JPS6187393A - 光厚膜ハイブリツド法 - Google Patents
光厚膜ハイブリツド法Info
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- JPS6187393A JPS6187393A JP18869885A JP18869885A JPS6187393A JP S6187393 A JPS6187393 A JP S6187393A JP 18869885 A JP18869885 A JP 18869885A JP 18869885 A JP18869885 A JP 18869885A JP S6187393 A JPS6187393 A JP S6187393A
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- paste
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0562—Details of resist
- H05K2203/0568—Resist used for applying paste, ink or powder
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、ハイブリッド基板上に予定された導電性また
は非導電性のラインパターンを形成する方法に関する。
は非導電性のラインパターンを形成する方法に関する。
［発明の技術的背景］
代表的には、予定された導電性ラインパターンは、以下
の工程に従って基板の上にスクリーン印刷される。最初
に、所望のパターンに対応した開溝または開孔を設けた
マスクを作製する。次にこのマスクをワイヤメツシュ（
金網）の底面に張り付け、そしてこのメツシュを基板の
上に置く。最後に濃いペーストを網の表面に塗布し、こ
れに力を加えて仔のペーストをメツシュを通してにじみ
出せた後、キュアすることにより、印刷パターンが形、
成４される。この方法の詳細およびこの方法で使用する
種々の材料については、ルイス Ｆ、ミラー（ｌｅｗｉ
ｓ ｌ”、 Ｍｉｌｌｅｒ ）著、ゴートンアンド
ブリーチ（Ｇｏｒｄｏｎ ａｎｄ Ｂｒｅａｃｈ ）
社、ニューヨーク １９７２年発行の゛厚膜技術とチッ
プ連結（Ｔ ｈｉｃｋ Ｆ ｉ １ｍｓ Ｔ ｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄＣｈｉｐ ＪｏｉｎｔｉｎＯ
） ”に記されている。
の工程に従って基板の上にスクリーン印刷される。最初
に、所望のパターンに対応した開溝または開孔を設けた
マスクを作製する。次にこのマスクをワイヤメツシュ（
金網）の底面に張り付け、そしてこのメツシュを基板の
上に置く。最後に濃いペーストを網の表面に塗布し、こ
れに力を加えて仔のペーストをメツシュを通してにじみ
出せた後、キュアすることにより、印刷パターンが形、
成４される。この方法の詳細およびこの方法で使用する
種々の材料については、ルイス Ｆ、ミラー（ｌｅｗｉ
ｓ ｌ”、 Ｍｉｌｌｅｒ ）著、ゴートンアンド
ブリーチ（Ｇｏｒｄｏｎ ａｎｄ Ｂｒｅａｃｈ ）
社、ニューヨーク １９７２年発行の゛厚膜技術とチッ
プ連結（Ｔ ｈｉｃｋ Ｆ ｉ １ｍｓ Ｔ ｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄＣｈｉｐ ＪｏｉｎｔｉｎＯ
） ”に記されている。
しかしながら、より細くて（５ミルあるいはそれ以下）
より複雑なパターンが要求されるのに伴って、接近した
ラインを有するパターンを上記の方法によって形成する
と許容できない結果が生じることが発見された。例えば
、ライン間が充分に分離されないために、ラインが導電
性の場合にはリーク電流およびショート電流が発生する
ことが見出された。またラインの間隔が非常に狭い場合
は精密で薄いマスクが必要とされるが、このようなマス
クは、しばしばスクリーン（メツシュ）に接着する表面
の粘着性が不十分なために、マスクの少なくとも一部分
がスクリーンから剥離することも見出された。この剥離
は、印刷サイクルにおけるスクリーンの屈曲や折曲げに
よって助長された。さらにラインの幅が、スクリーンを
構成する針金または単Ｉｌｉ＠ （ｍｏｎｏｆｉｌａｍ
ｅｎｔ＞の直径にまで達した場合には、これらの織り糸
がペーストを遮ってペーストの均一な付着を妨げる傾向
があった。
より複雑なパターンが要求されるのに伴って、接近した
ラインを有するパターンを上記の方法によって形成する
と許容できない結果が生じることが発見された。例えば
、ライン間が充分に分離されないために、ラインが導電
性の場合にはリーク電流およびショート電流が発生する
ことが見出された。またラインの間隔が非常に狭い場合
は精密で薄いマスクが必要とされるが、このようなマス
クは、しばしばスクリーン（メツシュ）に接着する表面
の粘着性が不十分なために、マスクの少なくとも一部分
がスクリーンから剥離することも見出された。この剥離
は、印刷サイクルにおけるスクリーンの屈曲や折曲げに
よって助長された。さらにラインの幅が、スクリーンを
構成する針金または単Ｉｌｉ＠ （ｍｏｎｏｆｉｌａｍ
ｅｎｔ＞の直径にまで達した場合には、これらの織り糸
がペーストを遮ってペーストの均一な付着を妨げる傾向
