JPS5987845A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS5987845A JPS5987845A JP19691082A JP19691082A JPS5987845A JP S5987845 A JPS5987845 A JP S5987845A JP 19691082 A JP19691082 A JP 19691082A JP 19691082 A JP19691082 A JP 19691082A JP S5987845 A JPS5987845 A JP S5987845A
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- etching
- thickness
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームをエツチング法により製造する
方法に係わり、特に、リードフレームのインナーリード
部やアイランド部を支えるタブ等の微細パターンを支障
なく形成′：Ｃ′ぎる方法に関する。リードフレームは
、近年の半導俟■ＣやＬＳＩの進歩に伴ない、そのピン
数が百を超えるものも出ており、リードフレームの形状
は年々微細かつ精密さが要求されている。第１図に示す
リードフレーム（１１０例に従えば、ピン数が増すにつ
れてインナーリード部（２）やタブ（３）の幅もしくは
それらの間隙は、金属板材料の板厚と同等かそれ以下と
いうことになり、一方、アウターリード部（４）やアイ
ランド部（５）の幅は、金属板材料の板厚に比べると、
２倍もしくはそれ以上というものである。
方法に係わり、特に、リードフレームのインナーリード
部やアイランド部を支えるタブ等の微細パターンを支障
なく形成′：Ｃ′ぎる方法に関する。リードフレームは
、近年の半導俟■ＣやＬＳＩの進歩に伴ない、そのピン
数が百を超えるものも出ており、リードフレームの形状
は年々微細かつ精密さが要求されている。第１図に示す
リードフレーム（１１０例に従えば、ピン数が増すにつ
れてインナーリード部（２）やタブ（３）の幅もしくは
それらの間隙は、金属板材料の板厚と同等かそれ以下と
いうことになり、一方、アウターリード部（４）やアイ
ランド部（５）の幅は、金属板材料の板厚に比べると、
２倍もしくはそれ以上というものである。
従来のエツチング法は、第２図に示すように金属板材料
（６）の両面に所定のパターン状に表裏一致する位置で
耐食膜（７）（７）を形成し１両面間時にエツチング液
をスプレーすることでエツチング形成していた。しかし
ながら、このような従来法では第６図に示すように耐食
膜（７） （７５の裏側が横方向に深く食刻されるとい
うサイドエツチング（８）が生じ。
（６）の両面に所定のパターン状に表裏一致する位置で
耐食膜（７）（７）を形成し１両面間時にエツチング液
をスプレーすることでエツチング形成していた。しかし
ながら、このような従来法では第６図に示すように耐食
膜（７） （７５の裏側が横方向に深く食刻されるとい
うサイドエツチング（８）が生じ。
結果として、金属板材料（６）の板厚と同等もしくはそ
れ以下の幅を有する精密な微細パターンを形成すること
には無理があった。
れ以下の幅を有する精密な微細パターンを形成すること
には無理があった。
本発明は、上記のような従来法の欠点に鑑みて案出され
たもので、リードフレームのうちインチ−ＩＪ−ド部や
タブ部のように金属板材料の板厚程度もしくはそれ以下
の幅を有する微細パターンをエツチング形成すべき部分
に対しては選択的に片面のみに耐食膜を形成し、一方、
アイランド部やアウターリード部のように板厚より大き
い幅のパターンをエツチング形成すべき部分に対しては
従来どおり両面に耐食膜を施し、両面からエツチングす
ることにより、上記の微細パターンを形成すべき部分に
ついてはその板厚をほぼ％もしくはそれ以下にして微細
パターンを形成することを特徴とするリードフレームの
製造方法である。
たもので、リードフレームのうちインチ−ＩＪ−ド部や
タブ部のように金属板材料の板厚程度もしくはそれ以下
の幅を有する微細パターンをエツチング形成すべき部分
に対しては選択的に片面のみに耐食膜を形成し、一方、
アイランド部やアウターリード部のように板厚より大き
い幅のパターンをエツチング形成すべき部分に対しては
従来どおり両面に耐食膜を施し、両面からエツチングす
ることにより、上記の微細パターンを形成すべき部分に
ついてはその板厚をほぼ％もしくはそれ以下にして微細
パターンを形成することを特徴とするリードフレームの
製造方法である。
本発明の実施例を示す図面の第４図から第６図に基いて
以下に説明する。
以下に説明する。
すなわち、第４図において、金属板材料（９）の板厚よ
り大きな幅を有するパターンを形成すべき部分子ａ）ｆ
ｂ）に対しては、耐食膜ｆｉｌｌ（ｉｌｌが両面を被覆
するように施される。板厚程度もしくはそれ以下の幅し
