KR20040050682A - 전주가공에 의한 리드프레임 및 그 제작방법 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 발명은 일반적으로 반도체와 기타 전자장치 등에서 흔히 사용이 되어지는 미세한 통전회로, PCB 기판, 리드프레임 등의 다양한 형태의 전주가공물을 생산할 수가 있게 하는 전주마스타와 그 제조방법에 대한 발명이다. 다양한 분야에서 사용이 되어지는 극히 미세한 모양의 형상을 제조하는 데 있어서 종래에는 에칭기술에 의하여 일반적으로 이들이 생산이 되어져 왔다. 본 발명에서는 이들을 전주가공에 의하여 생산을 가능케 한다. 본 발명은 이들의 생산에 있어서, 전주가공물을 생성시키는 전주마스타를 사용하며, 상기 전주마스타를 전주욕에 침지시켜서 전기분해를 통하여 다양한 형태의 전주 가공물을 형성을 할 수가 있게 한다.
종래의 에칭법에 의한 가공방법은 금속의 부식에 의한 방법을 채택함으로 인하여 그 정밀도의 한계를 가질 수밖에 없었다. 또는 에칭법에 의한 가공은 필연적으로 부식되어지는 양만큼의 소재를 폐기할 수 밖에 없다. 본 발명은 전주가공법에 의한 가공을 채택함으로서 에칭법에 비하여 보다 정밀한 패턴의 형성이 가능하며, 필요로 되어지는 소재만이 전주마스타에 구성이 되는 까닭에 전혀 소재의 낭비를 하지 않아도 되는 점이 특징이다. 본 발명에 의한 제품은 또한 생산 공정에 있어서도 제품마다 노광을 시키어 에칭하는 과정을 거치지 않고 바로 전주욕조에서 전주를 통하여 제품을 형성하게 됨으로서 종래의 기법보다 간단한 공정으로 제품을 생산할 수가 있게 한다.
제 1 도, 제 2 도, 제 3 도는 패턴과 동일한 형상을 가지는 전극베이스를 제작하는 방법을 설명하는 설명도이다.
제 4 도, 제 5 도, 제 6 도는 전주가공에 의하여 리드프레임 등 전주가공물을 제작할 수가 있게 하는 전주 마스터를 제작하는 제작방법을 설명하는 설명도이다.
제 7 도는 본 발명의 전주마스타를 전주 욕조에 침지하여 전주를 행하는 상태를 설명하는 설명도이다.
제 8 도는 전주가공물이 점차 충진되어 핀부 이형재의 높이로 형성이 되었을 때의 상태를 나타내는 상태도이다.
제 9 도는 전주마스타로부터 탈형된 전주가공물의 분리 상태를 설명하는 설명도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1:전극베이스 모재 2:감광제 3:노광부 4:전극베이스 5:에칭 공간부 6:상부 전극베이스 7:핀부 이형재 8:뿌리부 이형재 9:베이스 10:전주가공물
본 발명은 몸체를 지지하는 베이스와 상기 베이스 상부에 구성되는 뿌리부 이형재와, 상기 뿌리부 이형재의 상부에 핀부 이형재 및 전극베이스가 구성이 되며, 상기 전극베이스의 공간부에 핀부 이형재가 충진이 되어지는 형태로 구성이 되어지는 것을 특징으로 하는 전주마스타와 그 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에서의 이형재의 실시예로 실리콘을 사용하며, 전극베이스의 실시예로는 스텐인레스스틸을 사용할 수가 있다. 본 발명의 전주마스타의 제작공정의 큰 특징은 반전패턴을 사용하여 에칭가공에 의하여 전극베이스를 가공하는 공정과, 베이스와 전극베이스사이에 이형재를 충진하는 공정을 거쳐서, 뿌리부이형재와 핀부이형재를 형성하는 것을 특징으로 한다. 이하에서는 도면을 바탕으로 본 발명을 자세히 설명하겠다.
