JPS6161720B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6161720B2 JPS6161720B2 JP16151480A JP16151480A JPS6161720B2 JP S6161720 B2 JPS6161720 B2 JP S6161720B2 JP 16151480 A JP16151480 A JP 16151480A JP 16151480 A JP16151480 A JP 16151480A JP S6161720 B2 JPS6161720 B2 JP S6161720B2
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- Japan
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- paste
- photoresist
- insulating
- via hole
- conductive paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はLSI（大規模集積回路）パツケージ用
の高密度多層回路基板の製造方法に関する。
の高密度多層回路基板の製造方法に関する。
従来の高密度多層回路基板の製造方法において
は、第１の工程で耐熱性絶縁基板上または該基板
上に形成された回路上に絶縁ペーストをスクリー
ン印刷し乾燥させたあと、第２の工程で前記絶縁
ペースト上にホトレジストを形成している。この
あと、第３の工程で所望のビイアホール部分以外
のホトレジストを露光重合硬化させたあと、第４
の工程で所望のビイアホール部分のレジストおよ
び絶縁ペーストを現像液により取り除いている。
さらに、第５の工程で前記ビイアホール部分に導
体ペーストをうめ込んだあと絶縁ペースト、導体
ペーストおよびホトレジストを一緒に焼成してい
る。このため、次のような問題が生じている。す
なわち、第１Ａ図に示されるように、ビイアホー
ル部分に導体ペースト５をうめ込むときにホトレ
ジスト４の上に余分の導体ペースト６が残つてし
まう。この残渣の原因はホトレジスト表面の凸
凹、ゴミ、もしくはペーストをうめ込むためのス
キージのそりや傷などが考えられる。特に基板１
の表面に回路を形成して多層化する場合は、下層
の導体層の凸凹があり、この残渣をなくすことは
なかなか困難である。ペースト残渣６があるまま
で次の焼成工程をおこなうと、第１Ｂ図に示され
るようにホトレジスト４は燃焼してなくなるが、
ホトレジスト４上の残渣導体ペースト６は焼結し
て、導体７を形成してしまう。このような余分の
導体は、回路形成にあたつて短絡等の原因とな
り、好ましくはい。そこで、従来その対策とし
て、導体ペースト６をうめ込んだあと、ホトレジ
スト４上に残つた余分の導体ペースト６を何らか
の方法で取り除くことがおこなわれている。例え
ば、紙や布などでホトレジスト４の表面をふいた
り、溶剤で軽く洗つたり、スプレーしたりする方
法が試みられている。しかしながら、これらの方
法では、ホトレジスト４上の残渣導体ペースト６
は取り除かれるものの、ビイアホール部分の導体
ペースト６も一緒に取り除かれてしまい、第１Ｃ
図に示されるように、うめ込まれる導体ペースト
６の量が少なくなつてしまうという欠点がある。
は、第１の工程で耐熱性絶縁基板上または該基板
上に形成された回路上に絶縁ペーストをスクリー
ン印刷し乾燥させたあと、第２の工程で前記絶縁
ペースト上にホトレジストを形成している。この
あと、第３の工程で所望のビイアホール部分以外
のホトレジストを露光重合硬化させたあと、第４
の工程で所望のビイアホール部分のレジストおよ
び絶縁ペーストを現像液により取り除いている。
さらに、第５の工程で前記ビイアホール部分に導
体ペーストをうめ込んだあと絶縁ペースト、導体
ペーストおよびホトレジストを一緒に焼成してい
る。このため、次のような問題が生じている。す
なわち、第１Ａ図に示されるように、ビイアホー
ル部分に導体ペースト５をうめ込むときにホトレ
ジスト４の上に余分の導体ペースト６が残つてし
まう。この残渣の原因はホトレジスト表面の凸
凹、ゴミ、もしくはペーストをうめ込むためのス
キージのそりや傷などが考えられる。特に基板１
の表面に回路を形成して多層化する場合は、下層
の導体層の凸凹があり、この残渣をなくすことは
なかなか困難である。ペースト残渣６があるまま
で次の焼成工程をおこなうと、第１Ｂ図に示され
るようにホトレジスト４は燃焼してなくなるが、
