JPS5986291A - セラミツク多層配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク多層配線基板の製造方法Info
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- JPS5986291A JPS5986291A JP19624482A JP19624482A JPS5986291A JP S5986291 A JPS5986291 A JP S5986291A JP 19624482 A JP19624482 A JP 19624482A JP 19624482 A JP19624482 A JP 19624482A JP S5986291 A JPS5986291 A JP S5986291A
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- conductive paste
- ceramic multilayer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明はセラミック多層配線基板において、絶縁層をは
さんで上下に存在する配線導体部を、電気的に接続させ
るビアの形成方法に関する。
さんで上下に存在する配線導体部を、電気的に接続させ
るビアの形成方法に関する。
従来技術
とアの形成は絶縁層に開口部をつくるピアホールの工程
とこの開口部に導体層を形成するビアフィルの工程とに
分けられる。
とこの開口部に導体層を形成するビアフィルの工程とに
分けられる。
従来の代表的なビアの形成方法はあらかじめパターン化
されたスクリーンを用いて厚膜ペーストを印刷、乾燥、
焼成するいわゆる厚膜スクリーン印刷法が用いられてい
る。この方法は、ピアホールを有する絶縁層をスクリー
ン印刷で形成、焼成した後、スクリーンを用いてピアホ
ール部に導体ペーストを印刷、焼成する方法である。そ
の工程が比較的簡単であり、容易に多層パターンが形成
できることから広く用いられてきた方法である。
されたスクリーンを用いて厚膜ペーストを印刷、乾燥、
焼成するいわゆる厚膜スクリーン印刷法が用いられてい
る。この方法は、ピアホールを有する絶縁層をスクリー
ン印刷で形成、焼成した後、スクリーンを用いてピアホ
ール部に導体ペーストを印刷、焼成する方法である。そ
の工程が比較的簡単であり、容易に多層パターンが形成
できることから広く用いられてきた方法である。
しかしながら、本方法ではパターンがスクリーンによっ
て形成されるため、微小なビアパターンはうまく印刷さ
れない。したがって、微小なビア形成には不向きであり
、量産レベルで考えた場合ピアホール、ビアフィルの大
きさは２５０μＩｎ ０ミクロ平方根度がほぼ限界で、
ｉｏｏμｍ０ミクロン平方以下の微小なビアは形成でき
ないという欠点を有していた。
て形成されるため、微小なビアパターンはうまく印刷さ
れない。したがって、微小なビア形成には不向きであり
、量産レベルで考えた場合ピアホール、ビアフィルの大
きさは２５０μＩｎ ０ミクロ平方根度がほぼ限界で、
ｉｏｏμｍ０ミクロン平方以下の微小なビアは形成でき
ないという欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的はピアホールを有する絶縁層を形成し、そ
の上から導体ペーストをピアホールに埋込んでビアフィ
ルとし、その後前記絶縁層上に残った余分の導体ペース
トを除去する工法を用いることにより上記欠点を解決し
、簡単な工程でビアの形成を可能にするセラミック多層
配線基板の製造方法を提供することにある。また本発明
の他の目的は、酸素およびフッ化炭素の混合ガスプラズ
マアッシャ−により、前記絶縁層上の導体ペーストの除
去を容易にしたセラミック多層配線基板の製造方法を提
供することにある。また本発明の他の目的は１００μｍ
０ミクロン平方以下の微小なビアをするようにしたセラ
ミック多層配線基板の形成方法を提供することにある。
の上から導体ペーストをピアホールに埋込んでビアフィ
ルとし、その後前記絶縁層上に残った余分の導体ペース
