JPS5988824A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPS5988824A JPS5988824A JP19760282A JP19760282A JPS5988824A JP S5988824 A JPS5988824 A JP S5988824A JP 19760282 A JP19760282 A JP 19760282A JP 19760282 A JP19760282 A JP 19760282A JP S5988824 A JPS5988824 A JP S5988824A
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造に用いる半導体薄板（ウェハ
）の主面の清浄化等全行なうウェハ処理装置に関する。
）の主面の清浄化等全行なうウェハ処理装置に関する。
半導体装置の製造において、ウェハに部分的に不純物原
子全拡散させたり、その表面に部分的に絶縁膜、配線膜
等音形成するウェハ処理工程がある。このウェハ処理工
程では部分的処理が必要々ことから、処理前に、ウニへ
の主面をホトレジスト膜で部分的にマスキングする。す
なわち、ウニ・・の主面全壊にホトレジス）ｋ塗布した
後、このホトレジスト金部分感光させ、現偉によって感
光部分あるいは非感光部分全除去し、マスキングケ行な
う。
子全拡散させたり、その表面に部分的に絶縁膜、配線膜
等音形成するウェハ処理工程がある。このウェハ処理工
程では部分的処理が必要々ことから、処理前に、ウニへ
の主面をホトレジスト膜で部分的にマスキングする。す
なわち、ウニ・・の主面全壊にホトレジス）ｋ塗布した
後、このホトレジスト金部分感光させ、現偉によって感
光部分あるいは非感光部分全除去し、マスキングケ行な
う。
ところで、ポジティブなホトレジストはネガティブなホ
トレジストに比べて低分子構造のため、ウェハとの接着
性（密着性）が悪く、ウェハから剥離し易い欠点がある
。この工うなホトレジストの剥離はマスキングが不正葎
になることから、適正な処理がなきれす、歩留の低下會
来たしてしまう。
トレジストに比べて低分子構造のため、ウェハとの接着
性（密着性）が悪く、ウェハから剥離し易い欠点がある
。この工うなホトレジストの剥離はマスキングが不正葎
になることから、適正な処理がなきれす、歩留の低下會
来たしてしまう。
前記ホトレジストの剥離全防止するために、ホトレジス
ト塗布前にはウェハの主面全純水で洗浄し、主面？清浄
化する方法が一般に採用されている。また、洗浄後には
ウェハ會加熱乾燥して主面の水分も除去している。しか
し、このような乾燥によってもウェハ主面には水分（水
配基）が残留し、ホトレジストの接着性上低下させてし
まうことが判明り、＊、そこで、従来、乾燥後にウェハ
主面に水分（水酸基）７分Ｍはせて蒸発させてしまうよ
うな作用？する処理ガス（たとえば、ヘキサチルＧシラ
ザンガス）を接触させてウェハの清浄化（以下、ウェハ
表面のレジストとの接着性強化処理ということがある。
ト塗布前にはウェハの主面全純水で洗浄し、主面？清浄
化する方法が一般に採用されている。また、洗浄後には
ウェハ會加熱乾燥して主面の水分も除去している。しか
し、このような乾燥によってもウェハ主面には水分（水
配基）が残留し、ホトレジストの接着性上低下させてし
まうことが判明り、＊、そこで、従来、乾燥後にウェハ
主面に水分（水酸基）７分Ｍはせて蒸発させてしまうよ
うな作用？する処理ガス（たとえば、ヘキサチルＧシラ
ザンガス）を接触させてウェハの清浄化（以下、ウェハ
表面のレジストとの接着性強化処理ということがある。
）を図る技術が開発されている。
従来、ウェハに処理ガス全接触はせる処理は、ウェハカ
ートリッジケースのような密閉容器内の底に処理液ケ８
人しておき、この容器内にカートリッジに保持畑わにウ
ニハゲ入れ、前記処理液の蒸発ガスがウェハの主面に接
触するのを持つことによって行なっていた。
ートリッジケースのような密閉容器内の底に処理液ケ８
人しておき、この容器内にカートリッジに保持畑わにウ
ニハゲ入れ、前記処理液の蒸発ガスがウェハの主面に接
