JPS5985886A - 選択めつき方法 - Google Patents
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- JPS5985886A JPS5985886A JP58186676A JP18667683A JPS5985886A JP S5985886 A JPS5985886 A JP S5985886A JP 58186676 A JP58186676 A JP 58186676A JP 18667683 A JP18667683 A JP 18667683A JP S5985886 A JPS5985886 A JP S5985886A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
この発明は、集積回路(IC)へングーのような部材の
所要部分に金その池の金属、合金のめり外を行う選択め
っき方法に関するものである。
所要部分に金その池の金属、合金のめり外を行う選択め
っき方法に関するものである。
前記したような部材は、その所要部分に金めつきなどの
めっぎを部分的に行うことか形状的にきわめて難かしい
。例えば、ICへンダーは、半導体装置の基部またはト
ランジスタ・キャンにリード線か接続されており、接続
部分はガラスやプラスチックスにより絶縁されているも
ので、これらの部分を含めて、めっぎしなければならな
い。
めっぎを部分的に行うことか形状的にきわめて難かしい
。例えば、ICへンダーは、半導体装置の基部またはト
ランジスタ・キャンにリード線か接続されており、接続
部分はガラスやプラスチックスにより絶縁されているも
ので、これらの部分を含めて、めっぎしなければならな
い。
従来、例えば、1046形へングーのような小形の部材
のめっきにおいては、リート線を縮めて全全体をバレル
めっきするか、リード線をそのままの状態(二して全体
をバレルめっきしていた。この上うなめつき方法は、コ
ストがかかると共に、例えば金めつきの場合では、リー
ド線などめっき不要の部分までめっきするため、金が無
駄に使用され、この不要な部分にめっきされた金を取り
除いて回収する作業が行われるなど、きわめて非能率で
ある欠点がある。また、めっき仕上りもあまりよくなく
、めっきがはげやすく、部材が小形のものであると、バ
レルめっき処理中、破損する欠点がある。また、スチー
ル粒子を加えてバレルめっトすることもあるが、これら
粒子に付着した金を回収することは、時間とコストがか
がる。
のめっきにおいては、リート線を縮めて全全体をバレル
めっきするか、リード線をそのままの状態(二して全体
をバレルめっきしていた。この上うなめつき方法は、コ
ストがかかると共に、例えば金めつきの場合では、リー
ド線などめっき不要の部分までめっきするため、金が無
駄に使用され、この不要な部分にめっきされた金を取り
除いて回収する作業が行われるなど、きわめて非能率で
ある欠点がある。また、めっき仕上りもあまりよくなく
、めっきがはげやすく、部材が小形のものであると、バ
レルめっき処理中、破損する欠点がある。また、スチー
ル粒子を加えてバレルめっトすることもあるが、これら
粒子に付着した金を回収することは、時間とコストがか
がる。
また、ミリタリ−形のソケット、ピンなどを部分的にめ
っきする場合にも同様な欠点がある。これらは、バレル
めっきや、部分的にめっき浴に浸せきしてめっきする方
法がとられているが、後者の場合、めっき層の厚さが均
一にならず、外側部分が内側部分の倍の厚さになるなど
の欠点がある。
っきする場合にも同様な欠点がある。これらは、バレル
めっきや、部分的にめっき浴に浸せきしてめっきする方
法がとられているが、後者の場合、めっき層の厚さが均
一にならず、外側部分が内側部分の倍の厚さになるなど
の欠点がある。
λJ聯目的
この発明は、前記した欠点を除いた選択めった方法を提
供することを目的とする。
供することを目的とする。
この発明は、部材の一部にめっきを施す選択めっき方法
において、部分的にめっきすべき部材をマスクの孔に、
そのマスクの弾性変形を利用して押しこみ、該部材のめ
っきすべき部分のみを前記マスクの孔から露出させて、
めっきを行う選択めっき方法に係るものであり、前記マ
スクは、めっき処理後簡単にはがすことができ、また、
めっきすべき部材との装置を押しこむ操作だけでよい。
において、部分的にめっきすべき部材をマスクの孔に、
そのマスクの弾性変形を利用して押しこみ、該部材のめ
っきすべき部分のみを前記マスクの孔から露出させて、
めっきを行う選択めっき方法に係るものであり、前記マ
スクは、めっき処理後簡単にはがすことができ、また、
めっきすべき部材との装置を押しこむ操作だけでよい。
マスクは、ショア硬度が12°から80°のシリコンラ
バーからなり、部材の寸法により、前記の硬度は増える
。
バーからなり、部材の寸法により、前記の硬度は増える
