JPS599951A - 多層セラミツク基板のリ−ドピン取付構造 - Google Patents
多層セラミツク基板のリ−ドピン取付構造Info
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- JPS599951A JPS599951A JP11838082A JP11838082A JPS599951A JP S599951 A JPS599951 A JP S599951A JP 11838082 A JP11838082 A JP 11838082A JP 11838082 A JP11838082 A JP 11838082A JP S599951 A JPS599951 A JP S599951A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多層セラミック基板のリードピン取付構造に係
シ、特に、ノ・イブリッド集積回路を構成する多層セラ
ミック基板に電極用リードビンを確実に取シ付けるに好
適な多層セラミック基板のリードピン取付構造に関する
。
シ、特に、ノ・イブリッド集積回路を構成する多層セラ
ミック基板に電極用リードビンを確実に取シ付けるに好
適な多層セラミック基板のリードピン取付構造に関する
。
従来のこの種の多層セラミック基板のリードピン取付構
造は、アルミナ（Ａｔｘ Ｏｓ ）グリーンシート（セ
ラミックを焼成する前のやわらかな帯状のものをいう）
を積層し、あるいはアルミナグリーンシート上に絶縁層
及びタングステン等を薄膜化した導体層を交互に印刷し
焼成することによって得られる多層セラミック基板に、
既に印刷された導体パッド上に電極用の突き尚て型リー
ドビンを銀ろう材でろう付けして固着する構造であった
。
造は、アルミナ（Ａｔｘ Ｏｓ ）グリーンシート（セ
ラミックを焼成する前のやわらかな帯状のものをいう）
を積層し、あるいはアルミナグリーンシート上に絶縁層
及びタングステン等を薄膜化した導体層を交互に印刷し
焼成することによって得られる多層セラミック基板に、
既に印刷された導体パッド上に電極用の突き尚て型リー
ドビンを銀ろう材でろう付けして固着する構造であった
。
尚、前記アルミナグリーンシートの替シに、例えばジル
コニア（ＺＩｚＯｚ）グリーンシートを用いてもよい。
コニア（ＺＩｚＯｚ）グリーンシートを用いてもよい。
ところが印刷された導体層とセラミックの接続強度が比
較的小さい為に、はんだ付は後の熱収縮等によシ、セラ
ミック中にクラックが入り、リードピン接続信頼性を著
しく低下させるという欠点があった。
較的小さい為に、はんだ付は後の熱収縮等によシ、セラ
ミック中にクラックが入り、リードピン接続信頼性を著
しく低下させるという欠点があった。
本発明の目的は、かかる従来技術の欠点を解消し、導体
パッド周囲にクラックの入るのを防止してリードピンの
取付の信頼性を向上させた多層セラミック基板のリード
ピンの取付構造を提供することにある。
パッド周囲にクラックの入るのを防止してリードピンの
取付の信頼性を向上させた多層セラミック基板のリード
ピンの取付構造を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、多層セ ゛ラミ
ック基板に印刷された半導体パッドにリードピンを固着
し当該導体パッドの端部周辺が充分におおわれるように
絶縁層を設けたものである。
ック基板に印刷された半導体パッドにリードピンを固着
し当該導体パッドの端部周辺が充分におおわれるように
絶縁層を設けたものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明するが、そ
の前に本発明の基礎となったリードピンの取付構造につ
いて第１図乃至第３図を参照しな１゜ がら説明する。
の前に本発明の基礎となったリードピンの取付構造につ
いて第１図乃至第３図を参照しな１゜ がら説明する。
第１図は、多層セラミック基板を有する集積回路（以下
、単にＩＣという）、その他の部品等を搭載したプリン
ト板を示す斜視図である。
、単にＩＣという）、その他の部品等を搭載したプリン
ト板を示す斜視図である。
図において、プリント板１０上の所定の位置には、ＩＣ
１２，１２，・・・・・・、コンデンサ等の部品１４．
１４．・・・・・・、及び多層セラミック基板を有する
ハイブリッドＩＣ１６，１６が搭載されている。プリン
ト板１０に搭載される部品の内、ハイブリッドＩＣ１６
には多、１−セラミック基板にリードピンがろう材によ
シ取シ付は固着されたアキシャルピン型のリードピン取
付構造を有している。
１２，１２，・・・・・・、コンデンサ等の部品１４．
１４．・・・・・・、及び多層セラミック基板を有する
ハイブリッドＩＣ１６，１６が搭載されている。プリン
ト板１０に搭載される部品の内、ハイブリッドＩＣ１６