トを除去する工法を用いることにより上記欠点を解決し
、簡単な工程でビアの形成を可能にするセラミック多層
配線基板の製造方法を提供することにある。また本発明
の他の目的は、酸素およびフッ化炭素の混合ガスプラズ
マアッシャ−により、前記絶縁層上の導体ペーストの除
去を容易にしたセラミック多層配線基板の製造方法を提
供することにある。また本発明の他の目的は１００μｍ
０ミクロン平方以下の微小なビアをするようにしたセラ
ミック多層配線基板の形成方法を提供することにある。
本発明の方法は、セラミック多層配線基板においてピア
ホールを有する絶縁層を形成する第１の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを用いて前
記ピアホール部に導体ペーストを埋込む第２の工程と、 前記絶縁層上に付着した導体ペーストを除去する第３の
工程と 前記ピアホール部に埋込まれた導体ペーストを焼成する
第４の工程とを含むことを特徴とする。
ホールを有する絶縁層を形成する第１の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを用いて前
記ピアホール部に導体ペーストを埋込む第２の工程と、 前記絶縁層上に付着した導体ペーストを除去する第３の
工程と 前記ピアホール部に埋込まれた導体ペーストを焼成する
第４の工程とを含むことを特徴とする。
本発明の他の方法は、上述の発明の第３の工程において
酸素およびフッ化炭素の混合ガスプラズマアッシャ−を
用いることにより、導体ペーストの有機バインダ成分を
燃焼させ絶縁層上の導体ペーストを除去しやすくした方
法を含むことを特徴とする。
酸素およびフッ化炭素の混合ガスプラズマアッシャ−を
用いることにより、導体ペーストの有機バインダ成分を
燃焼させ絶縁層上の導体ペーストを除去しやすくした方
法を含むことを特徴とする。
発明の実りｍ個
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。第
１図を参照すると配線導体層を形成したアルミナ基板１
０表面に光硬化性絶縁ペースト２が印刷、乾燥されてい
る。この光硬化性絶縁ペーストは平均粒径０．５μｍの
アルミナ粒子Ａ Ｉ 、 ０．と二酸化シリコン８ｉ０
．や酸化カルシウムＣａＯを主成分とするガラス粒子よ
りなる無機成分とメチルメタクリレートを主成分とする
有機樹脂にアクリレート系の光架橋剤などからなる有機
成分とからなるものである。
１図を参照すると配線導体層を形成したアルミナ基板１
０表面に光硬化性絶縁ペースト２が印刷、乾燥されてい
る。この光硬化性絶縁ペーストは平均粒径０．５μｍの
アルミナ粒子Ａ Ｉ 、 ０．と二酸化シリコン８ｉ０
．や酸化カルシウムＣａＯを主成分とするガラス粒子よ
りなる無機成分とメチルメタクリレートを主成分とする
有機樹脂にアクリレート系の光架橋剤などからなる有機
成分とからなるものである。
次に第２図を参照すると、前記光硬化性絶縁ペースト２
の所望の部分がとりのぞかれ、ピアホール３が形成され
ている。このピアホールの形成は図示されていないガラ
スマスクを通して露光した後に１−１−１）リクロルエ
タン液を用いて現像することによりなされる。この時に
形成されるピアホールの可能な大きさは光硬化性絶縁ペ
ーストの解像性に依存するが、本実施例で用いたものは
最小５０＝８０μｍ０（ミクロン平方）までが形成でき
もこれは従来のスクリーン印刷法と比べて１１５〜１／
３の大きさである。
の所望の部分がとりのぞかれ、ピアホール３が形成され
ている。このピアホールの形成は図示されていないガラ
スマスクを通して露光した後に１−１−１）リクロルエ
タン液を用いて現像することによりなされる。この時に
形成されるピアホールの可能な大きさは光硬化性絶縁ペ
ーストの解像性に依存するが、本実施例で用いたものは
最小５０＝８０μｍ０（ミクロン平方）までが形成でき
もこれは従来のスクリーン印刷法と比べて１１５〜１／
３の大きさである。
第３図を参照すると、前記絶縁ペースト２が焼成されて
ピアホール３を有する絶縁層４となっている。この時絶
縁層４０表面はかなり滑らかであり、表面粗度はＲａで