。
また、マスクは、毎1]8時間使用であると、3月間の
使用か命であり、補助マスクも使用できる。
使用か命であり、補助マスクも使用できる。
この発明の方法は、英国、米国などにおいて一般に使用
されている、ニス・シー・オーエンス社の「カルーセノ
喧Carousel )Jと称されているめっき装置な
どの選択めっき装置において大賢され、はぎとりマスク
の使用により、めっき処理の時間が大幅に短縮される。
されている、ニス・シー・オーエンス社の「カルーセノ
喧Carousel )Jと称されているめっき装置な
どの選択めっき装置において大賢され、はぎとりマスク
の使用により、めっき処理の時間が大幅に短縮される。
めっきすべき部材は、互いに連結した多数のジグの一つ
に保持され、各ジグは、金属−3= 同志のカソード結合を構成しているもので、この点につ
いては、英国特許願第1,447,027号に開示しで
ある。また、この発明は、特願昭58−89,022号
の無接点めっき方法にも実施できる。さらに、この発明
における、めっき方法そのものは、従来公知のめっき組
成浴により行われるもので、前記「カル−セル」型のめ
っき装置により、フネクタなどの電気(電子)部品の金
めつきを行う電流密度は、陰極インターフェースで約1
5amp/dm2(1,”500amp/m2)である
。
に保持され、各ジグは、金属−3= 同志のカソード結合を構成しているもので、この点につ
いては、英国特許願第1,447,027号に開示しで
ある。また、この発明は、特願昭58−89,022号
の無接点めっき方法にも実施できる。さらに、この発明
における、めっき方法そのものは、従来公知のめっき組
成浴により行われるもので、前記「カル−セル」型のめ
っき装置により、フネクタなどの電気(電子)部品の金
めつきを行う電流密度は、陰極インターフェースで約1
5amp/dm2(1,”500amp/m2)である
。
この発明の方法は、電着可能な金属または合金のめっき
に適用できるが、金、パラジウム、ルテニウム、ルシウ
ムなどのプラチナグループなどの貴金属によるめっきの
場合に最も適している。例えば、T046型ヘッダー(
従来は、全体をバレルめっきする)の部分めっきについ
てみると、金価格がトロイ・オンス当り414米ドルで
計算して100,000ユニット当り約1;600米ド
ルの金が、そして、ミリタリ−形ソケットの場合は、1
00,000ユニット当り約300米ドルか゛この発明
方法により節約できる。 ”4− このように、この発明によれば、TO46型ヘツグーの
ような小形部材の部分めっきに適し、高能率で、コスト
の節減が可能で、所要の部分にのみ、めっきを施す本発
明の効果は、多大である。
に適用できるが、金、パラジウム、ルテニウム、ルシウ
ムなどのプラチナグループなどの貴金属によるめっきの
場合に最も適している。例えば、T046型ヘッダー(
従来は、全体をバレルめっきする)の部分めっきについ
てみると、金価格がトロイ・オンス当り414米ドルで
計算して100,000ユニット当り約1;600米ド
ルの金が、そして、ミリタリ−形ソケットの場合は、1
00,000ユニット当り約300米ドルか゛この発明
方法により節約できる。 ”4− このように、この発明によれば、TO46型ヘツグーの
ような小形部材の部分めっきに適し、高能率で、コスト
の節減が可能で、所要の部分にのみ、めっきを施す本発
明の効果は、多大である。
0例の1
第1.2図に示すように、第1マスク1は、ダウ・コー
ニング社のシリコンラバーなどのシジア硬度約40°の
素材がらなり、多数の孔2が設けてあり、これらの孔が
めつき浴の連通孔として作用する。ヘッダー3は、キャ
ップ4と導電性のリード線5からなるもので、リード線
5は、ガラス盤6に保持されている。
ニング社のシリコンラバーなどのシジア硬度約40°の
素材がらなり、多数の孔2が設けてあり、これらの孔が
めつき浴の連通孔として作用する。ヘッダー3は、キャ
ップ4と導電性のリード線5からなるもので、リード線
5は、ガラス盤6に保持されている。
ジグ7は、外側面にねじがきっである基部8(スチール
製)、該基部に固定のプローブ9(真ちゅう製)、内側
スリーブ10(ラバー製)、外側スリーブ11(スチー
ル製)を備えており、スリーブ10はテーパーがついた
孔を有し、この孔にリード線5が通されてプローブ9と
電気的に接続し、外側スリーブ11は内面にねじがきっ
てあり、リード線5を囲む。この外側スリーブ11はリ
ード線5かジグ7へ通しゃすいように案内するもので、
外縁部12が一体に設けである。第1マスク1の孔2の
各々には、段部が設けてあり、ヘッダー3のキャップ4
とジグ7の外縁部12が嵌まりこみやすくなっており、
キャップ4の部分が前記マスクから突出する。実用面に
おいては、ヘッダー3は、ニッケルによりバレルめっき
されており、ジグ7へ自動または手動により、板材など
で装着される。
