KR19990045120A - 에칭용 기재, 에칭 가공방법 및 에칭 가공제품 - Google Patents

에칭용 기재, 에칭 가공방법 및 에칭 가공제품 Download PDF

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기타지마 요시토시
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Abstract

정밀하고 세밀한 패턴을 에칭으로 형성하는 방법으로서, 표면의 중심선 평균 거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하이고, 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛ 이하인 금속기재에 감광성수지층을 형성하여 레지스트패턴을 형성한 후에, 금속기재에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재상에 패턴을 형성하는 에칭 가공방법.

Description

에칭용 기재, 에칭 가공방법 및 에칭 가공제품
본 발명은 리드프레임, 섀도마스크(shadow mask) 등의 금속재료에 에칭에 의해 정밀하고 세밀한 패턴을 형성하기 위해서 사용하는 에칭용 기재 및 에칭 가공방법에 관한 것으로, 특히, 압연, 화학연마, 물리연마, 전해연마 등의 표면처리를 실시하여 극히 평활한 표면상태를 형성한 후에, 소정의 에칭에 의해서 정밀하고 세밀한 패턴을 형성하는 고정밀 고세밀 금속패턴의 제조방법 및 고정밀 고세밀 금속 가공제품을 제공하는 것이다.
리드프레임, 섀도마스크, 애퍼쳐그릴 등은 금속재료의 표면에 감광성수지를 도포하고 소망의 패턴을 진공 밀착해서 노광하여 포토레지스트패턴을 형성한 후에, 에칭에 의해서 소망의 개공(開孔), 구멍 등을 형성하는 것이 행해지고 있다.
섀도마스크용의 금속재료로서는 철-니켈계 합금, 철-니켈-코발트계 합금 등이 일반적으로 사용되고 있고, 연속주조법 또는 조괴법(造塊法)에 의해서 합금괴(合金塊)를 제조하고, 이어서 합금괴에 분괴압연(分塊壓延), 열간압연 및 냉간압연을 실시하여 합금박판을 제조하고 있다.
에칭 가공방법에서는 노광공정에 있어서 노광패턴을 진공 밀착시킬 때에 표면이 평활한 것은 밀착하기 위해서 중앙부로부터 기체를 용이하게 제거할 수 없어 진공밀착이 곤란하였다.
이 때문에 종래의 섀도마스크용의 금속판의 표면거칠기(粗度)는 중심선 평균거칠기가 Ra = 0.20∼0.70㎛, 최대거칠기가 Rmax= 2.0∼4.0㎛ 정도의 것이 사용되어 왔다.
한편, 섀도마스크도 고정밀, 고세밀도 표시용의 컴퓨터 표시장치에 사용되는 것에 있어서는 전자빔 투과용의 개공의 간격이 작고, 또, 개공부의 정밀도가 높은 것이 요구되게 되었다. 이에 따라서 금속에 행하는 에칭 등의 가공처리도 매우 미세한 가공이 필요하게 되었다.
또, 패턴 형성의 때에 에칭량이 클수록 패턴에 형성되는 요철 등의 영향은 경감되지만, 에칭량이 적을수록 패턴의 변형이 에칭에 미치는 영향은 커진다.
따라서, 고정밀, 고세밀용의 표시장치용 섀도마스크는 작은 간격으로 미세한 가공이 행해지고 에칭량은 적기 때문에, 레지스트패턴의 변형에 의해 형성되는 기재의 패턴이 보다 현저하게 나타나게 되므로, 고정밀·고세밀 패턴을 형성하는 것이 가능한 에칭용 기재 및 에칭 가공방법이 요구되어 왔다.
본 발명은 기재의 에칭에 의해서 패턴을 형성하는 경우에, 기재상에 형상이 정확한 레지스트패턴을 형성하는 것이 가능한 기재를 제공하는 것을 과제로 하는 것이고, 또, 정밀도가 높은 정밀하고 세밀한 금속의 가공방법 및 정밀하고 세밀한 금속 가공제품을 제공하는 것을 과제로 하는 것이며, 또한, 정밀하고 세밀한 섀도마스크, 애퍼쳐그릴이나 리드프레임 등의 금속가공품을 제조하는 방법을 제공하는 것을 과제로 하는 것이다.