か許されない微細パターンの部分（Ｃ）に対しては。
り大きな幅を有するパターンを形成すべき部分子ａ）ｆ
ｂ）に対しては、耐食膜ｆｉｌｌ（ｉｌｌが両面を被覆
するように施される。板厚程度もしくはそれ以下の幅し
か許されない微細パターンの部分（Ｃ）に対しては。
その片面のみに副食膜ａＯを形成するようにし、他面は
金属板材料（９）を露出しておく。もちろん５両面が露
出している部分（ｄ）は、エツチングにより穿孔される
ところである。
金属板材料（９）を露出しておく。もちろん５両面が露
出している部分（ｄ）は、エツチングにより穿孔される
ところである。
このような状態で両面からエツチング液を吹き付けて化
学腐食を行なうと、第５図に示すように片面のみに耐食
膜帥が形成された部分において、露出した反対面（１２
１からエツチングが均一的に進行し、金属板材料（９）
の厚味を減じるものである。すなわち、金属板材料（９
）の板厚程度もしくはそれ以下の幅を有する微細パター
ンな形成する必要のある部分において、その板厚を％も
しくはそれ以下にすることになり、板厚に比例するサイ
ドエツチングの量を減じ、微細パターンの高精度化を実
現するものである。
学腐食を行なうと、第５図に示すように片面のみに耐食
膜帥が形成された部分において、露出した反対面（１２
１からエツチングが均一的に進行し、金属板材料（９）
の厚味を減じるものである。すなわち、金属板材料（９
）の板厚程度もしくはそれ以下の幅を有する微細パター
ンな形成する必要のある部分において、その板厚を％も
しくはそれ以下にすることになり、板厚に比例するサイ
ドエツチングの量を減じ、微細パターンの高精度化を実
現するものである。
片側のみに耐食膜を施した部分において、板厚をどの程
度まで減少させるかについては、エツチングの仕様によ
って決まると言える。両面から同種のエツチング液を吹
き付けて化学腐食する場合を想定すると、エツチング液
のスプレー圧やエツチング時間を両面同じにすれば、板
厚をほぼ％にすることができる。この場合、パターンの
乱れの原因となるサイドエッチ量はほぼににすることが
できる。金属板拐料が露出している面側のエツチング液
のスプレー圧を大きくしたり、エツチング時間を長くす
れば当然のことながら、板厚を薄くするエツチングは反
対面に比べて大きく進行することになり、板厚を％〜％
程度にすることもできる。このような場合は、サイドエ
ツチング量も板厚の減少にともなって小さくなるもので
あり、微細パターンの形成が精確になしえるものである
。
度まで減少させるかについては、エツチングの仕様によ
って決まると言える。両面から同種のエツチング液を吹
き付けて化学腐食する場合を想定すると、エツチング液
のスプレー圧やエツチング時間を両面同じにすれば、板
厚をほぼ％にすることができる。この場合、パターンの
乱れの原因となるサイドエッチ量はほぼににすることが
できる。金属板拐料が露出している面側のエツチング液
のスプレー圧を大きくしたり、エツチング時間を長くす
れば当然のことながら、板厚を薄くするエツチングは反
対面に比べて大きく進行することになり、板厚を％〜％
程度にすることもできる。このような場合は、サイドエ
ツチング量も板厚の減少にともなって小さくなるもので
あり、微細パターンの形成が精確になしえるものである
。
以上のようなエツチングは１両面同時に行なうことがで
きるが１片面づつ段階的に行なうこともさしつかえない
。
きるが１片面づつ段階的に行なうこともさしつかえない
。
エツチング後は、第６図に示すように、耐食膜を剥膜除
去してリードフレーム（１３１とするものである。図に
おいて、中央の厚い部分はアイランド０４）。
去してリードフレーム（１３１とするものである。図に
おいて、中央の厚い部分はアイランド０４）。
その両側の薄い部分はインナーリード部α９．その両端
はアウターリード（１６１と言うことができるが。
はアウターリード（１６１と言うことができるが。
この第４図から第６図は模式的であり、各パターンの大
きさに比べて金属板材料（９）の厚沓がやや誇張されて
いる。
きさに比べて金属板材料（９）の厚沓がやや誇張されて
いる。
本発明は、リードフレームの製造に際して、材料の板厚
程度もしくはそれ以下の幅を有する微細パターンを形成
すべき部分に対して、その部分だけについて選択的に板
厚を減じ、そうすることにより微細パターンを形成する
ためのパターンエツチング量を減少せしめ、それにとも
なうサイドエツチング量を少なくするものである。本発
明は。
程度もしくはそれ以下の幅を有する微細パターンを形成
すべき部分に対して、その部分だけについて選択的に板
厚を減じ、そうすることにより微細パターンを形成する
ためのパターンエツチング量を減少せしめ、それにとも
なうサイドエツチング量を少なくするものである。本発
明は。
近年ピン数が飛躍的に増大した結果、高度のパターン精
度を要求されるリードフレームを製造するのに極めて適