製)、該基部に固定のプローブ9(真ちゅう製)、内側
スリーブ10(ラバー製)、外側スリーブ11(スチー
ル製)を備えており、スリーブ10はテーパーがついた
孔を有し、この孔にリード線5が通されてプローブ9と
電気的に接続し、外側スリーブ11は内面にねじがきっ
てあり、リード線5を囲む。この外側スリーブ11はリ
ード線5かジグ7へ通しゃすいように案内するもので、
外縁部12が一体に設けである。第1マスク1の孔2の
各々には、段部が設けてあり、ヘッダー3のキャップ4
とジグ7の外縁部12が嵌まりこみやすくなっており、
キャップ4の部分が前記マスクから突出する。実用面に
おいては、ヘッダー3は、ニッケルによりバレルめっき
されており、ジグ7へ自動または手動により、板材など
で装着される。
ジグ7は、グループの状態でマスク1の多数の孔2に対
応する数のものが互いに連結している。ついでマスク1
は、各シ゛グアへ押しこまれ、へ遅グー3のキャップ4
とリード線5の端部のみが露出状態となる。
応する数のものが互いに連結している。ついでマスク1
は、各シ゛グアへ押しこまれ、へ遅グー3のキャップ4
とリード線5の端部のみが露出状態となる。
このようにして組立てられた構成体は、逆さまにされて
、めっき槽へ入れられ、空気圧、液圧、機械圧などを用
いるクランプ手段により保持されて、選択めっぎが行わ
れる。めっ熱処理後は、マスク1は、ヘッダー3からは
ぎとられる。
、めっき槽へ入れられ、空気圧、液圧、機械圧などを用
いるクランプ手段により保持されて、選択めっぎが行わ
れる。めっ熱処理後は、マスク1は、ヘッダー3からは
ぎとられる。
ヘッダー3を通常に使用する場合は、キャップ4の端部
にチップをハンダづけし、リード線5の端と電気的に接
続する。これによって、キャップ4の端部の一部、例え
ば半分が金めつぎされる。また、D形の孔をもつマスク
を前記の第1マスク使用後に用いても同様のことか行え
る。各へングー3とキャップ4の端部の所要部をめっき
するためには、ヘッダー3をタブ13により正しく位置
決めすることか必要である。
にチップをハンダづけし、リード線5の端と電気的に接
続する。これによって、キャップ4の端部の一部、例え
ば半分が金めつぎされる。また、D形の孔をもつマスク
を前記の第1マスク使用後に用いても同様のことか行え
る。各へングー3とキャップ4の端部の所要部をめっき
するためには、ヘッダー3をタブ13により正しく位置
決めすることか必要である。
第3〜5図に示した第2マスク14は、ショア硬度か約
7+)’のシリコンラバー(ダウ・コーニング社製)か
らなり、孔15が多数設けられている。第4.5図に示
すように、ソケット16を選択的(部分的)にめっきす
るため、第2マスク14か用いられ、これにより該ソケ
ットの内面のみかめっきされ、外面はめっきされない。
7+)’のシリコンラバー(ダウ・コーニング社製)か
らなり、孔15が多数設けられている。第4.5図に示
すように、ソケット16を選択的(部分的)にめっきす
るため、第2マスク14か用いられ、これにより該ソケ
ットの内面のみかめっきされ、外面はめっきされない。
めっきのための孔15には、割り溝かソケ遅トと同様に
設けてあり、これにより電解液が前記内面全面に流れ、
部分めっきがなされる。
設けてあり、これにより電解液が前記内面全面に流れ、
部分めっきがなされる。
前記の実施例は、この発明を限定するものではなく、説
明のための例示で゛ある。
明のための例示で゛ある。
第1図は、この発明による第1マスクの斜視図、第2図
は、ヘッダと第1図のマスクか装着されたジグの断面図
、 第3図は、第2マスクの斜視図、 一7= 第4図は、第3図のマスクにソケットをはめこんだ状態
の断面図、 第5図は、第4図V矢視方向の説明図である。 1・・・第1マスク 2.15・・・めっき用の孔3・
・・ヘッダー 4・・・キャップ5・・・リード線
7・・・ジグ 9・・・プローブ ほか1名 8−
は、ヘッダと第1図のマスクか装着されたジグの断面図
、 第3図は、第2マスクの斜視図、 一7= 第4図は、第3図のマスクにソケットをはめこんだ状態
の断面図、 第5図は、第4図V矢視方向の説明図である。 1・・・第1マスク 2.15・・・めっき用の孔3・
・・ヘッダー 4・・・キャップ5・・・リード線
7・・・ジグ 9・・・プローブ ほか1名 8−
Claims (8)
- (1)部分的にめっぎすべき部材をマスクの孔に、その
マスクの弾性変形を利用して押しこみ、該部材のめっき
すべき部分のみを前記マスクの孔から露出させて、めっ
きを行う選択めっき方法。 - (2)マスクは、シリコンラバーからなる特許請求の範
囲第1項の選択めっき方法。 - (3)マスクは、シタア硬度12°から80°の素材か
らなる特許請求の範囲第1項の選択めっき方法。 - (4)マスクに設けられる孔の断面形状が異なる特許請