도 1은 기재의 표면거칠기와 형성되는 패턴의 관계를 설명하는 도면,
도 2는 패턴의 정확도와 투과율의 관계를 설명하는 도면,
도 3은 본 발명의 방법으로 제조한 패턴과 비교예의 패턴을 설명하는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 기재 2 : 감광성수지
3 : 화상패턴 4 : 자외선
5 : 요철 6 : 변형부
7 : 레지스트패턴 8 : 개공부
본 발명은 금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재에 패턴을 형성하는 에칭용 기재에 있어서, 에칭기재의 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하이고, 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛ 이하인 에칭용 기재이다.
금속재료를 압연, 화학적 연마, 물리적 연마, 전해연마의 적어도 어느 하나의 방법으로 표면의 거칠기를 조정한 것인 에치용 기재이다.
금속재료가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재, 혹은 리드프레임용 기재인 상기의 에칭용 기재이다.
또, 금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재에 패턴을 형성하는 에칭 가공방법에 있어서, 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하이고, 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛ 이하인 금속기재에 감광성수지층을 형성한 후, 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭을 하는 에칭 가공방법이다.
금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재에 패턴을 형성하는 에칭 가공방법에 있어서, 금속기재를 탈지(脫脂)한 후에 제1 에칭액에 의해서 표면 처리하여 금속기재의 표면거칠기를 표면의 중심선 평균거칠기(Ra) 0.10㎛ 이하, 최대거칠기(Rmax) 1.0㎛ 이하로 처리한 후에, 금속기재상에 감광성수지층을 형성하여 감광성수지의 패턴을 형성한 후에 에칭을 하는 에칭 가공방법이다.
제1 에칭액이 50°Bh(중보메) 이상의 염화제2철수용액을 사용하는 상기의 에칭 가공방법이다.
금속기재가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재, 혹은 리드프레임용 기재인 에칭 가공방법이다.
금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭하여 제조하는 에칭 가공제품에 있어서, 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하, 최대거칠기(Rmax) 1.0㎛ 이하인 에칭 가공제품이다.
에칭 가공제품이 섀도마스크 또는 애퍼쳐그릴인 상기의 에칭 가공제품이다.
본 발명은 에칭에 사용하는 기재의 표면거칠기를 종래의 기재에 비해서 작게 함으로써 기재의 표면에 고정밀도의 포토레지스트패턴을 형성하는 것을 가능하게 한 것이다.
미세한 가공을 행하기 위해서는 정밀도가 뛰어난 레지스트패턴을 형성하는 것이 필요하지만, 이것을 저해하는 요인으로 기재의 표면거칠기에 착안한 것은 없었다. 이하, 도면을 참조해서 본 발명을 설명한다.
도 1은 기재의 표면거칠기와 형성된 패턴의 관계를 설명하는 도면이고, (A1), (B1), 및 (C1)은 표면거칠기가 큰 기재를 사용해서 레지스트패턴 형성 후에 에칭에 의해서 얻어지는 패턴을 나타내고 있고, (A2), (B2) 및 (C2)는 각각 표면거칠기가 작은 기재를 사용해서 같은 방법으로 패턴을 형성한 경우를 설명하는 도면이다.
(A1)에 단면도를 나타낸 바와 같이, 표면거칠기가 큰 기재(1) 상에 감광성수지(2)를 도포하고, 화상패턴(3)을 밀착하여 자외선(4)으로 노광하면, 표면거칠기가 큰 부분이 있으면 요철(5)에 의해서 국소적인 빛의 회절효과에 의해서 감광성수지의 패턴 형상의 변형부(6)가 발생하고, 패턴의 해상성(解像性)이 저하되고 만다. 한편, (A2)에 나타낸 바와 같이, 표면거칠기가 작은 기재의 경우에는 형상의 변형이 없는 패턴을 얻을 수 있다.