する方法であると言え、本発明によれば、高い精度のリ
ードフレームが歩留まりよく提供されるものである。
度を要求されるリードフレームを製造するのに極めて適
する方法であると言え、本発明によれば、高い精度のリ
ードフレームが歩留まりよく提供されるものである。
第１図は、リードフレームの・−例を示す平面図。
第２図および第６図は従来のエツチング法の欠点を示す
説明断面図、第４図から第６図までは本発明のリードフ
レームの製造方法の一実施例を工程順に示す説明断面図
である。 （ｌｌ（１３１・・・リードフレーム （２１（１５）
・・・インナーリード部 （３）・・・タブ （４１ｆ
ｔ６１・・・アウターリード部 （５１（＋４１・・・
アイランド部 （Ｘ））・・金属板拐料 Ｑｌｌｌ圓・
・・而・１食膜（１２１・・反対向 特許出願人 凸版印刷株式会社 第２図
説明断面図、第４図から第６図までは本発明のリードフ
レームの製造方法の一実施例を工程順に示す説明断面図
である。 （ｌｌ（１３１・・・リードフレーム （２１（１５）
・・・インナーリード部 （３）・・・タブ （４１ｆ
ｔ６１・・・アウターリード部 （５１（＋４１・・・
アイランド部 （Ｘ））・・金属板拐料 Ｑｌｌｌ圓・
・・而・１食膜（１２１・・反対向 特許出願人 凸版印刷株式会社 第２図
Claims (1)
- （１１金属板材料に、その板厚程度もしくはそれ以下の
幅を有する微細パターンをエツチング形成すべき部分に
対しては選択的に片面のみに耐食膜を施し１両面からエ
ツチングすることにより、上記の微細パターンをエツチ
ング形成すべき部分の板厚をほぼイもしくはそれ以下に
して微細パターンをエツチング形成する工程を含むこと
８を特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19691082A JPS5987845A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19691082A JPS5987845A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987845A true JPS5987845A (ja) | 1984-05-21 |
| JPS6240862B2 JPS6240862B2 (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=16365684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19691082A Granted JPS5987845A (ja) | 1982-11-10 | 1982-11-10 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987845A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0249834A2 (de) * | 1986-06-20 | 1987-12-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellung von Feinstrukturen für die Halbleiterkontaktierung |
| US5230144A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method of producing lead frame |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107166U (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 |
-
1982
- 1982-11-10 JP JP19691082A patent/JPS5987845A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0249834A2 (de) * | 1986-06-20 | 1987-12-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellung von Feinstrukturen für die Halbleiterkontaktierung |
| US5230144A (en) * | 1991-04-03 | 1993-07-27 | Seiko Epson Corporation | Method of producing lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6240862B2 (ja) | 1987-08-31 |
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