JPS5994568A - 非貴金属基板上への半導体チツプの溶接取付け法 - Google Patents
非貴金属基板上への半導体チツプの溶接取付け法Info
- Publication number
- JPS5994568A JPS5994568A JP58136924A JP13692483A JPS5994568A JP S5994568 A JPS5994568 A JP S5994568A JP 58136924 A JP58136924 A JP 58136924A JP 13692483 A JP13692483 A JP 13692483A JP S5994568 A JPS5994568 A JP S5994568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- metal substrate
- precious metal
- welding
- brazing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01059—Praseodymium [Pr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
溶接して取付けるための方法に関する。
半導体技術分野において今日広く採用されている方法に
よると,非貴金属(好ましくは銅又はその合金)から成
る金属基板をまず貴金属(金又は銀)によるメッキに付
し、それから、いわゆる「ブレホーム」即ち金属ろう材
のタブレット(錠状体)を、この「ブレホーム」の溶融
温度に加熱した金属基板上に載置し、次いで「ブレホー
ム」上に半導体チップを取付けることが行われている。
よると,非貴金属(好ましくは銅又はその合金)から成
る金属基板をまず貴金属(金又は銀)によるメッキに付
し、それから、いわゆる「ブレホーム」即ち金属ろう材
のタブレット(錠状体)を、この「ブレホーム」の溶融
温度に加熱した金属基板上に載置し、次いで「ブレホー
ム」上に半導体チップを取付けることが行われている。
貴金属メッキは,それが被晋することになる内方又は下
方の非貴金属基板が酸化し,それにより好ましい溶接が
阻害されるのを避けるため必要とされるものであるが、
これに要する費用は無視し得ないものであり、またこの
費用が最終製品の原価に反映されるのは必然である。
方の非貴金属基板が酸化し,それにより好ましい溶接が
阻害されるのを避けるため必要とされるものであるが、
これに要する費用は無視し得ないものであり、またこの
費用が最終製品の原価に反映されるのは必然である。
本発明の目的は、上記貴金属メッキ処理を回避し、同時
に非常に高品質の溶接取付けの行い得る、上記種類の溶
接取付は法を実現することにある。
に非常に高品質の溶接取付けの行い得る、上記種類の溶
接取付は法を実現することにある。
本発明によればこの目的は、ろう材の溶融温度に予熱し
た非貴金属の基板上にろう材のタブレットを置き、引続
きこのタブレット上に半導体チップを載置し、これを取
付ける既知の工程から成り、上記ろう材タブレットを載
置する直前及びその載置の開弁貴金属基板に還元ガス炎
を当てることを特徴とする非貴金属基板上への半導体チ
ップの溶接取付は法を提供することにより達成される。
た非貴金属の基板上にろう材のタブレットを置き、引続
きこのタブレット上に半導体チップを載置し、これを取
付ける既知の工程から成り、上記ろう材タブレットを載
置する直前及びその載置の開弁貴金属基板に還元ガス炎
を当てることを特徴とする非貴金属基板上への半導体チ
ップの溶接取付は法を提供することにより達成される。
換言すれば1本発明の方法によれば5従来貴金属メツキ
により行われて来ている酸化防止を気体の還元炎によっ
て行ない、すると還元炎が「プレホーム」載置の直前及
び同載置時に溶接部位に作用して、酸化物の生成を解消
し、その結果完全な溶接が得られる。従って、得られる
技術上の最終結果は従来技術におけるそれと異なるとこ
ろはないのであるが、高価な貴金属の使用が回避し得る
のであるから製造原価及び最終製品原価の低廉化の効果
は明らかである。
により行われて来ている酸化防止を気体の還元炎によっ
て行ない、すると還元炎が「プレホーム」載置の直前及
び同載置時に溶接部位に作用して、酸化物の生成を解消
し、その結果完全な溶接が得られる。従って、得られる
技術上の最終結果は従来技術におけるそれと異なるとこ
ろはないのであるが、高価な貴金属の使用が回避し得る
のであるから製造原価及び最終製品原価の低廉化の効果
は明らかである。
当然、還元ガスの種類及び還元炎の温度の両者を慎重に
選定し、前者については最善の還元効果のあがるよう、
また後者については半導体チップに汚れのおそれのない
ようはかることが必要である。この点に関し、本発明に
よれば水素との混合ガス(例えば水素20チ及び窒素8
0チ)を採用し、570℃以下の還元炎温度とするのが
好ましい。
選定し、前者については最善の還元効果のあがるよう、
また後者については半導体チップに汚れのおそれのない
ようはかることが必要である。この点に関し、本発明に
よれば水素との混合ガス(例えば水素20チ及び窒素8
0チ)を採用し、570℃以下の還元炎温度とするのが
好ましい。
上記に関し正しい選定が行われるならば、本発明による
方法は、集積化されたもの及び例えばトランジスター等
の集積化されていないもの等、全ゆる種類の半導体チッ
プに有効に適用可能である。
方法は、集積化されたもの及び例えばトランジスター等
の集積化されていないもの等、全ゆる種類の半導体チッ
プに有効に適用可能である。
また、半導体製品の外方接続部を成す金属接点への金属
線又はチップの溶接も本発明の用途範囲に含まれるもの
である。
線又はチップの溶接も本発明の用途範囲に含まれるもの
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ろう材の溶融温度に予熱した非貴金属基板」二にろ
う材を載置し1次いでこのろう材上に半導体チップを載
置し、これを取付ける工程から成り、上記ろう材装置の
直前及びその載置の間、非貴金属基板に還元ガス炎を当
てることを特徴とする非貴金属基板上への半導体チップ
の溶接数例は法。 2、還元ガス炎の温度を570℃以下に保つことを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の非貴金属基板上へ
の半導体チップの溶接取付は法。 3、還元ガスが水素混合ガスであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の非貴金属基板上への半導体
チップの溶接取付は法。 4、還元ガスが水素20%及び窒素80%から成ること
を特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の非貴金属基
板への半導体チップの溶接取付は法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT8224328A IT1210953B (it) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | Metodo per la saldatura di piastrine di semiconduttore su supporti di metallo non nobile. |