직선상의 패턴을 형성한 경우의 평면도를 (B1) 및 (B2)에 나타낸 바와 같이, 표면거칠기가 큰 경우에는 (B1)에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(7)은 변형하여 정확한 직선상이 되지 않고, 표면거칠기가 작은 경우에는 (B2)에 나타낸 바와 같이 직선상의 패턴이 얻어진다.
(C1) 및 (C2)는 이와 같은 패턴을 기본으로 에칭을 한 경우의 형상을 나타내고 있고, 에칭으로 형성한 개공부(8)는 (C1)에서 알 수 있는 바와 같이, 개공부에는 요철이 형성되기 때문에 섀도마스크에 적용한 경우에는 전자빔이 요철에 의해서 차단되어 정확한 조사(照射)가 곤란해진다는 문제가 있었다. 이것에 대해서 정확한 레지스트패턴의 경우에는 (C2)에서 알 수 있는 바와 같이 정확한 개구부의 패턴을 형성하는 것이 가능하다.
도 2는 패턴의 정확도와 투과율의 관계를 설명하는 도면이다.
피치 150㎛, 개구 30㎛의 애퍼쳐그릴의 경우, 투과율은 20%이고, 도 2의 (A)에 나타낸 바와 같이 테이프부의 양단부에 3㎛씩의 변형이 있으면, 부분적으로 20%나 투과율이 저하되고 말고, 이것을 사용한 브라운관에서는 현저한 화질의 저하를 일으킨다. 한편, 도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이, 변형량이 1.0㎛정도이면 그 투과율의 부분적인 저하는 10%정도로 억제되어 화질의 저하는 극히 저감된다.
동일한 직선성의 차이도, 피치 300㎛, 개공 60㎛의 애퍼쳐그릴에서는 투과율의 부분적인 차이는 각각 10%, 5%가 되어 화질의 차이는 경감된다.
이와 같이, 보다 정밀하고 세밀한 애퍼쳐그릴이나 섀도마스크를 가공하는 경우에 에칭 개공부 에지의 직선성은 CRT의 화질로서 극히 중요하고, 정세도(精細度)를 높이기 위해서 피치를 보다 가늘게 하고, 개공 길이를 작게하는 만큼 에지부 요철의 미세한 길이의 차가 화질에 의해 크게 반영되게 된다.
본 발명의 기재는 강괴(鋼塊)의 압연에 의해서 제조한 강판의 표면을 표면거칠기를 조정한 롤에 의해서 압연을 행함으로써 강판 표면거칠기를 소정의 크기로 하는 방법, 압연 후의 강판의 표면을 연마재를 사용한 물리적 연마, 화학연마, 전해연마 등에 의해서 연마하는 방법에 의해서 제조할 수 있고, 구체적으로는 물리적 연마의 경우, 버프(buff)연마나 롤연마재 혹은 필름연마재를 사용한 연마 등의 방법에 의해서 제조할 수 있으며, 그 중에서도 롤연마재 혹은 필름연마재를 사용한 연마의 경우 분말입자를 다음의 공정으로 가지고 들어오지 않아 보다 바람직하다.
또, 에칭액을 사용해서 표면거칠기를 조정하는 경우에는 에칭에 의해서 패턴을 형성할 때에 사용하는 에칭액보다도 고농도의 에칭액을 사용할 수 있고, 구체적으로는 50°Bh 이상의 고농도의 염화제2철용액을 사용할 수 있다.
본 발명의 기재로는, 철-니켈계 합금, 철-니켈-코발트계 합금, 저탄소강 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 기재의 표면거칠기는 촉침식(觸針式) 형상측정장치(예를 들면, 랭크·테일러·홉슨 제조 Tarysurf6)에 의해서 측정한 중심선 평균거칠기가 Ra = 0.10㎛ 이하이고, 최대거칠기 Rmax= 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하고, 패턴의 형성을 위해서는 Ra 및 Rmax가 작은 것이 바람직하다. 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛보다도 큰 경우, 또는 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛보다도 큰 경우에는 양호한 패턴의 직선성이 얻어지지 않는다. 패턴 직선성의 저하는 섀도마스크나 애퍼쳐그릴의 품질의 저하를 일으키는 일이 있어, 정밀하고 세밀한 섀도마스크나 애퍼쳐그릴을 얻을 수 없다.