触するのを持つことによって行なっていた。
しかしながら、このような従来技術にあっては、ウェハ
傍の処理状態が定量的に把握できない、作業性が悪く、
しかも自動化が回置である、という欠点があった。
傍の処理状態が定量的に把握できない、作業性が悪く、
しかも自動化が回置である、という欠点があった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、処理状
態か定量的に把握できるとともに、自動化が推進可能な
ウェハ処理装置全提供するにある。
態か定量的に把握できるとともに、自動化が推進可能な
ウェハ処理装置全提供するにある。
以下、本発明全図面に示す実施例Ｉにしたがって説明す
る。
る。
第１図は本発明によるウェハ処理装置の一実施例１ヶ示
す余１視図、第２図はその縦断面図である。
す余１視図、第２図はその縦断面図である。
本実施例Ｉにおいて、ウェハ処理装置はほぼ２段円盤形
状に形成された処理ステージ１全備えており、このステ
ージ１は昇降装置２によシ昇降するように設備されてい
る。ステージの上面３はウニ・・４？全体的に載置し得
るように形成されておシ、上面３には一苅の縦溝５が互
に平行かつ垂直にそれぞれ切設されている。第２図に示
すように、ステージ１の内部には加熱用のｗ気ヒータ６
が組み込まれており、ステージ１の底部には断熱層部７
が介設されている。また、ステージｌのフランジ部８の
上面にはシールリング９が同心的に配設されている。
状に形成された処理ステージ１全備えており、このステ
ージ１は昇降装置２によシ昇降するように設備されてい
る。ステージの上面３はウニ・・４？全体的に載置し得
るように形成されておシ、上面３には一苅の縦溝５が互
に平行かつ垂直にそれぞれ切設されている。第２図に示
すように、ステージ１の内部には加熱用のｗ気ヒータ６
が組み込まれており、ステージ１の底部には断熱層部７
が介設されている。また、ステージｌのフランジ部８の
上面にはシールリング９が同心的に配設されている。
第２図に示すように、ステージ１の縦溝５の底部には排
父口１０が穿設されており、この排気口１０には後記処
理ガス？処理室から排出する手段としての吸引装置１１
が接続されている。この吸引装＠１１け、圧縮空体供給
源１２と、減圧弁１３と、流量計１４と、真空発生器１
５と、放出口１６と、排ｑｖ路１７と、これに介設され
た排グ弁１８と、排気管路１７に並列に設けられタリー
ク管路１９と、リーク管路に介設されたリーク弁２０お
よびリーク量調節弁２１と金偏λている。
父口１０が穿設されており、この排気口１０には後記処
理ガス？処理室から排出する手段としての吸引装置１１
が接続されている。この吸引装＠１１け、圧縮空体供給
源１２と、減圧弁１３と、流量計１４と、真空発生器１
５と、放出口１６と、排ｑｖ路１７と、これに介設され
た排グ弁１８と、排気管路１７に並列に設けられタリー
ク管路１９と、リーク管路に介設されたリーク弁２０お
よびリーク量調節弁２１と金偏λている。
ステージ１の真上には上面閉塞下面開放のほぼ円筒形状
に形成された処理容器２２が同庁的に設けられており、
この容器２２はステージ１に相対的に被蓋してステージ
上面３の上方に気密室（処理室になる。）２３を作９出
すように形成されている。
に形成された処理容器２２が同庁的に設けられており、
この容器２２はステージ１に相対的に被蓋してステージ
上面３の上方に気密室（処理室になる。）２３を作９出
すように形成されている。
処理容器２２の上面壁の中心何首には下面閉塞のほぼ円
筒形状？なす供給筒２４が嵌入され、この筒２４の容器
２２内胴部には複数の供給口２５が放射状に穿設されて
いる。供給筒２４には前記莞密室２３内に処理ガス全供
給する手段としての処理ガス供給装置２６が接続されて
いる。この装置２６は処理ガス発生槽２７を備えており
、この槽２７の上部には他端全供給筒２４に接続された
管路２８の一端が接続されている。槽２７内にはへキザ
メチルＧシラザン液のようなウェハ表面のレジストとの
接着性強化剤液（処理液）２９が入れられ、この液中に