０．８〜０．９μｍである。
ピアホール３を有する絶縁層４となっている。この時絶
縁層４０表面はかなり滑らかであり、表面粗度はＲａで
０．８〜０．９μｍである。
第４図を参照すると、図示されていないステンシルスク
リーンを用い【導体ペーストが絶縁層４表面に印刷され
る。導体ペーストはピアホール３０部分には埋込まれて
ビアフィル６となるが、絶縁層表面がかなり平滑である
ためピアホール以外の部分に付着する残渣５はごくわず
かである。また、基板の周辺部はステンシルスクリーン
でカバーされるために導体ペーストは付着していない。
リーンを用い【導体ペーストが絶縁層４表面に印刷され
る。導体ペーストはピアホール３０部分には埋込まれて
ビアフィル６となるが、絶縁層表面がかなり平滑である
ためピアホール以外の部分に付着する残渣５はごくわず
かである。また、基板の周辺部はステンシルスクリーン
でカバーされるために導体ペーストは付着していない。
このようにステンシルスクリーンを用いることによりビ
アフィルの必要な領域のみに導体ペーストを埋込むこと
が可能になる。
アフィルの必要な領域のみに導体ペーストを埋込むこと
が可能になる。
第５図を参照すると、絶縁層表面に残った導体ペースト
が除去されている。これは表面が平滑であるため無塵布
でこすることによりＩＭ単に除去される。一方、ピアホ
ール部に埋込まれた導体ペースト６は無塵布でこすって
も除去されない。
が除去されている。これは表面が平滑であるため無塵布
でこすることによりＩＭ単に除去される。一方、ピアホ
ール部に埋込まれた導体ペースト６は無塵布でこすって
も除去されない。
第６図を参照すると、ピアホール部に埋込まれた導体ペ
ースト６が焼成され導体層ｄとなっている。以上説明し
たように、本発明ではビア形成が容易に行なえるととも
に、微小なビアの形成が可能である。
ースト６が焼成され導体層ｄとなっている。以上説明し
たように、本発明ではビア形成が容易に行なえるととも
に、微小なビアの形成が可能である。
次に本発明の第２の実施例を詳細に説明する。
第７図を参照すると配線導体層を形成したアルミナ基板
７０表面に絶縁ペースト８が印刷、乾燥され、その上に
感光性ドライフィルム９がラミネートされている。
７０表面に絶縁ペースト８が印刷、乾燥され、その上に
感光性ドライフィルム９がラミネートされている。
第８図を参照すると、前記感光性ドライフィルム９およ
び絶縁ペースト８の所望の部分がとりのぞかれピアホー
ル１０が形成されている。このピアホールの形成は図示
されていないガラスマスクを通して露光した後に、１−
１−１）リクロルエタン液を用いて現像することにより
なされる。この時に形成されるピアホールの可能な大き
さは感光性ドライフィルムの解像度、絶縁ペーストの厚
さ等に依存するが、条件を適当に選ぶことにより１００
／ＡｎＰ（ミクロン平方）程度のビアが形成可能であ
る。
び絶縁ペースト８の所望の部分がとりのぞかれピアホー
ル１０が形成されている。このピアホールの形成は図示
されていないガラスマスクを通して露光した後に、１−
１−１）リクロルエタン液を用いて現像することにより
なされる。この時に形成されるピアホールの可能な大き
さは感光性ドライフィルムの解像度、絶縁ペーストの厚
さ等に依存するが、条件を適当に選ぶことにより１００
／ＡｎＰ（ミクロン平方）程度のビアが形成可能であ
る。
次に感光性ドライフィルム９をピーク温度４００℃程度
の予備焼成によって除去し、更Ｔ本焼成により第９図に
示すようにピアホール１０を有する絶縁層１１が形成さ
れる。この絶縁層１１０表面粗さは、第３図に示す第１
の実施例の絶縁層４０表面粗さとほぼ同じ程度である。
の予備焼成によって除去し、更Ｔ本焼成により第９図に
示すようにピアホール１０を有する絶縁層１１が形成さ
れる。この絶縁層１１０表面粗さは、第３図に示す第１
の実施例の絶縁層４０表面粗さとほぼ同じ程度である。
第１０図を参照すると、図示されていないステンシルス
クリーンを用いて導体ペーストが絶縁層１１表面に印刷
される。導体ペーストはピアホール１００部分には埋込
まれてビアフィル１３となるが、ピアホール以外の部分
