JPS5982379A - 6位置換−4−オキソ−4h−1−ベンゾピラン類、その製造方法及びそれを含む薬学的製剤 - Google Patents
6位置換−4−オキソ−4h−1−ベンゾピラン類、その製造方法及びそれを含む薬学的製剤Info
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- JPS5982379A JPS5982379A JP58182927A JP18292783A JPS5982379A JP S5982379 A JPS5982379 A JP S5982379A JP 58182927 A JP58182927 A JP 58182927A JP 18292783 A JP18292783 A JP 18292783A JP S5982379 A JPS5982379 A JP S5982379A
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- C07D311/06—Benzo[b]pyrans, not hydrogenated in the carbocyclic ring with oxygen or sulfur atoms directly attached in position 2
- C07D311/08—Benzo[b]pyrans, not hydrogenated in the carbocyclic ring with oxygen or sulfur atoms directly attached in position 2 not hydrogenated in the hetero ring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なベンゾビラノン誘導体に関し、更に詳し
くは、 次式: 〔式中、Rは無置換の又はエステル化もしくはアミド化
されたカルボキシル基、又はテトラゾリル基を表し;R
7は水素原子又は脂肪族基を表し;R2は水素原子、脂
肪族基、アシル基又は場合によりエーテル化もしくはエ
ステル化されたヒドロキシル基を表し;R4は 次式: −C(R6)=C(R7)−C(=C)−R6(式中、
R6は水素原子又は場合によジヒドロキジル基で置換さ
れた脂肪族基を表し;R7は水素原子又は脂肪族基を表
し:R8は基R3及びR2のいずれか一つと共にオキシ
基を表し、基R3及びR5の他方は水素原子を表すか、
あるいは他方の基がR,である場合には、そのR5はヒ
ドロキシル基を表す) で示される基を表すが; 但し、R6が式:−C(R6)=C(R7)−C(=O
)−R8の基を表し、R8がR9と共にオキシ基を表し
、R1、R2、R5及びR7が水素原子を表し、R6が
メチル基である場合には、Rはエトキシカルボニル基以
外である〕 で示される6位置換−4−オキソ−4H−1−ベンゾピ
ラン類、塩形成能を有する式lの化合物の塩、式Iの化
合l吻及びその塩の卵1吉方法、かかる1ヒ含物を含む
医薬及び薬学的41t1L剤の活1・′1成分等として
の用途並ひにそれらの配合に門ずイ)。
くは、 次式: 〔式中、Rは無置換の又はエステル化もしくはアミド化
されたカルボキシル基、又はテトラゾリル基を表し;R
7は水素原子又は脂肪族基を表し;R2は水素原子、脂
肪族基、アシル基又は場合によりエーテル化もしくはエ
ステル化されたヒドロキシル基を表し;R4は 次式: −C(R6)=C(R7)−C(=C)−R6(式中、
R6は水素原子又は場合によジヒドロキジル基で置換さ
れた脂肪族基を表し;R7は水素原子又は脂肪族基を表
し:R8は基R3及びR2のいずれか一つと共にオキシ
基を表し、基R3及びR5の他方は水素原子を表すか、
あるいは他方の基がR,である場合には、そのR5はヒ
ドロキシル基を表す) で示される基を表すが; 但し、R6が式:−C(R6)=C(R7)−C(=O
)−R8の基を表し、R8がR9と共にオキシ基を表し
、R1、R2、R5及びR7が水素原子を表し、R6が
メチル基である場合には、Rはエトキシカルボニル基以
外である〕 で示される6位置換−4−オキソ−4H−1−ベンゾピ
ラン類、塩形成能を有する式lの化合物の塩、式Iの化
合l吻及びその塩の卵1吉方法、かかる1ヒ含物を含む
医薬及び薬学的41t1L剤の活1・′1成分等として
の用途並ひにそれらの配合に門ずイ)。
エステル化されたカルボキシル基として社、低級アルコ
キシカルホ゛ニル、ヒドロヤシ1代級アルコキシカルボ
ニル又は低級了ルカノイルオヤシ低級アルコキシカルボ
ニル等のような、場合により、例えばヒドロキシル基又
はアシルオキシ基で鎖換されている低級アルカノールで
エステル化されノこカルボキシル基等が例示される。
キシカルホ゛ニル、ヒドロヤシ1代級アルコキシカルボ
ニル又は低級了ルカノイルオヤシ低級アルコキシカルボ
ニル等のような、場合により、例えばヒドロキシル基又
はアシルオキシ基で鎖換されている低級アルカノールで
エステル化されノこカルボキシル基等が例示される。
アミド化されたカルボキシル基としては、カルバモイル
、N−モノもしくはN、N−ジー低級アルキルカルバモ
イル又は1−テトラゾリルカルボニル等のように、場合
により、低級アルキル基で一置換もしくはニ置換された
カルバモイル基等が例示される。テトラゾリル基として
は、5−テトラゾリル基が例示される。
、N−モノもしくはN、N−ジー低級アルキルカルバモ
イル又は1−テトラゾリルカルボニル等のように、場合
により、低級アルキル基で一置換もしくはニ置換された
カルバモイル基等が例示される。テトラゾリル基として
は、5−テトラゾリル基が例示される。
脂肪族基としては、低級アルキル基もしくは低級アルケ
ニル基、又は第二に低級アルキニル基が例示される。
ニル基、又は第二に低級アルキニル基が例示される。
アシル基又はアシルオキシ中のアシル基としては、場合
により低級°rアルキル低級アルコキシ及び/又はハロ
ゲン原子等で置換された低級アルカノイル基又はベンゾ
イル基が例示される。
により低級°rアルキル低級アルコキシ及び/又はハロ
ゲン原子等で置換された低級アルカノイル基又はベンゾ
イル基が例示される。
エーテル化されたヒドロキシル基としては、低級アルコ
キシ及び低級アルケニルオキシ等のような、低級アルカ
ノールでエーテル化されたヒドロキシル基が例示される
。
キシ及び低級アルケニルオキシ等のような、低級アルカ
ノールでエーテル化されたヒドロキシル基が例示される
。
エステル化されたヒドロキシル基としては、ハロゲン原
子又は低級アルカノイルオキシ等のように、ハロゲン化
水素酸又は低級アルカンカルボン酸等の有機カルボン酸
でエステル化されたヒドロキシル基が例示される。
子又は低級アルカノイルオキシ等のように、ハロゲン化
水素酸又は低級アルカンカルボン酸等の有機カルボン酸
でエステル化されたヒドロキシル基が例示される。
ヒドロキシ基で置換された脂肪族基としては、ヒドロキ
シ低級アルキル基が例示される。
シ低級アルキル基が例示される。
上記の部分で使用した、又は、下記において使用する一
般的記載は、次に示す意味を有する前記及び後記の記載
における“低級”有機基及び化合物とは、好ましくは、
炭素原子数7以下、特に4以下を含むものを意味すると
解すべきである。
般的記載は、次に示す意味を有する前記及び後記の記載
における“低級”有機基及び化合物とは、好ましくは、
炭素原子数7以下、特に4以下を含むものを意味すると
解すべきである。
低級アルキニル基又は低級アルコキシカルボニル基中の
低級アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、インプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキ
シ、80C−フトキシ又Qよtert−ブトキシ並びに
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ又はヘプチルオキシ基
が例示される。
低級アルコキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、インプロポキシ、n−ブトキシ、イソブトキ
シ、80C−フトキシ又Qよtert−ブトキシ並びに
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ又はヘプチルオキシ基
が例示される。
ヒドロキシ低級アルコキシカルボニル基としては、2−
ヒドロキシエトキシ−12−もしくは3−ヒドロキシエ
トキシー、又は2,3−ジヒドロキシグロボキシーカル
ボニル基が例示される。
ヒドロキシエトキシ−12−もしくは3−ヒドロキシエ
トキシー、又は2,3−ジヒドロキシグロボキシーカル
ボニル基が例示される。
低級アルカノイルオキシ基及び低級アルカノイルオキシ
低級アルコキシカルボニル基中の低級アルカノイルオキ
シ基としては、アセチル−、プロピオニル−、ブチリル
−、インフチリルー父はビパロイルーオギシ基が例示さ
れる。
低級アルコキシカルボニル基中の低級アルカノイルオキ
シ基としては、アセチル−、プロピオニル−、ブチリル
−、インフチリルー父はビパロイルーオギシ基が例示さ
れる。
N−モノ低級アルキルカルバモイル基としては、N−メ
チル−1N−エチル−1N−プロピル−1N−イソプロ
ピル又はN−プヂルーカルバモイル基が例示され、丑た
N、N−ジ低級アルギルヵルバモイル基としては、N、
N−ジメチル−又はN、N−ジエチル−カルバモイル基
が例示される。
チル−1N−エチル−1N−プロピル−1N−イソプロ
ピル又はN−プヂルーカルバモイル基が例示され、丑た
N、N−ジ低級アルギルヵルバモイル基としては、N、
N−ジメチル−又はN、N−ジエチル−カルバモイル基
が例示される。
低級アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル並びにヘキシル又はヘプチル基が
例示される。
イソプロピル、n−ブチル、イソブチル、sec−ブチ
ル、tert−ブチル並びにヘキシル又はヘプチル基が
例示される。
低級アルケニル基としては、1−もしくは2−プロペニ
ル、1−,2−もしくは3−ブチニル又は1−メチル−
2−プロペニル並びに1,3−ブクジエニル基が例示さ
れる。低級アルキニル基としては、エチニル、2−プロ
ピルχはI−,2−もしくは3−ブチニル基が例示され
る。
ル、1−,2−もしくは3−ブチニル又は1−メチル−
2−プロペニル並びに1,3−ブクジエニル基が例示さ
れる。低級アルキニル基としては、エチニル、2−プロ
ピルχはI−,2−もしくは3−ブチニル基が例示され
る。
ヒドロキシ低級アルキルJI・とじては、2−ヒドロキ
シエチル、2−もり、 <は3 ヒドロキシプロピル、
1.2−ジヒドロキシエチル又f’12.3−ジヒドロ
キシプロピル基が例示される。
シエチル、2−もり、 <は3 ヒドロキシプロピル、
1.2−ジヒドロキシエチル又f’12.3−ジヒドロ
キシプロピル基が例示される。
低級アルキニルメキシ基としては、エテニルオキシ、1
,2−もしくは11,3−ブロペニルオキシ又は1,2
−、1.3−もしくは1、4−ブテンー2−イルオキシ
基が例示される。
,2−もしくは11,3−ブロペニルオキシ又は1,2
−、1.3−もしくは1、4−ブテンー2−イルオキシ
基が例示される。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素又は臭素等の原子
番号35以内のハロゲン原子並びにヨウ素が例示される
。
番号35以内のハロゲン原子並びにヨウ素が例示される
。
低級アルカノイル基としては、ホルミル、アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、インブチリル又はピバロイル基
が例示される。
ロピオニル、ブチリル、インブチリル又はピバロイル基
が例示される。
新規な化合物の塩としては、Rが、カルボキシル基又は
テトラゾリル基を表す式Iの化合物の塩基との薬学上許
容される塩、並びに酸とのオキソニウム塩等の特に薬学
上許容される塩が挙げられる。
テトラゾリル基を表す式Iの化合物の塩基との薬学上許
容される塩、並びに酸とのオキソニウム塩等の特に薬学
上許容される塩が挙げられる。
それには、例えば、ナトリウム、カリウム、カルシウム
又はマグネシウム塩等のアルカリ金属又はアルカリ土類
金属塩;並びにメチルアミンもしくはジメチルアミン等
のモノ−もしくはジ−低級アル虚ル了ミン、あるいはエ
タノールアミン、ジェタノールアミンもしくはトリエタ
ノールアミン等のモノ−、ジ−もしくはトリ−低級アル
カノールアミン等のような有機アミン又はアンモニアと
のアンモニウム塙;等のような塩基との塩が考えられる
。酸とのオキソニウム塩としては、塩酸塩もしくはヨウ
化水素酸塩等のハロゲン化水素酸塩又は過塩素酸塩等が
例示される。並びに、本発明にかかる遊離化合物の単離
又は精製等のために使用し得るので、薬学的使用には不
適当である塩も含まれ、またそれらの薬学上許容される
塩も含まれる。
又はマグネシウム塩等のアルカリ金属又はアルカリ土類
金属塩;並びにメチルアミンもしくはジメチルアミン等
のモノ−もしくはジ−低級アル虚ル了ミン、あるいはエ
タノールアミン、ジェタノールアミンもしくはトリエタ
ノールアミン等のモノ−、ジ−もしくはトリ−低級アル
カノールアミン等のような有機アミン又はアンモニアと
のアンモニウム塙;等のような塩基との塩が考えられる
。酸とのオキソニウム塩としては、塩酸塩もしくはヨウ
化水素酸塩等のハロゲン化水素酸塩又は過塩素酸塩等が
例示される。並びに、本発明にかかる遊離化合物の単離
又は精製等のために使用し得るので、薬学的使用には不
適当である塩も含まれ、またそれらの薬学上許容される
塩も含まれる。
一般式Iの化合物及びそれらの薬学上許容される塩は有
用な薬理学的性質を有している。例えば、それらは顕著
な抗アレルギー活性を有している。
用な薬理学的性質を有している。例えば、それらは顕著
な抗アレルギー活性を有している。
その活性は、例えば、グース及びブレア、イムノロジー
、第16巻、749頁、1969年〔Gooseand
Blair、Inonunnlogy、16.749
(1969)]で期載されている方法と同様の受動皮膚
アナフィラキシー試験をラットで行った場合に、経口投
与した際は約1〜約100mg/Kgの用量、静脈内投
与した際は約0.01〜約10mg/Kgの用量範囲で
示される。
、第16巻、749頁、1969年〔Gooseand
Blair、Inonunnlogy、16.749
(1969)]で期載されている方法と同様の受動皮膚
アナフィラキシー試験をラットで行った場合に、経口投
与した際は約1〜約100mg/Kgの用量、静脈内投
与した際は約0.01〜約10mg/Kgの用量範囲で
示される。
受動皮膚アナフイラキシーは、オバリー、プログル、ア
レルギー、第5巻、459(1958年(0vary、
Progr、Allergy、5、459(1958)
〕で記載されている方法に従い発生させた。したがって
、本発明にかかる式1の化合物は、例えば、抗(com
batiny)アレルギー反応に、さらに、例えば喘息
、即ち外因性及び内因性の喘息もしくは枯草熱、結膜炎
、じん麻疹、湿疹等の他のエネルギー性疾患の治療及び
予防に使用され得る。
レルギー、第5巻、459(1958年(0vary、
Progr、Allergy、5、459(1958)
〕で記載されている方法に従い発生させた。したがって
、本発明にかかる式1の化合物は、例えば、抗(com
batiny)アレルギー反応に、さらに、例えば喘息
、即ち外因性及び内因性の喘息もしくは枯草熱、結膜炎
、じん麻疹、湿疹等の他のエネルギー性疾患の治療及び
予防に使用され得る。
本発明は、例えば、Rがカルボキシル基、低級アルコキ
シカルボニル基、ヒドロキシ低級アルコキシカルボニル
基、低級アルカノイルAキシ低級アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基、N−モノ−もしくはN−ジ低級ア
ルキルカルバモイル基、1−テトラゾリルカルボニル基
又は5−テトラゾリル基を表し;R1が水素原子、低級
アルキル基又は低級アルケニル基を表し;R7が水素原
子、低級アルギル基、低級アルケニル基、低級アルカノ
イル基、場合により低級アルキル、低級アルコキシ及び
/又はハロゲン原子で置換されたベンゾイル基、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、低級アルケニル丼キシ
基、ハロゲン原子もしくは低級アルカノイルオキシ基を
表し;R4が式:−C(R5)=C(R7)−C(=O
)−R6(式中、例えば水素原子、低級アルキル基、低
級アルケニル基又はヒドロキシ低級アルキル基を表し:
R7は水素原子、低級アルキル基又は低級アルケニル基
を表し:R6は基R5及びR5のいずれか一つと共にオ
キシ基を表し、基R,及びR1のうちの他方は水素原子
を表すか、あるいは他方の基がR7である場合には、そ
のR3はヒドロキシル基を表す)の基を表すが;但し、
R3が式:−C(R6)−C(R7)−C(=O)−R
6の基を表し、R6がR5と共にオキシ基を表し、R1
、R2、R5及びR7が水素原子を表し、R6がメチル
基である場合には、Rはエトキシカルボニル基以外の基
である式Iの化合物及び塩形成能を有する上記化合物の
塩、特に薬学上許容される塩に関する。
シカルボニル基、ヒドロキシ低級アルコキシカルボニル
