JPS60100671A - 真空加熱方法 - Google Patents
真空加熱方法Info
- Publication number
- JPS60100671A JPS60100671A JP20718383A JP20718383A JPS60100671A JP S60100671 A JPS60100671 A JP S60100671A JP 20718383 A JP20718383 A JP 20718383A JP 20718383 A JP20718383 A JP 20718383A JP S60100671 A JPS60100671 A JP S60100671A
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- JP
- Japan
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- glow discharge
- vapor deposition
- substrates
- source
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着工程に於けるサブストレー１〜加熱方
法に関する。
法に関する。
サブストレートの表面に薄膜等を形成する場合例えば音
費変換器の振動板の製造工程等に於いて真空蒸着装置が
用いられるが、蒸着物質の例えば銅、アルミニウムから
成るサブストレートへの付着を促進するためにはサブス
トレー１〜を適当な温度に加熱する必要が有る。
費変換器の振動板の製造工程等に於いて真空蒸着装置が
用いられるが、蒸着物質の例えば銅、アルミニウムから
成るサブストレートへの付着を促進するためにはサブス
トレー１〜を適当な温度に加熱する必要が有る。
従来のザブストレート加熱方法としてはザブストレート
に直接ヒータを接触させる方法、輻射熱を用いて間接的
にサブストレートの加熱を行う方法が一般的である。し
かし乍ら前者の場合はザブストレー１−自体を均一に加
熱することが可能となる利点がある反面、サブストレー
ト固定用の治具を回転することが困難なため安定な蒸着
が可能となる面積が小さく、蒸着チ１ｚンバの容積の有
効な利用が妨げられる。また後者の場合には多量のサブ
ストレートの処理に適しているのに反し、サブストレー
トを短時間に均一に加熱することが難しく例えばアルミ
ニウム（Ａ９）の如き低融点金属から成るサブストレー
トの場合には熱源に近い側の部分が熱変形する畏れが有
ること等の欠点が有る。
に直接ヒータを接触させる方法、輻射熱を用いて間接的
にサブストレートの加熱を行う方法が一般的である。し
かし乍ら前者の場合はザブストレー１−自体を均一に加
熱することが可能となる利点がある反面、サブストレー
ト固定用の治具を回転することが困難なため安定な蒸着
が可能となる面積が小さく、蒸着チ１ｚンバの容積の有
効な利用が妨げられる。また後者の場合には多量のサブ
ストレートの処理に適しているのに反し、サブストレー
トを短時間に均一に加熱することが難しく例えばアルミ
ニウム（Ａ９）の如き低融点金属から成るサブストレー
トの場合には熱源に近い側の部分が熱変形する畏れが有
ること等の欠点が有る。
第１図及び第２図は従来の加熱装置の構成を模式的に示
しており、以下図面を参照しつつ、従来技術について、
さらに説明する。
しており、以下図面を参照しつつ、従来技術について、
さらに説明する。
第１図に於いて、高真空に保たれた蒸着チャンバ５内の
下方部分には所定の容器に納められた蒸着源６が配置さ
れており、その上方に円盤上のサブストレート３が保持
されている。このサブストレー１〜３の裏面にはヒータ
１が設けられており、熱伝導によりサブストレー１〜３
を直接加熱する。
下方部分には所定の容器に納められた蒸着源６が配置さ
れており、その上方に円盤上のサブストレート３が保持
されている。このサブストレー１〜３の裏面にはヒータ
１が設けられており、熱伝導によりサブストレー１〜３
を直接加熱する。