に付着する残渣１３１ごくわずかである。基板の周辺部
は第１の実施例と同様にステンシルスクリーンでカバー
されるため導体ペーストは付着しない。次に無塵布で絶
縁層１１表面をこすることにより導体ペーストの残渣１
２が除去され、さらにピアホール部に埋込まれた導体ペ
ースト１３が焼成され、第１１図に示すように絶縁層１
１および導体層１３′となる。以上説明したように本発
明では絶縁ペーストを感光性レジスフ トと組合せ、フォトリレグラフィ技術を用いることによ
り微小なビアの形成が可能となる。
クリーンを用いて導体ペーストが絶縁層１１表面に印刷
される。導体ペーストはピアホール１００部分には埋込
まれてビアフィル１３となるが、ピアホール以外の部分
に付着する残渣１３１ごくわずかである。基板の周辺部
は第１の実施例と同様にステンシルスクリーンでカバー
されるため導体ペーストは付着しない。次に無塵布で絶
縁層１１表面をこすることにより導体ペーストの残渣１
２が除去され、さらにピアホール部に埋込まれた導体ペ
ースト１３が焼成され、第１１図に示すように絶縁層１
１および導体層１３′となる。以上説明したように本発
明では絶縁ペーストを感光性レジスフ トと組合せ、フォトリレグラフィ技術を用いることによ
り微小なビアの形成が可能となる。
次に本発明の第３の実施例を詳細に説明する。
第１２図を参照すると配線導体層を形成したアルミナ基
板１４の表面に光硬化性絶縁ペーストでビアポール１５
を有する絶縁層１６が形成されていもこの光硬化性絶縁
ペーストは第１の実施例の光硬化性絶縁ペーストとは異
なり、アルミナ粒子の平均粒径が大きい種類のペースト
で表面粗さがＲａで１．２μｍ（ミクロン）程度のもの
である。
板１４の表面に光硬化性絶縁ペーストでビアポール１５
を有する絶縁層１６が形成されていもこの光硬化性絶縁
ペーストは第１の実施例の光硬化性絶縁ペーストとは異
なり、アルミナ粒子の平均粒径が大きい種類のペースト
で表面粗さがＲａで１．２μｍ（ミクロン）程度のもの
である。
第１３図を参照すると、図示されていないステンシルス
クリーンを用いて導体ペーストが絶縁層１６表面に印刷
される。導体ペーストはピアホール１５０部分には埋込
まれてビアフィル１７となり、絶縁層表面が比較的ザラ
ザラしているため、ピアホール以外の部分に付着する残
渣１８は第１およびｇ２の実施例の場合より多く、無塵
布でこする程度では除去されない。
クリーンを用いて導体ペーストが絶縁層１６表面に印刷
される。導体ペーストはピアホール１５０部分には埋込
まれてビアフィル１７となり、絶縁層表面が比較的ザラ
ザラしているため、ピアホール以外の部分に付着する残
渣１８は第１およびｇ２の実施例の場合より多く、無塵
布でこする程度では除去されない。
第１４図を参照すると、絶縁層表面の残渣１８が除去さ
れている。これは以下のようになされる。
れている。これは以下のようになされる。
まず酸素とフッ化炭素（０，＋ＣＦ、）混合ガスによる
プラズマアッシャ−を行なう。１０分間程度のアッシャ
−処理で残渣１８およびビアフィル１７のごく表面の有
機バインダ成分が燃焼し、ペーストの無機成分粒子を結
びつける力がなくなるためペーストはごく弱い力で容易
に除去が可能となる。次に基板を回転しながらナイロン
等のブラシで軽くこするスピンスクラバー装置を利用し
たり、高圧で純水をふきつける方法を用いて残渣１８を
除去する。
プラズマアッシャ−を行なう。１０分間程度のアッシャ
−処理で残渣１８およびビアフィル１７のごく表面の有
機バインダ成分が燃焼し、ペーストの無機成分粒子を結
びつける力がなくなるためペーストはごく弱い力で容易
に除去が可能となる。次に基板を回転しながらナイロン
等のブラシで軽くこするスピンスクラバー装置を利用し
たり、高圧で純水をふきつける方法を用いて残渣１８を
除去する。
第１５図を参照すると、ビアフィル１７が焼成されて導
体層１７′が形成される。以上説明したように絶縁層の
表面が粗い場合もプラズマアッシャ−を用いることによ
り、絶縁層表面に付層した導体ペーストが容易に除去で
きる。
体層１７′が形成される。以上説明したように絶縁層の