基、低級アルカノイルAキシ低級アルコキシカルボニル
基、カルバモイル基、N−モノ−もしくはN−ジ低級ア
ルキルカルバモイル基、1−テトラゾリルカルボニル基
又は5−テトラゾリル基を表し;R1が水素原子、低級
アルキル基又は低級アルケニル基を表し;R7が水素原
子、低級アルギル基、低級アルケニル基、低級アルカノ
イル基、場合により低級アルキル、低級アルコキシ及び
/又はハロゲン原子で置換されたベンゾイル基、ヒドロ
キシル基、低級アルコキシル基、低級アルケニル丼キシ
基、ハロゲン原子もしくは低級アルカノイルオキシ基を
表し;R4が式:−C(R5)=C(R7)−C(=O
)−R6(式中、例えば水素原子、低級アルキル基、低
級アルケニル基又はヒドロキシ低級アルキル基を表し:
R7は水素原子、低級アルキル基又は低級アルケニル基
を表し:R6は基R5及びR5のいずれか一つと共にオ
キシ基を表し、基R,及びR1のうちの他方は水素原子
を表すか、あるいは他方の基がR7である場合には、そ
のR3はヒドロキシル基を表す)の基を表すが;但し、
R3が式:−C(R6)−C(R7)−C(=O)−R
6の基を表し、R6がR5と共にオキシ基を表し、R1
、R2、R5及びR7が水素原子を表し、R6がメチル
基である場合には、Rはエトキシカルボニル基以外の基
である式Iの化合物及び塩形成能を有する上記化合物の
塩、特に薬学上許容される塩に関する。
本発明は、特に、Rがカルボキシル基、低級アルコキシ
ルカルボニル基又は低級アルカノイルオキシ低級アルコ
キシカルボニル基を表し;R1が水素原子又は第二に低
級アルキル基を表し;R2が水素原子、低級アルキル基
、低級アルケニル基、ヒドロキシル基、低級アルケニル
基、低級アルカノイルオキ7基又はハロゲン原子を表し
;R4が式:−C(R5)=C(R7)−C(=O)−
R8(式中、R6及びR,はそれぞれ独立して水素原子
又は低級アルキル基を表し;R6は基R3及びR4のい
ずれか一つと共にオキシ基を表し、基R3及びR5の他
方は水素原子を表す)の基を表すが;但し、R4が式:
−C(R4)=C(R7)−C(=O)−R8の基を表
し、R6がR3と共にオキシ基を表し、R1、R2,R
5及びR7が水素原子を表し、R3がメチル基を表す場
合には、Rはエトキシカルボニル基以外である式Iの化
合物及び塩形成能を有する上配化合物の塩、特に薬学上
許容される塩に関する。
ルカルボニル基又は低級アルカノイルオキシ低級アルコ
キシカルボニル基を表し;R1が水素原子又は第二に低
級アルキル基を表し;R2が水素原子、低級アルキル基
、低級アルケニル基、ヒドロキシル基、低級アルケニル
基、低級アルカノイルオキ7基又はハロゲン原子を表し
;R4が式:−C(R5)=C(R7)−C(=O)−
R8(式中、R6及びR,はそれぞれ独立して水素原子
又は低級アルキル基を表し;R6は基R3及びR4のい
ずれか一つと共にオキシ基を表し、基R3及びR5の他
方は水素原子を表す)の基を表すが;但し、R4が式:
−C(R4)=C(R7)−C(=O)−R8の基を表
し、R6がR3と共にオキシ基を表し、R1、R2,R
5及びR7が水素原子を表し、R3がメチル基を表す場
合には、Rはエトキシカルボニル基以外である式Iの化
合物及び塩形成能を有する上配化合物の塩、特に薬学上
許容される塩に関する。
本発明は、更に詳しくは、Rがカルホキシル基又はメト
キシ−もしうはエトキシーカルポニル基等のよう々低級
アルギル部が炭素原子数4以下である低級アルコキシカ
ルボニル基を表し:R7が水素原子を表し;R2が水素
原子、メチルもしくはプロピル等のような、炭素原子数
4以下の低級アルキル基又はアリル等のような炭素原子
数4以1の低級アルケニル基を表し:R4が式:−C(
R5)=C(R7)−C(=O)−R8(式中、R6は
メチル等のような炭素原子数4以下の低級アルキル基を
表し:R7は水素原子を表し;基R3及びR6のうちい
ずれか一つはR8と共にオキシ基を表し、他の基は水素
原子を表す)の基を表す式■の化合物及び塩形成能を有
するかかる化合物の塩、行に薬学上許容される塩に関す
る。
キシ−もしうはエトキシーカルポニル基等のよう々低級
アルギル部が炭素原子数4以下である低級アルコキシカ
ルボニル基を表し:R7が水素原子を表し;R2が水素
原子、メチルもしくはプロピル等のような、炭素原子数
4以下の低級アルキル基又はアリル等のような炭素原子
数4以1の低級アルケニル基を表し:R4が式:−C(
R5)=C(R7)−C(=O)−R8(式中、R6は
メチル等のような炭素原子数4以下の低級アルキル基を
表し:R7は水素原子を表し;基R3及びR6のうちい
ずれか一つはR8と共にオキシ基を表し、他の基は水素
原子を表す)の基を表す式■の化合物及び塩形成能を有
するかかる化合物の塩、行に薬学上許容される塩に関す
る。
本発明は、第一にかつ主に、Rがカルボキシル基を表し
;R1が水素原子を表し;R7が炭素原子数4以下の低
級アルキル基、特にプロピル基、又は炭素原子数4以下
の低級アルケニル基、特にアリル基を表し;R4が式:
−C(R6)=C(R7)−C(=O)−R8(式中、
R8は炭素原子数4以下の低級アルキル基、特にメチル
基を表し:R7は水素原子を表し:基R5及びR5のう
ちいずれか一つはR8と共にオキシ基を表し、他の基が
水素原子を表す)の基を表す式■の化合物及び塩形成能
を有するかかる化合物の塩、特に薬学上許容される塩に
関する。
;R1が水素原子を表し;R7が炭素原子数4以下の低
級アルキル基、特にプロピル基、又は炭素原子数4以下
の低級アルケニル基、特にアリル基を表し;R4が式:
−C(R6)=C(R7)−C(=O)−R8(式中、
R8は炭素原子数4以下の低級アルキル基、特にメチル
基を表し:R7は水素原子を表し:基R5及びR5のう
ちいずれか一つはR8と共にオキシ基を表し、他の基が
水素原子を表す)の基を表す式■の化合物及び塩形成能
を有するかかる化合物の塩、特に薬学上許容される塩に
関する。
本発明は、特に、実施例で述べる式■の化合物1及びこ
こに記載されたそれらの製造方法に関する。
こに記載されたそれらの製造方法に関する。
式Iの新規な化合物は、次式:
〔式中、X1はヒドロキシル基又は反応性エステル化ヒ
ドロキシル基を表し、X2は式:−CO−CH(R1)
−CO−Rの基を表し、R3′、R4′及びR5′はそ
れぞれR5、R4及びR6と同義であるか;又はX1は
式: −O−C(R)=C(R1)−CO−R6(式中、R9
は適宜の脱離基を表す)の基を表し、X2は水素原子を
表し、R5、及びR4′は、それぞれR3、R4及びR
5と同義であるか;又はX1は式:−O−C(R)=C
(R1)−CO−X1’の基を表し、X1′はX2と共
に共通の結合を表し、基R5′及びR6′のうちいずれ
か一つは式:−〇−(CO−CH(R7)−CO−R6
の基を表し、他の基はそれぞれR3又はR5の意味を有
し、R4′は水素原子を表すか;又は、X1は式:−O
−C(R)=C(R1)−CO−X1′の基を表し、X
1′はX2と共に共通の結合を表し、基R5及びR5′
のうちいずれか一つは水素原子又は反応性エステル化ヒ
ドロキシル基を表し、他のそれぞれR3又はR5の意味
を有し、R4′は式; −C(R5)=C(R7)−CO−R9(R9は適宜の
脱離基を表す)の基を表すか;又は、X1は式:−O−
C(R)=C(R7)−CO−X1′の基を表し、X1
′はX2と共に共通の結合を表し、基R2′及びR5′
のうちいずれか一つは式: −O−CO−C(R7)=P(X3)3(X3は脂肪族
もしくは芳香族基、低級アルコキシ基又は場合により置
換されたフェノキシ基を表す)の基を表し、他の基はそ
れぞれR3又はR5の意味を有し、R4′は式:−CO
−R6の基を表す〕で示される化合物を、例えば塩化し
、必要であればその方法で得られる異性体混合物から各
異性体を分離して所望の異性体を単離し、更に望むなら
ば、得られた化合物を別の式Iの化合物に変換し及び/
又は得られた遊離化合物を塩に変換するが、あるいは得
られた塩を遊離化合物又は別の塩に変換することによっ
て、それ自体公知の方法により製造してもよい。
ドロキシル基を表し、X2は式:−CO−CH(R1)
−CO−Rの基を表し、R3′、R4′及びR5′はそ
れぞれR5、R4及びR6と同義であるか;又はX1は
式: −O−C(R)=C(R1)−CO−R6(式中、R9
は適宜の脱離基を表す)の基を表し、X2は水素原子を
表し、R5、及びR4′は、それぞれR3、R4及びR
5と同義であるか;又はX1は式:−O−C(R)=C
(R1)−CO−X1’の基を表し、X1′はX2と共
に共通の結合を表し、基R5′及びR6′のうちいずれ
か一つは式:−〇−(CO−CH(R7)−CO−R6
の基を表し、他の基はそれぞれR3又はR5の意味を有
し、R4′は水素原子を表すか;又は、X1は式:−O
−C(R)=C(R1)−CO−X1′の基を表し、X
1′はX2と共に共通の結合を表し、基R5及びR5′
のうちいずれか一つは水素原子又は反応性エステル化ヒ
ドロキシル基を表し、他のそれぞれR3又はR5の意味
を有し、R4′は式; −C(R5)=C(R7)−CO−R9(R9は適宜の
脱離基を表す)の基を表すか;又は、X1は式:−O−
C(R)=C(R7)−CO−X1′の基を表し、X1
′はX2と共に共通の結合を表し、基R2′及びR5′
のうちいずれか一つは式: −O−CO−C(R7)=P(X3)3(X3は脂肪族
もしくは芳香族基、低級アルコキシ基又は場合により置
換されたフェノキシ基を表す)の基を表し、他の基はそ
れぞれR3又はR5の意味を有し、R4′は式:−CO
−R6の基を表す〕で示される化合物を、例えば塩化し
、必要であればその方法で得られる異性体混合物から各
異性体を分離して所望の異性体を単離し、更に望むなら
ば、得られた化合物を別の式Iの化合物に変換し及び/
又は得られた遊離化合物を塩に変換するが、あるいは得
られた塩を遊離化合物又は別の塩に変換することによっ
て、それ自体公知の方法により製造してもよい。
好適な脱離基R9として、例えば、ヒドロキシル、塩素
原子等のハロゲン原子、メトキシもしくはエトキシ等の
低級アルコキシ、場合により置換されたフェノキシ基及
び低級アルカノイルオキシもしくは場合により置換され
たベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基が考えられる。
原子等のハロゲン原子、メトキシもしくはエトキシ等の
低級アルコキシ、場合により置換されたフェノキシ基及
び低級アルカノイルオキシもしくは場合により置換され
たベンゾイルオキシ等のアシルオキシ基が考えられる。
反応性エステル化ヒドロキシル基としては、特にハロゲ
ン原子、並びに、低級アルカノイルオキシ等メアシルオ
キシ又は低級アルヵンスルポニルメキシもしくは場合に
より低級アルギルもしくはハロゲン原子等で置換された
フェニルスルボニルオキシ等のスルボニルオキシ基が例
示される。
ン原子、並びに、低級アルカノイルオキシ等メアシルオ
キシ又は低級アルヵンスルポニルメキシもしくは場合に
より低級アルギルもしくはハロゲン原子等で置換された
フェニルスルボニルオキシ等のスルボニルオキシ基が例
示される。
脂肪族基X5としては、tert−ブチル等の低級アル
ギル基が例示される。芳香族基X3としては、場合によ
り置換されたフェニル基が例示される。
ギル基が例示される。芳香族基X3としては、場合によ
り置換されたフェニル基が例示される。
式 1aの化合物の塩としては、Rがカルボキシル基を
表す場合tては、例えば、ナトリウム塙等のアルカリ金
属地のようなその化合物の塩基との地が例示され、更に
、例えばハロゲン化水素酸もしくはメキシハロゲン酸等
の鉱酸のような強酸によって、オキソニウムヨウ化物も
しくはオキソニウム過塩累限塩等のオキソニウム塩を形
成してもよい。
表す場合tては、例えば、ナトリウム塙等のアルカリ金
属地のようなその化合物の塩基との地が例示され、更に
、例えばハロゲン化水素酸もしくはメキシハロゲン酸等
の鉱酸のような強酸によって、オキソニウムヨウ化物も
しくはオキソニウム過塩累限塩等のオキソニウム塩を形
成してもよい。
本発明の反応は、慣用法で、特に類似反応に関する文献
による公知の方法で、好ましくは触媒存在下無水条件で
行ってもよいが、必要ならば、冷却下及び例えば約50
〜200℃の反応温度に加熱し、更に不活性溶媒及び/
又は窒素ガス等の不活性ガス中で行ってもよい。好適な
溶媒としては特に、ピリジンのようなアミン類もしくは
ジメチルホルムアミドのようなアミF類で例示される極
性溶媒、あるいは寸だ、ジオキサンもしくはテトラヒド
ロフランのようなエーテル類の如き非極性溶媒が挙げら
れる。好適な触媒としては、好ましくは、例えば硫酸、
ポリリン酸、塩化水素酸のようなハロゲン化水素酸等の
鉱酸の如き酸類又は酢酸等の低級アルカンカルボン酸及
び/又は無水酢酸等のそれらの無水物、あるいは場合に
よりハロゲン原子等で置換された低級アルカンスルホン
酸又は場合によりハロゲン原子もしくは低級アルキル等
で置換されたフェニルスルポン酸のようなスルホン酸類
が挙げられる。史には、塩化アルミニウム等のルイス酸
の使用も、必要ならば、X1が式:−O−C(R)=C
(R1)−CO−R9の基を表すか、R3′又はR5′
が式:−O−CO−CH(R7)−CO−R6の基を表
す式■aの化合物の場合に、特に有益である。また、環
化け、加熱により及び/又は中性もしくは塩基性条件下
で実施してもよい。XlかR,l又はR,/が例えばハ
ロゲン原子を表す場合には、相当する環化は強塩基存在
下で実施される。好適な塩基としては、例えば、水酸化
ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物;ナトリウムメト
キシド等のアルカリ金属低級アルコキシド;トリエチル
アミン、エチルジイソプロピルアミン、ピペリジン、コ
リジン、1,5−ジアザビシクロ(4.3、O〕ノナ−
5−エン(DBN)もしくは1.8−ジアザビシクロ〔
5、4、0)ウンデカ−7−エン(DBU)等の場合に
より環化された第三級9素塩基、並びにリチウムジエチ
ルアミドもしくはリチウムジイソプロピルアミド等のリ
チウムジ低級アルキルアミドを使用してもよい。
による公知の方法で、好ましくは触媒存在下無水条件で
行ってもよいが、必要ならば、冷却下及び例えば約50
〜200℃の反応温度に加熱し、更に不活性溶媒及び/
又は窒素ガス等の不活性ガス中で行ってもよい。好適な
溶媒としては特に、ピリジンのようなアミン類もしくは
ジメチルホルムアミドのようなアミF類で例示される極
性溶媒、あるいは寸だ、ジオキサンもしくはテトラヒド
ロフランのようなエーテル類の如き非極性溶媒が挙げら
れる。好適な触媒としては、好ましくは、例えば硫酸、
ポリリン酸、塩化水素酸のようなハロゲン化水素酸等の
鉱酸の如き酸類又は酢酸等の低級アルカンカルボン酸及
び/又は無水酢酸等のそれらの無水物、あるいは場合に
よりハロゲン原子等で置換された低級アルカンスルホン
酸又は場合によりハロゲン原子もしくは低級アルキル等
で置換されたフェニルスルポン酸のようなスルホン酸類
が挙げられる。史には、塩化アルミニウム等のルイス酸
の使用も、必要ならば、X1が式:−O−C(R)=C
(R1)−CO−R9の基を表すか、R3′又はR5′
が式:−O−CO−CH(R7)−CO−R6の基を表
す式■aの化合物の場合に、特に有益である。また、環
化け、加熱により及び/又は中性もしくは塩基性条件下
で実施してもよい。XlかR,l又はR,/が例えばハ
ロゲン原子を表す場合には、相当する環化は強塩基存在
下で実施される。好適な塩基としては、例えば、水酸化
ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物;ナトリウムメト
キシド等のアルカリ金属低級アルコキシド;トリエチル
アミン、エチルジイソプロピルアミン、ピペリジン、コ
リジン、1,5−ジアザビシクロ(4.3、O〕ノナ−
5−エン(DBN)もしくは1.8−ジアザビシクロ〔
5、4、0)ウンデカ−7−エン(DBU)等の場合に
より環化された第三級9素塩基、並びにリチウムジエチ
ルアミドもしくはリチウムジイソプロピルアミド等のリ
チウムジ低級アルキルアミドを使用してもよい。
X1が式:−O−C(R)=C(R1)−C(=O)−
R9(R9は適宜の脱離基を表す)を表し、X2が水素
原子を表し、R3’、R4’及びR5rがそれぞれR3
、R4、及びR5の意味を有する式■aの出発化合物は
、それ自体が公知の方法により製造される。このように
、好ましい態様においては、それらの化合物は、次式:
〔式中、X4は式:OM(Mは、水素原子又はアルカリ
金属カチオン等の金属カチオンを表す)の基を表す〕 で示される化合物を、次式: で示される化合物又はその塩基による塩と反応せしめる
ことにより得られる。式■bの化合物を式■cの化合物
と反応させた場合は、R1が水素原子を表す式■aの化
合物が好適に得られる。
R9(R9は適宜の脱離基を表す)を表し、X2が水素
原子を表し、R3’、R4’及びR5rがそれぞれR3
、R4、及びR5の意味を有する式■aの出発化合物は
、それ自体が公知の方法により製造される。このように
、好ましい態様においては、それらの化合物は、次式:
〔式中、X4は式:OM(Mは、水素原子又はアルカリ
金属カチオン等の金属カチオンを表す)の基を表す〕 で示される化合物を、次式: で示される化合物又はその塩基による塩と反応せしめる
ことにより得られる。式■bの化合物を式■cの化合物