この装置の場合、ヒータ１がサブストレート３に接触す
る構成であるため前述の如く、均一な加熱が可能である
反面、蒸着源６に対してサブストレート３０位置が固定
されているため安定な蒸着の可能な面積が限られている
欠点が有る。
る構成であるため前述の如く、均一な加熱が可能である
反面、蒸着源６に対してサブストレート３０位置が固定
されているため安定な蒸着の可能な面積が限られている
欠点が有る。
第２図は従来の加熱装置の他の例を示しており、この例
では蒸着チャンバ５の下方の蒸着源６の近傍にヒータ若
しくはランプ等の熱源２が設けられている。また球面状
のサブストレート４は自公転可能な取付冶具に保持され
る様になっており、サブストレートは熱源２からの輻射
熱により加熱される。この様にして蒸着の均−化及び多
量のサブストレートの蒸着処理が図られている。しかし
乍ら前述の如く、短時間にザブストレートの全面を均一
に加熱することが難しく、またアルミニウム等の低融点
金属のサブストレートの場合には熱源２に近い側すなわ
ちサブストレートの周縁部が熱変形するおそれがある。
では蒸着チャンバ５の下方の蒸着源６の近傍にヒータ若
しくはランプ等の熱源２が設けられている。また球面状
のサブストレート４は自公転可能な取付冶具に保持され
る様になっており、サブストレートは熱源２からの輻射
熱により加熱される。この様にして蒸着の均−化及び多
量のサブストレートの蒸着処理が図られている。しかし
乍ら前述の如く、短時間にザブストレートの全面を均一
に加熱することが難しく、またアルミニウム等の低融点
金属のサブストレートの場合には熱源２に近い側すなわ
ちサブストレートの周縁部が熱変形するおそれがある。
本発明は以上の様な従来の真空加熱方法の欠点を改善し
、短時間に大量のサブストレートの蒸着処理が可能なグ
ロー放電を利用した真空加熱方法を提供することを目的
とする。
、短時間に大量のサブストレートの蒸着処理が可能なグ
ロー放電を利用した真空加熱方法を提供することを目的
とする。
本発明に依る真空加熱方法は、蒸着チャンバを真空にし
た後、先ずグローｔＩｉ電によりサブストレートを所定
温度まで加熱し、その後グロー放電による加熱を停止し
た後ランプ等による輻射熱による加熱を行いザブストレ
ートの温度を維持しつつ蒸着を行うことが特徴である。
た後、先ずグローｔＩｉ電によりサブストレートを所定
温度まで加熱し、その後グロー放電による加熱を停止し
た後ランプ等による輻射熱による加熱を行いザブストレ
ートの温度を維持しつつ蒸着を行うことが特徴である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について詳細に
説明する。
説明する。
第３図は本発明による真空加熱方法を実施するための装
置の一例を示している。図に於いて蒸着ヂ１？ンバ５の
下方部分にはベリリウム（Ｂｅ ）等の蒸着源６が配置
され、その近傍にはランプ若しくはヒータから成る輻射
熱源２が設けられており、アルミニウム等から成る球面
状サブストレー１〜４はその上方に自公転自在な取付治
具に保持される。
置の一例を示している。図に於いて蒸着ヂ１？ンバ５の
下方部分にはベリリウム（Ｂｅ ）等の蒸着源６が配置
され、その近傍にはランプ若しくはヒータから成る輻射
熱源２が設けられており、アルミニウム等から成る球面
状サブストレー１〜４はその上方に自公転自在な取付治
具に保持される。
すなわちサブストレート４にはその中心軸の後方に自公
転リング８が固定され、自公転レール７に係合している
。これ等の自公転リング８及び自公転レール７は導電性
の材料から成り、またさらに図示せぬ駆動動力源により
サブストレート４が蒸着チャンバ５の中心軸の回りに公
転し、かつ各々のサブストレート４は自身の中心軸の回
りに自転する様に駆動される。また蒸着源６のごく近い
上方には電極１５が設けられている。
転リング８が固定され、自公転レール７に係合している
。これ等の自公転リング８及び自公転レール７は導電性
の材料から成り、またさらに図示せぬ駆動動力源により