表面が粗い場合もプラズマアッシャ−を用いることによ
り、絶縁層表面に付層した導体ペーストが容易に除去で
きる。
次に本発明の第４の実施例を詳細に説明する。
第１６図を参照すると、配線導体層を形成したアルミナ
基板１９０表面に、所望の位置にピアホール２０を有す
る絶縁層２１が形成されている。この絶縁層はペースト
を印刷、乾燥、焼成することにより形成され、又ピアホ
ール２０はＹＡＧレーザーにより形成される。この時ピ
アホールの周囲にはパリ２σが発生する。
基板１９０表面に、所望の位置にピアホール２０を有す
る絶縁層２１が形成されている。この絶縁層はペースト
を印刷、乾燥、焼成することにより形成され、又ピアホ
ール２０はＹＡＧレーザーにより形成される。この時ピ
アホールの周囲にはパリ２σが発生する。
第１７図を参照すると、図示されていないステンシルス
クリーンを用いて導体ペーストが絶縁層２１表面に印刷
される。導体ペーストはピアホール２００部分には埋込
まれてビアフィル２２となり、また、バＩＪ ４により
絶縁層表面に残渣２３が刺着する。次に平面研削盤等に
より絶縁層２１表面を研磨することにより、ピアホール
周囲のパリを除去する。この時絶縁層表面も削られるた
め表面に付着した０）体ペーストの残／１！Ｅ２３も除
去される。
クリーンを用いて導体ペーストが絶縁層２１表面に印刷
される。導体ペーストはピアホール２００部分には埋込
まれてビアフィル２２となり、また、バＩＪ ４により
絶縁層表面に残渣２３が刺着する。次に平面研削盤等に
より絶縁層２１表面を研磨することにより、ピアホール
周囲のパリを除去する。この時絶縁層表面も削られるた
め表面に付着した０）体ペーストの残／１！Ｅ２３も除
去される。
第１８図を癖照すると、絶縁層をり１脂した後の状態が
示されている。
示されている。
第１９図を参照すると、ビアフィル２２が焼成されて導
体層２２′となる。
体層２２′となる。
発明の効果
本発明には、ピアホールを有する絶縁層を形成し、その
上から導体ペーストを埋込んでビアフィルとし、その後
絶縁層上に残りだ余分の導体ペーストを除去する工法を
用いることにより、簡単な工程で微小なビアな形成でき
るという効果があ谷
上から導体ペーストを埋込んでビアフィルとし、その後
絶縁層上に残りだ余分の導体ペーストを除去する工法を
用いることにより、簡単な工程で微小なビアな形成でき
るという効果があ谷
第１図から第６図までは本発明の第１の実施例を示す工
程断面図、第７図から第１１図までは本発明の第２の実
施例を示す工程断面図、第１２図から第１５図までは本
発明の第３の実施例を示す工程断面図、および第１６図
から第１９図までは本発明の第４の実施例を示す工程断
面図である。 第１図から第１９図において、１・・・・・・アルミ瘤
板、２・・・・・・光硬化性絶縁ペースト、３・・・・
・・ピアホール、４・・・・・・絶縁層、５・・・・・
・導体ペースト残渣、６・・・・・・ビアフィルの導体
ペースト６′・・・・・・導体層、７・・・・・・アル
ミナ基板、８・・・・・・絶縁ペースト、９・・・・・
・感光性ドライフィルム、１０・・・・・・ピアホール
、１１・・・・・・絶縁層、１２・・・・・・導体ペー
スト残渣、１３・・・・・・ビアフィルの導体ペースト
、１ぎ・・・・・・導体層、１４・・・・・・アルミナ
基板、１５・・・・・・ピアホール、［６・・・・・・
絶縁層、１７・・・・・・ビアフィルの導体ペースト、
１８・・・・・・導体ペーストの残渣、１７′・・・・
・・導体層、１９・・・・・・アルミナ基板、２０・・
・・・・ピアホール、２σ・・・・・・パリ、２１・・
・・・・絶縁層、２２・・・・・・ビアフィルの導体ペ
ースト、２３・・・・・・導体ペーストの残渣、２２’
・・・・・・導体層。 第３図 γ６図 ６，４ 鱈／θロ ｆｌ ２７ 手続補正書（自発） ５９．２．−０ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第１９６２
４４号２、発明の名称 セラミック多１−配線基板の
製造方法３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