噴き込み管３０の一端が差し込まれている。噴き込み管
３０の他端は窒素ガス供給淵３１に接続され、減圧弁３
２、流量計３３および放出口３５との切換を行なう弁３
４を介して窒素ガスが処理液２９中Ｋ１１ｊｔ′＃込ま
れるようになっている。この結果、処理液２９中會惣泡
になって上昇する窒素ガス中にはへキサメチルＧシラザ
ンのようなレジストとの接着性強化剤が含まれることに
なｐｌこの処理ガスは管路２７を経て供給口２５から密
閉室２３内に入る。
筒形状？なす供給筒２４が嵌入され、この筒２４の容器
２２内胴部には複数の供給口２５が放射状に穿設されて
いる。供給筒２４には前記莞密室２３内に処理ガス全供
給する手段としての処理ガス供給装置２６が接続されて
いる。この装置２６は処理ガス発生槽２７を備えており
、この槽２７の上部には他端全供給筒２４に接続された
管路２８の一端が接続されている。槽２７内にはへキザ
メチルＧシラザン液のようなウェハ表面のレジストとの
接着性強化剤液（処理液）２９が入れられ、この液中に
噴き込み管３０の一端が差し込まれている。噴き込み管
３０の他端は窒素ガス供給淵３１に接続され、減圧弁３
２、流量計３３および放出口３５との切換を行なう弁３
４を介して窒素ガスが処理液２９中Ｋ１１ｊｔ′＃込ま
れるようになっている。この結果、処理液２９中會惣泡
になって上昇する窒素ガス中にはへキサメチルＧシラザ
ンのようなレジストとの接着性強化剤が含まれることに
なｐｌこの処理ガスは管路２７を経て供給口２５から密
閉室２３内に入る。
なお、第１図中、３６はウェハ４にステージ１上に搬入
する・ローダ、３７はステージ１からウニ・・４を搬出
するアンローダであり、ステージ１の縦溝５に対し想像
線で示すような矩形運動全行なうことによシ搬入搬出全
それぞれ実現する。
する・ローダ、３７はステージ１からウニ・・４を搬出
するアンローダであり、ステージ１の縦溝５に対し想像
線で示すような矩形運動全行なうことによシ搬入搬出全
それぞれ実現する。
次に作用全駅間する。
前工程で洗浄および乾燥等所定の前処理音節さｈ、ｔウ
ェハ４けローダ３６によってステージ１の上面３に搬入
載置される。ウェハ４が載置されると、昇降装置２によ
ってステージ１は上昇婆わ、真上に位置する処理容器２
２に倍大される。処理容器２２はシールリング９によっ
てシールてれ穴り密室２３全ステ一ジ面３土方に形成す
る。
ェハ４けローダ３６によってステージ１の上面３に搬入
載置される。ウェハ４が載置されると、昇降装置２によ
ってステージ１は上昇婆わ、真上に位置する処理容器２
２に倍大される。処理容器２２はシールリング９によっ
てシールてれ穴り密室２３全ステ一ジ面３土方に形成す
る。
ｆｉ’ｉ＃宰２３が形成されると、排気弁１８が排免位
置に切換わり、真空発生器１５により父密室２３の空免
ケ吸引して負圧化する。気密室２３が負圧になると、切
換弁３４が供給位置に切換わり、♀素ガスヶ処理ガス発
牛槽２７に噴き込み、発生した処理ガス？１［１密室２
３内に供給させる。他方、排莞弁１８が閉塞位置に切換
わるとともに、リーク弁２０がリーク位置に切換わ９、
真空発生器１５によりステージ１の排槃口１０を経て処
理室２３から被供給処理ガスを徐々に排出させる。し女
がって、処理室２３には常時、新鮮ガ処理ガスが充満式
れるとともに、一定した処理雰囲気が維持される。処理
ガスは処理室２３内に導入されるとき、供給口２５から
放射状に噴き出すため、噴出ガスが直接ウェハ表面に噴
き付くことはなく、室２３の雰囲気においてのみ接触す
る。
置に切換わり、真空発生器１５により父密室２３の空免
ケ吸引して負圧化する。気密室２３が負圧になると、切
換弁３４が供給位置に切換わり、♀素ガスヶ処理ガス発
牛槽２７に噴き込み、発生した処理ガス？１［１密室２
３内に供給させる。他方、排莞弁１８が閉塞位置に切換
わるとともに、リーク弁２０がリーク位置に切換わ９、
真空発生器１５によりステージ１の排槃口１０を経て処
理室２３から被供給処理ガスを徐々に排出させる。し女
がって、処理室２３には常時、新鮮ガ処理ガスが充満式
れるとともに、一定した処理雰囲気が維持される。処理