IT24328A/82 | 1982-11-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5994568A true JPS5994568A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=11213116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58136924A Pending JPS5994568A (ja) | 1982-11-19 | 1983-07-28 | 非貴金属基板上への半導体チツプの溶接取付け法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4615478A (ja) |
JP (1) | JPS5994568A (ja) |
CH (1) | CH656021A5 (ja) |
DE (1) | DE3326322A1 (ja) |
FR (1) | FR2536585B1 (ja) |
GB (1) | GB2130946B (ja) |
IT (1) | IT1210953B (ja) |
NL (1) | NL190035C (ja) |
SG (1) | SG89288G (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3905690A1 (de) * | 1989-02-24 | 1990-08-30 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zum flussmittelfreien beschichten, traenken und loeten |
US6267782B1 (en) * | 1997-11-20 | 2001-07-31 | St. Jude Medical, Inc. | Medical article with adhered antimicrobial metal |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4962345A (ja) * | 1972-10-18 | 1974-06-17 | ||
JPS5666374A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Soldering method |
JPS5742175U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-08 | ||
JPS5747579A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | Solder dipping method |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB424370A (en) * | 1934-01-04 | 1935-02-20 | Carl Banscher | Improvements relating to the soldering of aluminium or aluminium alloys |
GB891398A (en) * | 1957-09-20 | 1962-03-14 | Western Electric Co | Improvements in or relating to methods of tinning and soldering zinc-containing surfaces and to solder joints including such surfaces |
US3132419A (en) * | 1959-06-06 | 1964-05-12 | Takikawa Teizo | Method for soldering silicon or a silicon alloy to a diefferent metal |
NL271535A (ja) * | 1960-11-21 | 1900-01-01 | ||
NL260810A (ja) * | 1961-02-03 | |||
US3217401A (en) * | 1962-06-08 | 1965-11-16 | Transitron Electronic Corp | Method of attaching metallic heads to silicon layers of semiconductor devices |
US3378361A (en) * | 1965-01-29 | 1968-04-16 | Dexco Corp | Method of making a tool for removing material from workpieces and product thereof |
US3555669A (en) * | 1967-12-15 | 1971-01-19 | Int Rectifier Corp | Process for soldering silicon wafers to contacts |
DE1803489A1 (de) * | 1968-10-17 | 1970-05-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes |
US3665590A (en) * | 1970-01-19 | 1972-05-30 | Ncr Co | Semiconductor flip-chip soldering method |
US3680196A (en) * | 1970-05-08 | 1972-08-01 | Us Navy | Process for bonding chip devices to hybrid circuitry |
US3744121A (en) * | 1970-08-15 | 1973-07-10 | Asahi Glass Co Ltd | Process for soldering difficultly solderable metals, such as si, ge, al, ti, zr and ta |
US3735911A (en) * | 1971-04-30 | 1973-05-29 | Ibm | Integrated circuit chip repair tool |
GB1389542A (en) * | 1971-06-17 | 1975-04-03 | Mullard Ltd | Methods of securing a semiconductor body to a support |
US3923609A (en) * | 1973-12-19 | 1975-12-02 | Ppg Industries Inc | Method of joining silicon metal |
DE2511210C3 (de) * | 1975-03-14 | 1980-03-06 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren und Vorrichtung zum Tauchlöten von Halbleiterbauelementen |