口」３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東車都港区芝五丁１」３７番８シ） 住友
三１１．１ビル（連絡先 ［１本電気株式会社特許部）
６ 補正の山谷 （１）明細書、第１頁から第２、特許請求の範囲の欄を
別紙のとおりに引止する。 （２）同、第３頁、第５行「ミクロ」を「ミクロン」に
訂正する。 （３）同、第４頁、第１行から第２行［目的は・・・・
・・するようにした」を［目的は厚膜スクリーン印刷法
では形成できない１００μｍ口ミクロン平方以下の微小
なビアを形成するようにしたＪに訂正する。 （４）回、第６頁、第５行「この時絶縁層４の」を［こ
の時本実施例の絶縁ペーストは平均粒径の細かいアルミ
ナ粒子を使用しているので絶縁層４の］に訂正する。 （５）同、第９頁、第１０行［ペーストで表面粗さがＲ
ａで」を［ペーストであるので絶縁層１６の表面粗さは
第１の実施例の絶縁１−４に比べて粗く、その表面粗さ
は几ａで」に訂正する。 鈴」 級 特許請求の範囲 （１） セラミック多層配線基板において、ピアポー
ルを有する絶縁＠を形成する給１の工程と、前記ピアホ
ール部に基板の周辺部だけをおおうステンシルスクリー
ンを用いて導体ペーストを埋込む第２の工程と、 前記絶縁層表面に付着した導体ペーストを除去する第３
の工程と、 …Ｉ記ピアホール部に埋込まれた導体ペーストを焼成す
る第４の工程とを含むことを％徴とするセラミック多ｌ
−配線基板の製造方法。 （２）前記第３の工程において、前記絶縁ｌ−表面に付
着した導体ペースト中の有機バインダ成分をガスプラズ
マにより燃焼させ除去しゃすくしたことを特徴とする特
許請求範囲第１項記載のセラミック多１−配線基板の製
造方法。
程断面図、第７図から第１１図までは本発明の第２の実
施例を示す工程断面図、第１２図から第１５図までは本
発明の第３の実施例を示す工程断面図、および第１６図
から第１９図までは本発明の第４の実施例を示す工程断
面図である。 第１図から第１９図において、１・・・・・・アルミ瘤
板、２・・・・・・光硬化性絶縁ペースト、３・・・・
・・ピアホール、４・・・・・・絶縁層、５・・・・・
・導体ペースト残渣、６・・・・・・ビアフィルの導体
ペースト６′・・・・・・導体層、７・・・・・・アル
ミナ基板、８・・・・・・絶縁ペースト、９・・・・・
・感光性ドライフィルム、１０・・・・・・ピアホール
、１１・・・・・・絶縁層、１２・・・・・・導体ペー
スト残渣、１３・・・・・・ビアフィルの導体ペースト
、１ぎ・・・・・・導体層、１４・・・・・・アルミナ
基板、１５・・・・・・ピアホール、［６・・・・・・
絶縁層、１７・・・・・・ビアフィルの導体ペースト、
１８・・・・・・導体ペーストの残渣、１７′・・・・
・・導体層、１９・・・・・・アルミナ基板、２０・・
・・・・ピアホール、２σ・・・・・・パリ、２１・・
・・・・絶縁層、２２・・・・・・ビアフィルの導体ペ
ースト、２３・・・・・・導体ペーストの残渣、２２’
・・・・・・導体層。 第３図 γ６図 ６，４ 鱈／θロ ｆｌ ２７ 手続補正書（自発） ５９．２．−０ 昭和 年 月 日 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第１９６２
４４号２、発明の名称 セラミック多１−配線基板の
製造方法３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
口」３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東車都港区芝五丁１」３７番８シ） 住友
三１１．１ビル（連絡先 ［１本電気株式会社特許部）
６ 補正の山谷 （１）明細書、第１頁から第２、特許請求の範囲の欄を
別紙のとおりに引止する。 （２）同、第３頁、第５行「ミクロ」を「ミクロン」に
訂正する。 （３）同、第４頁、第１行から第２行［目的は・・・・
・・するようにした」を［目的は厚膜スクリーン印刷法
では形成できない１００μｍ口ミクロン平方以下の微小
なビアを形成するようにしたＪに訂正する。 （４）回、第６頁、第５行「この時絶縁層４の」を［こ