には多、１−セラミック基板にリードピンがろう材によ
シ取シ付は固着されたアキシャルピン型のリードピン取
付構造を有している。
第２図は、上述のようなリードピン取付構造を持つ多１
層セラミック基板のり−ドビン取付構造を示す断面図で
あシ、また第３図は第２図Ａ部分のリードピン取付構造
の拡大図である。
層セラミック基板のり−ドビン取付構造を示す断面図で
あシ、また第３図は第２図Ａ部分のリードピン取付構造
の拡大図である。
図に示されるように、リードピン取付構造は、積層セラ
ミック２１０両面に絶縁層２２と導体層２３を交互に印
刷し、１６０７：’程度の温度で焼成した後、表面導体
パッド２４にリードピン２５を銀ろう２６でろう付けし
て固着した構造を有している。
ミック２１０両面に絶縁層２２と導体層２３を交互に印
刷し、１６０７：’程度の温度で焼成した後、表面導体
パッド２４にリードピン２５を銀ろう２６でろう付けし
て固着した構造を有している。
このような構成になるリードピン取付構造によれば、リ
ードピン２５を表面導体パッド２４に銀ろう２６で接続
する構造としたので、後工程でのリードピン２５の予備
はんだ付作業において付着したけんだ２７とセラミック
２１の熱膨張係数差によって疲労応力を生じ、表面導体
パッド２４とセラミック２１の界面にクラック２８が発
生し接続強度が著しく低下する。実験によれば、垂直に
引張υ試験を行なった結果、初期強度１ｏ〜／咽２の接
続強度があったのに対し、ヒートサイクル試験機によシ
自動的に、１５０Ｃ（３０分）４−＋２５Ｃ（３分）→
−６５ｔ：’（３０分）のヒートサイクルを１ザイクル
として、４５サイクルの試験の後に垂直に引張シ試験を
行なった結果、その接続強度は０．５〜Ｉ Ｒｐ ／
ｒｔｖｎ ”まで低下することがわかった。
ードピン２５を表面導体パッド２４に銀ろう２６で接続
する構造としたので、後工程でのリードピン２５の予備
はんだ付作業において付着したけんだ２７とセラミック
２１の熱膨張係数差によって疲労応力を生じ、表面導体
パッド２４とセラミック２１の界面にクラック２８が発
生し接続強度が著しく低下する。実験によれば、垂直に
引張υ試験を行なった結果、初期強度１ｏ〜／咽２の接
続強度があったのに対し、ヒートサイクル試験機によシ
自動的に、１５０Ｃ（３０分）４−＋２５Ｃ（３分）→
−６５ｔ：’（３０分）のヒートサイクルを１ザイクル
として、４５サイクルの試験の後に垂直に引張シ試験を
行なった結果、その接続強度は０．５〜Ｉ Ｒｐ ／
ｒｔｖｎ ”まで低下することがわかった。
第４図は、本発明に係るリードピン取付構造の一実施例
を示す断面図であシ、また第５図は第４図Ｂ部分のリー
ドピン取付構造を拡大して示す断面図である。図におい
て、リードピン取付構造は、積層セラミック２１の両面
に絶縁層２２と導体層２３を交互に印刷して設けると共
に表面導体パッド２４を印刷して設け、この表面導体パ
ッド２４の周辺を充分におおわれるように絶縁層３ｏを
設け、あるいはアルミナシート３０を印刷するかあるい
は積層することによって配設し、焼成した後、リードピ
ン２シを導体パッド２４上に銀ろう２６によってろう付
けして構成されている。
を示す断面図であシ、また第５図は第４図Ｂ部分のリー
ドピン取付構造を拡大して示す断面図である。図におい
て、リードピン取付構造は、積層セラミック２１の両面
に絶縁層２２と導体層２３を交互に印刷して設けると共
に表面導体パッド２４を印刷して設け、この表面導体パ
ッド２４の周辺を充分におおわれるように絶縁層３ｏを
設け、あるいはアルミナシート３０を印刷するかあるい
は積層することによって配設し、焼成した後、リードピ
ン２シを導体パッド２４上に銀ろう２６によってろう付
けして構成されている。
ここで、絶縁層３０は、該導体パッド２４の端部周辺が
充分おおわれるように、その端部よシ所定の幅Ｄ（リー
ドピン２５等の大きさにもよるが、例えば、Ｄ ＝ ０
．１ ｍｍ 〜０．５ ＋ａ ）以上にわたってリード
ピン２５側に設けられるようにする。
充分おおわれるように、その端部よシ所定の幅Ｄ（リー
ドピン２５等の大きさにもよるが、例えば、Ｄ ＝ ０
．１ ｍｍ 〜０．５ ＋ａ ）以上にわたってリード
ピン２５側に設けられるようにする。
このように構成したリードピン取付構造によれば、クラ
ック発生点であるリードピン２５を取シ付けた導体パッ
ド２４の周囲を絶縁層３０またはセラミックシート３０
でおさえている為、はんだ２７が応中集中の発生する導
体パッド２４の最外部（端部）まで付着せず、従って、
クラックが発生することもない。しかして、さらにリー
ドピン２５を図示下方に引張ると、導体パッド２４が図
示Ｐ点付近から破れてリードピン２５が取れてしまうが
、そのときの引張シ強度は、導体パッド２４がタングス
テンの薄膜でできているので、そのタングステン強度の
