JPS5994458A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
- Publication number
- JPS5994458A JPS5994458A JP57204019A JP20401982A JPS5994458A JP S5994458 A JPS5994458 A JP S5994458A JP 57204019 A JP57204019 A JP 57204019A JP 20401982 A JP20401982 A JP 20401982A JP S5994458 A JPS5994458 A JP S5994458A
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Links
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- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は蛇行チャンネル形の電荷転送装置(以下MOC
Dと略称する)に関するものであり、特にインターライ
ントランスファー構成の固体撮像装置ならびにダイナミ
ックメモリを形成するためにCODレジスタをシリアル
・パラレル・シリアル構成(以下SPS構成と略称する
)とした場きに垂直レジスタと水平レジそ夕との接続部
すなゎちコーナー・メーン部の構造を簡単化したSPS
・MOCI)に関する。
Dと略称する)に関するものであり、特にインターライ
ントランスファー構成の固体撮像装置ならびにダイナミ
ックメモリを形成するためにCODレジスタをシリアル
・パラレル・シリアル構成(以下SPS構成と略称する
)とした場きに垂直レジスタと水平レジそ夕との接続部
すなゎちコーナー・メーン部の構造を簡単化したSPS
・MOCI)に関する。
(至)技術の背景
CODは、古くは、短冊型からなる転送電極を多数枚並
行して配列し該転送電極と直角方向に電荷転送を行わし
めるいわゆる従来型であったが、近年、帯状の1対から
なる転送電極を備え電荷転送路を当該転送電極の長手方
向に沿う蛇行型としたいわゆるミアンダチャンネ/1/
COD、すなわちMOCDが開発されるに至った。
行して配列し該転送電極と直角方向に電荷転送を行わし
めるいわゆる従来型であったが、近年、帯状の1対から
なる転送電極を備え電荷転送路を当該転送電極の長手方
向に沿う蛇行型としたいわゆるミアンダチャンネ/1/
COD、すなわちMOCDが開発されるに至った。
一方、シフトレジスタとしての役割を果すCODの応用
としては第1図に示したように、電荷を最初は矢印イ方
向に送り、第1の水平方向レジスタ1の各ビットから電
荷を分配して次には垂直方向レジヌタ2a〜2dのそれ
ぞれ中を矢印口方向に流し、最後には第2の水平方向レ
ジスタ8の各ビットにおいて、これら電荷を収集し、矢
印ハ方向に転送するいわゆるSPS構成のものが開発さ
れるに及んで、これをそのままダイナミックメモリとし
て用いたり、あるいは各垂直方向レジスタ2a〜2dの
各ビットに隣接してそれぞれ受光部をもうけ、固体撮像
装置とするなどの技術が発達して来た。ちなみに、この
ようなSPS構成のCCDを固体撮像装置として用いる
場合には、第1の水平方向レジスタlは省略されること
になる。
としては第1図に示したように、電荷を最初は矢印イ方
向に送り、第1の水平方向レジスタ1の各ビットから電
荷を分配して次には垂直方向レジヌタ2a〜2dのそれ
ぞれ中を矢印口方向に流し、最後には第2の水平方向レ
ジスタ8の各ビットにおいて、これら電荷を収集し、矢
印ハ方向に転送するいわゆるSPS構成のものが開発さ
れるに及んで、これをそのままダイナミックメモリとし
て用いたり、あるいは各垂直方向レジスタ2a〜2dの
各ビットに隣接してそれぞれ受光部をもうけ、固体撮像
装置とするなどの技術が発達して来た。ちなみに、この
ようなSPS構成のCCDを固体撮像装置として用いる
場合には、第1の水平方向レジスタlは省略されること
になる。
<c> 従来技術と問題点
ところで上記従来型のCODを用いてS、 P S構成
を達成しようと思えば、多数の転送電極5,6ならびに
複数個のパスライン7.8を必要とするためにいわゆる
コーナー・ターン部4が第2図に見られるように複雑に
ならざるを得ないという欠点がある。しかも1つの転送
電極に対して1つのコンタクトホー/I/9がそれぞれ
必要となるために。
を達成しようと思えば、多数の転送電極5,6ならびに