があった。
〔発明の目的および概要］
本発明の第１の目的は、上記の点を考慮して、基板上に
、狭い間隔で配された細いラインからなる予定されたパ
ターンを形成することができる方法を提供することであ
る。
、狭い間隔で配された細いラインからなる予定されたパ
ターンを形成することができる方法を提供することであ
る。
本発明の別の目的は、スクリーンに部分的に接着させる
タイプのマスクに関連した問題点が解決された印刷方法
を提供することである。
タイプのマスクに関連した問題点が解決された印刷方法
を提供することである。
本発明のさらに別の目的は、断面が均一なラインが得ら
れるような印刷方法を提供することである。
れるような印刷方法を提供することである。
本発明のこの他の目的および効果は以下の説明によって
明らかにされる。
明らかにされる。
すなわち本発明においては、まず所定のパターンに対応
した複数の穴および／または溝を有するマスクを基板の
上に設けて、ペーストをこのマスクおよび基板の上に付
着させた後、ペーストをキュアしマスクを除去すること
によって、基板の上に予定されたラインパターンを形成
する。
した複数の穴および／または溝を有するマスクを基板の
上に設けて、ペーストをこのマスクおよび基板の上に付
着させた後、ペーストをキュアしマスクを除去すること
によって、基板の上に予定されたラインパターンを形成
する。
［発明の実施例］
本発明をよりよく述べるために、初めに従来のスクリー
ン印刷によってハイブリッド電子回路を形成する方法を
説明する。
ン印刷によってハイブリッド電子回路を形成する方法を
説明する。
第１図のように、穴または溝１４を限定する部材１２を
有しているマスク１０を、織りスクリーン（ｗｏｖｅｎ
５ｃｒｅｅｎ） １６に接着する。次にこの図のよう
にマスク１０がスクリーンと基板の間に来るようにして
、このスクリーンを基板の表面に設定する。
有しているマスク１０を、織りスクリーン（ｗｏｖｅｎ
５ｃｒｅｅｎ） １６に接着する。次にこの図のよう
にマスク１０がスクリーンと基板の間に来るようにして
、このスクリーンを基板の表面に設定する。
そしてゴムローラー（スキージ）またはドクターブレー
ド２２を使用して、ペースト２０をスクリーンの上およ
びマスクの溝１４の中に塗布する。第２図はこの工程が
終了したところを示している。
ド２２を使用して、ペースト２０をスクリーンの上およ
びマスクの溝１４の中に塗布する。第２図はこの工程が
終了したところを示している。
この後スクリーンとマスクを除去して、第３図のように
所定のバターニングがなされたペーストを残置する。こ
の説明から明らかなように、スクリーンとマスクは数回
、移動させられる。したがってマスク、特に部材１２が
、スクリーンに接着するのに充分な面を有していない場
合には、マスクはスクリーンから剥離する。
所定のバターニングがなされたペーストを残置する。こ
の説明から明らかなように、スクリーンとマスクは数回
、移動させられる。したがってマスク、特に部材１２が
、スクリーンに接着するのに充分な面を有していない場
合には、マスクはスクリーンから剥離する。
さらに第２図に示されているように、溝１４の幅が、ス
クリーン１６の針金２４の直径と同程度の場合、針金が
ペーストの一部を遮るので、ペーストは溝１４の中へ滑
らかに均一に流れ込むことができない。
クリーン１６の針金２４の直径と同程度の場合、針金が
ペーストの一部を遮るので、ペーストは溝１４の中へ滑
らかに均一に流れ込むことができない。
またマスクとスクリーンを除去した後であってキュアを
行なう前において、ライン２６は、第３図のように流動
して隣接するラインとの間隔を狭くさせる傾向がある。
行なう前において、ライン２６は、第３図のように流動
して隣接するラインとの間隔を狭くさせる傾向がある。
その結果、この互いに隣接するラインの間でリークやシ
ョートが発生する可能性が高くなる。さらにライン２６
の全高すなわち厚さが低くなるので、各々のラインの電
気抵抗が大きくなる。この現象はラインの電流容量を低
減させるだけでなく、ラインの発熱をもたらしてハイブ
リッド回路全体の温度の上昇をも引き起こす。
ョートが発生する可能性が高くなる。さらにライン２６
の全高すなわち厚さが低くなるので、各々のラインの電
気抵抗が大きくなる。この現象はラインの電流容量を低
減させるだけでなく、ラインの発熱をもたらしてハイブ
リッド回路全体の温度の上昇をも引き起こす。
次に、本発明に係る、予定されたラインパターンの基板
上への形成方法を説明する。まず第４図のように、適当
なフォトマスク材料４０からなるシートを基板４２の上
に置く。次にこのマスクシートの上にフォトアートワー
ク（ｐｈｏｔｏ ａｒｔｗｏｒｋ ） ４４を設定する
。そして第５図のように、アートワーク４４を通して、
可視光のような適当な光４６をマスク４０に当てる。こ
の後、マスクの不要な部分を現像して洗浄除去し、溝５
０を限定する複数のマスク部材４８を残置する（第６図
参照）。
上への形成方法を説明する。まず第４図のように、適当
なフォトマスク材料４０からなるシートを基板４２の上
に置く。次にこのマスクシートの上にフォトアートワー
ク（ｐｈｏｔｏ ａｒｔｗｏｒｋ ） ４４を設定する
。そして第５図のように、アートワーク４４を通して、
可視光のような適当な光４６をマスク４０に当てる。こ