２４ （Ｋｙ／ｍ” ）までは該導体パッド２４部にク
ラックが発生しない。
ック発生点であるリードピン２５を取シ付けた導体パッ
ド２４の周囲を絶縁層３０またはセラミックシート３０
でおさえている為、はんだ２７が応中集中の発生する導
体パッド２４の最外部（端部）まで付着せず、従って、
クラックが発生することもない。しかして、さらにリー
ドピン２５を図示下方に引張ると、導体パッド２４が図
示Ｐ点付近から破れてリードピン２５が取れてしまうが
、そのときの引張シ強度は、導体パッド２４がタングス
テンの薄膜でできているので、そのタングステン強度の
２４ （Ｋｙ／ｍ” ）までは該導体パッド２４部にク
ラックが発生しない。
本実施例によれば、上述した条件と同様のヒートサイク
ル試験をヒートサイクル試験機で実施した後に、引張り
試験機で引張υ試験を行うと、初期強度１０ ＣＫｑ／
ｒｒｒｍ２〕あったのに対し、４５サイクルのヒートサ
イクル試験後もｉ ｏ〔Ｋｇ／Ｗ２）の強度が得られる
ことが確認できた。
ル試験をヒートサイクル試験機で実施した後に、引張り
試験機で引張υ試験を行うと、初期強度１０ ＣＫｑ／
ｒｒｒｍ２〕あったのに対し、４５サイクルのヒートサ
イクル試験後もｉ ｏ〔Ｋｇ／Ｗ２）の強度が得られる
ことが確認できた。
以上述べたように本発明によれば、リードピンを固着す
る導体パッドの周辺を絶縁層で充分におおったので、リ
ードピンの取付を確実なものとすることができ、高信頼
性のリードビン取付構造を提供できる効果がある。
る導体パッドの周辺を絶縁層で充分におおったので、リ
ードピンの取付を確実なものとすることができ、高信頼
性のリードビン取付構造を提供できる効果がある。
第１図はプリント板にアキ／キルビンタイプのセラミッ
ク基板を利用した部品を搭載した例を示す斜視図、第２
図は本発明の基礎となった多層セラミック基板のリード
ビン取付構造の構成を示す断面図、第３図は第２図Ａ部
を拡大して示す断面図、第４図は本発明に係る多層セラ
ミック基板のリードビン取付構造の一実施例を示す断面
図、第５図は第４図Ｂ部を拡大して示す断面図である。 ２１・・・積層セラミック、２２・・・印刷絶縁層、２
３・・・導体層、２４・・・導体パッド、ｅ５・・・リ
ードピン、２６・・・銀ろう付は部、２７・・・はんだ
付は部分、２８・・・クラック、３０・・・絶縁層。 茅 １ 目 茅２目 茅３目
ク基板を利用した部品を搭載した例を示す斜視図、第２
図は本発明の基礎となった多層セラミック基板のリード
ビン取付構造の構成を示す断面図、第３図は第２図Ａ部
を拡大して示す断面図、第４図は本発明に係る多層セラ
ミック基板のリードビン取付構造の一実施例を示す断面
図、第５図は第４図Ｂ部を拡大して示す断面図である。 ２１・・・積層セラミック、２２・・・印刷絶縁層、２
３・・・導体層、２４・・・導体パッド、ｅ５・・・リ
ードピン、２６・・・銀ろう付は部、２７・・・はんだ
付は部分、２８・・・クラック、３０・・・絶縁層。 茅 １ 目 茅２目 茅３目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、多層セラミック基板の表面導体パッドに電極用リー
ドピンを固着し、前記表面導体パッドの端部周辺が充分
におおわれるように絶縁層を設けて構成したことを特徴
とする多ノーセラミック基板のリードピン取付構造。 ２、特許請求の範囲第１項記載の多層セラミック基板の
リードピン取付構造において、前記絶縁層は、これを複
数回印刷することによって構成されたことを特徴とする
多層セラミック基板のリードピン取付構造。 ３、特許請求の範囲第１項記載の多ｊｉｍセラミック基
板のリードピン取付構造において、前記絶縁層は、グリ
ーンシートを複数枚重ねて焼成することによシ構成され
たことを特徴とする多層セラミック基板のリードピン取
付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11838082A JPS599951A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 多層セラミツク基板のリ−ドピン取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11838082A JPS599951A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 多層セラミツク基板のリ−ドピン取付構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599951A true JPS599951A (ja) | 1984-01-19 |