と反応させた場合は、R1が水素原子を表す式■aの化
合物が好適に得られる。
X1がヒドロキシル基又は反応性エステル比ヒドロキシ
ル基を表し、X2が式:−CO−CH(R1)−CO−
Rの基を表す式■aの出発物質を製造する場合には、出
発物質として、例えば、次式: で示される化合物が使用され、それらは、例えば塩基存
在下で式:R−CO−R9(■I)の化合物と反応せし
められる。
ル基を表し、X2が式:−CO−CH(R1)−CO−
Rの基を表す式■aの出発物質を製造する場合には、出
発物質として、例えば、次式: で示される化合物が使用され、それらは、例えば塩基存
在下で式:R−CO−R9(■I)の化合物と反応せし
められる。
反応は、好捷しくは、例えば微細に分散されたナトリウ
ム等のアルカリ金属又はナトリウムの水素化物、アミド
もしくはメトキシド、炭酸カリウムもしくは水酸化ナト
リウム等のアルカリ金属の水素化物、アミド、アルコキ
シド、炭酸塩もしくt、I、水削化物等のような塩基の
存在下で実施される。
ム等のアルカリ金属又はナトリウムの水素化物、アミド
もしくはメトキシド、炭酸カリウムもしくは水酸化ナト
リウム等のアルカリ金属の水素化物、アミド、アルコキ
シド、炭酸塩もしくt、I、水削化物等のような塩基の
存在下で実施される。
X、が式:−O−C(R)=C(R1)−C(=C)X
1′の基を表し、X1′がX2と共に結合を形成し、基
R,l及びR5′のうちいずれか一つがヒドロキシル基
又は反応性エステル化ヒドロキシル基を表し、他の基が
場合によりR8もしくはR5の意味を有し、基R□′が
式:−C(R6)=C(R7)−C(=O)−R9(R
9は適宜の脱離基を表す)の基を表す式■aの出発物質
は、例えば、次式: (式中、基R1″及び■ζ″のうちいずれか一つはヒド
ロキシル基又は反応性エステル化ヒドロキシル基を表し
、他の基は堤舒によりR3もしくはR5の意味を有し、
R4は式:−C(=O)−R6の基を表す) で示される化合物を、次式: で示される化合物又はその塩と反応せしめることにより
得られ、この方法で有利に得られる式■aの化合物はそ
の場で生成されその11式■の化合物を合成する反応争
件下で更に反応させることにより式1の化合物を直接得
ることが可能である。
1′の基を表し、X1′がX2と共に結合を形成し、基
R,l及びR5′のうちいずれか一つがヒドロキシル基
又は反応性エステル化ヒドロキシル基を表し、他の基が
場合によりR8もしくはR5の意味を有し、基R□′が
式:−C(R6)=C(R7)−C(=O)−R9(R
9は適宜の脱離基を表す)の基を表す式■aの出発物質
は、例えば、次式: (式中、基R1″及び■ζ″のうちいずれか一つはヒド
ロキシル基又は反応性エステル化ヒドロキシル基を表し
、他の基は堤舒によりR3もしくはR5の意味を有し、
R4は式:−C(=O)−R6の基を表す) で示される化合物を、次式: で示される化合物又はその塩と反応せしめることにより
得られ、この方法で有利に得られる式■aの化合物はそ
の場で生成されその11式■の化合物を合成する反応争
件下で更に反応させることにより式1の化合物を直接得
ることが可能である。
X1が式:−0−C(R)=C(R,)−Co−X1’
の基を表し、X1′がX2と共に共通の結合を表し、基
R3′及びR5′のうちのいずれか一つが式:−O−C
O−C(R7)−P(X3)3の基を表し、基R3′及
びR3′のうちの他の基が場合によりR3もしくはR1
の意味を有し、R4′が式:−CO−R6の基を表す式
■aの出発物質を製造する場合には、出発物質として、
例えば次式: 〔式中、R8″′又はR6′は式:−0−CO−CH(
Ry)−Hat(Halは臭素原子等のハロゲン原子を
表す)の基を表す〕 で示される化合物が使用され、塩基の存在下で式:P(
X5)3の化合物と反応せしめられる。
の基を表し、X1′がX2と共に共通の結合を表し、基
R3′及びR5′のうちのいずれか一つが式:−O−C
O−C(R7)−P(X3)3の基を表し、基R3′及
びR3′のうちの他の基が場合によりR3もしくはR1
の意味を有し、R4′が式:−CO−R6の基を表す式
■aの出発物質を製造する場合には、出発物質として、
例えば次式: 〔式中、R8″′又はR6′は式:−0−CO−CH(
Ry)−Hat(Halは臭素原子等のハロゲン原子を
表す)の基を表す〕 で示される化合物が使用され、塩基の存在下で式:P(
X5)3の化合物と反応せしめられる。
式1の新規な化合物は、次式:
(式中、R6′′は式:−C(R6)(X6′)−CO
−R6の基を表し、変換基X5、X6.X5′及びX6
′はそれぞれ水素原子又はハロゲン原子を表すか、ある
いは変換基X、及びX、並びに為′及びX6′の対のう
ちいずれか一つは共通の結合を表し、他の対の変換基は
それぞれ水素原子又はハロゲン原子を表すか、あるいは
他の対の変換基のうちいずれか一つは水素原子を表し、
かかる対の他の変換基は適宜の脱離用能基を表す) で示される化合物又はその塩から、式:X5′−X6′
及び/又はX5−X6の化合物を除去して一もしくは二
の付加的な結合を形成せしめることにより製造してもよ
いが、必要ならば、その方法により得られる異性体混合
物を各異性体に分離して所望の異性体を単離し、更に望
むならば、得られた化合物を別の弐Iの化合物に変換し
及び/又は得られた遊離化合物を塩に変換するか、ある
いは得られた塩を遊離化合物又は別の塩に変換すること
によって製造してもよい。
−R6の基を表し、変換基X5、X6.X5′及びX6
′はそれぞれ水素原子又はハロゲン原子を表すか、ある
いは変換基X、及びX、並びに為′及びX6′の対のう
ちいずれか一つは共通の結合を表し、他の対の変換基は
それぞれ水素原子又はハロゲン原子を表すか、あるいは
他の対の変換基のうちいずれか一つは水素原子を表し、
かかる対の他の変換基は適宜の脱離用能基を表す) で示される化合物又はその塩から、式:X5′−X6′
及び/又はX5−X6の化合物を除去して一もしくは二
の付加的な結合を形成せしめることにより製造してもよ
いが、必要ならば、その方法により得られる異性体混合
物を各異性体に分離して所望の異性体を単離し、更に望
むならば、得られた化合物を別の弐Iの化合物に変換し
及び/又は得られた遊離化合物を塩に変換するか、ある
いは得られた塩を遊離化合物又は別の塩に変換すること
によって製造してもよい。
脱離可能基X、もしくは為及び/又はX、′もしくはX
6′として適切なものは、例えば、 ヒドロキシル基、
ハロゲン原子、場合によりハロゲン原子等テfff 換
された低級アルカンスルホニルオキシ’4 ノスルホニ
ルオキシ基、場合によυハロゲン原子又ハ低級アルキル
等で置換されたフェニルスルホニルオキシ基、ジメチル
スルホニウム等のジ低級アルキルスルホニウム、トリメ
チルアンモニウム等の1・り低級アルキルアンモニウム
又はジメチル−N−オキシド了ミノ等のN−オキシド−
ジ低級アルギルアミノ基等である。同様に適切なものと
しては、低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル−チ
オカルボニルオキシ基(チオノエステル型)、低級アル
コキシ−チオカルボニルオキシ基(チオ炭酸エステル型
)又は低級アルキルチオーチオヵルボニルオキシ基(キ
サントゲン酸エステル型)等が例示される。
6′として適切なものは、例えば、 ヒドロキシル基、
ハロゲン原子、場合によりハロゲン原子等テfff 換
された低級アルカンスルホニルオキシ’4 ノスルホニ
ルオキシ基、場合によυハロゲン原子又ハ低級アルキル
等で置換されたフェニルスルホニルオキシ基、ジメチル
スルホニウム等のジ低級アルキルスルホニウム、トリメ
チルアンモニウム等の1・り低級アルキルアンモニウム
又はジメチル−N−オキシド了ミノ等のN−オキシド−
ジ低級アルギルアミノ基等である。同様に適切なものと
しては、低級アルカノイルオキシ基、低級アルキル−チ
オカルボニルオキシ基(チオノエステル型)、低級アル
コキシ−チオカルボニルオキシ基(チオ炭酸エステル型
)又は低級アルキルチオーチオヵルボニルオキシ基(キ
サントゲン酸エステル型)等が例示される。
式■の化合物の塩としては、例えばRがカルボキシル基
である限りにおいて、そのナトリウム塩等のアルカリ金
り塩のような塩基との塩、並びに相当するヨウ化物又は
過塩素酸塩等のようなハロゲン化水素酸もしくはオキシ
ハロゲン酸等の鉱酸で例示される強酸とのオギソニウム
等が挙げられる。
である限りにおいて、そのナトリウム塩等のアルカリ金
り塩のような塩基との塩、並びに相当するヨウ化物又は
過塩素酸塩等のようなハロゲン化水素酸もしくはオキシ
ハロゲン酸等の鉱酸で例示される強酸とのオギソニウム
等が挙げられる。
X、及びX。又はX6′及びX6′が水素原子を表す式
厘の化合物からX、−X6又はX、′−X1.を除去す
るためには、例えば、テトラクロロ−p−ベンゾキノン
、2.3−ジクロロ−5,6−ジシアツーP−ベンゾキ
ノンもしくはフェナントレン−9,10−−キノン等の
キノン、ビス(トリフルオロ酢酸)ジフェニルセレニウ
ムもしくは二酸化セレニウム等のセレニウム化合物、セ
レニウム、四酢酸鉛又V」−過塩素酸トリフェニルメチ
ル等の温和な酸化剤又は脱水素剤の存在下で酸化するこ
とにょシ行ってもよい。他の可能性としては、例えば、
X、及びX6又はX、′及びX、′が水素原子を表す式
肩の化合物を、N−ハロコハク酸イミド等のハロゲン化
剤で処理して、ハロゲン化することにより、基X、及び
Xll又は基X、′及びX。′の−が水素原子を表し2
、他がハロゲン原子を表す式菌の化合物を形成し、次い
で、例えばジメチルフェニルアミン又はピリジン等−の
第三級アミンのような塩基を用いて脱ハロゲン化水素す
る方法がある。
厘の化合物からX、−X6又はX、′−X1.を除去す
るためには、例えば、テトラクロロ−p−ベンゾキノン
、2.3−ジクロロ−5,6−ジシアツーP−ベンゾキ
ノンもしくはフェナントレン−9,10−−キノン等の
キノン、ビス(トリフルオロ酢酸)ジフェニルセレニウ
ムもしくは二酸化セレニウム等のセレニウム化合物、セ
レニウム、四酢酸鉛又V」−過塩素酸トリフェニルメチ
ル等の温和な酸化剤又は脱水素剤の存在下で酸化するこ
とにょシ行ってもよい。他の可能性としては、例えば、
X、及びX6又はX、′及びX、′が水素原子を表す式
肩の化合物を、N−ハロコハク酸イミド等のハロゲン化
剤で処理して、ハロゲン化することにより、基X、及び
Xll又は基X、′及びX。′の−が水素原子を表し2
、他がハロゲン原子を表す式菌の化合物を形成し、次い
で、例えばジメチルフェニルアミン又はピリジン等−の
第三級アミンのような塩基を用いて脱ハロゲン化水素す
る方法がある。
式訳の化合物もしくはその塩から式:X、X。又はX5
’−X、’(基X5及びX6又はX5′及びX、′の一
は水素原子を表し、他はヒドロキシル基を表す)の化合
物を除去するKは、慣用法により、!1¥に類似反応に
関する文献から公知となった方法によって実施される。
’−X、’(基X5及びX6又はX5′及びX、′の一
は水素原子を表し、他はヒドロキシル基を表す)の化合
物を除去するKは、慣用法により、!1¥に類似反応に
関する文献から公知となった方法によって実施される。
反応は、必要であれば、冷却下又は加熱しながら及び/
又は触媒存在下で実施される。
又は触媒存在下で実施される。
好適な触媒は、好ましくは酸である。酸としては、硫酸
、ハロケン化水素酸もしくはポリリン酸等の鉱酸のよう
な無機酸又は酢酸等の低級アルカンカルボン酸のような
有機酸が例示される。式:X、−X6又はX5′−X6
′(基X、及びX、′の−は水素原子であり他はハロゲ
ン原子、スルホニルオキシ基、ジ低級アルキルスルホニ
ウム基、トリ低級アルキルアンモニウム基又1dN−オ
キシド−ジ低級アルキルアミノ基である)の化合物の脱
離(除去)は、特に塩基の存在下で実施される。塩基の
適切なものとしては、水酸化ナトリウムもしくは水酸化
カリウム等のアルカリ全屈水酸化物、炭酸ナトリウムも
しくは炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸基、ナトリウ
ムメトギシド等のアルカリ金属−1ルコラート、又はt
ert−ブヂルアミン、ジメチルアミン、トリエチルア
ミンもしくはピリジン等の第一、第二もしくは第三アミ
ンのようなアミン類が例示される。必要であるならば、
操作目5、例えば、メタノールもしくはエタノール等の
(+!級アルカノールの如きアルコール等の不活性溶媒
中、ジオキ→ノンもしくはテトラヒドロフラン等のエー
テル中及び/又は窒素ガス等の不活性ガス中で実施され
る。
、ハロケン化水素酸もしくはポリリン酸等の鉱酸のよう
な無機酸又は酢酸等の低級アルカンカルボン酸のような
有機酸が例示される。式:X、−X6又はX5′−X6
′(基X、及びX、′の−は水素原子であり他はハロゲ
ン原子、スルホニルオキシ基、ジ低級アルキルスルホニ
ウム基、トリ低級アルキルアンモニウム基又1dN−オ
キシド−ジ低級アルキルアミノ基である)の化合物の脱
離(除去)は、特に塩基の存在下で実施される。塩基の
適切なものとしては、水酸化ナトリウムもしくは水酸化
カリウム等のアルカリ全屈水酸化物、炭酸ナトリウムも
しくは炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸基、ナトリウ
ムメトギシド等のアルカリ金属−1ルコラート、又はt
ert−ブヂルアミン、ジメチルアミン、トリエチルア
ミンもしくはピリジン等の第一、第二もしくは第三アミ
ンのようなアミン類が例示される。必要であるならば、
操作目5、例えば、メタノールもしくはエタノール等の
(+!級アルカノールの如きアルコール等の不活性溶媒
中、ジオキ→ノンもしくはテトラヒドロフラン等のエー
テル中及び/又は窒素ガス等の不活性ガス中で実施され
る。
したがって、弐躇の化合物から水X、−X、又はx、’
−x、’を除去するには、硫酸もしくはハロゲン化水素
酸等の鉱酸の如き酸の存在下で好適に実施され;塩化水
素等のハロゲン化水累又はp−トルエンスルホン酸等の
スルホン酸の脱離QJ1、例えば、トリエチルアミンも
しくはピリジン等の第三アミンの存在下で行う如く、塩
基性条件下で実施されニトリメチルアミン等の第三アミ
ン、ジメチルヒドロキシアミン等のヒドロキシアミン又
は酢酸等の低級アルカンカルボン酸の脱離は、加熱しな
がら実施される。式:x、−x、及び/又はx、’ −
x、’ (基X、及びX、又はX、′及び為′のうちい
ずれか−っは水素を表し、他の基は低級アルカノイルオ
キシ基、低級アルキル−チオカルボニルオキシ基、低級
アルコキシ−チオカルボニルオキシ基又は低級アルキル
チオ−チオカルボニルオキシ基を表す)の化合物の除去
は、例えば約100〜約250℃の温度範囲で、例えば
チュガエフ(Chugaev )反応に従い熱分解する
ことにより、加熱下で実施される。
−x、’を除去するには、硫酸もしくはハロゲン化水素
酸等の鉱酸の如き酸の存在下で好適に実施され;塩化水
素等のハロゲン化水累又はp−トルエンスルホン酸等の
スルホン酸の脱離QJ1、例えば、トリエチルアミンも
しくはピリジン等の第三アミンの存在下で行う如く、塩
基性条件下で実施されニトリメチルアミン等の第三アミ
ン、ジメチルヒドロキシアミン等のヒドロキシアミン又
は酢酸等の低級アルカンカルボン酸の脱離は、加熱しな
がら実施される。式:x、−x、及び/又はx、’ −
x、’ (基X、及びX、又はX、′及び為′のうちい
ずれか−っは水素を表し、他の基は低級アルカノイルオ
キシ基、低級アルキル−チオカルボニルオキシ基、低級
アルコキシ−チオカルボニルオキシ基又は低級アルキル
チオ−チオカルボニルオキシ基を表す)の化合物の除去
は、例えば約100〜約250℃の温度範囲で、例えば
チュガエフ(Chugaev )反応に従い熱分解する
ことにより、加熱下で実施される。
X、及び為及び/又はX、′及びXう′がそれぞれ塩素
、臭素もしくはヨウ素等のハロゲンを表す場合は、例え
ば、相転移触媒の存在下、亜鉛もしくはマグネシウム等
の塩基性金属の存在下;ジメチルスルホギシドのアルカ
リ金属塩等の如き有機金属還元系;アセトン中のヨウ化
ナトリウム等のアルカリ金属ヨウ化物又は硫化すl・リ
ウム等のアルカリ金属硫化物の存在下等の如き還元色性
1で、1もしくは2分子のノ・ロゲンを脱離して−もl
〜くは二の付加的な結合を形成してもよい。
、臭素もしくはヨウ素等のハロゲンを表す場合は、例え
ば、相転移触媒の存在下、亜鉛もしくはマグネシウム等
の塩基性金属の存在下;ジメチルスルホギシドのアルカ
リ金属塩等の如き有機金属還元系;アセトン中のヨウ化
ナトリウム等のアルカリ金属ヨウ化物又は硫化すl・リ
ウム等のアルカリ金属硫化物の存在下等の如き還元色性
1で、1もしくは2分子のノ・ロゲンを脱離して−もl
〜くは二の付加的な結合を形成してもよい。
式曹の出発物質又はぞの塙tj2、それ自体が周知の方
法によって主としてその場で形成され、更に、反応条件
下においてそれらを単離することなく変換せしめると、
所望の式Iの化合物が形成される。
法によって主としてその場で形成され、更に、反応条件
下においてそれらを単離することなく変換せしめると、
所望の式Iの化合物が形成される。
X5−X6の除去は、塩化と同時に又は続いて環化が起
る反応によって行われる。
る反応によって行われる。
例えば、X、が水素原子を表し、X、が水素原子又は適
宜の脱離基を表し R,4″′が式:c(R,)(X!
