JPS5987736A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPS5987736A JPS5987736A JP57199300A JP19930082A JPS5987736A JP S5987736 A JPS5987736 A JP S5987736A JP 57199300 A JP57199300 A JP 57199300A JP 19930082 A JP19930082 A JP 19930082A JP S5987736 A JPS5987736 A JP S5987736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- fuse
- insulating film
- pattern
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57199300A JPS5987736A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57199300A JPS5987736A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5987736A true JPS5987736A (ja) | 1984-05-21 |
JPH0256815B2 JPH0256815B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-12-03 |
Family
ID=16405505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57199300A Granted JPS5987736A (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5987736A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6138744U (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-11 | 内橋エステック株式会社 | 温度ヒユ−ズ |
JPH07153367A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-06-16 | Sony Corp | 保護素子、その製造方法、及び回路基板 |
JPH08161990A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Sony Chem Corp | 保護素子及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5877096A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-10 | Toshiba Corp | プログラマブル・リ−ド・オンリ・メモリ素子 |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP57199300A patent/JPS5987736A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5877096A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-10 | Toshiba Corp | プログラマブル・リ−ド・オンリ・メモリ素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6138744U (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-11 | 内橋エステック株式会社 | 温度ヒユ−ズ |
JPH07153367A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-06-16 | Sony Corp | 保護素子、その製造方法、及び回路基板 |
JPH08161990A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Sony Chem Corp | 保護素子及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0256815B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1990-12-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0157348B1 (ko) | 프로그램가능한 퓨즈 구조물 및 퓨즈 프로그래밍 방법 | |
EP1479106B1 (en) | Fuse structure programming by electromigration of silicide enhanced by creating temperature gradient | |
EP0078165B1 (en) | A semiconductor device having a control wiring layer | |
US8304852B2 (en) | Semiconductor device | |
US4209894A (en) | Fusible-link semiconductor memory | |
JPH06260558A (ja) | プログラミング可能なアンチヒューズ要素 | |
JPH07335761A (ja) | 電気的にプログラミング可能な自己冷却ヒューズ | |
US5827759A (en) | Method of manufacturing a fuse structure | |
US5572050A (en) | Fuse-triggered antifuse | |
JP6287137B2 (ja) | ポリシリコンヒューズおよびポリシリコンヒューズを有する、半導体装置およびポリシリコンヒューズの分断方法 | |
JPS58153297A (ja) | メモリ用icのヒユ−ズ | |
JPS5987736A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2004228369A (ja) | 半導体装置およびフューズ溶断方法 | |
JPH0541481A (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6059678B2 (ja) | プログラマブル・リ−ド・オンリ・メモリ素子 | |
JPS61147548A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0479137B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPS63260149A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0332228B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPS6035534A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03106055A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS58158099A (ja) | プログラム可能な読出し専用記憶素子 | |
JPS5877098A (ja) | プログラマブル・リ−ド・オンリ・メモリ素子 | |
JPH09116108A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPS5859528A (ja) | ヒユ−ズ装置およびその製造方法 |