サブストレート４が蒸着チャンバ５の中心軸の回りに公
転し、かつ各々のサブストレート４は自身の中心軸の回
りに自転する様に駆動される。また蒸着源６のごく近い
上方には電極１５が設けられている。
蒸着チトンバ５の外部には直流電源９が設けられており
、そのマイナス側端子には複数の安定抵抗１０が直列接
続され、その最終端は蒸着チ１？ンバ５内の自公転レー
ル７に接続されている。また直流電源９のプラス側端子
は蒸着チトンバ５内の電極１５に接続されており、かつ
バイアス抵抗１４を介して接地されている。この様にし
てサブストレート４と電極１５との間に所定電位が印加
される構成であるが、さらに安定抵抗１０の各々には並
列にスイッチ１１が接続されており、印加電力の増減が
可能になっている。加えて、蒸着チャンバ５は接地され
ており、またニードルバルブ１２を介してグロー放電用
ガス供給源１３が接続されている。
、そのマイナス側端子には複数の安定抵抗１０が直列接
続され、その最終端は蒸着チ１？ンバ５内の自公転レー
ル７に接続されている。また直流電源９のプラス側端子
は蒸着チトンバ５内の電極１５に接続されており、かつ
バイアス抵抗１４を介して接地されている。この様にし
てサブストレート４と電極１５との間に所定電位が印加
される構成であるが、さらに安定抵抗１０の各々には並
列にスイッチ１１が接続されており、印加電力の増減が
可能になっている。加えて、蒸着チャンバ５は接地され
ており、またニードルバルブ１２を介してグロー放電用
ガス供給源１３が接続されている。
以上の如ぎ装置を用いて本発明による真空加熱方法を実
施づることができるのであるが、その説明に入る前に、
本発明の特徴及び効果の理解を容易に１−るため、ここ
で再び従来の代表的な蒸着工程のための加熱方法につい
て第４図のグラフを参照しながら説明−りる。
施づることができるのであるが、その説明に入る前に、
本発明の特徴及び効果の理解を容易に１−るため、ここ
で再び従来の代表的な蒸着工程のための加熱方法につい
て第４図のグラフを参照しながら説明−りる。
生竹分子を蒸着づる工程は以下の手順で行われる。先づ
”にＪ−タリーポンプを用いて荒引ぎを行い魚着ヂＩ７
ンバ内の気圧を１０−２］−旧゛ｒ程麿まで引下げる。
”にＪ−タリーポンプを用いて荒引ぎを行い魚着ヂＩ７
ンバ内の気圧を１０−２］−旧゛ｒ程麿まで引下げる。
次に拡散ポンプ若しくはタ、ライＡポンプを用い−Ｕ１
０ １−ｏｒｒから１０−’ Ｔｏ ｒｒ程度まで本引
きを行い真空度を高めると同時にリブストレートの加熱
を開始する。サブストレー１への加熱はヒータ又はラン
プを用いて蒸着分子の融点絶対温度−ｌ ｍの１／３稈
Ｗ （０，３Ｔｍ ）以上の温度まで行われる。ザブス
］−レートの温度が所定値に達した後に電子銃又はヒー
タを用いて必要な膜厚になるまで蒸着が行われる。その
後真空中に放置−リ−るか又【よガス冷却によりサブス
トレートが取り出し可能な温度以下になるまで冷却を行
う。
０ １−ｏｒｒから１０−’ Ｔｏ ｒｒ程度まで本引
きを行い真空度を高めると同時にリブストレートの加熱
を開始する。サブストレー１への加熱はヒータ又はラン
プを用いて蒸着分子の融点絶対温度−ｌ ｍの１／３稈
Ｗ （０，３Ｔｍ ）以上の温度まで行われる。ザブス
］−レートの温度が所定値に達した後に電子銃又はヒー
タを用いて必要な膜厚になるまで蒸着が行われる。その
後真空中に放置−リ−るか又【よガス冷却によりサブス
トレートが取り出し可能な温度以下になるまで冷却を行
う。
以上の工程に於いて充分な蒸着密麿を得るために；Ｊザ
ブス１ヘレーｉ〜の温度を、蒸着分子の融点絶対温度を
Ｔｍどして０．３７ｍ以上に加熱する必要すく有ること
がＭｏｖｃｈａｎの報告から明らかであり、例えばベリ
リウム（Ｂｅ ）の場合は丁ｍ＝１５６０’ Ｋ ＜１
２８７°Ｃ）であるため０．３１−ｍｌよおよそ２００
℃〜２４０℃である。２４０℃に達するまでの所要時間
はヒータ加熱の場合は９０分程庶であり、時間の短縮が
望まれる。またヒータを増設すれば昇温速度を高めるこ