l’)C(R?)(X6’)C(=O)−R8(XP’
及びX、’は共に付加的結合を形成する)の基を表す式
■の化合物は、次式: 〔式中、X、は式:−C(=0)−C(R1)−C(X
6”)−Rの基又はその互変異型(X、′はヒドロキシ
ル基、ハロゲン原子、スルホニルオキシ基、アシルオキ
シ基、低級アルキルチオ基又は場合によシ置換され及び
/又はN−オキシド化されたアミン基を表す)を表し、
X8はヒドロキシル?を表す〕で示される化合物を環化
せしめることにより得られるが、必要ならば、触媒が存
在し、例えば約−10〜約+100℃の温度範囲内で冷
却もしくは加熱しながら行う不活性な製造条件下で、か
つ不活性なン簀媒中で、場合によシ得られた式はの化合
物(X5は低級アルキルチオ基又は、場合により置換さ
れたアミン基を表す)の存在下においで、慣用法に従い
この基を徹底的にアルキル化し、更にそれを本発明に従
い反応イミ注下で反応せしめることにより得られる。触
媒としては、好ましくは、例えば、硫酸、クロロスルホ
ン酸、ポリリン酸又は塩化水素酸、臭化水素酸もしくは
ヨウ化水素酸等のハロゲン化水累酸のような鉱酸の如き
酸が使用されるが、これらは、場合によシ酢酸無水物等
のカルボン酸無水物又は酢酸等のカルボン酸との混合物
として使用される。
宜の脱離基を表し R,4″′が式:c(R,)(X!
l’)C(R?)(X6’)C(=O)−R8(XP’
及びX、’は共に付加的結合を形成する)の基を表す式
■の化合物は、次式: 〔式中、X、は式:−C(=0)−C(R1)−C(X
6”)−Rの基又はその互変異型(X、′はヒドロキシ
ル基、ハロゲン原子、スルホニルオキシ基、アシルオキ
シ基、低級アルキルチオ基又は場合によシ置換され及び
/又はN−オキシド化されたアミン基を表す)を表し、
X8はヒドロキシル?を表す〕で示される化合物を環化
せしめることにより得られるが、必要ならば、触媒が存
在し、例えば約−10〜約+100℃の温度範囲内で冷
却もしくは加熱しながら行う不活性な製造条件下で、か
つ不活性なン簀媒中で、場合によシ得られた式はの化合
物(X5は低級アルキルチオ基又は、場合により置換さ
れたアミン基を表す)の存在下においで、慣用法に従い
この基を徹底的にアルキル化し、更にそれを本発明に従
い反応イミ注下で反応せしめることにより得られる。触
媒としては、好ましくは、例えば、硫酸、クロロスルホ
ン酸、ポリリン酸又は塩化水素酸、臭化水素酸もしくは
ヨウ化水素酸等のハロゲン化水累酸のような鉱酸の如き
酸が使用されるが、これらは、場合によシ酢酸無水物等
のカルボン酸無水物又は酢酸等のカルボン酸との混合物
として使用される。
また、X、が式:−C(=O)−CH2−R,の基を表
し、X6が式:−0−C(=O)−Hの基を表す式■a
の化合物を上記した条件下で反応せしめることにより、
X、′がヒドロキシル基を表す式1aの化合物を形成す
ることも可能であり、又は、これらの化合物な一場合に
よυ直接その1を環化させ、得られた式冒の化合物を本
発明により単離することなく式Iの化合物に変換せしめ
ることも可能である。
し、X6が式:−0−C(=O)−Hの基を表す式■a
の化合物を上記した条件下で反応せしめることにより、
X、′がヒドロキシル基を表す式1aの化合物を形成す
ることも可能であり、又は、これらの化合物な一場合に
よυ直接その1を環化させ、得られた式冒の化合物を本
発明により単離することなく式Iの化合物に変換せしめ
ることも可能である。
X、及びX6が特に水素原子を表す弐■の化合物は、次
式: で示される化合物をそのまま、酸存在下で、次式:HO
OC−C(R1)=CH−R(■c)で示される化合物
と塩化せしめることによって、相当する式■の化合物を
製造することができる。
式: で示される化合物をそのまま、酸存在下で、次式:HO
OC−C(R1)=CH−R(■c)で示される化合物
と塩化せしめることによって、相当する式■の化合物を
製造することができる。
この操作における適切な酸としては、ポリリン酸等の鉱
酸又はフッ化水素酸等のハロゲン化水素酸が埜げられる
。
酸又はフッ化水素酸等のハロゲン化水素酸が埜げられる
。
X、及びX6が共通した結合を形成し H,′nが式:
%式%(1) −は水素原子を表し、他は水素原子又は適宜の脱離可能
基を表す)の基を表す式■の化合物は、例えば、次式: 〔式中、基R3″及びR5′のうちいずれか一つはヒド
ロキシル基を表し、他の基は場合によりR8又はR5の
意味を有し、R1゜は式:−C(R,)−C(R7)−
C(=O)−Ro(Roは適宜の脱離基を表す)の基を
表す〕 で示される化合物に、式X5′−X、’の化合物を付加
せしめることにより得られ、更に、得られた化合物を環
化させると和尚する弐可の化合物が形成される。
%式%(1) −は水素原子を表し、他は水素原子又は適宜の脱離可能
基を表す)の基を表す式■の化合物は、例えば、次式: 〔式中、基R3″及びR5′のうちいずれか一つはヒド
ロキシル基を表し、他の基は場合によりR8又はR5の
意味を有し、R1゜は式:−C(R,)−C(R7)−
C(=O)−Ro(Roは適宜の脱離基を表す)の基を
表す〕 で示される化合物に、式X5′−X、’の化合物を付加
せしめることにより得られ、更に、得られた化合物を環
化させると和尚する弐可の化合物が形成される。
好適な脱離基R0としては、例えば、ヒドロキシ、塩素
原子等のハロゲン原子、メトキシもしくはエトキシ等の
低級アルコキシ、場合により置換されたフェノキシ、低
級アルカノイルオキシ等の−rシルオキシ又は場合によ
り置換されたベンゾイルオキシ基等の基が考えられる。
原子等のハロゲン原子、メトキシもしくはエトキシ等の
低級アルコキシ、場合により置換されたフェノキシ、低
級アルカノイルオキシ等の−rシルオキシ又は場合によ
り置換されたベンゾイルオキシ基等の基が考えられる。
上記した方法の好ましい態様では、式■a及びlbの化
合物から出発させると、相当する式■の化合物が得られ
、これを前記の反応争件下で反応せしめると本発明にか
かる化合物が形成される。
合物から出発させると、相当する式■の化合物が得られ
、これを前記の反応争件下で反応せしめると本発明にか
かる化合物が形成される。
また、式■の化合物又はその堪は、次式:(式中、Ro
はRに変換され得る基を表す)で示される化合物におい
て、Ro全基RIC変換−ピしめることにより製造して
もよく、望むならば、得られた化合物を別の式Iの化合
物に変換し、及び/又は得られた遊離化合物を塩に変換
するか2.又は得られた塩を遊離化合物もしくは別の基
に変換してもよい。
はRに変換され得る基を表す)で示される化合物におい
て、Ro全基RIC変換−ピしめることにより製造して
もよく、望むならば、得られた化合物を別の式Iの化合
物に変換し、及び/又は得られた遊離化合物を塩に変換
するか2.又は得られた塩を遊離化合物もしくは別の基
に変換してもよい。
置換基R8は、例えば、水、相当するアルコール、好適
なアミン誘導体もしくはアンモニアを加溶媒分解剤とじ
て用いる加水分解、加アルコール分解、加−rミン分解
もしくは加アンモニア分解等の加溶媒分解等によって基
Rに変換してもよい。かかる基R9とじて目、まだ、例
えば、テトラゾリル基R以外の基に加えて、無置換、エ
ステル化もしくはシアン基等のアミド化されたカルボキ
シル基R以外の官能性変換カルボキシ基:クロロカルボ
ニル等のハロカルボニジしのような無水物化されたカル
ボキシル基;低級アルカノール等のアルコールで工・−
チル化され及び/又はハロゲン化水素酸の如き鉱酸で無
水物化された、例えば、トリメトキシストリクロロ−も
しくはジメトキシクロロメチル等のトリ低級アルコキシ
−、トリハローもしくは低級アルコキシハロメチルのよ
うカオルトFF基;低級アルカンカルボン酸等のカルボ
ン酸で無水物化されたカルボキシル基;又はアセトキシ
カルボニルもしくはエトキシカルボニルオキシ等の低級
アルカノイルオキシカルボニルのようなカルボン酸セミ
エステル等が挙げられる。また、例えば、アミジノもし
くは低級アルキノアミジノ等のアミジノ基;イミノクロ
ロ−もしくけアミノジクロロメチル等のイミド−もしく
はアミド−ハロゲン化物基のようなイミノエステル基;
エチルチオカルボニルもしくはチオカルボニル等の低級
アルギルチオカルボニル基のような無置換、エステル化
又tよアミド化されたチオカルボニル基等の官能性変換
カルボキシル基が考えられる。
なアミン誘導体もしくはアンモニアを加溶媒分解剤とじ
て用いる加水分解、加アルコール分解、加−rミン分解
もしくは加アンモニア分解等の加溶媒分解等によって基
Rに変換してもよい。かかる基R9とじて目、まだ、例
えば、テトラゾリル基R以外の基に加えて、無置換、エ
ステル化もしくはシアン基等のアミド化されたカルボキ
シル基R以外の官能性変換カルボキシ基:クロロカルボ
ニル等のハロカルボニジしのような無水物化されたカル
ボキシル基;低級アルカノール等のアルコールで工・−
チル化され及び/又はハロゲン化水素酸の如き鉱酸で無
水物化された、例えば、トリメトキシストリクロロ−も
しくはジメトキシクロロメチル等のトリ低級アルコキシ
−、トリハローもしくは低級アルコキシハロメチルのよ
うカオルトFF基;低級アルカンカルボン酸等のカルボ
ン酸で無水物化されたカルボキシル基;又はアセトキシ
カルボニルもしくはエトキシカルボニルオキシ等の低級
アルカノイルオキシカルボニルのようなカルボン酸セミ
エステル等が挙げられる。また、例えば、アミジノもし
くは低級アルキノアミジノ等のアミジノ基;イミノクロ
ロ−もしくけアミノジクロロメチル等のイミド−もしく
はアミド−ハロゲン化物基のようなイミノエステル基;
エチルチオカルボニルもしくはチオカルボニル等の低級
アルギルチオカルボニル基のような無置換、エステル化
又tよアミド化されたチオカルボニル基等の官能性変換
カルボキシル基が考えられる。
無置換、エステル化又t」、アミド化されたカルボキシ
ル基R以外のかかる基は、例えば、加水分解によって無
置換のカルボキシル基Rに変換してもよく、一方、例え
ばシアン基、イミノニスデル基又はアミジノ基は加水分
解されてアミド化されたカルボキシル基Rが形成され、
更にオルトエステル基は加水分解されてエステル化され
たカルボキシル基Rを形成する、無水物化されたカルボ
キシル基は、例えば、加アルコール分解又は加アミノ分
層もしくは加アンモニア分解によって、それぞレエステ
ル化又はアミド化されたカルボキシル基に変換すること
が可能である。
ル基R以外のかかる基は、例えば、加水分解によって無
置換のカルボキシル基Rに変換してもよく、一方、例え
ばシアン基、イミノニスデル基又はアミジノ基は加水分
解されてアミド化されたカルボキシル基Rが形成され、
更にオルトエステル基は加水分解されてエステル化され
たカルボキシル基Rを形成する、無水物化されたカルボ
キシル基は、例えば、加アルコール分解又は加アミノ分
層もしくは加アンモニア分解によって、それぞレエステ
ル化又はアミド化されたカルボキシル基に変換すること
が可能である。
加溶媒分解反応は、加溶媒分解剤を用いる常法に従い実
施されるが、必要であれば触媒存在下、溶媒もしくは希
釈液中で、冷却もしくは加熱しながら、及び/又は、不
活性ガス下で実施する。触媒として好適なものは、例え
ば、加水分解を行う場合、硫酸もしくは塩酸等の鉱酸及
び水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム又は炭酸ナ
トリウムもしくは炭酸カルシウム等のアルカリ金属水酸
化物もしくは炭酸塩のような酸性あるいは塩基性試剤等
である。加アルコール分解又は加アミン分解の場合は、
触媒として、例えば、前述した試剤等の塩基、トリエチ
ルアミン等のトリ低級アルキルアミンのような第三アミ
ン又はビリジンヲ用いてもよい。
施されるが、必要であれば触媒存在下、溶媒もしくは希
釈液中で、冷却もしくは加熱しながら、及び/又は、不
活性ガス下で実施する。触媒として好適なものは、例え
ば、加水分解を行う場合、硫酸もしくは塩酸等の鉱酸及
び水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム又は炭酸ナ
トリウムもしくは炭酸カルシウム等のアルカリ金属水酸
化物もしくは炭酸塩のような酸性あるいは塩基性試剤等
である。加アルコール分解又は加アミン分解の場合は、
触媒として、例えば、前述した試剤等の塩基、トリエチ
ルアミン等のトリ低級アルキルアミンのような第三アミ
ン又はビリジンヲ用いてもよい。
更に、Rに変換され得る基とは、酸化によって、場合に
より水和されたホルミル基等の基Rに変換され得る基R
8である。これらは、酸化反応の過程で、例えば、場合
によりα、β−不飽和、α、β−ジヒドロキジル化もし
くは芳香族脂肪族カルボン酸から、又は場合によジエス
テル化されたヒドロキシメチル基からその場で形成して
もよく、あるいり、例えばそれらのアセタール、アシラ
ール(acylnllI)もしくはイミンの−のような
それらの官能性誘導体の−から遊離させるのが有利であ
る。用台にょシα、β−不飽和の又はα、β−ジヒドロ
キジル化されたカルボン酸のアシル基とじでシよ、アセ
チル等の低級アルカノイルの如きアルカノイル基;アク
リロイル、クロトニルもしくは場合により官能基的に変
換されたフマルノーシよ71/イン酸等のα、β−不飽
和化された脂肪族千ノーもしくはジカルボン酸のアシル
基:場合により1打換されたシンナモイル等のα、β−
不飽和芳香族脂肪族カルゼン酸のアシル基:又は酒石酸
等の脂肪族α、I−ジヒドロキシジカルボン酸もしくは
エステル又はアミド等の−それらのモノ官能性カルボキ
シ誘導体のアシル基が例示される。エステル化されたヒ
ドロキシメチル基としては、例えば、塩化水素酸もしく
は臭化水素酸等のハロゲン化水素酸の如き鉱酸によって
又は酢酸もしくは場合によシ置換された安息香酸等のカ
ルボン酸によってエステル化されたヒドロキシメチル基
等が挙げられる。アセタール化すれたホルミル基として
は、例えば、ジメトキシ−、ジェトキシもしくはエチレ
ンジオキシ−°アセチル等の低級アルカノール又は低級
アルカンジオールでアセタール化されたホルミル基が挙
げられる。
より水和されたホルミル基等の基Rに変換され得る基R
8である。これらは、酸化反応の過程で、例えば、場合
によりα、β−不飽和、α、β−ジヒドロキジル化もし
くは芳香族脂肪族カルボン酸から、又は場合によジエス
テル化されたヒドロキシメチル基からその場で形成して
もよく、あるいり、例えばそれらのアセタール、アシラ
ール(acylnllI)もしくはイミンの−のような
それらの官能性誘導体の−から遊離させるのが有利であ
る。用台にょシα、β−不飽和の又はα、β−ジヒドロ
キジル化されたカルボン酸のアシル基とじでシよ、アセ
チル等の低級アルカノイルの如きアルカノイル基;アク
リロイル、クロトニルもしくは場合により官能基的に変
