JP2843445B2 - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents
厚膜パターン形成方法Info
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- JP2843445B2 JP2843445B2 JP41368090A JP41368090A JP2843445B2 JP 2843445 B2 JP2843445 B2 JP 2843445B2 JP 41368090 A JP41368090 A JP 41368090A JP 41368090 A JP41368090 A JP 41368090A JP 2843445 B2 JP2843445 B2 JP 2843445B2
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- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- substrate
- pattern
- ceramic material
- thick film
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、蛍光表
示装置、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等
の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するもの
である。
示装置、プラズマディスプレイパネル、混成集積回路等
の製造工程における厚膜パターン形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラスやセラミック等の基板上に
セラミック材料で厚膜パターンを形成する方法として、
導体又は絶縁体用のセラミック材料をバインダー中に分
散させてペースト状としたものを用い、このペーストを
スクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後に乾
燥、焼成する工程を繰り返す方法が一般的に行われてい
る。ところが、この方法により５０〜１００μｍの厚膜
を得るためには５〜１０回の重ね刷りを必要とし、その
たびごとに乾燥工程が入るために、生産性が悪く歩留り
が低下するという問題点がある。さらに、ペーストの粘
度、チクソトロピー等により、パターンの線幅精度が損
なわれるという問題点もある。そこで、高精度の厚膜パ
ターンを得る方法として、最近ではペーストをフォトレ
ジストからなる雌型パターンの開口部にすり込む方法が
知られている。すなわち、この方法は、基板の上に被着
したフォトレジストに所定のパターンからなる雌型を形
成し、この雌型によって形成される開口部にペーストを
すり込んだ後、焼成してフォトレジストを消失させると
ともにペースト中のセラミック材料を基板上に結着させ
ることにより所望の厚膜パターンを得ようとするもので
ある。
セラミック材料で厚膜パターンを形成する方法として、
導体又は絶縁体用のセラミック材料をバインダー中に分
散させてペースト状としたものを用い、このペーストを
スクリーン印刷によりパターン状に印刷を行った後に乾
燥、焼成する工程を繰り返す方法が一般的に行われてい
る。ところが、この方法により５０〜１００μｍの厚膜
を得るためには５〜１０回の重ね刷りを必要とし、その
たびごとに乾燥工程が入るために、生産性が悪く歩留り
が低下するという問題点がある。さらに、ペーストの粘
度、チクソトロピー等により、パターンの線幅精度が損
なわれるという問題点もある。そこで、高精度の厚膜パ
ターンを得る方法として、最近ではペーストをフォトレ
ジストからなる雌型パターンの開口部にすり込む方法が
知られている。すなわち、この方法は、基板の上に被着
したフォトレジストに所定のパターンからなる雌型を形
成し、この雌型によって形成される開口部にペーストを
すり込んだ後、焼成してフォトレジストを消失させると
ともにペースト中のセラミック材料を基板上に結着させ
ることにより所望の厚膜パターンを得ようとするもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術で述べたフォ
トレジストを用いる方法においては、基板上に被着した
フォトレジストに対しマスクを介して露光した後で現像
することにより基板上に所定パターンの雌型を形成する
が、この雌型の開口部に充填したペースト内のセラミッ
ク材料を焼成により確実に基板に結着させるためには、
ペーストが基板と接触するように雌型の開口部は基板ま
で開いていなければならない。しかしながら、所望の高
さの雌型を形成しようとしてフォトレジストの厚さを大
きくした場合には、現像後基板上の雌型開口部にフォト
レジストが残ってしまい、この基板上に残留したフォト
レジストによりセラミック材料が基板に対して確実に結
着しないという問題点があった。
トレジストを用いる方法においては、基板上に被着した
フォトレジストに対しマスクを介して露光した後で現像
することにより基板上に所定パターンの雌型を形成する
が、この雌型の開口部に充填したペースト内のセラミッ
ク材料を焼成により確実に基板に結着させるためには、
ペーストが基板と接触するように雌型の開口部は基板ま
で開いていなければならない。しかしながら、所望の高
さの雌型を形成しようとしてフォトレジストの厚さを大
きくした場合には、現像後基板上の雌型開口部にフォト
レジストが残ってしまい、この基板上に残留したフォト
レジストによりセラミック材料が基板に対して確実に結
着しないという問題点があった。
【０００４】本発明は、このような従来技術の問題点を
解消するために創案されたものであり、その目的とする
ところは、セラミック材料を確実に基板上に結着させる
ことのできる厚膜パターン形成方法を提供することにあ
る。
解消するために創案されたものであり、その目的とする