とができるが蒸着チャンバの容積を人さく ７１’る必
要があり、真空引の所要時間が増加づる欠点が有る。ま
たヒータが固定されているため局所加熱となり、均一な
加熱が難しい欠点が生じる。
ブス１ヘレーｉ〜の温度を、蒸着分子の融点絶対温度を
Ｔｍどして０．３７ｍ以上に加熱する必要すく有ること
がＭｏｖｃｈａｎの報告から明らかであり、例えばベリ
リウム（Ｂｅ ）の場合は丁ｍ＝１５６０’ Ｋ ＜１
２８７°Ｃ）であるため０．３１−ｍｌよおよそ２００
℃〜２４０℃である。２４０℃に達するまでの所要時間
はヒータ加熱の場合は９０分程庶であり、時間の短縮が
望まれる。またヒータを増設すれば昇温速度を高めるこ
とができるが蒸着チャンバの容積を人さく ７１’る必
要があり、真空引の所要時間が増加づる欠点が有る。ま
たヒータが固定されているため局所加熱となり、均一な
加熱が難しい欠点が生じる。
以上の條な従来技術の欠点を改善するため、本発明では
、第５図に図示される如き加熱方法が第３図の装置を用
いて行われる。
、第５図に図示される如き加熱方法が第３図の装置を用
いて行われる。
図示された如く、従来技術と同様にロータリポンプ等を
用い先ずおよそｉｏ−’〜１．０”Ｔｏｒｒまで荒引き
が行われる。次に拡散ポンプ又はタリーポンプを用いて
およそ１０−′〜１０−ゝＴＱｒｒまで本引ぎが行われ
る。その後ニードルバルブ１２の操作及び所定の排気弁
の調整によりアルゴンＡｒ等の放電用ガスを最適放電の
真空度（１０−’〜１０’ Ｔｏｒｒ ） Ｊ、て封入
する。なおこの真空度は電流の調整にまり貸當グ［］−
放電が可能な領域内にある。この時点てグＤ −ｊ）り
電による加熱を開始りるが、放電開始１．旨こはスイッ
チ１１を全て開放づることにより蒸着チャンバ５内のア
ウトガスにより放電が不安定になることを防止している
。その後リブス１へレートの温度が上４するにつれて放
電が安定ηるため順次スイッチ１１を閉じ、放電電力を
増加させていく、なお、このグロー放電による加熱の間
もニードルバルブ１２及び排気系操作により蒸着チ１７
ンバ５内の真空度が維持される。
用い先ずおよそｉｏ−’〜１．０”Ｔｏｒｒまで荒引き
が行われる。次に拡散ポンプ又はタリーポンプを用いて
およそ１０−′〜１０−ゝＴＱｒｒまで本引ぎが行われ
る。その後ニードルバルブ１２の操作及び所定の排気弁
の調整によりアルゴンＡｒ等の放電用ガスを最適放電の
真空度（１０−’〜１０’ Ｔｏｒｒ ） Ｊ、て封入
する。なおこの真空度は電流の調整にまり貸當グ［］−
放電が可能な領域内にある。この時点てグＤ −ｊ）り
電による加熱を開始りるが、放電開始１．旨こはスイッ
チ１１を全て開放づることにより蒸着チャンバ５内のア
ウトガスにより放電が不安定になることを防止している
。その後リブス１へレートの温度が上４するにつれて放
電が安定ηるため順次スイッチ１１を閉じ、放電電力を
増加させていく、なお、このグロー放電による加熱の間
もニードルバルブ１２及び排気系操作により蒸着チ１７
ンバ５内の真空度が維持される。
次にサブストレー１〜の温度が０．３１−ｍに達した時
点で再び荒引及び本引きを行い、蒸着チトンバ内の真空
度を１０−１〜１０−’ １−ｏｒｒ程度に高める。こ
れと同時にグロー放電を停止し、ランプ（ヒータ）によ
る加熱に切換えてサブストレートの温度を０．３１−ｍ
程度にイ＾つ。ここで蒸着を開始し、所定の膜厚を得た
時点で蒸着を停止し、真空中での放置又は冷却ガスを用
いてυジス１へレートの冷却を行う。
点で再び荒引及び本引きを行い、蒸着チトンバ内の真空
度を１０−１〜１０−’ １−ｏｒｒ程度に高める。こ
れと同時にグロー放電を停止し、ランプ（ヒータ）によ
る加熱に切換えてサブストレートの温度を０．３１−ｍ
程度にイ＾つ。ここで蒸着を開始し、所定の膜厚を得た
時点で蒸着を停止し、真空中での放置又は冷却ガスを用
いてυジス１へレートの冷却を行う。
以上の工程に於いて放電用ガスの封入の前の水引を省略
して荒引の後直ちに放電用ガスの１４人を１？ｆｌ始り
ることも可能である。またランプ又はと−タ等の輻射熱