の後、マスクの不要な部分を現像して洗浄除去し、溝５
０を限定する複数のマスク部材４８を残置する（第６図
参照）。
マスク部材４８を形成した後、直ちにペースト５２をマ
スクの上に塗り、スキージ５４を使用して第７図のよう
に、このペーストを溝５０の中へ押し込む。
スクの上に塗り、スキージ５４を使用して第７図のよう
に、このペーストを溝５０の中へ押し込む。
そして第８図のように全ての溝がペーストで満たされた
ら、ペーストを、加熱あるいは他の適当な方法でプレキ
ュア（ｐｒｅｃｌｌｒｅ ） Ｌ７て、ペースト中の揮
発成分を除去する。ここで大切なことは、このときマス
ク部材４８がまだ存在していてペーストの変形を防止し
ていることである。
ら、ペーストを、加熱あるいは他の適当な方法でプレキ
ュア（ｐｒｅｃｌｌｒｅ ） Ｌ７て、ペースト中の揮
発成分を除去する。ここで大切なことは、このときマス
ク部材４８がまだ存在していてペーストの変形を防止し
ていることである。
最後に、この第８図の構成物を焼成することによってマ
スクを除去する。こうして所定のラインパターンの形成
された基板４２が得られる。フォトマスクの形成および
除去方法は、この技術分野において良く知られているの
で、詳細な説明は省略する。
スクを除去する。こうして所定のラインパターンの形成
された基板４２が得られる。フォトマスクの形成および
除去方法は、この技術分野において良く知られているの
で、詳細な説明は省略する。
上記の方法を使用したところ、基板の上に、ライン幅１
．８ミル、ライン間隔１．２ミル（すなわちライン中心
間の距離＝３ミル）の複数のラインを形、成することが
できた。ここで使用したマスクシートは、“’３Ｍ−Ｒ
ＥＳＯＬＶＥ”という商品名で知られている厚ざ１／２
ミルのドライ ラミネート フォトフィルムである。こ
れはミネソタ マイニング アンド マニュフ１クチュ
アリング カンパニの販売品である。導電性のラインが
必要だったので、上記の間隔のラインは、普通の厚膜ハ
イブリッド法で用いられる、標準の銀導電性ペーストを
使用して形成した。このペーストは８００℃で焼成する
と導電性ラインとなり、その導電性ラインは、都合の良
いことに種々の電子部品に、“はんだ゛′接続すること
ができる。ペーストとしては、この他に、デュポン社の
Ｎｏ。
．８ミル、ライン間隔１．２ミル（すなわちライン中心
間の距離＝３ミル）の複数のラインを形、成することが
できた。ここで使用したマスクシートは、“’３Ｍ−Ｒ
ＥＳＯＬＶＥ”という商品名で知られている厚ざ１／２
ミルのドライ ラミネート フォトフィルムである。こ
れはミネソタ マイニング アンド マニュフ１クチュ
アリング カンパニの販売品である。導電性のラインが
必要だったので、上記の間隔のラインは、普通の厚膜ハ
イブリッド法で用いられる、標準の銀導電性ペーストを
使用して形成した。このペーストは８００℃で焼成する
と導電性ラインとなり、その導電性ラインは、都合の良
いことに種々の電子部品に、“はんだ゛′接続すること
ができる。ペーストとしては、この他に、デュポン社の
Ｎｏ。
６１９０ Ａｃｔ、Ｎｏ、９７７０ Ａｑ／Ｐｔ。
Ｎｏ、９７５５ Ａｑ／Ｐｄ／Ｐｔのいずれかでもよ
い。
い。
特許請求の範囲に記載した本発明の技術範囲を逸脱しな
い範囲で、上記の方法を種々に変更することが可能であ
ることは明白である。
い範囲で、上記の方法を種々に変更することが可能であ
ることは明白である。
第１図は、従来技術であるシルクプリント法の原理を示
す図、第２図は、第１図に示した方法においてペースト
をスクリーンからにじみ出させたところを示す図、第３
図は、第１図および第２図の方法にしたがって形成され
たパターンを有する基板の断面図である。そして、 第４図乃至第６図は、本発明の一実施例に係る製造方法
におけるマスクの基板上への形成工程を示す図、第７図
および第８図は、ペーストを上記マスクおよび基板の上
に配する工程を示す図であり、第９図は、本発明の一実
施例にしたがって形成されたラインパターンを有する基
板の断面図である。 ４０・・・フォトマスク、４２・・・基板、４４・・・
フォトアートワーク、４６・・・光、４８・・・マスク
部材、５０・・・溝、５２・・・ペースト、５４・・・
スキージ。
す図、第２図は、第１図に示した方法においてペースト
をスクリーンからにじみ出させたところを示す図、第３
図は、第１図および第２図の方法にしたがって形成され
たパターンを有する基板の断面図である。そして、 第４図乃至第６図は、本発明の一実施例に係る製造方法
におけるマスクの基板上への形成工程を示す図、第７図
および第８図は、ペーストを上記マスクおよび基板の上
に配する工程を示す図であり、第９図は、本発明の一実
施例にしたがって形成されたラインパターンを有する基
板の断面図である。 ４０・・・フォトマスク、４２・・・基板、４４・・・
フォトアートワーク、４６・・・光、４８・・・マスク
部材、５０・・・溝、５２・・・ペースト、５４・・・
スキージ。
Claims (4)
- （１）ハイブリッド電子装置を製造するために基板の上
に予定されたラインパターンを形成する方法において、 上記予定されたパターンに対応した溝を有するマスクを
基板の上に設れる工程と、このマスクの上にペーストを
付着させ、このペーストを押し付けて上記溝をペースト