求の範囲第1項の選択めっき方法。 - (5)めっきすべき部材の一部がマスクの孔の第一部位
に係合され、該部材の支持体の一部が前記孔の第二部位
に係合する特許請求の範囲第4項の選択めっき方法。 - (6)めっきされる部材は、ICヘッダーである特許請
求の範囲第1項の選択めっき方法。 - (7)めっきされる部材は、ミリタリ−形のソケットで
ある特許請求の範囲第1項の選択めっき方法。 - (8)部材は、部分的に金めっきされる特許請求の範囲
第1項の選択めっき方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB8228376 | 1982-10-05 | ||
GB8228376 | 1982-10-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5985886A true JPS5985886A (ja) | 1984-05-17 |
JPH0411633B2 JPH0411633B2 (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=10533382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58186676A Granted JPS5985886A (ja) | 1982-10-05 | 1983-10-05 | 選択めつき方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0107931B1 (ja) |
JP (1) | JPS5985886A (ja) |
AT (1) | ATE40157T1 (ja) |
DE (1) | DE3378982D1 (ja) |
GB (1) | GB2127855B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62191871U (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-05 | ||
JP2008303463A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Jung Gul Lee | ナットねじ部の表面処理用ジグ |
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US4561954A (en) * | 1985-01-22 | 1985-12-31 | Avx Corporation | Method of applying terminations to ceramic bodies |
JPH0680605B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1994-10-12 | 株式会社村田製作所 | 電子部品チップ保持治具および電子部品チップのメタライズ面への金属コーティング方法 |
GB2270527A (en) * | 1992-09-11 | 1994-03-16 | Rolls Royce Plc | Coating a face of a component using apertured mask of same size as the face; turbine tip blades |
GB9326082D0 (en) * | 1993-12-21 | 1994-02-23 | Baj Coatings Ltd | Rotor blades |
DE69842001D1 (de) | 1997-04-04 | 2010-12-30 | Univ Southern California | Galvanisches verfahren zur herstellung einer mehrlagenstruktur |
US9614266B2 (en) | 2001-12-03 | 2017-04-04 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
WO2003049514A2 (en) | 2001-12-03 | 2003-06-12 | Memgen Corporation | Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components |
US10297421B1 (en) | 2003-05-07 | 2019-05-21 | Microfabrica Inc. | Plasma etching of dielectric sacrificial material from reentrant multi-layer metal structures |
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