종래, 에칭 가공방법에서는 노광공정에서 노광패턴을 진공 밀착시킬 때에 표면이 평활한 것은 밀착하기 위해서 중앙부로부터 기체를 용이하게 제거할 수 없어 진공밀착이 곤란하였기 때문에, 금속판의 표면거칠기는 중심선 평균거칠기가 Ra = 0.20∼0.70㎛, Rmax= 2.0∼4.0㎛ 정도의 것이 사용되고 있지만, 진공밀착에 있어서의 밀착불량은, 예를 들면 본 출원인이 일본국 특허공개공보 평3-265835호, 일본국 특허공개공보 평3-265836호, 또는 일본국 특허공개공보 평3-265837호에서 제안하고 있는 장치를 사용함으로써 해결할 수 있다. 즉, 노광패턴의 양면에 압력이 조정 가능한 두 개의 진공실을 독립해서 설치하여 감압함으로써 노광패턴의 양면에서 감압할 수 있기 때문에, 노광패턴에 형성되는 압력차에 의해서 그 중심으로부터 기재에 밀착되어 노광패턴의 중앙부에 기체가 잔류하여 공간이 형성되는 것을 방지할 수 있다.
실시예
이하 실시예를 나타낸 본 발명을 설명한다.
실시예 1
냉간압연에 의해서 제조한 표면거칠기가 다른 두께 0.10㎜의 기재인 시료 1 및 시료 2의 표면을 탈지 및 물로 씻은 후에, 중크롬산암모늄을 1중량% 함유하는 카제인으로 된 포토레지스트를 건조 후의 두께가 5㎛가 되도록 도포 건조하였다.
이어서, 15㎛의 개공부를 갖는 직선패턴을 포토마스크를 사용해서 밀착 노광한 후에 현상한 후, 1중량% 크롬산용액에 담근 후에 물로 씻어 200℃에서 1분간 가열처리를 하였다.
그 후, 염화제2철용액을 분무(噴霧)하여 5㎛의 깊이까지 에칭을 하였다.
시료 1은 촉침식 형상측정장치(랭크·테일러·홉슨 제조 Tarysurf6)에 의해서 측정한 표면거칠기가 Ra = 0.20㎛, 최대거칠기 Rmax= 2.0㎛이고, 시료 2는 같은 방법으로 측정한 표면거칠기가 Ra = 0.06㎛, 최대거칠기 Rmax= 0.8㎛이었다.
에칭에 의해서 얻어지는 패턴 표면의 형상을 전자현미경을 사용하여 측정하여 그 결과를 각각 도 1에 패턴의 요철을 평면도로 나타낸 바와 같이, 시료 1에서는 도 3의 (A)와 같이 a = 3.0㎛의 요철이 있고, 시료 2에서는 도 3의 (B)와 같이 b = 1.1㎛이었다.
실시예 2
냉간압연에 의해서 제조한 표면거칠기가 다른 두께 0.030㎜의 철-니켈계 합금(엄버재료) 기재의 양면을 실시예 1과 같이 염화제2철용액을 양면에 분무하여 폭 20㎛의 개구가 형성되기까지 에칭을 하였다.
실시예 1과 같이 측정한 표면거칠기가 Ra = 0.50㎛, 최대거칠기 Rmax= 3.2㎛의 시료 3 및, 표면거칠기가 Ra = 0.09㎛, 최대거칠기 Rmax= 0.9㎛의 시료 4에 대해서 얻어진 패턴 표면의 형상을 실시예 1과 같이 전자현미경을 사용하여 측정하고, 그 결과를 각각 도 1에 패턴의 요철을 평면도로 나타낸 바와 같이, 시료 3에서는 도 3의 (A)와 같이 a = 3.4㎛의 요철이 있고, 시료 4에서는 도 3의 (B)와 같이 b = 1.3㎛이었다.