複数個のパスライン7.8を必要とするためにいわゆる
コーナー・ターン部4が第2図に見られるように複雑に
ならざるを得ないという欠点がある。しかも1つの転送
電極に対して1つのコンタクトホー/I/9がそれぞれ
必要となるために。
こうした部分の作製に手数がかかり製造工程を増やして
しまうという不都合もある。ただし第2図では面牟のた
めに垂直レジスタと第2の水平レジスタ3とのコーナー
・ターン部のみを示したものであり、第1の水平レジス
タ1と垂直レジスタとのコーナー・ターン部は図示を省
略しである。ちなみに、φIV〜φ4vは垂直レジスタ
の駆動電圧であって、これらは金属性のパスライン7t
−介シテ転送電極5に印加されるものであり、φlH〜
φ4Hは水平レジスタの駆動電圧であって、これらはや
はり金属性のパスライン8を介して転送電極6に印加さ
れる性質の、ものである。
しまうという不都合もある。ただし第2図では面牟のた
めに垂直レジスタと第2の水平レジスタ3とのコーナー
・ターン部のみを示したものであり、第1の水平レジス
タ1と垂直レジスタとのコーナー・ターン部は図示を省
略しである。ちなみに、φIV〜φ4vは垂直レジスタ
の駆動電圧であって、これらは金属性のパスライン7t
−介シテ転送電極5に印加されるものであり、φlH〜
φ4Hは水平レジスタの駆動電圧であって、これらはや
はり金属性のパスライン8を介して転送電極6に印加さ
れる性質の、ものである。
■ 発明の目的
そこで本発明は王妃従来の欠点に鑑み、コーナー・ター
ン部の電極構成が極めて簡単でパスラインを必要とせず
、しかもコンタクトホーμをいちいち設けずにすむ構成
のCODを提供することを目的とする。
ン部の電極構成が極めて簡単でパスラインを必要とせず
、しかもコンタクトホーμをいちいち設けずにすむ構成
のCODを提供することを目的とする。
(e)発明の構成
そしてこの目的は、本発明によれば複数本の垂直方向シ
フトレジスタと、当該複数本の垂直方向シフトレジスタ
によってそれぞれ転送されて来た電荷を収集する水平方
向シフトレジスタとをそなえてなる形式の構成において
、上記垂直および水平方向シフトレジスタの両者を共に
蛇行チャンネル形となしたことを特徴とする電荷転送装
置によって達成される。
フトレジスタと、当該複数本の垂直方向シフトレジスタ
によってそれぞれ転送されて来た電荷を収集する水平方
向シフトレジスタとをそなえてなる形式の構成において
、上記垂直および水平方向シフトレジスタの両者を共に
蛇行チャンネル形となしたことを特徴とする電荷転送装
置によって達成される。
C)発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳述する。
第3図(a)は本発明によるSPS構成のCCDのコー
ナー・ターン部を示したものであるが、本実施例は固体
撮像装置の場合を例として示されているので第1の水平
方向シフトレジスタは不必要である。したがって以下で
は)1.記第2のシフトレジスタを単に水平方向シフト
レジスタと呼ぶことにする。
ナー・ターン部を示したものであるが、本実施例は固体
撮像装置の場合を例として示されているので第1の水平
方向シフトレジスタは不必要である。したがって以下で
は)1.記第2のシフトレジスタを単に水平方向シフト
レジスタと呼ぶことにする。
同図において30は垂直レジスタの要部を、まfC31
は水平レジスタの要部を、それぞれ表わしており、lO
aは垂直レジスタのチャンネル・ストップ(以下電荷堰
と呼ぶ)であって101)は水平レジスタの電荷堰であ
る。そして、11は光電変換を行う単位のV@累として
働ぐ受光部であって、当該受光部で生じた電荷は、移送
グー)12に移送、 ″dL圧φTが印加されれば、
当該移送ゲート直下に生じたチャンネルを介して矢印ホ
のように垂直レジスタの1ビツト中に供給される。ちな
みに18として示したものは、垂直レジスタ80の重荷
堰loaに設けられた電荷流入口でちゃ、14として示
した部分は転送電荷の蓄積部、また15として示した部
分は転送電荷の障壁部すなわち電荷案内領域である。こ
の電荷案内領域15は蓄積部14よりも不純物を高くド
ープしである。
は水平レジスタの要部を、それぞれ表わしており、lO
aは垂直レジスタのチャンネル・ストップ(以下電荷堰
と呼ぶ)であって101)は水平レジスタの電荷堰であ
る。そして、11は光電変換を行う単位のV@累として
働ぐ受光部であって、当該受光部で生じた電荷は、移送
グー)12に移送、 ″dL圧φTが印加されれば、
当該移送ゲート直下に生じたチャンネルを介して矢印ホ