ホトレジスト４上の残渣導体ペースト６は焼結し
て、導体７を形成してしまう。このような余分の
導体は、回路形成にあたつて短絡等の原因とな
り、好ましくはい。そこで、従来その対策とし
て、導体ペースト６をうめ込んだあと、ホトレジ
スト４上に残つた余分の導体ペースト６を何らか
の方法で取り除くことがおこなわれている。例え
ば、紙や布などでホトレジスト４の表面をふいた
り、溶剤で軽く洗つたり、スプレーしたりする方
法が試みられている。しかしながら、これらの方
法では、ホトレジスト４上の残渣導体ペースト６
は取り除かれるものの、ビイアホール部分の導体
ペースト６も一緒に取り除かれてしまい、第１Ｃ
図に示されるように、うめ込まれる導体ペースト
６の量が少なくなつてしまうという欠点がある。
本発明の目的は、上述の欠点を除去した高密度
回路基板の製造方法を提供することにある。
回路基板の製造方法を提供することにある。
本発明の製造方法は、耐熱性絶縁基板上に形成
された多層回路内にビイアホールを有する絶縁層
およびビイアフイル導体層を形成してなる高密度
多層回路基板の製造方法において、 前記耐熱性基板上と前記耐熱性基板上に形成さ
れた回路上との少なくとも一方に絶縁ペーストを
スクリーン印刷し乾燥する第１の工程と、 該絶縁ペースト上にホトレジストを形成する第
２の工程と、 所望のビイアホール部分以外のホトレジストを
露光重合硬化させる第３の工程と、 前記所望のビイアホール部分のレジストおよび
絶縁ペーストを現像液により取除く第４の工程
と、 前記ビイアホール部分に導体ペーストをうめ込
む第５の工程と、 前記ホトレジストを加熱燃焼させて前記絶縁ペ
ースト上から剥離させる第６の工程と、 前記絶縁ペーストおよび導体ペーストを一括し
て焼成する第７の工程とを有することを特徴とす
る。
された多層回路内にビイアホールを有する絶縁層
およびビイアフイル導体層を形成してなる高密度
多層回路基板の製造方法において、 前記耐熱性基板上と前記耐熱性基板上に形成さ
れた回路上との少なくとも一方に絶縁ペーストを
スクリーン印刷し乾燥する第１の工程と、 該絶縁ペースト上にホトレジストを形成する第
２の工程と、 所望のビイアホール部分以外のホトレジストを
露光重合硬化させる第３の工程と、 前記所望のビイアホール部分のレジストおよび
絶縁ペーストを現像液により取除く第４の工程
と、 前記ビイアホール部分に導体ペーストをうめ込
む第５の工程と、 前記ホトレジストを加熱燃焼させて前記絶縁ペ
ースト上から剥離させる第６の工程と、 前記絶縁ペーストおよび導体ペーストを一括し
て焼成する第７の工程とを有することを特徴とす
る。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第２Ａ図〜第２Ｅ図を参照して本発明の一実施
例を詳細に説明する。
例を詳細に説明する。
まず、第２Ａ図を参照すると、耐熱性絶縁基板
１および導体層２の上に絶縁ペースト３を印刷塗
布し、100〜120℃で15分間乾燥する。耐熱性絶縁
基板１としては、96〜99.5％のアルミナ基板が一
般的であり、本実施例では、97％アルミナ基板を
用いている。絶縁ペースト３はアルミナが主成分
として含まれている。デユポン社の9805というペ
ーストを用いている。乾燥後にホトレジスト４を
絶縁ペースト３上に形成する。一般にホトレジス
ト４は、液状タイプのものと、フイルムタイプの
ものがあるが、レジストの厚さや表面の平滑性の
点で本プロセスにおいてはフイルムタイプのもの
が適しており、本実施例では、デユポン社のリス
トン1010を用いている。フイルムタイプのレジス
トはダイナケム社のラミナーがあり、もちろんこ
れも使用できる。
１および導体層２の上に絶縁ペースト３を印刷塗
布し、100〜120℃で15分間乾燥する。耐熱性絶縁
基板１としては、96〜99.5％のアルミナ基板が一
般的であり、本実施例では、97％アルミナ基板を
用いている。絶縁ペースト３はアルミナが主成分
として含まれている。デユポン社の9805というペ
ーストを用いている。乾燥後にホトレジスト４を
絶縁ペースト３上に形成する。一般にホトレジス
ト４は、液状タイプのものと、フイルムタイプの
ものがあるが、レジストの厚さや表面の平滑性の
点で本プロセスにおいてはフイルムタイプのもの
が適しており、本実施例では、デユポン社のリス
トン1010を用いている。フイルムタイプのレジス
トはダイナケム社のラミナーがあり、もちろんこ
れも使用できる。
次に第２Ｂ図を参照すると、適当なガラスマス