換されたフマルノーシよ71/イン酸等のα、β−不飽
和化された脂肪族千ノーもしくはジカルボン酸のアシル
基:場合により1打換されたシンナモイル等のα、β−
不飽和芳香族脂肪族カルゼン酸のアシル基:又は酒石酸
等の脂肪族α、I−ジヒドロキシジカルボン酸もしくは
エステル又はアミド等の−それらのモノ官能性カルボキ
シ誘導体のアシル基が例示される。エステル化されたヒ
ドロキシメチル基としては、例えば、塩化水素酸もしく
は臭化水素酸等のハロゲン化水素酸の如き鉱酸によって
又は酢酸もしくは場合によシ置換された安息香酸等のカ
ルボン酸によってエステル化されたヒドロキシメチル基
等が挙げられる。アセタール化すれたホルミル基として
は、例えば、ジメトキシ−、ジェトキシもしくはエチレ
ンジオキシ−°アセチル等の低級アルカノール又は低級
アルカンジオールでアセタール化されたホルミル基が挙
げられる。
アシン・−ル化されたホルミル基とは、例えは、鉱酸で
アシラール化されたものをいい、例えばジクロロメチル
等のようなジハロメチル基を意味する。
アシラール化されたものをいい、例えばジクロロメチル
等のようなジハロメチル基を意味する。
酸化によりカルボキシル基に変換され得るその他の基R
6とじてU、例えば、ジェトキシメチル等のアセタール
化されたホルミル基を5位に有する2−フロイル基の如
く、場合によ#)置換された2−フロイル基が挙げられ
る。更に1低級アルキル基等ノーy /l/キル基は、
酸化されてカルボキシル基を形成することができる。
6とじてU、例えば、ジェトキシメチル等のアセタール
化されたホルミル基を5位に有する2−フロイル基の如
く、場合によ#)置換された2−フロイル基が挙げられ
る。更に1低級アルキル基等ノーy /l/キル基は、
酸化されてカルボキシル基を形成することができる。
酸化によりRに変換され得る他の基R6yJ、低級アル
コキシメチル基等のエーテル化されたヒドロキシメチル
基であるが、これは、酸化されてエステル化されたカル
ボキシル基Rを形成することができる。
コキシメチル基等のエーテル化されたヒドロキシメチル
基であるが、これは、酸化されてエステル化されたカル
ボキシル基Rを形成することができる。
酸化は、それぞれの場合において、例えば酸化剤と反応
させる等の常法に従い実姉される。間化剤として好適な
ものとしては、例えば、酸素−オシンー過酸化水素等の
鍋酸化物;トリプルオロ過酢酸もしくはm−クロロ過安
息盾酸等の損枦カルボン酸の過酸化物;遷移金属の酸化
性化合物、背に、亜クロム酸銅塩等の銅化合物、酸化銀
(T)もしくは銀ピコリネート等の銅化合物、塩化クロ
ミル(chromyl ohloride )、三酸化
クロム、アルカリ金属クロム酸場又は重クロム酸塩(例
えば亀クロム酸カリウム)の如きクロム化合物、=、酸
化マンガンもしくはアルカリ全屈過マンガン酸」X等の
マンガン化合物のような周期律表亜族1.■、■及び鴇
の元素の酸化性化合物;アルカリ金属ヨウ素酸塩もしく
は過ヨウ素酸塩等のハロゲン−酸素化合物;臭素もしく
は塩素等のハロゲン;アルカリ金属次亜Jμ素酪酸塩ヨ
ウ素酸塩、過ヨウ素酸塩もしくは過ヨウ素酸等のハロゲ
ン−酸紫化合物;硝酸等の窒累含有酸:相当する無水物
により濃縮された硫酸が挙けられる。必要ならば、酸化
剤の混合物を使用することも司能である。
させる等の常法に従い実姉される。間化剤として好適な
ものとしては、例えば、酸素−オシンー過酸化水素等の
鍋酸化物;トリプルオロ過酢酸もしくはm−クロロ過安
息盾酸等の損枦カルボン酸の過酸化物;遷移金属の酸化
性化合物、背に、亜クロム酸銅塩等の銅化合物、酸化銀
(T)もしくは銀ピコリネート等の銅化合物、塩化クロ
ミル(chromyl ohloride )、三酸化
クロム、アルカリ金属クロム酸場又は重クロム酸塩(例
えば亀クロム酸カリウム)の如きクロム化合物、=、酸
化マンガンもしくはアルカリ全屈過マンガン酸」X等の
マンガン化合物のような周期律表亜族1.■、■及び鴇
の元素の酸化性化合物;アルカリ金属ヨウ素酸塩もしく
は過ヨウ素酸塩等のハロゲン−酸素化合物;臭素もしく
は塩素等のハロゲン;アルカリ金属次亜Jμ素酪酸塩ヨ
ウ素酸塩、過ヨウ素酸塩もしくは過ヨウ素酸等のハロゲ
ン−酸紫化合物;硝酸等の窒累含有酸:相当する無水物
により濃縮された硫酸が挙けられる。必要ならば、酸化
剤の混合物を使用することも司能である。
操作は、しばしば、水酸化ナトIJウムもしくは炭酸ナ
トリウム等のアルカリ金属水酸化物又は炭酸塩の如き填
基;ピリジン等の環状アミンの如きアミン;トリエチル
アミン等の低級アルキルアミン;硫酸もしくはハロゲン
化水素酸等の鉱酸の如きプロトン酸;酢酸等の低級アル
カンカルボン酸の如き有機カルボン酸の存在下、場合に
より冷却もしくは加熱しながら行われる。
トリウム等のアルカリ金属水酸化物又は炭酸塩の如き填
基;ピリジン等の環状アミンの如きアミン;トリエチル
アミン等の低級アルキルアミン;硫酸もしくはハロゲン
化水素酸等の鉱酸の如きプロトン酸;酢酸等の低級アル
カンカルボン酸の如き有機カルボン酸の存在下、場合に
より冷却もしくは加熱しながら行われる。
溶媒又は希釈液として好適なものは、例えば、水;ジオ
キサン、エチレングリコールもしくはジエチルエーテル
等のエーテル;アセトン等のケトン;メタノールもしく
はエタノール等の低級アルカノールの如きアルコール;
ジメチルホルムアミド等のアミド;酢酵等の低級アルカ
ンカルボン酸の如きカルボン酸:又はそれらの混合物が
挙げられる。
キサン、エチレングリコールもしくはジエチルエーテル
等のエーテル;アセトン等のケトン;メタノールもしく
はエタノール等の低級アルカノールの如きアルコール;
ジメチルホルムアミド等のアミド;酢酵等の低級アルカ
ンカルボン酸の如きカルボン酸:又はそれらの混合物が
挙げられる。
ホルミル基又はヒドロキシメチル基からカルボキシル基
を形成するための酸化及びニーデル化されたヒドロキシ
メチル基からニスデル化されたカルボキシル基を形成す
るための酸化は、例えば、ピリジンもしくはアセトン水
溶液中、窄温で過マンガン酸カリウムにより有利に行わ
れる。アセタール化されたホルミル基及びイミノメチル
基は、好ましくは、酸性条件下、例えば硫酸中、クロム
酸ナトリウムもしくは重クロム酸カリウムで酸化される
。酒石酸のアシル基等のα、β−ジヒドロキジル化脂肪
族カルボン酸のアシル基は、過ヨウ素酸で有利に酸化さ
れる。低級アルキル基は、例えば二酸化セレンを使用し
、例えば水性ジメギザン中で加熱することにより酸化す
ることができる。1テトラゾリル基Rに変換され得る基
としては、イミダシト基が例示されるが、N’<基は例
えば、ナトリウムアジドもしくはアンモニウムアジド等
のアルカリ金Fベアシトの如きアジドとシアノ基R6を
必要ならば、加熱しながら、好1しくは環化アンモニウ
ムもしくは塩化アルミニウム等のハロケン化物の存在下
で反応せしめ、更に、例えば不活性溶媒中、反応条件下
でテトラゾリル基Rに変換することができる。
を形成するための酸化及びニーデル化されたヒドロキシ
メチル基からニスデル化されたカルボキシル基を形成す
るための酸化は、例えば、ピリジンもしくはアセトン水
溶液中、窄温で過マンガン酸カリウムにより有利に行わ
れる。アセタール化されたホルミル基及びイミノメチル
基は、好ましくは、酸性条件下、例えば硫酸中、クロム
酸ナトリウムもしくは重クロム酸カリウムで酸化される
。酒石酸のアシル基等のα、β−ジヒドロキジル化脂肪
族カルボン酸のアシル基は、過ヨウ素酸で有利に酸化さ
れる。低級アルキル基は、例えば二酸化セレンを使用し
、例えば水性ジメギザン中で加熱することにより酸化す
ることができる。1テトラゾリル基Rに変換され得る基
としては、イミダシト基が例示されるが、N’<基は例
えば、ナトリウムアジドもしくはアンモニウムアジド等
のアルカリ金Fベアシトの如きアジドとシアノ基R6を
必要ならば、加熱しながら、好1しくは環化アンモニウ
ムもしくは塩化アルミニウム等のハロケン化物の存在下
で反応せしめ、更に、例えば不活性溶媒中、反応条件下
でテトラゾリル基Rに変換することができる。
式■の出発物質及びその塩は、それ自体が公知の方法に
より製造される。例えば、それらは、プロトン酸及び/
又はルイス酸の存在下、好ましくは式■a、■a及び■
dの化合物の環化について上記した如く、次式: [X6は水素原子を表し、X、。は式: −o−C(R
o)=C(R,)−C(−o)−R9(R9は適宜の脱
離基を表す)の基を表す〕 で示される化合物をその場で塩化することによシ製造す
ることができる。
より製造される。例えば、それらは、プロトン酸及び/
又はルイス酸の存在下、好ましくは式■a、■a及び■
dの化合物の環化について上記した如く、次式: [X6は水素原子を表し、X、。は式: −o−C(R
o)=C(R,)−C(−o)−R9(R9は適宜の脱
離基を表す)の基を表す〕 で示される化合物をその場で塩化することによシ製造す
ることができる。
好ましい脱離基としては、例えば、ヒドロキシル、塩素
原子等のハロゲン原子、メトキシもしくはエトキシ等の
低級アルコキシ、場合により置換されたフェノキシ、低
級アルカノイル刊ギシもしくは場合により置換されたペ
ンソイルメ虚シ等のアシルオキシ基が考えられる。
原子等のハロゲン原子、メトキシもしくはエトキシ等の
低級アルコキシ、場合により置換されたフェノキシ、低
級アルカノイル刊ギシもしくは場合により置換されたペ
ンソイルメ虚シ等のアシルオキシ基が考えられる。
式■の化合物を製造する他の方法は、次式。
(式中、X、′は式: −C(=0) −C■T(R,
)−C(=O)−九の基を表し、Xll’l’はヒドロ
キシル基を表す)で示される化合物を縮合せしめること
からなる。
)−C(=O)−九の基を表し、Xll’l’はヒドロ
キシル基を表す)で示される化合物を縮合せしめること
からなる。
反応は、式隨の化合物を製造しく式in の化合物か
ら出発する)、続いて酸存在−1で更なる反応を行う方
法によって同様に実施される。
ら出発する)、続いて酸存在−1で更なる反応を行う方
法によって同様に実施される。
別の方法として、式■の化合物は、例えば次式:(式中
、R8゜は式:−C(Rs)=C(R,)−Z’−R,
の基を表し、基2′及び2のうちいずれか一つはカルボ
ニル基に変換され得る基を表し、他の基はカルボニル基
又はカルボニル基に変換され得る基を表す) で示される化合物及びその塩もしくは互変異性体におい
て 21及び2./又は2をカルボニル基に変換せしめ
ることにより得てもよいが、望むならば、得られた化合
物を別の式Iの化合物に変換し及び/又はイiられた遊
離化合物を塩に変換し、あるいt、J−得られた塩を遊
n1ト化分物もしくは別の塩に変換してもよい。
、R8゜は式:−C(Rs)=C(R,)−Z’−R,
の基を表し、基2′及び2のうちいずれか一つはカルボ
ニル基に変換され得る基を表し、他の基はカルボニル基
又はカルボニル基に変換され得る基を表す) で示される化合物及びその塩もしくは互変異性体におい
て 21及び2./又は2をカルボニル基に変換せしめ
ることにより得てもよいが、望むならば、得られた化合
物を別の式Iの化合物に変換し及び/又はイiられた遊
離化合物を塩に変換し、あるいt、J−得られた塩を遊
n1ト化分物もしくは別の塩に変換してもよい。
カルボニル基に変換され得る基Z′又は2としては、メ
チレン、ヒドロキシメチレン、ジハロメチレン、チオカ
ルボニル又はイミノメチレン基が例示される。
チレン、ヒドロキシメチレン、ジハロメチレン、チオカ
ルボニル又はイミノメチレン基が例示される。
メチレン又はヒドロキシメチレン基は、公知の方法でカ
ルボニル基に酸化することにより変換されるが、その変
換は通常の酸化剤の存在下で起こる。かかる酸化剤とし
ては、クロム酸ナトリウム、重クロム酸カリウム、クロ
ム酸tert、−ブチルもしくは三酸化クロム(例えば
、ピリジン錯体の形のもの)笠のクロム酸化合物、又は
過マンガン酸カリウム等のマンガン化合物が例示される
。
ルボニル基に酸化することにより変換されるが、その変
換は通常の酸化剤の存在下で起こる。かかる酸化剤とし
ては、クロム酸ナトリウム、重クロム酸カリウム、クロ
ム酸tert、−ブチルもしくは三酸化クロム(例えば
、ピリジン錯体の形のもの)笠のクロム酸化合物、又は
過マンガン酸カリウム等のマンガン化合物が例示される
。
ジハロメチレン基又はイミノメチレン基ZモL〈は2′
は、例えば、水及び/又は低級アルカノールで処理する
等の加水分解により、カルボニル基に変換される。同様
に、チオカルボニル基は、場合によシ周期律表第1b、
lh又はlh族の化合物の存在下、例えば(酸化物
)加水分Weに上り、カルボニル基に変換され得る。好
適な加水分解促進剤としては、酢酸水銀(■)もしくは
塩化水銀(■)、トリフルオロ酢酸タリウム(I)又は
酸化銀等の水銀、タリウム又は銀化合物が例示される。
は、例えば、水及び/又は低級アルカノールで処理する
等の加水分解により、カルボニル基に変換される。同様
に、チオカルボニル基は、場合によシ周期律表第1b、
lh又はlh族の化合物の存在下、例えば(酸化物
)加水分Weに上り、カルボニル基に変換され得る。好
適な加水分解促進剤としては、酢酸水銀(■)もしくは
塩化水銀(■)、トリフルオロ酢酸タリウム(I)又は
酸化銀等の水銀、タリウム又は銀化合物が例示される。
反応は、例えば、何も存在さぜずに、又lj、通常好適
な溶媒、希釈液もしくはその混合物中で、公知の方法に
従い、実施してもよいが、仁れらの反応を例えば約0〜
約200℃の温度範囲内で、冷却、室温又は加熱しなが
ら行うことも可能であり、必要であれば、加圧下及び/
又は不活性ガス昇囲気中で行ってもよい。
な溶媒、希釈液もしくはその混合物中で、公知の方法に
従い、実施してもよいが、仁れらの反応を例えば約0〜
約200℃の温度範囲内で、冷却、室温又は加熱しなが
ら行うことも可能であり、必要であれば、加圧下及び/
又は不活性ガス昇囲気中で行ってもよい。
式Vの出発物質は、公知の方法で製造してもよい。例え
ば、2がメチレン又はヒドロキシメチレン基を表す式■
の化合物を製造するためには、出発物質として、次式: (式中、Mは水素)(に子又はアルカリ金属カチオン等
の金属カヂオンを表し、Xl、は水素原子又は場合によ
り例えばアセチル等のアシル基で保護されたヒドロキシ
ル基を表す) で示される化合物又はその塩もしくtよ異性体を用いる
が、この化合物は例えば環化を促進する強酸の存在下で
環化される。2がジハロメチレン基金表す式■の化合物
を製造するためには、1’!Iえば、式■の化合物を塩
化チオニルもしくカ」、3B化jギザリル等のハロゲン
化剤で処理し、次いで基R6から 。
ば、2がメチレン又はヒドロキシメチレン基を表す式■
の化合物を製造するためには、出発物質として、次式: (式中、Mは水素)(に子又はアルカリ金属カチオン等