のように垂直レジスタの1ビツト中に供給される。ちな
みに18として示したものは、垂直レジスタ80の重荷
堰loaに設けられた電荷流入口でちゃ、14として示
した部分は転送電荷の蓄積部、また15として示した部
分は転送電荷の障壁部すなわち電荷案内領域である。こ
の電荷案内領域15は蓄積部14よりも不純物を高くド
ープしである。
このために第3図(b)に示したように電位の井戸(以
下単に井戸と略称する)51.52が生じるようになっ
ており、井戸52は井戸51よりも浅くなっているため
に電荷58は矢印へのように流れる。
下単に井戸と略称する)51.52が生じるようになっ
ており、井戸52は井戸51よりも浅くなっているため
に電荷58は矢印へのように流れる。
第8図(a)に見られる垂直レジスタ30ならびに水平
レジスタ81は同図かられかるようにミアンダチャンネ
ルすなわち蛇行形チャンネルとなっている。このため帯
状の転送電i41.42にそれぞれ転送電圧φl ’V
+φ2vが、そしてまた、やはり帯状の転送を極48
.44に転送電圧φIH・φ2Hが、それぞれ交互に印
加されるだけで、と述した準8図(6)中の矢印へ方向
の電荷53の流れが生じ、4つして電荷58は矢印へと
反対方向に逆流したりすることはない。
レジスタ81は同図かられかるようにミアンダチャンネ
ルすなわち蛇行形チャンネルとなっている。このため帯
状の転送電i41.42にそれぞれ転送電圧φl ’V
+φ2vが、そしてまた、やはり帯状の転送を極48
.44に転送電圧φIH・φ2Hが、それぞれ交互に印
加されるだけで、と述した準8図(6)中の矢印へ方向
の電荷53の流れが生じ、4つして電荷58は矢印へと
反対方向に逆流したりすることはない。
受光部11刀・ら垂直レジスタ30の蓄積部へ流れ込ん
だ電荷は矢印ト方向に蛇行して当該垂直レシヌタ中ヲ進
み、コーナー・ターン部ニおいて、水平レジスタ31中
へ、矢印チの方向に流入し、さらに水平レジワタ31中
では矢印すのようにやはり蛇行して転送されて行く。
だ電荷は矢印ト方向に蛇行して当該垂直レシヌタ中ヲ進
み、コーナー・ターン部ニおいて、水平レジスタ31中
へ、矢印チの方向に流入し、さらに水平レジワタ31中
では矢印すのようにやはり蛇行して転送されて行く。
リ 発明の効果
以北、詳細に説明したように、本発明の電荷転送装置に
おける水平レジヌタ、垂直しジヌタを共にMCCDで構
成すればコーナー・ターン部ノ電極構成は何ら複雑化さ
れることはなく、また帯状の4極41,42ならびに4
8.44がパスラインとしての役割を果すので、従来型
のように多くのパスラインの配設が不必要となる。そし
てまた、コンタクトホールをいちいち設ける必要もなく
なるために構造が非常に簡単化され、ひいては製造歩留
りが向1し、信頼性が向とするので実用と多大の効果が
期待できる。さらに第3図(a)に示したような組直レ
ジスタ部に受光素子を結合して2次元配列構成の固体撮
像装置を構成する場合、本発明によれば垂直レジヌタ部
の電極配置が簡単となるので装置面全体に占める受光素
子のトータル面積を大きくとることができ効果的な光電
菱換作用を行うことができる。
おける水平レジヌタ、垂直しジヌタを共にMCCDで構
成すればコーナー・ターン部ノ電極構成は何ら複雑化さ
れることはなく、また帯状の4極41,42ならびに4
8.44がパスラインとしての役割を果すので、従来型
のように多くのパスラインの配設が不必要となる。そし
てまた、コンタクトホールをいちいち設ける必要もなく
なるために構造が非常に簡単化され、ひいては製造歩留
りが向1し、信頼性が向とするので実用と多大の効果が
期待できる。さらに第3図(a)に示したような組直レ
ジスタ部に受光素子を結合して2次元配列構成の固体撮
像装置を構成する場合、本発明によれば垂直レジヌタ部
の電極配置が簡単となるので装置面全体に占める受光素
子のトータル面積を大きくとることができ効果的な光電
菱換作用を行うことができる。
第1図はSPS構造のCODの一般的構成図、第2図は
従来のCODのコーナー・ターン部の要部構造図、第3
図(a)は本発明に係るSPS構造のCCDのコーナー
・ターン部の要部構造図、第8図(6)は第3図(a)
の蓄積部と障壁部の電位の井戸を示す図である。 図において1は第1の水平方向シフトレジヌタ、2a〜
2dは垂直シフトレジヌタ、8は第2の水平方向シフト
レジヌク、4はコーナー・ターン部、5.6はCODの
転送電極%7.8はパスライン。 9はコンタクトホール、10a、 101)は電荷堰
、11は受光部、12は移送ゲート、18は電荷流入口