クを用いて露光を行ない、その後現像液を用いて
現像し、ビイアホール８は形成する。現像液は、
１−１−１トリクロルエタンを用いており、これ
によりホトレジスト４と絶縁ペースト３とを同時
に除去することができる。
クを用いて露光を行ない、その後現像液を用いて
現像し、ビイアホール８は形成する。現像液は、
１−１−１トリクロルエタンを用いており、これ
によりホトレジスト４と絶縁ペースト３とを同時
に除去することができる。
次に第２Ｃ図を参照すると、導体ペースト５を
ビイアホール部８にうめ込む。ペースト粘度、ス
キージ硬度およびスキージ圧力を適当に選ぶこと
により、ビイアホール部５に十分な導体ペースト
をうめこむことができる。本実施例では、導体ペ
ーストとしてデユポン社の9791を用い、ペースト
粘度200KCPS（10rpm回転時）、スキージ硬度80
度およびスキージ圧力30目盛（印刷機CP−88、
AMI社）で良好な結果が得られている。しかし
ながら、本工程でホトレジスト４の上にわずかな
がら導体ペースト７が残る。
ビイアホール部８にうめ込む。ペースト粘度、ス
キージ硬度およびスキージ圧力を適当に選ぶこと
により、ビイアホール部５に十分な導体ペースト
をうめこむことができる。本実施例では、導体ペ
ーストとしてデユポン社の9791を用い、ペースト
粘度200KCPS（10rpm回転時）、スキージ硬度80
度およびスキージ圧力30目盛（印刷機CP−88、
AMI社）で良好な結果が得られている。しかし
ながら、本工程でホトレジスト４の上にわずかな
がら導体ペースト７が残る。
次に、ピーク温度、および時間を450℃および
５分間に設定したベルト焼成炉で基板を焼成し、
ホトレジスト４を加熱、燃焼させて、絶縁ペース
ト３から剥離させる。この温度では、ホトレジス
トやペースト中に含まれる有機樹脂は燃焼するが
ペースト中のガラスや金属は軟化したり、焼結し
たりすることはない。そのためにホトレジスト４
は容易に、絶縁ペースト３から剥離、燃焼する。
また、第２Ｄ図を参照すると、このときにホトレ
ジスト４上に残つていた導体ペースト７は絶縁ペ
ースト３上に置かれている状態となり、基板を傾
むけたり、または軽くエアースプレーするなどし
て、容易に取除くことができる。
５分間に設定したベルト焼成炉で基板を焼成し、
ホトレジスト４を加熱、燃焼させて、絶縁ペース
ト３から剥離させる。この温度では、ホトレジス
トやペースト中に含まれる有機樹脂は燃焼するが
ペースト中のガラスや金属は軟化したり、焼結し
たりすることはない。そのためにホトレジスト４
は容易に、絶縁ペースト３から剥離、燃焼する。
また、第２Ｄ図を参照すると、このときにホトレ
ジスト４上に残つていた導体ペースト７は絶縁ペ
ースト３上に置かれている状態となり、基板を傾
むけたり、または軽くエアースプレーするなどし
て、容易に取除くことができる。
こうして第２Ｅ図を参照すると、残渣導体ペー
スト７を取除いたあと、930℃の最高温度で焼成
し、絶縁層９および導体ビイアフイル層１０を同
時に形成する。本実施例ではビイアホールを有す
る絶縁層とビイアフイル導体層の形成がほとんど
共通の工程によりなされるため、工程の短縮が可
能となつている。また、ビイアホール部とビイア
フイル部の位置あわせが不必要なセルフアラメン
トになつているため高密度化が可能である。さら
に、ホトレジストの剥離工程を加えることによ
り、ホトレジスト表面の残渣導体ペーストを紙や
布、溶剤等でふきとる必要がなくなると同時に、
ビイアフイル導体ペーストのうめ込み量を十分な
ものにすることが可能となる。
スト７を取除いたあと、930℃の最高温度で焼成
し、絶縁層９および導体ビイアフイル層１０を同
時に形成する。本実施例ではビイアホールを有す
る絶縁層とビイアフイル導体層の形成がほとんど
共通の工程によりなされるため、工程の短縮が可
能となつている。また、ビイアホール部とビイア
フイル部の位置あわせが不必要なセルフアラメン
トになつているため高密度化が可能である。さら
に、ホトレジストの剥離工程を加えることによ
り、ホトレジスト表面の残渣導体ペーストを紙や
布、溶剤等でふきとる必要がなくなると同時に、
ビイアフイル導体ペーストのうめ込み量を十分な
ものにすることが可能となる。
このような絶縁層およびビイアフイル導体層の
形成方法が多層回路の製造において、必要なだけ
何回も繰返すことができるのはもちろんである。
形成方法が多層回路の製造において、必要なだけ
何回も繰返すことができるのはもちろんである。
本発明には、絶縁層のビイアホールの形成と、