ところは、セラミック材料を確実に基板上に結着させる
ことのできる厚膜パターン形成方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上にセラミック材料による厚膜パタ
ーンを形成する方法において、まず前記基板上に一層目
のフォトレジストを被着し該フォトレジストに対してパ
ターン露光及び現像を行い、次いでその上に上層部のフ
ォトレジストを積層してパターン露光及び現像を行うこ
とにより前記基板上に所定の高さの雌型を形成し、続い
て該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填
した後、前記雌型を消失せしめることによりセラミック
材料による目的パターンを得ることを特徴としている。
に、本発明は、基板上にセラミック材料による厚膜パタ
ーンを形成する方法において、まず前記基板上に一層目
のフォトレジストを被着し該フォトレジストに対してパ
ターン露光及び現像を行い、次いでその上に上層部のフ
ォトレジストを積層してパターン露光及び現像を行うこ
とにより前記基板上に所定の高さの雌型を形成し、続い
て該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填
した後、前記雌型を消失せしめることによりセラミック
材料による目的パターンを得ることを特徴としている。
【０００６】
【実施例】以下、図１〜図８により本発明に係る厚膜パ
ターン形成方法の一実施例を説明する。
ターン形成方法の一実施例を説明する。
【０００７】まず、図１に示すように、ガラス基板１の
上にフォトレジスト２として厚さ４０μｍのドライフィ
ルム（サンノプコ社製ノプコキュアーＦ−５０４０）を
加熱ラミネート法で１層被着した。次いで、図２に示す
ように、超高圧水銀灯を光源とする平行光プリンターを
用い線幅１００μｍ、ピッチ３００μｍのラインパター
ンマスク３を介してパターン露光を行った。露光条件は
波長３６５ｎｍで測定した時に、強度２００μｗ／ｃｍ
2 、照射量７２ｍＪ／ｃｍ2 である。続いて、１−１−
１トリクロロエタンにより液温２５℃でスプレー現像を
行って図３に示すようなフォトレジスト２からなるパタ
ーンを得た。この場合、フォトレジスト２の厚さは４０
μｍと小さいことから、露光、現像によって基板１上の
開口部にフォトレジスト２が残ることなく所望の形状の
パターンが得られた。
上にフォトレジスト２として厚さ４０μｍのドライフィ
ルム（サンノプコ社製ノプコキュアーＦ−５０４０）を
加熱ラミネート法で１層被着した。次いで、図２に示す
ように、超高圧水銀灯を光源とする平行光プリンターを
用い線幅１００μｍ、ピッチ３００μｍのラインパター
ンマスク３を介してパターン露光を行った。露光条件は
波長３６５ｎｍで測定した時に、強度２００μｗ／ｃｍ
2 、照射量７２ｍＪ／ｃｍ2 である。続いて、１−１−
１トリクロロエタンにより液温２５℃でスプレー現像を
行って図３に示すようなフォトレジスト２からなるパタ
ーンを得た。この場合、フォトレジスト２の厚さは４０
μｍと小さいことから、露光、現像によって基板１上の
開口部にフォトレジスト２が残ることなく所望の形状の
パターンが得られた。
【０００８】その後、図４に示すように、その上方に前
記ドライフィルムを３層積層して上層部のフォトレジス
ト層４を形成し、次いで、図５に示すように、ラインパ
ターンマスク３を介してパターン露光を行った。この場
合の露光条件は波長３６５ｎｍで測定した時に、強度２
００μｗ／ｃｍ2 、照射量２００ｍＪ／ｃｍ2 である。
続いて、１−１−１トリクロロエタンにより液温２５℃
でスプレー現像を行って図６に示すような線幅２００μ
ｍ、ピッチ３００μｍ、高さ１６０μｍの雌型５を得
た。
記ドライフィルムを３層積層して上層部のフォトレジス
ト層４を形成し、次いで、図５に示すように、ラインパ
ターンマスク３を介してパターン露光を行った。この場
合の露光条件は波長３６５ｎｍで測定した時に、強度２
００μｗ／ｃｍ2 、照射量２００ｍＪ／ｃｍ2 である。
続いて、１−１−１トリクロロエタンにより液温２５℃
でスプレー現像を行って図６に示すような線幅２００μ
ｍ、ピッチ３００μｍ、高さ１６０μｍの雌型５を得
た。
【０００９】そして、次に行った図７に示すセラミック
材料６の充填工程では、セラミック材料６として低融点
ガラスフリット、耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中
に分散させたペースト状のものを用い、平板ゴム７を雌
型５に接しながらパターンを斜めに横切るように移動さ
せてペースト状のセラミック材料６を雌型５の開口部に
充填するとともに、雌型５の開口部からはみ出した余分
なセラミック材料６を掻き取るようにした。このように
して得られたガラス基板１はセラミック材料６中の有機
バインダーに含まれる溶剤を除去するため８０〜１２０
℃で乾燥を行って次の焼成工程へ供した。なお、このペ
ースト状のセラミック材料６の充填工程は必要に応じて
複数回繰り返してもよい。
材料６の充填工程では、セラミック材料６として低融点
ガラスフリット、耐熱顔料、充填剤を有機バインダー中
に分散させたペースト状のものを用い、平板ゴム７を雌
型５に接しながらパターンを斜めに横切るように移動さ
せてペースト状のセラミック材料６を雌型５の開口部に
充填するとともに、雌型５の開口部からはみ出した余分
なセラミック材料６を掻き取るようにした。このように
して得られたガラス基板１はセラミック材料６中の有機
バインダーに含まれる溶剤を除去するため８０〜１２０
℃で乾燥を行って次の焼成工程へ供した。なお、このペ
ースト状のセラミック材料６の充填工程は必要に応じて
複数回繰り返してもよい。
【００１０】最後に、ピーク温度５８５℃、焼成時間１
０〜２０分の条件で焼成を行い、フォトレジストで形成
された雌型５を消失せしめるとともに、前記セラミック
材料６をガラス基板１に結着させた。以上の工程によ