ガスは処理室２３内に導入されるとき、供給口２５から
放射状に噴き出すため、噴出ガスが直接ウェハ表面に噴
き付くことはなく、室２３の雰囲気においてのみ接触す
る。
処理室２３内において所定の雰囲槃ヲ形成した処理ガス
はウェハ４の主面に接ヤし、てこれに付着する水分（水
酸基）ｙａ−分解させることによシ、ウニ・・表面のレ
ジストとの接着性強化処理會実行する。蒸発し、汚れた
処理ガスは前配排クロ１０から外部如排褒され、新＃々
処理ガスと置′き換えられる。ガスの処理中、ウェハ４
は加熱され前記処理作用は助長される。
はウェハ４の主面に接ヤし、てこれに付着する水分（水
酸基）ｙａ−分解させることによシ、ウニ・・表面のレ
ジストとの接着性強化処理會実行する。蒸発し、汚れた
処理ガスは前配排クロ１０から外部如排褒され、新＃々
処理ガスと置′き換えられる。ガスの処理中、ウェハ４
は加熱され前記処理作用は助長される。
一定時間処理ガスが供給された後、切換弁３４が放出位
置に切換わシ、窒素ガスの供給は停止［７管内残留ガス
は放出口３５から放出これ、処理ガスの処理室２３への
供給は直ちに停止される。
置に切換わシ、窒素ガスの供給は停止［７管内残留ガス
は放出口３５から放出これ、処理ガスの処理室２３への
供給は直ちに停止される。
同時に、昇降装置２が作動してステージ１が下降され、
り密宰２３は開放する。ステージ１の下死点に至ると、
アンローダ３７が作動して処理済のウェハ４ケステージ
１上から搬出し、レジスト塗布１稈等所定の後処理工程
へと送り出す。
り密宰２３は開放する。ステージ１の下死点に至ると、
アンローダ３７が作動して処理済のウェハ４ケステージ
１上から搬出し、レジスト塗布１稈等所定の後処理工程
へと送り出す。
本実施［ｐＨによれば、新鮮な処理ガスが一定の雰四勿
會維持する処理室に被処理ウニ・・を１枚づつ封入して
レジストとの接着性強化処理紮実装するため、その処理
状態が定量的に把握できて処ＢＩＷ囲気の調整が容易に
々す、処理品質ケ一定に維持することができ、マタ、作
業性が向上するとともに、自動化會推進することができ
る。
會維持する処理室に被処理ウニ・・を１枚づつ封入して
レジストとの接着性強化処理紮実装するため、その処理
状態が定量的に把握できて処ＢＩＷ囲気の調整が容易に
々す、処理品質ケ一定に維持することができ、マタ、作
業性が向上するとともに、自動化會推進することができ
る。
なお、本発明は前記実施例に限定されず、例１えば、処
理容器側ケ可動にしてもよい（７、ローダ。
理容器側ケ可動にしてもよい（７、ローダ。
アンローダもベルトコンベア等に構成してもよく、装置
全体ケしてウェハ會バッチ処理するように構成してもよ
い。本発明はウニ・・表面のレジストとの接着性強化処
理に限らず、他の種々の処理會行なう処理装置にも適用
することができる。
全体ケしてウェハ會バッチ処理するように構成してもよ
い。本発明はウニ・・表面のレジストとの接着性強化処
理に限らず、他の種々の処理會行なう処理装置にも適用
することができる。
匂上貌明するように、本発明によれば、ウエノ・表面の
レジストとの接着性強化処理等の処理度ケ高めることが
できるとともに、品質の安定化ケトることができ、また
自動化ケ推進することができる。
レジストとの接着性強化処理等の処理度ケ高めることが
できるとともに、品質の安定化ケトることができ、また
自動化ケ推進することができる。
第１図は本発明によるウェー・処理装置の一実施Ｆ！Ａ
−ｌ ｗ示す剰視図、 第２図は同じく回路を含む縦断面図である。 １・・・ステージ、２・・・昇降装置、４・・・ウエノ
）、５・・・縦溝、９・・・シールリング、１０・・・
排気口、１１・・・吸引装置、１５・・・真空発生器、
１８・・・排気弁、２０・・・リークナ゛、２２・・・
処理容器、２３・・・気密室（処理室）、２５・・・供
給口、２６・・・処理ガス供給装置、２７・・・処理ガ
ス発生槽、３Ｌ・・・窒素ガス供給源。 第 １ 図 、？θ 第 ２ 図 ／７
−ｌ ｗ示す剰視図、 第２図は同じく回路を含む縦断面図である。 １・・・ステージ、２・・・昇降装置、４・・・ウエノ
）、５・・・縦溝、９・・・シールリング、１０・・・
