JP2600335B2 - セラミック多層基板絶縁層製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板絶縁層製造方法Info
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- JP2600335B2 JP2600335B2 JP25133388A JP25133388A JP2600335B2 JP 2600335 B2 JP2600335 B2 JP 2600335B2 JP 25133388 A JP25133388 A JP 25133388A JP 25133388 A JP25133388 A JP 25133388A JP 2600335 B2 JP2600335 B2 JP 2600335B2
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- Japan
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- resist film
- insulating layer
- insulating
- ceramic multilayer
- multilayer substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はセラミック多層基板絶縁層製造方法に関し、
特に、セラミック基板上に絶縁層で互いに絶縁された複
数の配線層の製造に適用しうるセラミック多層基板絶縁
層製造方法に関する。
特に、セラミック基板上に絶縁層で互いに絶縁された複
数の配線層の製造に適用しうるセラミック多層基板絶縁
層製造方法に関する。
従来のセラミック多層基板絶縁層製造方法は、メタル
配線層の上に絶縁ペーストをスクリーン印刷で塗布し、
塗布した絶縁ペーストを焼成するという方法をとってい
た。
配線層の上に絶縁ペーストをスクリーン印刷で塗布し、
塗布した絶縁ペーストを焼成するという方法をとってい
た。
第２図が従来のセラミック多層基板絶縁層製造方法に
おける絶縁ペーストを塗布するスクリーン印刷工程を示
す断面図で、メタル配線層２を形成したセラミック基板
１の表面に絶縁ペースト６をゴムスキージ９でスクリー
ン10へ押しつけて塗布する様子を示している。
おける絶縁ペーストを塗布するスクリーン印刷工程を示
す断面図で、メタル配線層２を形成したセラミック基板
１の表面に絶縁ペースト６をゴムスキージ９でスクリー
ン10へ押しつけて塗布する様子を示している。
第３図（ａ）は、第２図で絶縁ペースト６を塗布した
後の状態を示す断面図で、塗布した絶縁ペースト６の粘
度が低い場合で、エッジ部７に塗布後の表面張力による
変形でだれＡを生じている。
後の状態を示す断面図で、塗布した絶縁ペースト６の粘
度が低い場合で、エッジ部７に塗布後の表面張力による
変形でだれＡを生じている。
第３図（ｂ）は、絶縁ペースト６の粘度が高い場合の
塗布後の状態を示す断面図で、塗布した絶縁ペースト６
は前端と後端のエッジ部７で、それぞれ過剰に塗布され
るためにふくらみＢを生じている。
塗布後の状態を示す断面図で、塗布した絶縁ペースト６
は前端と後端のエッジ部７で、それぞれ過剰に塗布され
るためにふくらみＢを生じている。
上述のように形成された絶縁層８の上部に、次の工程
で他の配線層（図示せず）を形成し多層配線層を製造す
る。ところが、絶縁層８のエッジ部７にだれＡやふくら
みＢがあると、その上に形成される配線層（図示せず）
に断線等の欠陥が発生するという問題があった。
で他の配線層（図示せず）を形成し多層配線層を製造す
る。ところが、絶縁層８のエッジ部７にだれＡやふくら
みＢがあると、その上に形成される配線層（図示せず）
に断線等の欠陥が発生するという問題があった。
上述した従来のセラミック多層基板絶縁層製造方法
は、絶縁ペーストをスクリーン印刷によって塗布する工
程において、絶縁層のエッジ部分に塗布された絶縁ペー
ストが粘度の低い場合は流動してだれを発生し、粘度の
高い場合は過剰な塗布によりふくらみを発生して均一な
絶縁膜厚が得られないという欠点があった。
は、絶縁ペーストをスクリーン印刷によって塗布する工
程において、絶縁層のエッジ部分に塗布された絶縁ペー
ストが粘度の低い場合は流動してだれを発生し、粘度の
高い場合は過剰な塗布によりふくらみを発生して均一な
絶縁膜厚が得られないという欠点があった。
本発明のセラミック多層基板絶縁層製造方法はメタル
配線層を形成したセラミック基板の表面にレジストフィ
ルムを貼り付ける第１の工程と、前記レジストフィルム
を露光現像して前記セラミック基板の外周部であって前
記メタル配線層と微小位を離隔して前記レジストフィル