り、図８に示すような線幅１００〜１２０μｍ、ピッチ
３００μｍ、高さ１５０μｍのセラミック材料６からな
る厚膜パターンを得た。
０〜２０分の条件で焼成を行い、フォトレジストで形成
された雌型５を消失せしめるとともに、前記セラミック
材料６をガラス基板１に結着させた。以上の工程によ
り、図８に示すような線幅１００〜１２０μｍ、ピッチ
３００μｍ、高さ１５０μｍのセラミック材料６からな
る厚膜パターンを得た。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基板上
に予め形成した一層目のフォトレジストに対してパター
ン露光及び現像を行い、その上に上層部のフォトレジス
トを積層してパターン露光及び現像を行うことにより雌
型を形成するようにしたので、高さのある雌型を形成し
た場合にあっても、雌型における開口部の基板上にフォ
トレジストが残留せず、開口部に充填したセラミック材
料を焼成により確実に基板上に結着させることができ
る。
に予め形成した一層目のフォトレジストに対してパター
ン露光及び現像を行い、その上に上層部のフォトレジス
トを積層してパターン露光及び現像を行うことにより雌
型を形成するようにしたので、高さのある雌型を形成し
た場合にあっても、雌型における開口部の基板上にフォ
トレジストが残留せず、開口部に充填したセラミック材
料を焼成により確実に基板上に結着させることができ
る。
【図１】一層目のフォトレジストを形成した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】一層目のフォトレジストのパターン露光工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】一層目のフォトレジストを現像して得られたパ
ターンを示す断面図である。
ターンを示す断面図である。
【図４】上層部のフォトレジストを積層した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】上層部のフォトレジストのパターン露光工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】現像工程を経て得られた雌型を示す断面図であ
る。
る。
【図７】セラミック材料を充填する工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図８】焼成工程を経て得られた厚膜パターンを示す断
面図である。
面図である。
１ ガラス基板 ２ フォトレジスト ３ ラインパターンマスク ４ フォトレジスト ５ 雌型 ６ セラミック材料 ７ 平板ゴム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−182290（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−3679（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−126767（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−111427（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−134996（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 1/16,3/00 H05K 3/10 - 3/26,3/38 H01B 13/00 503
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にセラミック材料による厚膜パタ
ーンを形成する方法において、まず前記基板上に一層目
のフォトレジストを被着し該フォトレジストに対してパ
ターン露光及び現像を行い、次いでその上に上層部のフ
ォトレジストを積層してパターン露光及び現像を行うこ
とにより前記基板上に所定の高さの雌型を形成し、続い
て該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填
した後、前記雌型を消失せしめることによりセラミック
材料による目的パターンを得ることを特徴とする厚膜パ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41368090A JP2843445B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41368090A JP2843445B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223391A JPH04223391A (ja) | 1992-08-13 |
| JP2843445B2 true JP2843445B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18522266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41368090A Expired - Fee Related JP2843445B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 厚膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2843445B2 (ja) |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP41368090A patent/JP2843445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04223391A (ja) | 1992-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |