DE2939666C2 - Verfahren zur lunkerfreien Verlötung eines metallisierten Halbleiterplättchens mit einem Träger - Google Patents

Verfahren zur lunkerfreien Verlötung eines metallisierten Halbleiterplättchens mit einem Träger

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Description

Ausführungsbeispiele
1. Ringförmiger Lotrahmen (F i g. 1)
Als spezielle Ausführungsform ist in F i g. 1 ein ringförmiger Lotrahmen 1 mit einem quadratischen Plättchen 2 gewählt worden. Mit der geforderten Lotschichtdicke <£ unter dem Plättchen, der Ausgangsdicke d\ des Lotringes 1 und der Kantenlänge a des Plättchens 2 läßt sich mit Vorgabe eines inneren Lotringradius R\ der äußere Lotringradius /?2 'inter der Annahme bestimmen, daß das gesamte Lotmaterial unter das Plättchen 2 fließt Diet■■? Annahme hat sich bei vielen Lötversuchen als recht gut zutreffend erwiesen. Für den äußeren Lotringradius Λ2 ergibt sich:
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren nach dem übereinstimmenden Oberbegriff der Ansprüche 1 und 4.
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden große Anstrengungen unternommen, um eine möglichst lunkerfreie Verbindung zwischen dem Halbleiterplättchen und dem wärmeableitenden Träger zu bekommen, weil die Lunker den thermischen Widerstand zwischen dem Halbleiterplättchen und dem Träger entscheidend verschlechtern. Das Auftreten von Lunkern bei der Plättchenverlötung kann prinzipiell auf drei Ursachen zurückgeführt werden:
!. Es rührt von Gaseinschlüssen im Lot her, welche auf eine ungünstige Strömung des Lotes beim Aufschmelzvorgang zurückzuführen sind.
2. Es rührt von nichtlötfähigen Verunreinigungen auf der Lotfolienoberfläche her.
3. Durch Verunreinigungen werden Zonen auf der Metallisierung des Plättchens bzw. dem Träger vom Lot nicht benetzt.
Für die Breite b des Auflagesegmentes ergibt sich:
b=V2-(a/2-VR2 t-(a/2)2).
Der innere Lotringradius R\ kann nicht beliebig gewählt werden. Seine Auswahl unterliegt der einschränkenden Bedingung, daß die Breite der Lotfront, welche am Anfang des Schmelzprozesses der Breite des Auflagesegments entspricht, einen gewissen Wert nicht überschreiten darf. Beim Aufschmelzen wird das Lot von den Auflagepunkten 11, 12, 13, 14 durch
bo Kapillarkraft zur Plättchenmitte gezogen. Es hat sich experimentell gezeigt, daß bei zu großer Breite b des Auflagesegments die Lotfront beim Zusammentreffen in der Plättchenmitte noch zu breit ist, so daß dort das Gas nicht entweichen kann und ein Zentrallunker entsteht.
Als kritischer Wert hat sich hierfür das b/a-Verhältnis ergeben. In Tabelle 1 ist das Ergebnis der Versuche mit zwei Lotringen angegeben:
Tabelle
Lotringmafle
(in mm)
Versuch
Versuch 2
5,7 5,7
3,33 3,656
4,03 4,30
1,59 0,792
0,28 0,14
8 von 20 keine
Zentrallunker
Bei Versuch 1 mit einem ö/a-Verhältnis von 0,28 trat bei 8 von 20 Lötu.ngen in der Plättchenmitte ein Zentrallunker auf. Bei Versuch 2 mit £>/a=0,14 wurde überhaupt kein Zentrallunker mehr beobachtet. Die Grenze für das Auftreten von Zentrallunkern muß also zwischen 0,28 und 0,14 liegen.
Nach der Vereinigung der vier Lotfronten in der Plättchenmitte läuft der Vorgang ähnlich wie beim Lotkreuz ab. Das weitere von außen herantranspor
tierte Lot führt zur Verbreiterung der Diagonalen und zur Abdrängung des Gases nach außen, bis die ganze Plättchenfläche gleichmäßig mit Lot ausgefüllt ist.
2. Rechteckiges oder beliebig gestaltetes
Lotpliittchen mit einem, zwei oder mehreren
beliebig gestalteten Ärmchen (F i g. 2)
Entsprechend Anspruch 4 und Fig.2 wird ein Lotplättchen 1 mit zwei Ärmchen ib. Ic, einem rechteckigen Lotreservoir la und ein quadratisches Plättchen 2 verwendet Die beiden Ärmchen Ib, ic ragen ein Stückchen unter das Plättchen 2, der Lottransport vom Reservoir la unter das Plättchen 2 erfolgt ebenfalls durch Kapillarwirkung. Bei Verwendung von nur zwei Ärmchen Ib, ic ist die Gefahr des Auftretens von Zentrallunkern ausgeschaltet. Allerdings muß dafür Sorge getragen werden, daß das Plättchen 2 nicht durch die Kapillarwirkung, zum Lotreservoir la gezogen werden kann. Vorteilhafterweise erfolgt das durch einen lose auf der Unterlage liegenden Anschlag 3, der die Bewegung des Plättchens 2 zum Lotreservoir la verhindert.