒸着法によ１ｌＴｉ
メッキ層を形成してメッキ複合線を得た。このメッキ複
合線を分析した結果、パイプの成分はＣｕ −／ Ｊ
Ｗ ｔ ＊ Ｓ ｎ −Ｑ Ｊ Ｗ ｔ％Ｔｉとなって
いる。そして、このメッキ複合線と同様な手順で作製さ
れ上記Ｔｉメッキ層の形成のみを省略した＠（すなわち
Ｃｕ−８ｎマトリツクス＠）と、上記メッキ複合＠（す
なわちＣｕ−８ｎ−Ｔｉマトリックス線）とに各々７１
ｔＯ℃×１００時間の拡散熱処理を施してＮｂ５Ｓｎも
しくはＮｂａＳｎ−Ｔｉを生成させ、コ種類の超電導線
材を得た。第１表に各超電導線材の臨界電流特性の測定
結果を示す。
第１表
第７表よシ、この発明の方法を用いて製造した超電導線
材（Ｃｕ−８ｎ−Ｔｉマトリックス線）はＴ１を含まな
い超電導線材（Ｃｕ−８ｎマトリツクス線）よ如も高磁
界域（特に）≠Ｔ以上）での特性劣化が少ないことが明
らかである。
材（Ｃｕ−８ｎ−Ｔｉマトリックス線）はＴ１を含まな
い超電導線材（Ｃｕ−８ｎマトリツクス線）よ如も高磁
界域（特に）≠Ｔ以上）での特性劣化が少ないことが明
らかである。
■ 発明の具体的効果
以上発明したようにこの発明の方法は、Ｎｂ芯材をＣｕ
−Ｓｎ合金基地中に配して複合１ｇ線を作シ、この複
合素線に縮径加工を施した後、その外方にＮ ｂ ３
Ｓｎの高磁界域の臨界電流値を向上させる第３元素のメ
ッキ層とＳｎメッキ層とを形成し、この後に拡散熱処理
を施すことＫよ如、縮径加工時には第３元素とＳｎとを
メッキ層状態で保持し、加工の障害にならないようにし
たものであるため、縮径加工が簡単になシ、高磁界域で
高い臨界電流値を有する超電導材を容易に得ることがで
きる。また、Ｎｂ３ Ｓｎの生成に必要な５ｎＦｉ基地
中の３ｎとＳｎメッキ層のＳｎとが供給するため、Ｎ
ｂ ３ Ｓ ｎの生成量も充分である。
−Ｓｎ合金基地中に配して複合１ｇ線を作シ、この複
合素線に縮径加工を施した後、その外方にＮ ｂ ３
Ｓｎの高磁界域の臨界電流値を向上させる第３元素のメ
ッキ層とＳｎメッキ層とを形成し、この後に拡散熱処理
を施すことＫよ如、縮径加工時には第３元素とＳｎとを
メッキ層状態で保持し、加工の障害にならないようにし
たものであるため、縮径加工が簡単になシ、高磁界域で
高い臨界電流値を有する超電導材を容易に得ることがで
きる。また、Ｎｂ３ Ｓｎの生成に必要な５ｎＦｉ基地
中の３ｎとＳｎメッキ層のＳｎとが供給するため、Ｎ
ｂ ３ Ｓ ｎの生成量も充分である。
第１図は超電導線内にＴｉを添加した場合とＴｉを添加
していない場合の各々について、従来知られている、磁
界と電流密度との関係を示す線図、第２図はこの発明の
一実施例を段階的に示す説明図である。 １・・・…Ｎｂ芯材、２・・・・・・中空パイプｒ基ｆ
（Ｉ＋） 、８°・・・・・複合素線、４・・・・・・
中空パイプｃ基ｉ）、５．・・・・・Ｔ；メッキ層、６
・・・・・・８ｎメッキ層、？・旧・・メッキ複合線。 出願人 工業技術院長 用田裕部 石紘界（Ｔ） 第２図 （Ａ） 手続ネ甫装置（方式） ％式％ 、発明の名称 Ｎｂ ３３ｎ系超電導線材の製造方法 、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１１４）工業技術院長 川 １）裕 部（ほか１名）
１代 ］！ｌｊ 人 東京都中央区八重洲２丁目１番５号 昭和５９年２月２８８ （発送日） １− （１）明細書の第１頁第３行目 ｒＮｂ ａ Ｓｎ系超電導線材の製造方法（ハ）」とあ
るのを、 ｒＮｂ ３ Ｓｎ系超電導線材の製造方法」に訂正する
。 （２）別紙のとおり、訂正願書および委任状を提出致し
ます。 ２− ８３−
していない場合の各々について、従来知られている、磁
界と電流密度との関係を示す線図、第２図はこの発明の
一実施例を段階的に示す説明図である。 １・・・…Ｎｂ芯材、２・・・・・・中空パイプｒ基ｆ
（Ｉ＋） 、８°・・・・・複合素線、４・・・・・・
中空パイプｃ基ｉ）、５．・・・・・Ｔ；メッキ層、６
・・・・・・８ｎメッキ層、？・旧・・メッキ複合線。 出願人 工業技術院長 用田裕部 石紘界（Ｔ） 第２図 （Ａ） 手続ネ甫装置（方式） ％式％ 、発明の名称 Ｎｂ ３３ｎ系超電導線材の製造方法 、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１１４）工業技術院長 川 １）裕 部（ほか１名）