US4278195A (en) * | 1978-12-01 | 1981-07-14 | Honeywell Inc. | Method for low temperature bonding of silicon and silicon on sapphire and spinel to nickel and nickel steel and apparatus using such _a bonding technique |
DE2923440A1 (de) * | 1979-06-09 | 1980-12-11 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum befestigen und/oder elektrischen verbinden von halbleiterkoerpern und/oder von deren elektrisch leitenden metallteilen |
DE2939666C2 (de) * | 1979-09-29 | 1982-07-15 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur lunkerfreien Verlötung eines metallisierten Halbleiterplättchens mit einem Träger |
-
1982
- 1982-11-19 IT IT8224328A patent/IT1210953B/it active
-
1983
- 1983-06-10 US US06/503,256 patent/US4615478A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-06-30 FR FR8310873A patent/FR2536585B1/fr not_active Expired
- 1983-07-21 DE DE19833326322 patent/DE3326322A1/de active Granted
- 1983-07-26 GB GB08320040A patent/GB2130946B/en not_active Expired
- 1983-07-28 JP JP58136924A patent/JPS5994568A/ja active Pending
- 1983-08-11 NL NLAANVRAGE8302820,A patent/NL190035C/xx not_active IP Right Cessation
- 1983-10-25 CH CH5786/83A patent/CH656021A5/it not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-12-27 SG SG892/88A patent/SG89288G/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4962345A (ja) * | 1972-10-18 | 1974-06-17 | ||
JPS5666374A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Soldering method |
JPS5742175U (ja) * | 1980-08-14 | 1982-03-08 | ||
JPS5747579A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | Solder dipping method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG89288G (en) | 1989-11-17 |
DE3326322A1 (de) | 1984-05-24 |
GB2130946B (en) | 1986-03-12 |
IT8224328A0 (it) | 1982-11-19 |
NL190035C (nl) | 1993-10-01 |
FR2536585B1 (fr) | 1988-09-23 |
IT1210953B (it) | 1989-09-29 |
CH656021A5 (it) | 1986-05-30 |
NL190035B (nl) | 1993-05-03 |
FR2536585A1 (fr) | 1984-05-25 |
NL8302820A (nl) | 1984-06-18 |
GB8320040D0 (en) | 1983-08-24 |
US4615478A (en) | 1986-10-07 |
DE3326322C2 (ja) | 1989-12-21 |
GB2130946A (en) | 1984-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103409654B (zh) | 银-金-钯合金凸点制作线 | |
US6444562B1 (en) | Nickel alloy films for reduced intermetallic formation in solder | |
JPH10237691A (ja) | 多層メッキリードフレーム | |
EP0790647A2 (de) | Halbleiterkörper mit Lotmaterialschicht und Verfahren zum Auflöten des Halbleiterkörpers auf eine metallene Trägerplatte | |
CN1196389C (zh) | 半导体芯片与衬底的焊接 | |
JPH04115558A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JP2007158327A (ja) | スズメッキ又はスズメッキから形成された金属間層を備えるリードフレーム | |
US3982908A (en) | Nickel-gold-cobalt contact for silicon devices | |
JPS5994568A (ja) | 非貴金属基板上への半導体チツプの溶接取付け法 | |
JPS62197292A (ja) | Si半導体素子をCu基合金製リードフレームに少ない残留熱歪ではんだ付けする方法 | |
JPH01257356A (ja) | 半導体用リードフレーム | |
KR100998042B1 (ko) | 리드 프레임 및 이를 구비한 반도체 패키지의 제조방법 | |
JPS63169056A (ja) | リ−ドフレ−ム材料 | |
JP2003133361A (ja) | ボンディングワイヤー | |
TWI429769B (zh) | 無鍍層鈀網合金線及其製造方法 | |
JPS639957A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
JPS6256597A (ja) | 電子部品のメツキ方法 | |
JP3757539B2 (ja) | 半導体装置用ステム | |
JPH0362560A (ja) | はんだ付け適性仕上げを形成する方法 | |
JPS58100967A (ja) | 金属部品の製造方法 | |
JPS63304654A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH0226787B2 (ja) | ||
JP3311376B2 (ja) | バンプ形成方法 | |
JPH0558259B2 (ja) | ||
JPH08325744A (ja) | 無電解ニッケル−ホウ素めっき皮膜の活性化方法 |