제 1 도와 제 2 도 및 제 3 도는 패턴과 동일한 형상을 가지는 전극베이스를 제작하는 방법을 설명하는 설명도이다. 일반적으로 반도체와 기타 전자장치 등에서 흔히 사용이 되어지는 미세한 통전회로, PCB 기판, 리드프레임 등의 형태로 다양한 분야에서 사용이 되어지는 미세한 모양의 형상을 본 발명에서는 패턴이란 단어로 정의를 한다. 본 발명에서의 패턴의 개념은 보다 확장되어서 특정한 형상 또는 문양으로 구성이 되어진 모든 것을 패턴이라 칭할 수가 있다. 일반적으로 이러한 패턴은 극히 미세한 치수로 구성이 되어진다. 예로서 패턴에서 문양의 간격의 거리가 불과 수 미크론 또는 수십 미크론 단위의 정밀한 형상을 띈다. 또한 본 발명에서는 반전패턴이라는 용어를 정의한다. 반전패턴이란 상기의 패턴의 투명부와 불투명부가 바꾸어진 형태의 패턴을 반전패턴으로 정의한다.
제 1 도는 전도성물질로서 전주가공물이 극히 용이하게 탈형이 가능한 금속소재로 구성이 되며, 패턴과 같은 형상을 가지는 전극베이스를 제작하는 방법을 설명하는 설명도이다. 전도성물질로서 전주가공물이 극히 용이하게 탈형이 가능한 성질을 가지는 판형의 금속소재로 구성이 되는 전극베이스 모재(1)에 감광제(2)를 소정의 두께만큼 도포한 상태를 나타내는 상태도이다.
제 2 도는 반전패턴필름을 사용하여 감광제를 노광을 시켜 노광부(3)를 형성하는 것을 설명하는 설명도이다.
제 3 도는 노광부가 형성된 전극베이스 모재에 에칭을 통하여 에칭공간부(5)를 형성한 상태를 설명하는 설명도이다. 이상의 공정을 통하여 에칭공간부(5)가 구성되어진 전극베이스 모재는 패턴과 동일한 형태를 갖게 된다. 이것을 본 발명에서는 전극베이스라 정의를 한다.
제 4 도 제 5 도 제 6 도는 상기의 전극베이스를 이용하여 전주가공에 의하여 리드프레임 등 전주가공물들을 제작할 수가 있게 하는 전주 마스터를 제작하는 제작방법을 설명하는 설명도이다.
제 4 도는 두 개의 전극베이스를 겹쳐서 포개어진 상태를 설명하는 설명도이다. 상부의 전극베이스(6)와 하부의 전극베이스(4)는 동일한 두께로 구성을 할 수도 있지만 실제 제작이 되어질 전주가공물의 두께에 응하여 상부의 전극베이스의 두께를 조절할 수가 있음은 물론이다.
제 5 도는 포개어진 두 개의 전극베이스의 하부에, 소정 간격을 이격시킨 상태로 판형의 베이스(9)부를 구성되며, 상기 베이스부와 상기의 포개어진 전극베이스부 사이에 이형재를 충진되어진다. 이형재를 충진시키고 나서 상부 전극베이스의높이를 기준으로 이형재를 정리한다. 이때, 전극베이스부의 에칭공간부에 충진되어진 이형재를 핀부 이형재(7)라 정의를 하고, 전극베이스와 베이스사이에 충진되어진 이형재를 뿌리부 이형재(8)라 정의를 한다.
제 6 도는 전주마스타의 구성도로서 이는 제 5 도에서 상부의 전극베이스를 제거한 형태이다. 즉 본 발명의 전주마스타는 베이스(9)상부에 뿌리부 이형재(8)가 구성이 되며, 상기 뿌리부 이형재의 상부에는 핀부 이형재(7)와 전극베이스(4)가 구성이 되며, 상기 전극베이스의 공간부에 핀부 이형재가 충진이 되어지는 형태로 구성이 되어지는 것이다.
제 7 도는 본 발명의 전주마스타를 전주 욕조에 침지하여 전주를 행하는 상태를 설명하는 설명도이다. 전극베이스(4)에 음극을 연결하여 전주 욕조에서 전주가공을 시작하면 상기 전극베이스에 융해되어진 금속이 결합되기 시작을 하여 전주가공물(10)이 형성하기 시작된다. 전주금속으로는 니켈, 구리 등 도전성 금속이 사용이 되어지며, 구리로 구성이 되어지는 리드프레임의 경우에는 전주금속을 구리를 사용하게 된다.
제 8 도는 전주가공물(10)이 점차 충진되어 핀부 이형재의 높이로 형성이 되었을 때의 상태를 나타내는 상태도이다.
제 9 도는 제 8 도와 같이 전주가공물의 높이가 핀부 이형재의 높이로 되었을 때, 전주가공물(10)을 전주 마스타로부터 탈형하여 분리한 상태를 설명하는 설명도이다. 이러한 전주가공물은 패턴과 동일한 형태를 가지게 된다.