排気口、１１・・・吸引装置、１５・・・真空発生器、
１８・・・排気弁、２０・・・リークナ゛、２２・・・
処理容器、２３・・・気密室（処理室）、２５・・・供
給口、２６・・・処理ガス供給装置、２７・・・処理ガ
ス発生槽、３Ｌ・・・窒素ガス供給源。 第 １ 図 、？θ 第 ２ 図 ／７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェハを載置自在なステージと、このステージに
接離自在で、ステージに密接した状態でウェハ上に槃密
室全形成する処理容器と、前記気密室内に処理ガス全供
給する処理ガス供給手段と、この供給された処理ガス？
２を密室から徐々に排出する排出手段と？備えてなるウ
ェハ処理装置。 ２、処理ガスが、レジスト接着促進改質剤ガスであるこ
とケ特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハ処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760282A JPS5988824A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19760282A JPS5988824A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988824A true JPS5988824A (ja) | 1984-05-22 |
Family
ID=16377201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19760282A Pending JPS5988824A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988824A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59228719A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 電子部品の製造方法および製造装置 |
| JPS6134948A (ja) * | 1984-05-21 | 1986-02-19 | マシン テクノロジ− インコ−ポレイテツド | 処理方法と装置 |
| JPS61119341U (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-28 | ||
| US5292684A (en) * | 1992-03-28 | 1994-03-08 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor device with improved contact and method of making the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513743U (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | ||
| JPS5685825A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Nec Corp | Thin film coating device of semiconductor wafer |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19760282A patent/JPS5988824A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS513743U (ja) * | 1974-06-25 | 1976-01-12 | ||
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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