で満たす工程と、マスクを除去する工程とを含むことを
特徴とする方法。 - （２）上記マスクとペーストと基板とを焼成することに
よって、このマスクを除去する特許請求の範囲第１項記
載の方法。 - （３）上記マスクを除去する前に、上記ペーストをプレ
キュアする特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （４）上記マスクは、上記基板の上に適当なマスク材料
からなるフィルムを載せ、このフィルムの上に、上記溝
に対応したフォトグラフィックアートワークを重ねて配
し、このアートワークを通して上記フィルムに光を当て
た後、このフィルムの上記溝に対応する部分を除去する
ことによって、形成される特許請求の範囲第１項記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64557684A | 1984-08-29 | 1984-08-29 | |
| US645576 | 1984-08-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187393A true JPS6187393A (ja) | 1986-05-02 |
Family
ID=24589566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18869885A Pending JPS6187393A (ja) | 1984-08-29 | 1985-08-29 | 光厚膜ハイブリツド法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0173188A2 (ja) |
| JP (1) | JPS6187393A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3928995A1 (de) * | 1989-09-01 | 1991-03-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum herstellen von strukturen auf einem substrat |
| JPH0461293A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 回路基板及びその製造方法 |
| DE19634646A1 (de) | 1996-08-27 | 1998-03-05 | Pac Tech Gmbh | Verfahren zur selektiven Belotung |
| GB2318532B (en) * | 1996-10-22 | 2000-11-15 | Strix Ltd | Electric heaters |
| EP1162654A1 (en) * | 2000-06-06 | 2001-12-12 | I-Ming Chen | Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162489A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Method of producing thick film printed circuit |
| JPS57181189A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Tokyo Process Service | Method of forming electric wire |
| JPS58182290A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | 日本アビオニクス株式会社 | 厚膜パタ−ンの形成方法 |
-
1985
- 1985-08-17 EP EP19850110288 patent/EP0173188A2/en not_active Withdrawn
- 1985-08-29 JP JP18869885A patent/JPS6187393A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162489A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Method of producing thick film printed circuit |
| JPS57181189A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Tokyo Process Service | Method of forming electric wire |
| JPS58182290A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | 日本アビオニクス株式会社 | 厚膜パタ−ンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0173188A2 (en) | 1986-03-05 |
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