、14は蓄積部、15は障壁部、80.81はそれぞれ
蛇行形CODで構成された垂直および水平方向シフトレ
ジスタ、41,42,48.44は転送電極をそれぞれ
示す。
従来のCODのコーナー・ターン部の要部構造図、第3
図(a)は本発明に係るSPS構造のCCDのコーナー
・ターン部の要部構造図、第8図(6)は第3図(a)
の蓄積部と障壁部の電位の井戸を示す図である。 図において1は第1の水平方向シフトレジヌタ、2a〜
2dは垂直シフトレジヌタ、8は第2の水平方向シフト
レジヌク、4はコーナー・ターン部、5.6はCODの
転送電極%7.8はパスライン。 9はコンタクトホール、10a、 101)は電荷堰
、11は受光部、12は移送ゲート、18は電荷流入口
、14は蓄積部、15は障壁部、80.81はそれぞれ
蛇行形CODで構成された垂直および水平方向シフトレ
ジスタ、41,42,48.44は転送電極をそれぞれ
示す。
Claims (1)
- 複数本の垂直方向シフトレジスタと、当該複数本の垂直
方向シフトレジスタによってそれぞれ転送されて来た電
荷を収集する水平方向シフトレジスタとをそなえてなる
形式の構成において、上記垂直および水平方向シフトレ
ジスタの両者を共に蛇行チャンネlし形となしたことを
特徴とする電荷転送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57204019A JPS5994458A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57204019A JPS5994458A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5994458A true JPS5994458A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16483415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57204019A Pending JPS5994458A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5994458A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61260656A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-18 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2021052537A1 (de) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen | Manipulationszone für qubits in quantenpunkten |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57204019A patent/JPS5994458A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61260656A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-18 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2021052537A1 (de) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen | Manipulationszone für qubits in quantenpunkten |
WO2021052539A1 (de) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen | Verbindungsbauteil zur abzweigung für einzelelektronenbewegung |
WO2021052541A1 (de) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen | Elektronisches struktur-bauelement für logische verschaltungen von qubits |
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