실시예 3
실시예 1의 시료 1을 탈지한 후에 40℃, 51°Bh의 염화제2철용액에 의해서 2분간 표면처리를 행한 후에, 실시예 1과 같은 조건으로 에칭을 하여서 패턴을 형성하고, 실시예 1과 같이 패턴 표면의 형상을 측정하여 에칭에 의해서 개공된 부분의 직선형상은 도 3의 (B)에서 나타낸 바와 같이 요철은 b = 1.4㎛이었다.
실시예 4
실시예 1의 시료 1을 탈지한 후에 입경 1㎛의 알루미나분을 사용해서 버프연마에 의해서 표면거칠기가 Ra = 0.06㎛가 될 때까지 표면처리를 행한 후에, 실시예 1과 같은 조건으로 에칭을 하여서 패턴을 형성하고, 실시예 1과 같이 패턴의 표면의 형상을 측정하여 에칭에 의해서 개공된 부분의 직선형상은 도 3의 (B)에서 나타낸 바와 같이 요철은 b = 1.2㎛이었다.
이상과 같이, 본 발명의 방법에 의해서 에칭기재의 표면거칠기를 소정의 범위 내로 함으로써 에칭기재상에 형성되는 감광성수지의 패턴의 형상을 정확히 형성할 수 있기 때문에 고품질의 고정밀·고세밀 표시용의 섀도마스크 등을 얻을 수 있다.

Claims (12)

  1. 금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재에 패턴을 형성하는 에칭용 기재에 있어서, 에칭기재의 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하이고, 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 에칭용 기재.
  2. 제1항에 있어서, 금속기재를 압연, 화학적 연마, 물리적 연마, 전해연마의 적어도 어느 하나의 방법으로 표면거칠기를 조정한 것을 특징으로 하는 에칭용 기재.
  3. 제1항에 있어서, 금속기재가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재, 혹은 리드프레임용 기재인 것을 특징으로 하는 에칭용 기재.
  4. 제2항에 있어서, 금속기재가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재, 혹은 리드프레임용 기재인 것을 특징으로 하는 에치용 기재.
  5. 금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재에 패턴을 형성하는 에칭 가공방법에 있어서, 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하이고, 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛ 이하인 금속기재상에 감광성수지층을 형성하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭을 하는 것을 특징으로 하는 에칭 가공방법.
  6. 금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭함으로써 금속기재에 패턴을 형성하는 에칭 가공방법에 있어서, 금속기재를 탈지 후에 제1 에칭액에 의해서 표면처리하고 금속기재의 표면거칠기를 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하, 최대거칠기(Rmax)가 1.0㎛ 이하로 처리한 후에, 금속기재상에 감광성수지층을 형성한 후에 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭을 하는 것을 특징으로 하는 에칭 가공방법.
  7. 제6항에 있어서, 제1 에칭액으로서 50°Bh 이상의 염화제2철수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 에칭 가공방법.
  8. 제5항에 있어서, 금속기재가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재 혹은 리드프레임용 기재인 것을 특징으로 하는 에칭 가공방법.
  9. 제6항에 있어서, 금속기재가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재 혹은 리드프레임용 기재인 것을 특징으로 하는 에칭 가공방법.
  10. 제7항에 있어서, 금속기재가 섀도마스크용 기재, 애퍼쳐그릴용 기재 혹은 리드프레임용 기재인 것을 특징으로 하는 에칭 가공방법.
  11. 금속기재상에 형성한 감광성수지층을 노광하여 레지스트패턴을 형성한 후에 에칭하여 제조하는 에칭 가공제품에 있어서, 표면의 중심선 평균거칠기(Ra)가 0.10㎛ 이하, 최대거칠기(Rmax) 1.0㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 에칭 가공제품.
  12. 제11항에 있어서, 에칭 가공제품이 섀도마스크 또는 애퍼쳐그릴인 것을 특징으로 하는 에칭 가공제품.