の時本実施例の絶縁ペーストは平均粒径の細かいアルミ
ナ粒子を使用しているので絶縁層４の］に訂正する。 （５）同、第９頁、第１０行［ペーストで表面粗さがＲ
ａで」を［ペーストであるので絶縁層１６の表面粗さは
第１の実施例の絶縁１−４に比べて粗く、その表面粗さ
は几ａで」に訂正する。 鈴」 級 特許請求の範囲 （１） セラミック多層配線基板において、ピアポー
ルを有する絶縁＠を形成する給１の工程と、前記ピアホ
ール部に基板の周辺部だけをおおうステンシルスクリー
ンを用いて導体ペーストを埋込む第２の工程と、 前記絶縁層表面に付着した導体ペーストを除去する第３
の工程と、 …Ｉ記ピアホール部に埋込まれた導体ペーストを焼成す
る第４の工程とを含むことを％徴とするセラミック多ｌ
−配線基板の製造方法。 （２）前記第３の工程において、前記絶縁ｌ−表面に付
着した導体ペースト中の有機バインダ成分をガスプラズ
マにより燃焼させ除去しゃすくしたことを特徴とする特
許請求範囲第１項記載のセラミック多１−配線基板の製
造方法。
Claims (2)
- （１） セラミック多層配線基板において、ピアホー
ルを有する絶縁層を形成する第１の工程と、前記ピアホ
ール部に基板の周辺部だけをおおうステンシルスクリー
ンを用いて導体ペーストを埋込む第２の工程と、 前記絶縁層表面に付着した導体ペーストを除去する第３
の工程と、 前記ビアポール部に埋込まれた導体ペーストを焼成する
第４の工程とを含むことを特徴とするセラミック多層配
線基板の製造方法。 - （２）前記第３の工程において、前記絶縁層表面に付着
した導体ペースト中の有機バインダ成分を０、−１−Ｃ
Ｆ、ガスプラズマにより燃焼させ除去・しやすくしたこ
とを特徴とする特許請求範囲第１項記載のセラミック多
層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624482A JPS5986291A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624482A JPS5986291A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986291A true JPS5986291A (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=16354581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19624482A Pending JPS5986291A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986291A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785293A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Nippon Electric Co | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
| JPS57196245A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19624482A patent/JPS5986291A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785293A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Nippon Electric Co | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
| JPS57196245A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
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