ビイアフイル導体層の形成とを同一工程内で行な
う製造方法において、ホトレジストを加熱剥離す
る工程を加えることにより、ビイアフイル導体層
の形成をより完全にできるという効果がある。
ビイアフイル導体層の形成とを同一工程内で行な
う製造方法において、ホトレジストを加熱剥離す
る工程を加えることにより、ビイアフイル導体層
の形成をより完全にできるという効果がある。
第１Ａ図〜第１Ｃ図は従来の多層回路基板の製
造方法を示す図であり、第２Ａ図〜第２Ｅ図は本
発明の一実施例を示す図である。 第１図および第２図において、１……耐熱性絶
縁基板、２……導体層、３……絶縁ペースト、４
……ホトレジスト、５……導体ペースト、６……
残渣導体ペースト、７……残渣導体、８……ビイ
アホール、９……絶縁層、１０……ビイアフイル
導体層。
造方法を示す図であり、第２Ａ図〜第２Ｅ図は本
発明の一実施例を示す図である。 第１図および第２図において、１……耐熱性絶
縁基板、２……導体層、３……絶縁ペースト、４
……ホトレジスト、５……導体ペースト、６……
残渣導体ペースト、７……残渣導体、８……ビイ
アホール、９……絶縁層、１０……ビイアフイル
導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 耐熱性絶縁基板上に形成された多層回路内に
ビイアホールを有する絶縁層およびビイアフイル
導体層を形成してなる高密度多層回路基板の製造
方法において、 前記耐熱性絶縁基板上と前記耐熱性絶縁基板上
に形成された回路上との少なくとも一方に絶縁ペ
ーストをスクリーン印刷し乾燥する第１の工程
と、 該絶縁ペースト上にホトレジストを形成する第
２の工程と、 所望のビイアホール部分以外のホトレジストを
露光重合硬化させる第３の工程と、 前記所望のビイアホール部分のレジストおよび
絶縁ペーストを現像液により取除く第４の工程
と、 前記ビイアホール部分に導体ペーストをうめ込
む第５の工程と、 前記ホトレジストを加熱、燃焼させて前記絶縁
ペースト上から剥離させる第６の工程と、 前記絶縁ペーストおよび導体ペーストを一括し
て焼成する第７の工程とを有することを特徴とす
る高密度多層回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16151480A JPS5785293A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16151480A JPS5785293A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5785293A JPS5785293A (en) | 1982-05-27 |
| JPS6161720B2 true JPS6161720B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15736506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16151480A Granted JPS5785293A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5785293A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986291A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 日本電気株式会社 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
| JPS5986292A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 日本電気株式会社 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
| US11326742B2 (en) | 2017-07-31 | 2022-05-10 | Fujikin Incorporated | Valve |
-
1980
- 1980-11-17 JP JP16151480A patent/JPS5785293A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5785293A (en) | 1982-05-27 |
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