| JPS634949B2 JPS634949B2 (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=14735263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11838082A Granted JPS599951A (ja) | 1982-07-09 | 1982-07-09 | 多層セラミツク基板のリ−ドピン取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599951A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211253A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Matsushita Electronics Corp | 電子部品パツケ−ジ |
| JPS6424846U (ja) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | ||
| JPH0388354A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Ibiden Co Ltd | 半導体パッケージ |
| US6359332B2 (en) | 2000-02-03 | 2002-03-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Printed-wiring substrate having lead pins |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457452U (ja) * | 1977-09-30 | 1979-04-20 | ||
| JPS5548700A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | Atomic power plant |
| JPS5759454U (ja) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | ||
| JPS5778651U (ja) * | 1980-10-30 | 1982-05-15 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335873A (en) * | 1976-09-15 | 1978-04-03 | Tokico Ltd | Enclosed type cylinder device |
-
1982
- 1982-07-09 JP JP11838082A patent/JPS599951A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5457452U (ja) * | 1977-09-30 | 1979-04-20 | ||
| JPS5548700A (en) * | 1978-10-04 | 1980-04-07 | Tokyo Shibaura Electric Co | Atomic power plant |
| JPS5759454U (ja) * | 1980-09-26 | 1982-04-08 | ||
| JPS5778651U (ja) * | 1980-10-30 | 1982-05-15 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211253A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Matsushita Electronics Corp | 電子部品パツケ−ジ |
| JPH0150108B2 (ja) * | 1983-05-17 | 1989-10-27 | Matsushita Electronics Corp | |
| JPS6424846U (ja) * | 1987-08-06 | 1989-02-10 | ||
| JPH0388354A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Ibiden Co Ltd | 半導体パッケージ |
| US6359332B2 (en) | 2000-02-03 | 2002-03-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Printed-wiring substrate having lead pins |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS634949B2 (ja) | 1988-02-01 |
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