源による加熱をグロー放電による加熱とイノ１合しで行
っても良く、この場合はランプ（ヒータ）周辺のガス扱
けが速まり蒸着開始までの旧聞を短縮することが可能で
ある。
して荒引の後直ちに放電用ガスの１４人を１？ｆｌ始り
ることも可能である。またランプ又はと−タ等の輻射熱
源による加熱をグロー放電による加熱とイノ１合しで行
っても良く、この場合はランプ（ヒータ）周辺のガス扱
けが速まり蒸着開始までの旧聞を短縮することが可能で
ある。
また上）ホの如くグロー加熱の電力を段階的に増加させ
る理由はグロー加熱の揚台急速な温度上昇をＩｎ ＜た
め、加熱開始時の電力が人であるとアラ１〜ガスが多罪
に光生するため放゛市が不安定になる冑れがあるためで
ある。特に直流電源として電流ｌ１１１限型安定化電源
を用いると、多罪のアラ１〜ガスのｌＣめ真空度が悪く
なりその結果絶えず過大電流が流れ電源が０Ｎ−ＯＦＦ
を繰り返すことになる。
る理由はグロー加熱の揚台急速な温度上昇をＩｎ ＜た
め、加熱開始時の電力が人であるとアラ１〜ガスが多罪
に光生するため放゛市が不安定になる冑れがあるためで
ある。特に直流電源として電流ｌ１１１限型安定化電源
を用いると、多罪のアラ１〜ガスのｌＣめ真空度が悪く
なりその結果絶えず過大電流が流れ電源が０Ｎ−ＯＦＦ
を繰り返すことになる。
従って加熱速度か遅くなるとともに過大電流によるスパ
ークによりサブストレートが損傷する。この様な理由に
より上記の如く複数の安定抵抗１０を挿入し、段階的に
電力を増加させ、アウトガスの発生を抑制しつつ急速な
加熱を実現している。
ークによりサブストレートが損傷する。この様な理由に
より上記の如く複数の安定抵抗１０を挿入し、段階的に
電力を増加させ、アウトガスの発生を抑制しつつ急速な
加熱を実現している。
以上の様に、本発明による真空加熱方法は異常グロー放
電領域を利用し、サブストレートの全面にわたって近傍
の電界が強力になるため急速かつ均熱加熱が可能になる
。さらに副次的電界としてグロー放電によるスパッタリ
ング電界により蒸着工程の前にサブストレートの表面の
洗浄が行われる利点がある。このため蒸着時のアウトガ
スの発生が抑制され、蒸る膜の膜質が良い。
電領域を利用し、サブストレートの全面にわたって近傍
の電界が強力になるため急速かつ均熱加熱が可能になる
。さらに副次的電界としてグロー放電によるスパッタリ
ング電界により蒸着工程の前にサブストレートの表面の
洗浄が行われる利点がある。このため蒸着時のアウトガ
スの発生が抑制され、蒸る膜の膜質が良い。
また本願発明による真空加熱方法は微細加工を要求され
ない厚膜の蒸着工程等に特に適しており、種々の分野に
応用され得ることは明らかである。
ない厚膜の蒸着工程等に特に適しており、種々の分野に
応用され得ることは明らかである。
第１図は従来の真空加熱装置の一例を示す模式図、第２
図は従来の真空加熱装置の他の例を示す模式図、第３図
は本発明による真空加熱方法のために用いる装置の一例
を示ず模式図、第４図は従来の真空加熱方法の一例を示
すグラフ、第５図は本願発明による真空加熱方法の場合
の蒸着チャンバ内のガス圧及びサブストレートの温度上
昇を示す図である。 主要部分の符号の説明 ２・・・・・・輻射熱源 ４・・・・・・サブストレート ５・・・・・・蒸着チャンバ ６・・・・・・蒸着源 ９・・・・・・直流電源 １２・・・・・・ニードルバルブ １３・・・・・・グロー放電用ガス供給源出願人 パイ
オニア株式会社 代理人 弁理士 藤村元彦 （外１名）
図は従来の真空加熱装置の他の例を示す模式図、第３図
は本発明による真空加熱方法のために用いる装置の一例
を示ず模式図、第４図は従来の真空加熱方法の一例を示
すグラフ、第５図は本願発明による真空加熱方法の場合
の蒸着チャンバ内のガス圧及びサブストレートの温度上
昇を示す図である。 主要部分の符号の説明 ２・・・・・・輻射熱源 ４・・・・・・サブストレート ５・・・・・・蒸着チャンバ ６・・・・・・蒸着源 ９・・・・・・直流電源 １２・・・・・・ニードルバルブ １３・・・・・・グロー放電用ガス供給源出願人 パイ