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur lunkerfreien Verlötung eines metailisierten Halbleiterplättchens mit einem Träger unter Verwendung einer Lotfolie, bei welchem die Lotfolie zwischen das Halbleiterplättchen und den Träger gelegt wird und dann das aus dem Träger, der Lotfolie und dem Halbleiterplättchen bestehende System auf Löttemperatur erwärmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine rahmenförmige Lotfolie (1) verwendet und so zwischen den Träger und das Halbleiterplättchen (2) gelegt wird, daß die Ecken (11, 12, 13, 14) des Halbleiterplättchens (2) auf der rahmenförmigen Lotfolie (1) aufliegen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als rahmenförmige Lotfolie (1) eine rechteckige, vieleckige, runde oder elliptische Lotfolie verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß zum Verlöten eines quadratischen Halbleiterpiättchens (2) die Größe der rahmenförmigen Lotfolie (1) so gewählt wird, daß die Breite (b) des Auflagesegments (11, 12, 13, 14) des Halbleiterplättchens (2) auf der rahmenförmigen Lotfolie (1) kleiner als ein Fünftel der Kantenlänge (a)aes Halbleiterplättchens (2) ist
4. Verfahren zur lunkerfreien Verlötung eines metallisierten Halbleiterplättchens mit einem Träger unter Verwendung einer Lotfolie, bei welchem die Lotfc^e zwischen das Halbleiterplättchen und den Träger gelegt wird und dann das aus dem Träger, der Lotfolie und dem Halbleiterplättchen bestehende System auf Löttemperatur erwärmt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine beliebig gestaltete Lotfolie (1) mit einem großflächigen Reservoirbereich (la) und mindestens einem beliebig gestalteten Ärmchen (ib, ic) verwendet wird, wobei sich der großflächige Reservoirbereich (\a) außerhalb des Halbleiterplättchens (2) befindet und das Ärmchen (ib, 1 counter das Halbleiterplättchen (2) greift.
Zur Vermeidung von Lunkern durch Gaseinschlüsse
sind in der DE-AS 20 32 939 Lotkreuze vorgeschlagen
worden. Beim Aufschmelzen der Lotkreuze wird das zwischen den Diagonalen der Kreuze vorhandene Restgas durch das Lot mittels Kapillarwirkung unter dem Plättchen herausgedrängt. Wenn jedoch das Lotkreuz auf der Oberfläche eine nicht lötfähige Verunreinigung aufweist, so muß hier mit einer Fehlbenetzung des Lotes und mit einem Lunker
lü gerechnet werden.
Das anmeldungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 oder des Anspruchs 4 hat demgegenüber den Vorteil, daß eine lunkerfreie Lötung auch beim Auftreten von teilweise verunreinigten Lotfolienoberflächen, die bei einer Mengenfertigung unvermeidlich sind, gewährleistet ist.
An Hand der Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 die Auflage eines quadratischen Halbleiterplättchens auf eine Ringlotfolie mit Momentaufnahme der Lotfrontausbreitung,
Fig.2a die Auflage eines quadratischen Halbleiterplättchens auf eine Lotfolie mit rechteckigem Reservoirbereich und mit zwei Ärmchen in der Draufsicht,
F i g. 2b die Anordnung nach F i g. 2a im Schnitt.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3326322A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 SGS-ATES Componenti Elettronici S.p.A., 95121 Catania Verfahren zum schweissen von halbleiterchips auf traeger aus nicht-edelmetallen
DE3635708A1 (de) * 1986-10-21 1988-04-28 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren und anordnung zur kontaktierung einer elektrode mit mehreren emitter-/kathoden-bereichen eines halbleiterbauelementes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3226554A1 (de) * 1982-07-16 1984-01-19 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur verloetung eines loetfaehigen plaettchens mit einem traeger
DE3777522D1 (de) * 1986-10-17 1992-04-23 Hitachi Ltd Verfahren zum herstellen einer gemischten struktur fuer halbleiteranordnung.
DE4322715A1 (de) * 1993-07-08 1995-01-12 Bosch Gmbh Robert Bauelementeinheit mit lunkerarmer Lötverbindung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3326322A1 (de) * 1982-11-19 1984-05-24 SGS-ATES Componenti Elettronici S.p.A., 95121 Catania Verfahren zum schweissen von halbleiterchips auf traeger aus nicht-edelmetallen
DE3635708A1 (de) * 1986-10-21 1988-04-28 Bbc Brown Boveri & Cie Verfahren und anordnung zur kontaktierung einer elektrode mit mehreren emitter-/kathoden-bereichen eines halbleiterbauelementes

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