ムを残し他の前記レジストフィルムを取り除く第２の工
程と、残された前記レジストフィルムに囲まれた前記セ
ラミック基板の表面に絶縁ペーストをスクリーン印刷す
る第３の工程と、前記絶縁ペーストを乾燥する第４の工
程と、残された前記レジストフィルムを剥離する第５の
工程と、前記絶縁ペーストを焼成して絶縁層を形成する
第６の工程を含んで構成される。
配線層を形成したセラミック基板の表面にレジストフィ
ルムを貼り付ける第１の工程と、前記レジストフィルム
を露光現像して前記セラミック基板の外周部であって前
記メタル配線層と微小位を離隔して前記レジストフィル
ムを残し他の前記レジストフィルムを取り除く第２の工
程と、残された前記レジストフィルムに囲まれた前記セ
ラミック基板の表面に絶縁ペーストをスクリーン印刷す
る第３の工程と、前記絶縁ペーストを乾燥する第４の工
程と、残された前記レジストフィルムを剥離する第５の
工程と、前記絶縁ペーストを焼成して絶縁層を形成する
第６の工程を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明のセラミック多層基板
絶縁層製造方法による製造工程を示す断面図である。
絶縁層製造方法による製造工程を示す断面図である。
第１図（ａ）は、セラミック基板１の表面に形成され
たメタル配線層２の上に、一定厚のレジストフィルム３
を貼り付ける第１の工程を示した断面図である。第２の
工程は第１図（ｂ）に示すごとく、セラミック基板１の
外周部であってメタル配線層２と微小位を離隔したレジ
ストフィルム４を残し、その他のレジストフィルム３を
露光現像により取り除いてレジストフィルム４とメタル
配線層２との間に隙間ｃを形成する工程である。この工
程は、例えばレジストフィルム３にデュポン社のLISTON
T−1020等の紫外線硬化タイプを用いた際は露光は波長4
65mmの水銀ランプ光を用い、セラミック基板１の外周部
であってメモリ配線層２と微小位を離隔したレジストフ
ィルム４に光を照射し、現像は現像液としてクロロセン
を用いてスプレー現像機などで行う。第３の工程は、第
１図（ｃ）の断面図に示すごとく、前述の第２の工程で
形成されたレジストフィルム４により囲まれメタル配線
層２を形成したセラミック基板１の表面にアルミナ粉体
と結晶化ガラス粉体と有機物バインダとを含む絶縁ペー
スト６をスクリーン印刷で塗布する。このとき、絶縁ペ
ースト６はレジストフィルム４に密着して隙間Ｃに充満
するので、だれやふくらみが無くて均一に塗布される。
第４の工程は、第１図（ｄ）の断面図に示すごとく、前
述の第３の工程で塗布した絶縁ペースト６中の有機バイ
ンダに含まれる溶剤を乾燥させる。第５の工程ではレジ
ストフィルム４を剥離するが、例えば前述のデュポン社
LISTONを用いた際には剥離溶剤としてメチレンクロライ
ドを使用するか、あるいは300℃〜400℃の温度をかけて
燃焼させて剥離する。以上の工程で得られた厚さを均一
に塗布した絶縁ペースト６を第６の工程である焼成工程
によって結晶化し、第１図（ｅ）の断面図中に示すだれ
やふくらみの無い均一な絶縁層８を得る。
たメタル配線層２の上に、一定厚のレジストフィルム３
を貼り付ける第１の工程を示した断面図である。第２の
工程は第１図（ｂ）に示すごとく、セラミック基板１の
外周部であってメタル配線層２と微小位を離隔したレジ
ストフィルム４を残し、その他のレジストフィルム３を
露光現像により取り除いてレジストフィルム４とメタル
配線層２との間に隙間ｃを形成する工程である。この工
程は、例えばレジストフィルム３にデュポン社のLISTON
T−1020等の紫外線硬化タイプを用いた際は露光は波長4
65mmの水銀ランプ光を用い、セラミック基板１の外周部
であってメモリ配線層２と微小位を離隔したレジストフ
ィルム４に光を照射し、現像は現像液としてクロロセン
を用いてスプレー現像機などで行う。第３の工程は、第
１図（ｃ）の断面図に示すごとく、前述の第２の工程で
形成されたレジストフィルム４により囲まれメタル配線
層２を形成したセラミック基板１の表面にアルミナ粉体
と結晶化ガラス粉体と有機物バインダとを含む絶縁ペー
スト６をスクリーン印刷で塗布する。このとき、絶縁ペ
ースト６はレジストフィルム４に密着して隙間Ｃに充満
するので、だれやふくらみが無くて均一に塗布される。
第４の工程は、第１図（ｄ）の断面図に示すごとく、前
述の第３の工程で塗布した絶縁ペースト６中の有機バイ
ンダに含まれる溶剤を乾燥させる。第５の工程ではレジ
ストフィルム４を剥離するが、例えば前述のデュポン社
LISTONを用いた際には剥離溶剤としてメチレンクロライ
ドを使用するか、あるいは300℃〜400℃の温度をかけて