オニア株式会社 代理人 弁理士 藤村元彦 （外１名）
Claims (2)
- （１） 所定の蒸着源を納めた蒸着チャンバ内に配置さ
れたザブス１へレートを加熱するための真空加熱方法で
あって、前記蒸着チャンバは所定の＋ＩＦ気系により排
気可能で、また所定のグロー放電用ガス源が接続され、
その内部には所定の輻射熱源が設けられ、前記サブスト
レート（、Ｌ所定の取付治具を介しでグ１」−放電用電
源に接続されており、前記グロー放電用ガスを前記蒸着
チャンバ内に１０−１〜１０ ’ Ｔ ｏｒｒの圧力ま
で導入覆る工程と、少くとも前記グロー放電用電源から
の電力を用もＸだグロー放電による加熱によりリーブス
トレートの温度を蒸着源の融点絶対温度をＴｌｌ１とし
て０．３丁ｍ４づ近まで上昇させる工程と、グロー放電
を停止しかつグロー放電用ガスを蒸着チャンバから排出
し、前記輻射熱源によりシブストレートの温度を維持し
つつ蒸着を行う工程とから成ることを特徴どする真空加
熱方法。 - （２） 前記グロー放電用電源と、前記取付治具との間
には電力調整手段が設けられ、グロー放電による加熱の
開始時にグロー放雷の電力を徐々に増加させる様にした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の真空加
熱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20718383A JPS60100671A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空加熱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20718383A JPS60100671A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空加熱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100671A true JPS60100671A (ja) | 1985-06-04 |
Family
ID=16535616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20718383A Pending JPS60100671A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | 真空加熱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107723675A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 东莞颠覆产品设计有限公司 | 物理气相沉积设备和物理气相沉积方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104188A (ja) * | 1974-01-24 | 1975-08-16 |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP20718383A patent/JPS60100671A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50104188A (ja) * | 1974-01-24 | 1975-08-16 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107723675A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-02-23 | 东莞颠覆产品设计有限公司 | 物理气相沉积设备和物理气相沉积方法 |
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