の金属カヂオンを表し、Xl、は水素原子又は場合によ
り例えばアセチル等のアシル基で保護されたヒドロキシ
ル基を表す) で示される化合物又はその塩もしくtよ異性体を用いる
が、この化合物は例えば環化を促進する強酸の存在下で
環化される。2がジハロメチレン基金表す式■の化合物
を製造するためには、1’!Iえば、式■の化合物を塩
化チオニルもしくカ」、3B化jギザリル等のハロゲン
化剤で処理し、次いで基R6から 。
基Rへの変換を前記した方法により行う。寸だ、式■の
化合物から始めて、例えば相当する式バの化合物を例え
ばp、s、。と反応ぜしめることにより式■(式中、2
はチオカルボニル基を表す)の化合物が得られ、次いで
前記した方法で基R6をRに変換する。
化合物から始めて、例えば相当する式バの化合物を例え
ばp、s、。と反応ぜしめることにより式■(式中、2
はチオカルボニル基を表す)の化合物が得られ、次いで
前記した方法で基R6をRに変換する。
本発明により得られる一般式Iの化合物は、公知の方法
で別の一般式Iの化合物に変換させてもよい。
で別の一般式Iの化合物に変換させてもよい。
例えば、遊離、エステル化及υ・アミド化カルボキシル
基Rは、お互いに変](へしλトっ′Cもよい;fll
えは、遊離カルボキシル基は、営法によりエステル化さ
れたカルボキシル基RK変換してもよいが、好マしくは
、低級アルカンカルボン酸エステル、トリ低級アルキル
亜リン酸エステル、ジ低級アルキル亜硫酸エステルも1
7〈はピロ炭酸ニスデル等のカルボン酸、亜リン酸、亜
硫酸又は炭酸のエステル:a当するアルコール又はその
オレフィン誘導体と塩化水素酸、臭化水素酸、硫酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸もL<はメタン
スルホン酸とのエステル等の鉱酸エステル又はスルホン
酸エステルの如き相当するアルコール又は反応性誘導体
と反応せしめることによシ変換することができる。
基Rは、お互いに変](へしλトっ′Cもよい;fll
えは、遊離カルボキシル基は、営法によりエステル化さ
れたカルボキシル基RK変換してもよいが、好マしくは
、低級アルカンカルボン酸エステル、トリ低級アルキル
亜リン酸エステル、ジ低級アルキル亜硫酸エステルも1
7〈はピロ炭酸ニスデル等のカルボン酸、亜リン酸、亜
硫酸又は炭酸のエステル:a当するアルコール又はその
オレフィン誘導体と塩化水素酸、臭化水素酸、硫酸、ベ
ンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸もL<はメタン
スルホン酸とのエステル等の鉱酸エステル又はスルホン
酸エステルの如き相当するアルコール又は反応性誘導体
と反応せしめることによシ変換することができる。
相当するアルコールとの反応は、プロトン酸(例えば、
塩化水素酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、ホウ酸、ベン
ゼンスルホン酸及び/又はトルエンスルホン酸)又はル
イス1lff (例えば、三フッ化ホウ累エーテル錯体
)のような酸性触媒の存在下、不活性溶媒中、特に過剰
のアルコールを用いで、要すれば、脱水剤(水結合剤)
の存在下及び/又は蒸留(例えは共沸蒸留)によって反
応によ セ生成した水を除去し外からかつ/又は高温に
て行うのが有利である。
塩化水素酸、臭化水素酸、硫酸、リン酸、ホウ酸、ベン
ゼンスルホン酸及び/又はトルエンスルホン酸)又はル
イス1lff (例えば、三フッ化ホウ累エーテル錯体
)のような酸性触媒の存在下、不活性溶媒中、特に過剰
のアルコールを用いで、要すれば、脱水剤(水結合剤)
の存在下及び/又は蒸留(例えは共沸蒸留)によって反
応によ セ生成した水を除去し外からかつ/又は高温に
て行うのが有利である。
相当するアルコールの反応性誘導体との反応は、慣用の
方法にて行うことができるが、その場合、エステル、亜
硫酸エステル、炭酸エステルを用い、反応は、例えば、
上述したような酸性触媒の存在下、芳香族炭化水素(例
えば、ベンゼン又目、トルエン)のような不活性溶媒中
で、あるいす1、該アルコール討導体又は相当するアル
コール’c 鍋剰Kl用いて、要すれば、例えば、共沸
蒸留などによって、反応によシ生成した水を留去しなが
ら行う。
方法にて行うことができるが、その場合、エステル、亜
硫酸エステル、炭酸エステルを用い、反応は、例えば、
上述したような酸性触媒の存在下、芳香族炭化水素(例
えば、ベンゼン又目、トルエン)のような不活性溶媒中
で、あるいす1、該アルコール討導体又は相当するアル
コール’c 鍋剰Kl用いて、要すれば、例えば、共沸
蒸留などによって、反応によシ生成した水を留去しなが
ら行う。
鉱酸又はスルホン酸のエステルを・出発物質とする場合
には、エステル化ずべき酸し11、塩(例えば、ナトリ
ウム塩又はカリウム塩)の形で反応せしめるのが有利で
あり、反応操作は、要すれば、無機塩基(例えば、ナト
リウム、カリウム又は、カルシウムの水酸化物もしくは
炭酸塩)又ti第三窒紫を含む塩基(例えば、トリエチ
ルアミノ又は、ピリジン)のような塩基性縮合剤の存在
下、要すれば、上述した第三窒素塩基の一又は極性溶媒
(例えば、ジメチルホルムアミド)の如き不活性溶媒中
で、及び/又は高温において行われる。
には、エステル化ずべき酸し11、塩(例えば、ナトリ
ウム塩又はカリウム塩)の形で反応せしめるのが有利で
あり、反応操作は、要すれば、無機塩基(例えば、ナト
リウム、カリウム又は、カルシウムの水酸化物もしくは
炭酸塩)又ti第三窒紫を含む塩基(例えば、トリエチ
ルアミノ又は、ピリジン)のような塩基性縮合剤の存在
下、要すれば、上述した第三窒素塩基の一又は極性溶媒
(例えば、ジメチルホルムアミド)の如き不活性溶媒中
で、及び/又は高温において行われる。
オレフィンとの反応は、例えば、ルイス酸(例えば、三
フッ化ホウ素、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸
の如き酸性触媒又は、特に塩基触媒(例えば、水酸化ナ
トリウム又は水酸化カリウム)の存在下、有利には、エ
ーテル(例えば、ジエナルエーテル又はテトラヒドロフ
ラン)の如き不活性溶媒中で行われる。
フッ化ホウ素、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸
の如き酸性触媒又は、特に塩基触媒(例えば、水酸化ナ
トリウム又は水酸化カリウム)の存在下、有利には、エ
ーテル(例えば、ジエナルエーテル又はテトラヒドロフ
ラン)の如き不活性溶媒中で行われる。
遊離のカルボキシル基Rは、慣用の操作法によって、ア
ンモニア又は少なくとも一の水素原子を有するアミンと
、例えば、ベンゼン又はトルエンを用いる共沸蒸留によ
るか加熱乾燥によって、中間に生成したアンモニウム塩
の脱水を行いながら、反応させることによジアミド化さ
れたカルボキシル基Rに変換することもできる。
ンモニア又は少なくとも一の水素原子を有するアミンと
、例えば、ベンゼン又はトルエンを用いる共沸蒸留によ
るか加熱乾燥によって、中間に生成したアンモニウム塩
の脱水を行いながら、反応させることによジアミド化さ
れたカルボキシル基Rに変換することもできる。
上述した、遊離カルボキシル基Rのエステル化又はアミ
ド化カルボキシル基Rへの変換は、しかしながら、次に
示す方法によっても行うことができる。Rがヒドロキシ
ル基を表す式1の化合物は、先ず、通常の方法によって
反応性誘導体に変換せしめられる。例えば、リン又はイ
オウのハロゲン化物によって(例えば、三塩化リン、三
臭化リン、五塩化リン又はチオニルクロリドによって)
酸塩化物に変換するか、あゐいは、相当するアルコール
又はアミンとの反応によって、反応性エステル、スナワ
チ、フェノール、チオフェノ・−ル、p−二トロフェノ
ール又はシアノメチルアルコールトノエステルの如き電
子吸引性措造を有するエステルへ、もしくは、イミダゾ
ール又ハ3,5−ジメチルピラゾールから誘導されるア
ミドの如き反応性アミドへと変換せしめられる。かくし
て得られた誘導体は、次K、例えば、下記に相当するア
ルコール、アンモニア又は少なくとも−の水素原子を有
する相当するアミンを用いたニスデル交換反応、アミド
交換反応又はエステル化及びアミド化カルボキシル基R
の相互変換について述べるようにして、慣用の操作法に
よって反応せしめられ所望の基Rが形成される。
ド化カルボキシル基Rへの変換は、しかしながら、次に
示す方法によっても行うことができる。Rがヒドロキシ
ル基を表す式1の化合物は、先ず、通常の方法によって
反応性誘導体に変換せしめられる。例えば、リン又はイ
オウのハロゲン化物によって(例えば、三塩化リン、三
臭化リン、五塩化リン又はチオニルクロリドによって)
酸塩化物に変換するか、あゐいは、相当するアルコール
又はアミンとの反応によって、反応性エステル、スナワ
チ、フェノール、チオフェノ・−ル、p−二トロフェノ
ール又はシアノメチルアルコールトノエステルの如き電
子吸引性措造を有するエステルへ、もしくは、イミダゾ
ール又ハ3,5−ジメチルピラゾールから誘導されるア
ミドの如き反応性アミドへと変換せしめられる。かくし
て得られた誘導体は、次K、例えば、下記に相当するア
ルコール、アンモニア又は少なくとも−の水素原子を有
する相当するアミンを用いたニスデル交換反応、アミド
交換反応又はエステル化及びアミド化カルボキシル基R
の相互変換について述べるようにして、慣用の操作法に
よって反応せしめられ所望の基Rが形成される。
さらにまた、エステル化されたカルボキシル基Rを、慣
用の操作法、例えば、塩基性試薬及び酸性試薬(例えば
、水酸化すトリウムや水酸化カリウムのような強塩基、
塩化水素酸、硫酸又はリン酸のような鉱酸)の存在下に
おける加水分解によって遊離カルボキシル基Rに変換し
たす、するいは、アンモニア又は少なく、とも−の水素
原子を有する相当するアミンとの反応によってアミド化
された基RK、変化することも可能である。
用の操作法、例えば、塩基性試薬及び酸性試薬(例えば
、水酸化すトリウムや水酸化カリウムのような強塩基、
塩化水素酸、硫酸又はリン酸のような鉱酸)の存在下に
おける加水分解によって遊離カルボキシル基Rに変換し
たす、するいは、アンモニア又は少なく、とも−の水素
原子を有する相当するアミンとの反応によってアミド化
された基RK、変化することも可能である。
エステル化されたカルボキシル基Rは、また、慣用の操
作法、例えば、相当する金属アルコラード(例えば、相
当するアルコールのナトリウムアルコラード又はカリウ
ムアルコラード)との反応、あるいは、例えば強塩基(
例えば、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム)又は、
鉱酸(例えば、塩化水素酸、硫酸又はリン酸)、有機ス
ルホン酸(例えば、パラトルエンスルホン酸)もしくハ
ルイス酸(例えば、三フッ化ホウ素エーテル錯体)の如
き強酸の触媒の存在下におけるアルコール自身との反応
によって反応せしめられ、異ったエステル化カルボギシ
ル基Rを形成することもできる。
作法、例えば、相当する金属アルコラード(例えば、相
当するアルコールのナトリウムアルコラード又はカリウ
ムアルコラード)との反応、あるいは、例えば強塩基(
例えば、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム)又は、
鉱酸(例えば、塩化水素酸、硫酸又はリン酸)、有機ス
ルホン酸(例えば、パラトルエンスルホン酸)もしくハ
ルイス酸(例えば、三フッ化ホウ素エーテル錯体)の如
き強酸の触媒の存在下におけるアルコール自身との反応
によって反応せしめられ、異ったエステル化カルボギシ
ル基Rを形成することもできる。
アミド化されたカルボキシル基Rは、慣用の操作法、例
えば、強塩基(例えば、ナ) IJウムやカリウムの水
酸化物又は炭酸塩のようなアルカリ金属又はアルカリ土
類金屑の水酸化物又は炭酸塩)又は強酸(例えば、塩化
水素1λ、硫酸又はリン酸のような鉱酸)の如き触媒の
存在下で加水分力りすることにより遊離のカルボキシル
基に変換することができる。
えば、強塩基(例えば、ナ) IJウムやカリウムの水
酸化物又は炭酸塩のようなアルカリ金属又はアルカリ土
類金屑の水酸化物又は炭酸塩)又は強酸(例えば、塩化
水素1λ、硫酸又はリン酸のような鉱酸)の如き触媒の
存在下で加水分力りすることにより遊離のカルボキシル
基に変換することができる。
アルケニル又はアルキニル基は、例えば、接触水素化に
よって低級アルキル基に還元することができるが、該還
元反応は、場合により活性炭等の相体に担持されたパラ
ジウムあるいtよラネーニッケルの如き水素化触媒の存
在Tで行われる。反応は、例えば、約20〜約100℃
での加熱下及び/又は加圧下で行うど有利である。
よって低級アルキル基に還元することができるが、該還
元反応は、場合により活性炭等の相体に担持されたパラ
ジウムあるいtよラネーニッケルの如き水素化触媒の存
在Tで行われる。反応は、例えば、約20〜約100℃
での加熱下及び/又は加圧下で行うど有利である。
本発明によって得られる弐Iの化合物において、低級ア
ルカノイル基R2を、例えば塩基(例えば、50チのナ
トリウム溶液におりるようなアルカリ金属の炭酸塩)を
用いて処理することによって、水素原子に変えることも
可能である。
ルカノイル基R2を、例えば塩基(例えば、50チのナ
トリウム溶液におりるようなアルカリ金属の炭酸塩)を
用いて処理することによって、水素原子に変えることも
可能である。
もし、置換基R2,R,及びR6のうぢの少なくとも−
が、置換基として、ヒドロキシル基を含有している場合
には、このヒドロキシル基は、それ自体公知の方法でエ
ステル化され得る。アルコール成分(例えば、エタノー
ルのような低級アルカノール)との反応は、例えば、鉱
酸(例えば、硫酸)のよりな酸又は脱水剤(例えば、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド)の存在下における反応
によって低級アルコキシル基とすることができる。逆に
ニーテルは鉱酸(例えば臭化水素酸のごときハロゲン化
水素酸)又は、三フッ化ホウ素のような主グループ■に
属する元素のハロゲン化物の如きルイス酸のような酸類
によって開裂せしめられるか、ビリジニウムハロゲン化
物(例えば、ビリジニラムクロリド)、チオフェノール
によって、あるいは、アルギルアミド類(例えば、メチ
ルアミン)の如き塩基による開裂によって開裂されアル
コール類を形成する。
が、置換基として、ヒドロキシル基を含有している場合
には、このヒドロキシル基は、それ自体公知の方法でエ
ステル化され得る。アルコール成分(例えば、エタノー
ルのような低級アルカノール)との反応は、例えば、鉱
