JPS5986239A - 膜厚モニタ方法 - Google Patents

膜厚モニタ方法

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Publication number
JPS5986239A
JPS5986239A JP16816083A JP16816083A JPS5986239A JP S5986239 A JPS5986239 A JP S5986239A JP 16816083 A JP16816083 A JP 16816083A JP 16816083 A JP16816083 A JP 16816083A JP S5986239 A JPS5986239 A JP S5986239A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
cvd film
film thickness
waveform
cvd
Prior art date
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Pending
Application number
JP16816083A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakuni Akiba
秋葉 政邦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5986239A publication Critical patent/JPS5986239A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は安価かつ操作が楽な膜厚モニタ方法に関するも
のである。
従来、たとえば牛導体ウェーハKCVD(気相成長)膜
を生成するに際し、生成条件変化によるCVD膜厚のば
らつきな少なくする目的で、CVD膜の膜厚モニタ、す
なわちCVD膜の膜厚を測定しながら生成を行ない所定
の膜厚に達した時点で膜の生成を停止させる方法がある
そして、CVD膜の膜厚をレーザ光線または赤外輻射線
の干渉波形を用いて検出している。
前記、干渉波形の進行度(振幅および波長はとくに関係
な(・)は膜厚に比例することから、コンビエータ(C
VU)を使用し、波形を処理することによりCVD膜の
膜厚設定(生成、停止)を行なっている。
この具体的な装置は第3図に示すように、レーザ光線投
光器13aおよびセンサ13bからなる膜厚検出部13
と、CVD膜厚の設定を図る設定器(コントローラ)1
5と、この設定器15にメモリするためのテープリーダ
14と、設定器15のためのテープなつくるコンピュー
タ(CPU)16とで構成されている。
しかしながら、このような方法にお〜・ては、コンピュ
ータ(CPU)等を駆使していることがら装置が高価な
ものとなること、また、装置の操作が大変となることな
どの欠点を生じている。
本発明はこのような従来の欠点を解消するものであって
、その目的とするところは、安価でかつ操作に労を要さ
ない膜厚モニタ方法を提供するにある。
そこで1本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単忙説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、干渉波形を増幅および監視し、膜厚設定レベ
ルそれにこの設定レベルケ通過する回数を検出すること
により、生成装置等の膜厚が所定の膜厚になったことを
モニタするものである。
以下、添付図面に関連して本発明の実施例について説明
する。
第1図は実施に用いる膜厚モニタ膜厚設定機の全体図で
ある。同図において、この膜厚設定機1は、CVD膜生
成装置部2、CVD膜厚検出部3、監視部4、設定器部
5それに反応ガス制御部6からなる。
そして、CVD膜生成装置部2は、反応管2aと、この
外側に設けたヒータ2b等からなり、この反応管2a内
にはボート7にのせて半導体ウェーハ8を挿入している
CVD膜厚検出部3は、レーザ光線投光器3aと、この
レーザ光線が前記ウエーノ・8にあたってはね返って来
たものを受けるセンサ3bでなっていて、ウェーハ8の
CVD膜生成厚さに応じた電気信号を得ることができる
また、監視部4はペン・レコーダをつかっており、前記
電気信号を受けて、これに応じた干渉波形を描き出すべ
(働く。
設定器部5は、設定レベルと設定レベルを通過する回数
を設定する。
さらに、反応ガス制御部6は、設定器部5の指令信号を
受けて前記反応管2aへの反応ガスの供給、停止を図る
働をもつ。
また、前記CVD膜生成装置部2にはじまり反応ガス制
御部6に至るまでを記載順につないで互(・に関連をも
たせている。
つぎに、このように構成した設定機1の膜厚モニタ膜厚
設定方法を説明する。
まず、CVD膜の膜厚設定(波形進行度の設定)段階で
の作業を行なう。ついで本格的なCVD膜の生成作業段
階に入る。
前者の作業では、CVD膜の要求膜厚(たとえば600
0^(とレーザ光線波長(たとえば3000A)の両者
ケ合わせて計算またはテストを図り、設定する波長の進
行度(たとえば4サイクル)を得る。
そして、これを設定器部5に、たとえば設定レベル50
/100.この設定レベルを通過する回数、すなわち設
定レベル回数9を設定する。
これにより、CVD膜の膜厚設定段階としての作業が終
了する。
ついで、後者にあたるCVD膜の本格的な生成作業段階
に入る。