燃焼させて剥離する。以上の工程で得られた厚さを均一
に塗布した絶縁ペースト６を第６の工程である焼成工程
によって結晶化し、第１図（ｅ）の断面図中に示すだれ
やふくらみの無い均一な絶縁層８を得る。
本発明のセラミック多層配線基板絶縁層製造方法は、
レジストフィルムを貼り付ける工程を追加することによ
り、メタル配線層を形成したセラミック基板の表面の外
周部であってメタル配線層と微小位を離隔したレジスト
フィルムを形成でき、このレジストフィルムとメタル配
線層との隙間に絶縁ペーストが均一に充満するので、エ
ッジ部のだれやふくらみの発生を除去できて均一な絶縁
層を得ることができるという効果がある。
レジストフィルムを貼り付ける工程を追加することによ
り、メタル配線層を形成したセラミック基板の表面の外
周部であってメタル配線層と微小位を離隔したレジスト
フィルムを形成でき、このレジストフィルムとメタル配
線層との隙間に絶縁ペーストが均一に充満するので、エ
ッジ部のだれやふくらみの発生を除去できて均一な絶縁
層を得ることができるという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例による製造工
程を示す断面図、第２図は従来例によるスクリーン印刷
工程を示す断面図、第３図（ａ），（ｂ）は第２図に示
す従来の方法で製造した絶縁層を示す断面図である。 １……セラミック基板、２……メタル配線層、3,4……
レジストフィルム、６……絶縁ペースト、７……エッジ
部、８……絶縁層、９……ゴムスキージ、10……スクリ
ーン、 Ａ……だれ、Ｂ……ふくらみ、Ｃ……隙間。
程を示す断面図、第２図は従来例によるスクリーン印刷
工程を示す断面図、第３図（ａ），（ｂ）は第２図に示
す従来の方法で製造した絶縁層を示す断面図である。 １……セラミック基板、２……メタル配線層、3,4……
レジストフィルム、６……絶縁ペースト、７……エッジ
部、８……絶縁層、９……ゴムスキージ、10……スクリ
ーン、 Ａ……だれ、Ｂ……ふくらみ、Ｃ……隙間。
Claims (1)
- 【請求項１】メタル配線層を形成したセラミック基板の
表面にレジストフィルムを貼り付ける第１の工程と、前
記レジストフィルムを露光現像して前記セラミック基板
の外周部であって前記メタル配線層と微小位を離隔して
前記レジストフィルムを残し他の前記レジストフィルム
を取り除く第２の工程と、残された前記レジストフィル
ムに囲まれた前記セラミック基板の表面に絶縁ペースト
をスクリーン印刷する第３の工程と、前記絶縁ペースト
を乾燥する第４の工程と、残された前記レジストフィル
ムを剥離する第５の工程と、前記絶縁ペーストを焼成し
て絶縁層を形成する第６の工程とを含むことを特徴とす
るセラミック多層基板絶縁層製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25133388A JP2600335B2 (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | セラミック多層基板絶縁層製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25133388A JP2600335B2 (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | セラミック多層基板絶縁層製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0298193A JPH0298193A (ja) | 1990-04-10 |
| JP2600335B2 true JP2600335B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=17221261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25133388A Expired - Lifetime JP2600335B2 (ja) | 1988-10-04 | 1988-10-04 | セラミック多層基板絶縁層製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600335B2 (ja) |
-
1988
- 1988-10-04 JP JP25133388A patent/JP2600335B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0298193A (ja) | 1990-04-10 |
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