酸(例えば、硫酸)のよりな酸又は脱水剤(例えば、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド)の存在下における反応
によって低級アルコキシル基とすることができる。逆に
ニーテルは鉱酸(例えば臭化水素酸のごときハロゲン化
水素酸)又は、三フッ化ホウ素のような主グループ■に
属する元素のハロゲン化物の如きルイス酸のような酸類
によって開裂せしめられるか、ビリジニウムハロゲン化
物(例えば、ビリジニラムクロリド)、チオフェノール
によって、あるいは、アルギルアミド類(例えば、メチ
ルアミン)の如き塩基による開裂によって開裂されアル
コール類を形成する。
さらに、ヒドロキシル基は、例えば、所望のアルカンカ
ルボン酸(例えば、酢酸又はその反応性誘導体)との反
応によって、例えば、プロトン酸(例えば、塩化水素酸
、臭化水素酸、硫酸又はリン酸もしくはベンゼンスルホ
ン酸)の如き酸の存在下、もしくは、三フッ化ホウ素の
ようなルイス酸の存在下、あるいは、ジシクロへキシル
カルボジイミドのような脱水剤の存在下で、低級アルカ
ノイルオキシ基に変換することができる。逆に、エステ
ル化されたヒドロキシル基は、例えば、塩基触媒反応に
よって加溶媒分解せしめヒドロキシル基を形成すること
ができる。
ルボン酸(例えば、酢酸又はその反応性誘導体)との反
応によって、例えば、プロトン酸(例えば、塩化水素酸
、臭化水素酸、硫酸又はリン酸もしくはベンゼンスルホ
ン酸)の如き酸の存在下、もしくは、三フッ化ホウ素の
ようなルイス酸の存在下、あるいは、ジシクロへキシル
カルボジイミドのような脱水剤の存在下で、低級アルカ
ノイルオキシ基に変換することができる。逆に、エステ
ル化されたヒドロキシル基は、例えば、塩基触媒反応に
よって加溶媒分解せしめヒドロキシル基を形成すること
ができる。
生成し九式lの遊離化合物は、それ自体公知の操作法で
、塩に変換することができる。ヒドロキシル基鳥及びR
3並びにカルボキシル ルカリ金属の水酸化物のような相当する塩基を用いて、
塩基との塩に、おるいは、上述したようなオキソニウム
塩を形成する酸を用いて処理することによジオキソニウ
ム塩に変換される。
、塩に変換することができる。ヒドロキシル基鳥及びR
3並びにカルボキシル ルカリ金属の水酸化物のような相当する塩基を用いて、
塩基との塩に、おるいは、上述したようなオキソニウム
塩を形成する酸を用いて処理することによジオキソニウ
ム塩に変換される。
生成した塩は、それ自体公知の操作法で、例えば、鉱酸
のような酸性試薬又は水酸化ナトリウムのよう力塩基を
用いて処理することによって、遊離化合物に変換するこ
とができる。
のような酸性試薬又は水酸化ナトリウムのよう力塩基を
用いて処理することによって、遊離化合物に変換するこ
とができる。
塩を含むこれらの化合物は、また、それらの水和物の形
で得ることもでき、あるいは、結晶化のために用いられ
た溶媒を含有することもできる。
で得ることもでき、あるいは、結晶化のために用いられ
た溶媒を含有することもできる。
本願の新規なる遊離化合物及び塩の形をした化合物間に
は密接な関係が存在する結果、これ以前の記載及びこれ
以後の記載において、遊離化合物及びそれらの塩は、そ
の意味及び目的に適している限りにおいて、場合によっ
ては、それぞれ、対応する塩又は遊離化合物を意味する
ものと理解すべきである。
は密接な関係が存在する結果、これ以前の記載及びこれ
以後の記載において、遊離化合物及びそれらの塩は、そ
の意味及び目的に適している限りにおいて、場合によっ
ては、それぞれ、対応する塩又は遊離化合物を意味する
ものと理解すべきである。
選択された出発物質及び方法により、本発明の新規化合
物は、可能な異性体の−の型あるいはそれらの混合物の
形をしていてもよく、例えば、不整炭素原子の数によっ
て対常体のような純粋な光学的異性体の形、あるいは、
ラセミ化合物のような異性体の混合物、ジアステレオマ
ーの混合物又はラセミ化合物の混合物の形をしていても
よい。
物は、可能な異性体の−の型あるいはそれらの混合物の
形をしていてもよく、例えば、不整炭素原子の数によっ
て対常体のような純粋な光学的異性体の形、あるいは、
ラセミ化合物のような異性体の混合物、ジアステレオマ
ーの混合物又はラセミ化合物の混合物の形をしていても
よい。
生成したジアステレオマーの混合物及びラセミ化合物の
混合物は、公知の方法によって、それら措成成分の物理
化学的性質の差異に基づいて、例えば、クロマトグラフ
ィー及び/又は分別結晶等により、純粋な異性体、ジア
ステレオマー又はラセミ化合物に分離することができる
。得られたラセミ化合物は、さらに、公知の方法、例え
ば、微生物の助けを借りだ光学活性溶媒からの再結晶法
又はラセミ体の酸と塩を形成する光学活性塩基と酸性最
終生成物を反応させ、かくしで得られた塩を、例えば、
それらの異った溶5%性に基づいて、対掌体がしかるべ
き試薬の作用によって遊離されるジアステレオマーに分
離する方法によって、光学対掌体に分割される。二つの
対掌体のうちのより活性な方を単離することが有利であ
る。
混合物は、公知の方法によって、それら措成成分の物理
化学的性質の差異に基づいて、例えば、クロマトグラフ
ィー及び/又は分別結晶等により、純粋な異性体、ジア
ステレオマー又はラセミ化合物に分離することができる
。得られたラセミ化合物は、さらに、公知の方法、例え
ば、微生物の助けを借りだ光学活性溶媒からの再結晶法
又はラセミ体の酸と塩を形成する光学活性塩基と酸性最
終生成物を反応させ、かくしで得られた塩を、例えば、
それらの異った溶5%性に基づいて、対掌体がしかるべ
き試薬の作用によって遊離されるジアステレオマーに分
離する方法によって、光学対掌体に分割される。二つの
対掌体のうちのより活性な方を単離することが有利であ
る。
上記の反応は、溶媒、希釈剤、縮合剤及び/又は触媒剤
の存在下又は非存在下、要すれば、低温あるいは高温で
、閉鎖された容器中及び/又は不活性ガス雰囲気中で、
常法に従って、行われる。
の存在下又は非存在下、要すれば、低温あるいは高温で
、閉鎖された容器中及び/又は不活性ガス雰囲気中で、
常法に従って、行われる。
本発明は、壕だ、方法のある実施態様にも関するもので
あるが、これによれば、プロセスのいかなる段階におい
てであれ、中間体として得られる化合物を出発物質とし
て用い、残りの段階を行うか、及び/又は、出発物質を
塩、誘導体及び/又はラセミ化合物もしくは対掌体の形
で用いるが、あるいは、特にそれが反応条件下で生成さ
れる。
あるが、これによれば、プロセスのいかなる段階におい
てであれ、中間体として得られる化合物を出発物質とし
て用い、残りの段階を行うか、及び/又は、出発物質を
塩、誘導体及び/又はラセミ化合物もしくは対掌体の形
で用いるが、あるいは、特にそれが反応条件下で生成さ
れる。
本発明方法において、冒頭で、特に有用であることを述
べた化合物に到る出発物質を用いるのが好ましい。本発
明は、また、新規な出発物質、それらの用途、例えば、
かかる出発物質を含有している医薬、薬学的製剤の活性
成分としての用途、配合方法及びそれらの製造法にも関
する。
べた化合物に到る出発物質を用いるのが好ましい。本発
明は、また、新規な出発物質、それらの用途、例えば、
かかる出発物質を含有している医薬、薬学的製剤の活性
成分としての用途、配合方法及びそれらの製造法にも関
する。
本発明は、特に、式Iの好ましい化合物群に到る、式■
a、■、■及びVの出発物質に関するものである。
a、■、■及びVの出発物質に関するものである。
本発明は、また、式lの活性成分又は適切な出発物質を
含む薬学的製剤及びそれらの製造方法にも関するもので
ある。
含む薬学的製剤及びそれらの製造方法にも関するもので
ある。
本発明の薬学的製剤は、温血動物に対する、経口用のよ
うな経腸剤、経鼻剤又は経直腸剤として、あるいはまた
、非経ロ投力剤又はバッカル投与剤として使用される。
うな経腸剤、経鼻剤又は経直腸剤として、あるいはまた
、非経ロ投力剤又はバッカル投与剤として使用される。
単独で、あるいは、常用の担体及び添加剤と共に投与さ
れる活性成分の投与量は、温血動物の種、年令、各個体
の状況及び投与方法によって左右される。約70Kgの
体重を有する温血動物へ投与される投与量は、例えば、
経口投与の場合には、約100mg〜約1000mg、
好ましくは約250η〜約750mgである。
れる活性成分の投与量は、温血動物の種、年令、各個体
の状況及び投与方法によって左右される。約70Kgの
体重を有する温血動物へ投与される投与量は、例えば、
経口投与の場合には、約100mg〜約1000mg、
好ましくは約250η〜約750mgである。
本発明の薬学的製剤は、それ自身公知の操作法で、例え
ば、従来の混合、粒状化、糖菓化、溶解又は凍結乾燥法
によって製造される。例えば、経口投与用の薬学的製剤
は、活性成分と固形相体を合わせ、場合により、生成し
た混合物を粒状化し、もし、所望であり必要であれば、
しかるべき添加剤を添加した後、該混合物もしくは粒状
化物を処理し、錠剤又は糖衣錠の芯金形成する。
ば、従来の混合、粒状化、糖菓化、溶解又は凍結乾燥法
によって製造される。例えば、経口投与用の薬学的製剤
は、活性成分と固形相体を合わせ、場合により、生成し
た混合物を粒状化し、もし、所望であり必要であれば、
しかるべき添加剤を添加した後、該混合物もしくは粒状
化物を処理し、錠剤又は糖衣錠の芯金形成する。
特に適切な植体は、糖類〔例えば、乳糖、征糖、マンニ
トール(マンニット)又はソルビト−ル(ソルビット)
〕、セルロース調整物又はリン酸カルシウム(例えば、
リン酸三カルシウム又は重リン酸カルシウム)のような
充填剤;例えばコーンスターチ、小麦でんぷん、米でん
ぷん又又はじゃがいもでんぷんを用いたでんぷん糊(ペ
ースト)、ゼラチン、トラガカントゴム、メチルセルロ
ース及び/又はポリビニルピロリドンの如き結合剤;及
び/又は、所望ならば、上述のでんぷん類、さらには、
カルボキシメチルでんぷん、架橋ポリビニルピロリドン
、寒天、アルギン酸又はその塩(例えば、アルギン酸ナ
トリウム)の如き崩壊剤である。添加剤としては、特に
、例えば、シリカ、タルク、ステアリン酸又はその塩(
例えば、ステアリン酸マグネシウム又はステアリン酸カ
ルシウム)及び/又はポリエチレングリコールの如キ流
動性調節剤及び滑沢剤が羊げられる。糖衣錠の芯には、
場合により胃液抵抗性のしかるべき被覆がなされ、就中
、アラビアゴム、タルク、ポリビニルピロリドン、ポリ
エチレングリコール及び/又は二酸化チタンが含まれて
いてもよい濃縮糖溶液;適切な有機溶媒もしくは溶媒混
合物のラッカー溶液;又は胃液抵抗性の皮膜形成には、
アセチルセルロース・フタレート又はヒドロキシプロピ
ルメチルセルロース・フタレートのようなしがるべきセ
ルロース調製物の溶液が用いられる。染料又は顔料を、
例えば、同定(標識)の目的で、あるいは、活性成分の
異った投与量を示すために、錠剤又は糖衣錠の皮膜に加
えることができる。
トール(マンニット)又はソルビト−ル(ソルビット)
〕、セルロース調整物又はリン酸カルシウム(例えば、
リン酸三カルシウム又は重リン酸カルシウム)のような
充填剤;例えばコーンスターチ、小麦でんぷん、米でん
ぷん又又はじゃがいもでんぷんを用いたでんぷん糊(ペ
ースト)、ゼラチン、トラガカントゴム、メチルセルロ
ース及び/又はポリビニルピロリドンの如き結合剤;及
び/又は、所望ならば、上述のでんぷん類、さらには、
カルボキシメチルでんぷん、架橋ポリビニルピロリドン
、寒天、アルギン酸又はその塩(例えば、アルギン酸ナ
トリウム)の如き崩壊剤である。添加剤としては、特に
、例えば、シリカ、タルク、ステアリン酸又はその塩(
例えば、ステアリン酸マグネシウム又はステアリン酸カ
ルシウム)及び/又はポリエチレングリコールの如キ流
動性調節剤及び滑沢剤が羊げられる。糖衣錠の芯には、
場合により胃液抵抗性のしかるべき被覆がなされ、就中
、アラビアゴム、タルク、ポリビニルピロリドン、ポリ
エチレングリコール及び/又は二酸化チタンが含まれて
いてもよい濃縮糖溶液;適切な有機溶媒もしくは溶媒混
合物のラッカー溶液;又は胃液抵抗性の皮膜形成には、
アセチルセルロース・フタレート又はヒドロキシプロピ
ルメチルセルロース・フタレートのようなしがるべきセ
ルロース調製物の溶液が用いられる。染料又は顔料を、
例えば、同定(標識)の目的で、あるいは、活性成分の
異った投与量を示すために、錠剤又は糖衣錠の皮膜に加
えることができる。
さらに、経口投与のための薬学的製剤には、ゼラチンか
らなる乾燥充填カプセル並びにゼラチン及び可塑剤(例
えば、グリセリン又はソルビトール)からなる軟質制止
カプセルがある。乾燥充填カプセル中には、粒状の、例
えば乳糖のような充填剤と混合された活性成分;でんぷ
ん類のような結合剤;及び/又はタルクもしくはステア
リン酸カルシウムのごとき滑沢剤;場合により、安定剤
を含有せしめてもよい。軟ηカプセルにあっては、活性
成分は、脂肪油、パラフィン油又は液状ポリエチレング
リコールのようなしかるべき液体に溶解もしくは懸濁せ
しめられるのが好ましく、その際安定剤を添加すること
も可能である。
らなる乾燥充填カプセル並びにゼラチン及び可塑剤(例
えば、グリセリン又はソルビトール)からなる軟質制止
カプセルがある。乾燥充填カプセル中には、粒状の、例
えば乳糖のような充填剤と混合された活性成分;でんぷ
ん類のような結合剤;及び/又はタルクもしくはステア
リン酸カルシウムのごとき滑沢剤;場合により、安定剤
を含有せしめてもよい。軟ηカプセルにあっては、活性
成分は、脂肪油、パラフィン油又は液状ポリエチレング
リコールのようなしかるべき液体に溶解もしくは懸濁せ
しめられるのが好ましく、その際安定剤を添加すること
も可能である。
直腸に投与される薬学的製剤としては、例えば、活性成
分と基剤との組合せからなる坐剤が挙げられる。適切な
坐剤用基剤としては、例えば、天然もしくは合成のトリ
グリセリド、パラフィン系炭化水素、ポリエチレングリ
コール類及び高級アルカノール類が挙げられる。活性成
分と基剤との絹合せを含んだ直腸用ゼラチンカプセルを
用いることもできるが、この場合の基剤としては、例え
ば、液状トリグリセリド類、ポリエチレングリコール類
及びパラフィン系炭化水素が挙げられる。
分と基剤との組合せからなる坐剤が挙げられる。適切な
坐剤用基剤としては、例えば、天然もしくは合成のトリ
グリセリド、パラフィン系炭化水素、ポリエチレングリ
コール類及び高級アルカノール類が挙げられる。活性成
分と基剤との絹合せを含んだ直腸用ゼラチンカプセルを
用いることもできるが、この場合の基剤としては、例え
ば、液状トリグリセリド類、ポリエチレングリコール類
及びパラフィン系炭化水素が挙げられる。
非経口投与に特に適切なものは、水溶液の形(例えば、
水溶性塩)をした活性成分の水溶液;活性成分の懸濁液