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3751891B2 (ja) * 2002-02-15 2006-03-01 日鉱金属加工株式会社 ブリッジ付きテンションマスク用軟鋼素材及びシャドウマスク
KR20040050682A (ko) * 2002-12-10 2004-06-16 김정식 전주가공에 의한 리드프레임 및 그 제작방법
WO2004053975A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-24 Graphion Technologies Usa, Llc Chip-on-film and its methods of manufacturing by electro-forming
JP2007102117A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The レーザー用画像形成材、及びパターンめっき用画像形成方法
TW200727448A (en) * 2006-01-09 2007-07-16 Au Optronics Corp Shadow masks for colorizing process of display devices
KR100796617B1 (ko) * 2006-12-27 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 마스크 장치와 마스크 장치의 제조방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법
CN103255416B (zh) * 2013-05-14 2015-08-12 广东工业大学 一种蚀刻方法及其所用蚀刻抛光液
DE102014223169A1 (de) * 2014-11-13 2016-05-19 Henkel Ag & Co. Kgaa Verfahren zur selektiven Entfernung von Zink-Ionen aus alkalischen Badlösungen in der Oberflächenbehandlung von metallischen Bauteilen in Serie
CN106350768A (zh) * 2015-07-17 2017-01-25 凸版印刷株式会社 蒸镀用金属掩模以及蒸镀用金属掩模的制造方法
KR102341450B1 (ko) 2015-07-17 2021-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크 기재의 관리 방법, 메탈 마스크, 및, 메탈 마스크의 제조 방법
KR101968033B1 (ko) 2015-07-17 2019-04-10 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크용 기재의 제조 방법, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 메탈 마스크용 기재, 및, 증착용 메탈 마스크
WO2017014172A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク基材、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスク基材の製造方法、および、蒸着用メタルマスクの製造方法
KR20220009499A (ko) 2015-07-17 2022-01-24 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크 기재, 메탈 마스크, 및 메탈 마스크의 제조 방법
KR102115724B1 (ko) 2016-04-14 2020-05-27 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크용 기재, 증착 마스크용 기재의 제조 방법, 및, 증착 마스크의 제조 방법
KR101786391B1 (ko) * 2016-10-06 2017-11-16 주식회사 포스코 증착용 마스크로 사용되는 합금 금속박, 증착용 마스크 및 이들의 제조방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법
CN116603700A (zh) * 2022-02-08 2023-08-18 成都拓米双都光电有限公司 一种支撑栅板的制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2563118B2 (ja) * 1987-12-26 1996-12-11 日鉱金属株式会社 フレキシブルプリント回路基板用銅又は銅合金素材及びその製造方法
US4971894A (en) 1989-02-13 1990-11-20 International Business Machines Corporation Method and structure for preventing wet etchant penetration at the interface between a resist mask and an underlying metal layer
US5127965A (en) 1990-07-17 1992-07-07 Nkk Corporation Fe-ni alloy sheet for shadow mask and method for manufacturing same
JPH071675B2 (ja) * 1990-08-22 1995-01-11 大日本スクリーン製造株式会社 シャドウマスクの製造方法及びシャドウマスク板材
US5605582A (en) 1992-01-24 1997-02-25 Nkk Corporation Alloy sheet having high etching performance
DE69311961T2 (de) * 1992-04-27 1997-11-06 Hitachi Metals Ltd Dünnblech für eine Lochmaske, Verfahren zu seiner Herstellung und eine damit ausgerüstete Kathodenstrahlröhre
JPH05330806A (ja) * 1992-05-26 1993-12-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 立方晶窒化ホウ素の加工方法
JPH07281423A (ja) * 1994-04-07 1995-10-27 Konica Corp 印刷版の製版方法
EP0689233B1 (en) * 1994-06-24 2008-10-15 Sumitomo Electric Industries, Limited Wafer and method of producing same
TW320749B (ko) * 1994-09-22 1997-11-21 Tokyo Electron Co Ltd
US5821026A (en) * 1997-04-28 1998-10-13 Xerox Corporation Substrate treatment method using soluble particles

Also Published As

Publication number Publication date
US20040018372A1 (en) 2004-01-29
GB2332650A (en) 1999-06-30
US6620554B1 (en) 2003-09-16
GB2332650B (en) 2002-01-09
GB9824881D0 (en) 1999-01-06
JPH11140667A (ja) 1999-05-25
DE19852299A1 (de) 1999-05-20
TW514678B (en) 2002-12-21

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