この段階では、まずウエーノ・8に’−CV D膜をつ
くるための反応ガスを制御部6から反応管2a内に定量
流す。
これにより、ウエーノ18にCVD膜がしだいに厚く生
長して行く。
このCVD膜の生長状態はレーザ光線によりCVD膜厚
検出部3での干渉波形として検出される。
この干渉波形は監視部4(ペン・レコーダ)で増幅し、
かつ監視する。この干渉波形9を第2図に示している。
ついで、この干渉波形9に基づいて、あらかじめ膜厚設
定段階で設定器の設定レベル50/100すなわち第2
図点aを最初点として干渉波形9の進行方向に向かって
点5〜点iに至るまでの回数9回(設定レベル回数9)
!数えたところで1反応管2aに対する反応ガスの供給
を停止する。
これにより、所定のCVD膜厚(6000^)をウェー
ハ8上に生成することができる。
したがって、CVD膜の生成条件が異なり(生成速度が
変化)干渉波形の波長が長くなっても、短かくなっても
また、ウエーノ為8のレーザ光線反射率が変り、干渉波
形の振巾が異なっても一定膜厚(波形進行度)で生成が
停止し、CVD膜の品質のばらつきがなくなる。
以上の説明から明らかなように本発明の膜厚モニタ方法
によれば、CVD膜厚検出部から得られる干渉波形の進
行度とCVD膜の膜厚が相関関係にあることに着目し、
干渉波形の進行度を一軸にて検出し、膜厚設定(波形進
行度の設定)を図り。
これに対処するべく監視部、設定器部を動作させること
で、従来のようにコンピュータC1,CP U )等を
要さない。
また、コンピュータを用いた場合にも演算処理等が簡単
なため、回路構成全体を簡単にすることができる。
したがって、非常に安価な膜厚モニタ膜厚設定機を得る
ことができると同時に1面倒な操作技術を必要としない
など数々の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施に用いる膜厚モニタ膜厚設定機の
全体な示す概略図、第2図は干渉波形を示す波形図、第
3図は従来の方法に用〜・る膜厚設定機の概略説明図で
ある。 1・・・膜厚設定機、2・・・CVD膜生成装置部、2
&・・・反応管、2b・・・ヒータ、3・・・CVD膜
厚検出部、3a・・・レーザ光線投光器、3b・・・セ
ンサ、4・・・監視部、5・・・設定器部、6・・・反
応ガス制御部、7・・・ボート、8・・・半導体ウェー
ハ、9・・・干渉波形、13・・・膜厚検出部、13a
・・・レーザ光線投光器、13b・・・センサ、14・
・・テープリーダ、15・・・設定器、16・・・コン
ピュータ(CPU)。 第  1  図 第  2  図 第  3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、生成膜またはエツチング膜による干渉波形のほぼ連
    続的変化を監視することによって、所望の膜厚に達した
    ことを検出する成膜装置またはエツチング装置用膜厚モ
    ニタ方法。
JP16816083A 1983-09-14 1983-09-14 膜厚モニタ方法 Pending JPS5986239A (ja)

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JP16816083A JPS5986239A (ja) 1983-09-14 1983-09-14 膜厚モニタ方法

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JP16816083A JPS5986239A (ja) 1983-09-14 1983-09-14 膜厚モニタ方法

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JP1498077A Division JPS53101264A (en) 1977-02-16 1977-02-16 Film thickness monitor/film thickness setter in film thickness monitor

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Publication Number Publication Date
JPS5986239A true JPS5986239A (ja) 1984-05-18

Family

ID=15862918

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JP16816083A Pending JPS5986239A (ja) 1983-09-14 1983-09-14 膜厚モニタ方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05118825A (ja) * 1991-04-30 1993-05-14 Internatl Business Mach Corp <Ibm> トレンチ形成プロセスの現場及びオンラインの監視方法及び装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5033772A (ja) * 1973-07-25 1975-04-01
JPS5056151A (ja) * 1973-09-14 1975-05-16

Patent Citations (2)

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