１代 ］！ｌｊ 人 東京都中央区八重洲２丁目１番５号 昭和５９年２月２８８ （発送日） １− （１）明細書の第１頁第３行目 ｒＮｂ ａ Ｓｎ系超電導線材の製造方法（ハ）」とあ
るのを、 ｒＮｂ ３ Ｓｎ系超電導線材の製造方法」に訂正する
。 （２）別紙のとおり、訂正願書および委任状を提出致し
ます。 ２− ８３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｕ−３ｎ合金の基地中にＮｂ芯材を配置して複合素線
を作υ、この複合素線に縮径加工を施して所望の径とし
た後、その複合素線の外方に、Ｎｂ３８ｎの高磁界域の
臨界電流値を向上させるＴｌ。 Ｓｉ 、 Ｈｆ ＠ Ａ ｔ ＊ Ｚ ｖ ｅ ｌ ｎ
等のＨｂ、Ｓｎ以外の第３元素のメッキ層とＳｎメッキ
層とを形成し、続いて拡散熱処理を施してＮｂ ３Ｓｎ
金属間化合物を生成させることを特徴とするＮｂａＳｎ
系超電導系材電導線材法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209746A JPS60101816A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Ｎｂ３Ｓｎ系超電導線材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58209746A JPS60101816A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Ｎｂ３Ｓｎ系超電導線材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60101816A true JPS60101816A (ja) | 1985-06-05 |
| JPH0381248B2 JPH0381248B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=16577948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58209746A Granted JPS60101816A (ja) | 1983-11-08 | 1983-11-08 | Ｎｂ３Ｓｎ系超電導線材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60101816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007509466A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-12 | オックスフォード スーパーコンダクティング テクノロジー | Ｔｉソース・ロッドを用いて（Ｎｂ，Ｔｉ）３Ｓｎワイヤを製造するための方法 |
-
1983
- 1983-11-08 JP JP58209746A patent/JPS60101816A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007509466A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-12 | オックスフォード スーパーコンダクティング テクノロジー | Ｔｉソース・ロッドを用いて（Ｎｂ，Ｔｉ）３Ｓｎワイヤを製造するための方法 |
| JP4728245B2 (ja) * | 2003-10-17 | 2011-07-20 | オックスフォード スーパーコンダクティング テクノロジー | Ｔｉソース・ロッドを用いて（Ｎｂ，Ｔｉ）３Ｓｎワイヤを製造するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0381248B2 (ja) | 1991-12-27 |
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