본 발명에서 베이스는 본 발명의 전주마스타를 내구성이 있도록 지지하는 역할을 수행한다. 본 발명에서 전극베이스와 이형재는 다양한 소재로 구성을 할 수가 있음은 물론이다. 본 발명에서 전극베이스와 이형재의 한 실시예로서, 전극베이스는 스텐인레스 스틸을 들 수가 있다. 스텐인레스 스틸은 내구성이 탁월하며 탈형시 구리 등의 전주가공물이 극히 용이하게 탈형이 되어지기 때문이다. 또한 본 발명에서 이형재로서는 실리콘을 실시예로 사용을 하였다. 실리콘을 이형재로 사용하였을 경우 핀부 이형재가 탄성을 지니게 되어 전주가공물을 탈형을 경우에도 핀부 이형재는 전혀 손상을 입지를 않는다. 또한 전주가공물에 대하여 실리콘은 극히 용이하게 분리가 된다.
이상에서는 그래픽으로 그려진 패턴과 상기 패턴의 반대형인 반전패턴을 이용하여 본 발명의 전주마스타 및 그 제조방법을 설명을 하였다. 이하에서는 본 발명의 개념을 그대로 이용하여 또 다른 형태의 본 발명의 실시예를 설명하겠다. 이것은 이미 제작이 되어진 제품을 이용하여, 전주마스타와 그 제조방법에 대한 것이다. 이것은 반전패턴필림을 이용하여 에칭법에 의하여 전극베이스를 제작하지 않고, 이미 제작이 되어진 제품의 도전체 부분만을 분리하여 이것을 본 발명의 전극베이스로 이용하는 방법이다. 전극베이스를 구성하는 방법 이외의 부분은 동일하게 처리된다. 이 경우에는 전극베이스의 재질이 전주가공물의 탈형이 용이하지 않은 소재일 가능성이 많으므로 이 경우에는 제품 생산시에 전극베이스에 이형물질을 도포한 뒤 생산에 착수하여야 하는 불편함이 따른다.
본 발명은 종래의 에칭법에 의한 금속의 부식가공에 비하여 보다 정교하며치밀한 전주가공물을 용이하게 제작을 할 수가 있으며, 본 발명에 의한 방법은 에칭법에 비하여 소재의 낭비가 전혀 없으며, 필요시 핀부 이형재가 망가진 경우에는 그 부분만 보수하여 활용을 할 수가 있는 장점이 있다. 본 발명에 의한 제품은 또한 생산 공정에 있어서도 제품마다 노광을 시키어 에칭하는 과정을 거치지 않고 바로 전주욕조에서 전주를 통하여 제품을 형성하게 됨으로서 종래의 기법보다 보다 간단한 공정으로 보다 정교한 제품을 생산할 수가 있게 한다.
Claims (8)
- 베이스와, 상기 베이스 상부에 구성되는 뿌리부 이형재와, 상기 뿌리부 이형재의 상부에 구성되는 핀부 이형재 및 전극베이스로 구성이 되며, 상기 전극베이스의 공간부에 이형재가 충진되어 핀부 이형재로 구성이 되어지는 것을 특징으로 하는 전주마스타.
- 제 1 항에 있어서, 이형재가 실리콘인 것을 특징으로 하는 전주마스타.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 전극베이스가 스텐인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 전주마스타.
- 반전패턴을 사용하여 에칭가공에 의하여 전극베이스를 가공하는 공정과, 베이스와 전극베이스 사이에 이형재를 충진하는 공정을 거쳐서, 뿌리부 이형재와 핀부 이형재를 형성하는 것을 특징으로 하는 전주마스타의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서, 이형재가 실리콘인 것을 특징으로 하는 전주마스타의 제조방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 전극베이스가 스텐인레스 스틸인 것을 특징으로 하는 전주마스타의 제조방법.
- 제작이 되어진 제품의 도전체 부분만을 분리하여 이것으로 전극베이스를 가공하는 공정과, 베이스와 전극베이스 사이에 이형재를 충진하는 공정을 거쳐서, 뿌리부 이형재와 핀부 이형재를 형성하는 것을 특징으로 하는 전주마스타의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서, 이형재가 실리콘인 것을 특징으로 하는 전주마스타의 제조방법.
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