(例えば、対応する油性注射用懸濁液;これには、ゴマ
油の如き脂肪油もしくはオレイン酸エチル又はトリグリ
セリドの如き合成脂肪酸エステル等の適当な油性溶剤又
はベヒクルが用いられる);又は、粘度を上昇させる物
質、例えば、ナトリウム・カルボキシメチルセルロース
、ソルビトール及び/又はデキストラン、さらには場合
により安定剤を含んだ水性注射用懸濁液である。
水溶性塩)をした活性成分の水溶液;活性成分の懸濁液
(例えば、対応する油性注射用懸濁液;これには、ゴマ
油の如き脂肪油もしくはオレイン酸エチル又はトリグリ
セリドの如き合成脂肪酸エステル等の適当な油性溶剤又
はベヒクルが用いられる);又は、粘度を上昇させる物
質、例えば、ナトリウム・カルボキシメチルセルロース
、ソルビトール及び/又はデキストラン、さらには場合
により安定剤を含んだ水性注射用懸濁液である。
局所投与のだめの薬学的製剤、例えば皮膚の処(dのだ
めの製剤には、液状もしくは半固体状の水中油型もしく
は油中水型の乳濁液を含むローションもしくはクリーム
、さらには軟管があるが、これらは、好ましくは保存剤
を含んでいる。
めの製剤には、液状もしくは半固体状の水中油型もしく
は油中水型の乳濁液を含むローションもしくはクリーム
、さらには軟管があるが、これらは、好ましくは保存剤
を含んでいる。
鼻又は口腔に投与して呼吸器系の治療を行うだめの吸入
剤には、例えば、粉体の形あるいは溶液もしくは懸濁液
の液滴の形で薬理学的活性成分を分散しうるエアロゾル
もしくはスプレー(噴霧剤)゛がある。粉体を分散する
性質を有する製剤には、一般的に、活性成分妊加えて、
室温以下の沸点を有する液状噴射性ガスが含まれており
、さらに、所望ならば、液状もしくは固体状の、非イオ
ン性もしくはアニオン性界面活性剤のような担体及び/
又は固体状希釈剤が含まれでいる。拓理学的活性成分が
溶液に外っている製剤は、活性成分の他に、しかるべき
噴射剤を含み、さらにまた、要すれば、付加的な溶媒及
び/又は安定剤を含む。さらにまた。噴射用ガスの代り
に圧搾空気を用いることも可能である。
剤には、例えば、粉体の形あるいは溶液もしくは懸濁液
の液滴の形で薬理学的活性成分を分散しうるエアロゾル
もしくはスプレー(噴霧剤)゛がある。粉体を分散する
性質を有する製剤には、一般的に、活性成分妊加えて、
室温以下の沸点を有する液状噴射性ガスが含まれており
、さらに、所望ならば、液状もしくは固体状の、非イオ
ン性もしくはアニオン性界面活性剤のような担体及び/
又は固体状希釈剤が含まれでいる。拓理学的活性成分が
溶液に外っている製剤は、活性成分の他に、しかるべき
噴射剤を含み、さらにまた、要すれば、付加的な溶媒及
び/又は安定剤を含む。さらにまた。噴射用ガスの代り
に圧搾空気を用いることも可能である。
本発明の薬学的吸入剤は、例えば、エアロゾルをを形成
する混合物、好ましくは固体エアロゾルを形成する混合
物、すなわち、自身の蒸気圧もしくは圧搾空気のごとき
圧搾ガス、笑気又は二酸化炭素の圧力によって、吸入可
能なエアロゾル、好ましくは固体工了口ゾルを形成しう
る混合物である。
する混合物、好ましくは固体エアロゾルを形成する混合
物、すなわち、自身の蒸気圧もしくは圧搾空気のごとき
圧搾ガス、笑気又は二酸化炭素の圧力によって、吸入可
能なエアロゾル、好ましくは固体工了口ゾルを形成しう
る混合物である。
本発明は、また、式Iの新規化合物及びその塩の、薬理
学的に活性な化合物、特に抗アレルギー剤としての、好
ましくは、薬学的製剤の形をしたものとしての使用に関
するものでもある。 ′以下に示すνZ施例は、上述
した本発明の詳細な説明するものであるが、これによっ
て本発明は制限を受けるものではない。なお、温度は℃
(摂氏度)で示されている。
学的に活性な化合物、特に抗アレルギー剤としての、好
ましくは、薬学的製剤の形をしたものとしての使用に関
するものでもある。 ′以下に示すνZ施例は、上述
した本発明の詳細な説明するものであるが、これによっ
て本発明は制限を受けるものではない。なお、温度は℃
(摂氏度)で示されている。
実施例1
β−メメチウンベリフエロニル−7−マレイン酸及びβ
−メチルウンベリフェロニルー7−フマル酸の混合物1
0gを120℃で1時間、ポリリン酸100gと攪拌し
、全体を氷水中に注いだ。
−メチルウンベリフェロニルー7−フマル酸の混合物1
0gを120℃で1時間、ポリリン酸100gと攪拌し
、全体を氷水中に注いだ。
得られた生成物を吸引ろ禍し、次いで水、少量のエタノ
ール及び大量のエーテルで洗い、高真空下80℃で乾燥
した。この方法により、β−メチルウンベリフエロニル
−7−マレイン酸、4−メチル−2,6−ジオキソ−2
H.6H−ベンゾ〔1、2−b:5,4−h’〕ジビラ
ン−8−カルボン酸及び4−メチル−2,10−ジオキ
ソ−2H,10H−ベンゾ[1,2−b:5,6−h’
:]]ジシラン−8−カルボンの混合物が得られた。熱
メタノール中で混合′吻を何度も懸濁させ、しかる後吸
引ろ過することにヨシ、β−メメチウンベリンエロニル
−7−マl、zイン酸を分離した。ろ過物質中に残存す
るベンゾピランジカルボン酸をシリカゲル2 f) 0
9 中に通じるクロマトグラフィーに伺した。かくして
、融点275〜277℃の4−メチル−2,J f)−
ジオキソ−2)(,110)(−ベンゾ[1,2−b
: 5,6 b’]ジビラン−8−カルボン酸及び融
点301〜303℃の4−メチル2.6−シオキンー2
H,6H−ベンツ゛[1,2−b : 5.4−b’]
ジビランー8−カルボン酸が得られた。
ール及び大量のエーテルで洗い、高真空下80℃で乾燥
した。この方法により、β−メチルウンベリフエロニル
−7−マレイン酸、4−メチル−2,6−ジオキソ−2
H.6H−ベンゾ〔1、2−b:5,4−h’〕ジビラ
ン−8−カルボン酸及び4−メチル−2,10−ジオキ
ソ−2H,10H−ベンゾ[1,2−b:5,6−h’
:]]ジシラン−8−カルボンの混合物が得られた。熱
メタノール中で混合′吻を何度も懸濁させ、しかる後吸
引ろ過することにヨシ、β−メメチウンベリンエロニル
−7−マl、zイン酸を分離した。ろ過物質中に残存す
るベンゾピランジカルボン酸をシリカゲル2 f) 0
9 中に通じるクロマトグラフィーに伺した。かくして
、融点275〜277℃の4−メチル−2,J f)−
ジオキソ−2)(,110)(−ベンゾ[1,2−b
: 5,6 b’]ジビラン−8−カルボン酸及び融
点301〜303℃の4−メチル2.6−シオキンー2
H,6H−ベンツ゛[1,2−b : 5.4−b’]
ジビランー8−カルボン酸が得られた。
出発物質は、例えば以下の方法で製造することができる
: β−メチルウンベリフェロン48f1アセチレンジカル
ボン酸ジメチルエステル32m1.水酸化ベンジル−ト
リメチルアンモニウム2 me及びジオキサン90 (
1meから力る反応混合物を100℃で約50分間攪拌
し、更にアセチレンジカルボン酸ジメチルエステル33
m1及び小さじ一杯の炭酸カリウムを加え、更に40分
間攪拌した後、全体を200℃まで冷却し、次の如く直
接に加水分解した。濃度25%の水酸化ナトリウム溶液
180m/及び水800mlを混合物に加え、全体を1
00℃で5時間攪拌した。冷却稜ろ過し、ろ液を蒸発濃
縮した。残渣を水及び酢酸エチル間に分配せしめ、酸性
化及びエーテルでの抽出後、水相がらβ−メメチウンベ
リフェロニル−7−マレインIW及ヒβ−メチルウンペ
リフェロニル−7−フマル酸の粗混合物を得たが、それ
らは分離することなく更なる処理に付した。
: β−メチルウンベリフェロン48f1アセチレンジカル
ボン酸ジメチルエステル32m1.水酸化ベンジル−ト
リメチルアンモニウム2 me及びジオキサン90 (
1meから力る反応混合物を100℃で約50分間攪拌
し、更にアセチレンジカルボン酸ジメチルエステル33
m1及び小さじ一杯の炭酸カリウムを加え、更に40分
間攪拌した後、全体を200℃まで冷却し、次の如く直
接に加水分解した。濃度25%の水酸化ナトリウム溶液
180m/及び水800mlを混合物に加え、全体を1
00℃で5時間攪拌した。冷却稜ろ過し、ろ液を蒸発濃
縮した。残渣を水及び酢酸エチル間に分配せしめ、酸性
化及びエーテルでの抽出後、水相がらβ−メメチウンベ
リフェロニル−7−マレインIW及ヒβ−メチルウンペ
リフェロニル−7−フマル酸の粗混合物を得たが、それ
らは分離することなく更なる処理に付した。
実施例2
4−メチル2.6−ジオキソ−2H、6H−ベンゾ(1
、2−b:5,4−b′〕〕ジピラン−8−カルボン酸
び4−メチル−2、,10−ジオキソ−21■、jOI
(−ベンゾ[1,2−b:5.6−b’]ジピラン−8
−カルボン酸の混合物!M’Q15時間、メタノール1
50me及び濃硫酸0.4mlと加熱還流した。
、2−b:5,4−b′〕〕ジピラン−8−カルボン酸
び4−メチル−2、,10−ジオキソ−21■、jOI
(−ベンゾ[1,2−b:5.6−b’]ジピラン−8
−カルボン酸の混合物!M’Q15時間、メタノール1
50me及び濃硫酸0.4mlと加熱還流した。
次いて反応混合物を0℃まで冷却し、吸引ろ過し、しか
る後少清のメタノール及びエーテルで洗った。
る後少清のメタノール及びエーテルで洗った。
ろ過された物質を、クロロポルム金用いてシリカゲル2
00g中に通じるクロマトクラフィーに付した。最初に
、4−メチル−2,6−シオキソ−2H,6H−ベンゾ
[:1,2−b:5,4−b’〕ジピラン−8−カルボ
ン酸メチルエステル(クロロホルムメタノールから再結
晶後のm.p.308〜310℃)が溶出した。次の分
画から融点269〜270℃(メタノール/クロロホル
ムから)の4−メチル−2,10−ジオキソ−2H,1
0H−ベンゾ[1,2−b:5,6−h’]ジピラン−
8−カルボン酸メチルエステルが得られた。
00g中に通じるクロマトクラフィーに付した。最初に
、4−メチル−2,6−シオキソ−2H,6H−ベンゾ
[:1,2−b:5,4−b’〕ジピラン−8−カルボ
ン酸メチルエステル(クロロホルムメタノールから再結
晶後のm.p.308〜310℃)が溶出した。次の分
画から融点269〜270℃(メタノール/クロロホル
ムから)の4−メチル−2,10−ジオキソ−2H,1
0H−ベンゾ[1,2−b:5,6−h’]ジピラン−
8−カルボン酸メチルエステルが得られた。
実施例3
4−メチル−2,6−シオキソー2H,6H−ベンゾ[
1’、2−b:5,4−b’]ジピラン−8−カルボン
酸メチルエステル21を、5時間、氷酢酸25me及び
濃塩酸12m1と加熱還流した。次いで、反応混合物を
室温せで冷却し、吸引ろ過した。ろ過された物質を少隅
のアルコール及びエーテルで洗い乾燥し、次いでクロロ
ボルムから再結晶させた。
1’、2−b:5,4−b’]ジピラン−8−カルボン
酸メチルエステル21を、5時間、氷酢酸25me及び
濃塩酸12m1と加熱還流した。次いで、反応混合物を
室温せで冷却し、吸引ろ過した。ろ過された物質を少隅
のアルコール及びエーテルで洗い乾燥し、次いでクロロ
ボルムから再結晶させた。
このようにして融点301〜303℃の4−メチル−2
,6−シオキソー2 F+−、6H−ベンゾ〔1,2h
:5,4 b’)ジピランー8−カルボン酸がイクら
れた。
,6−シオキソー2 F+−、6H−ベンゾ〔1,2h
:5,4 b’)ジピランー8−カルボン酸がイクら
れた。
また類似した方法により、融点275〜277℃の4−
メチル−2,10−ジオキソ−2I(,10)I−ベン
ゾ[1,2−b :5.6−b’)ジビランー8−カル
ボン酸を製造することができた。
メチル−2,10−ジオキソ−2I(,10)I−ベン
ゾ[1,2−b :5.6−b’)ジビランー8−カル
ボン酸を製造することができた。
実施例4
6−(3−エトキシカルボニル−3−オキソプロピオニ
ル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−8−ブロビル−2
−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b〕ビラン12.6
F75に懸濁された酢酸85ゴ及び濃塩酸17 mlを
、6時間加熱3N流した。次いで、懸濁液を冷却し水6
00mgで希釈した。微細な結晶を吸引ろ取し、水で洗
い、高真空下で乾燥した。
ル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−8−ブロビル−2
−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b〕ビラン12.6
F75に懸濁された酢酸85ゴ及び濃塩酸17 mlを
、6時間加熱3N流した。次いで、懸濁液を冷却し水6
00mgで希釈した。微細な結晶を吸引ろ取し、水で洗
い、高真空下で乾燥した。
融点294〜295℃の4−メチル−10−プロピル−
2,6−シオキソー2H,6H−ベンゾ[1,2−b:
5,4−b’〕ジピラン−8−カルボン酸が得られた。
2,6−シオキソー2H,6H−ベンゾ[1,2−b:
5,4−b’〕ジピラン−8−カルボン酸が得られた。
出発物質は、例えば以下の方法により製造することがで
きる: テトラヒドロフラン1.51に溶解された8−アリル−
7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン100gにラネー
ニッケル10gを加え、室温で約90分間、水素で還元
した。次いで、触媒を吸引ろ過し、反応混合物を蒸発濃
縮した。エタノール/水から再結晶させると、融点18
0〜182℃の7−ヒドロキシ−4−メチル−8−プロ
ピルクマリンが得られた。7−ヒドロキシ−4−メチル
−8−プロピルクマリン21.8 fが懸濁された無水
酢酸75.5 mp中に、濃硫酸を一滴加え、全体を8
5℃で約2時間、油浴上で攪拌した。反応混合物を冷却
し、約500 mlの氷の中に注いだ。得られた生成物
を吸引ろ過し、水で洗った。メタノール/水から再結晶
させると、融点98〜99℃の7−アセトキシ−4−メ
チルー8−プロピルクマリンが得られた。
きる: テトラヒドロフラン1.51に溶解された8−アリル−
7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン100gにラネー
ニッケル10gを加え、室温で約90分間、水素で還元
した。次いで、触媒を吸引ろ過し、反応混合物を蒸発濃
縮した。エタノール/水から再結晶させると、融点18
0〜182℃の7−ヒドロキシ−4−メチル−8−プロ
ピルクマリンが得られた。7−ヒドロキシ−4−メチル
−8−プロピルクマリン21.8 fが懸濁された無水
酢酸75.5 mp中に、濃硫酸を一滴加え、全体を8
5℃で約2時間、油浴上で攪拌した。反応混合物を冷却
し、約500 mlの氷の中に注いだ。得られた生成物
を吸引ろ過し、水で洗った。メタノール/水から再結晶
させると、融点98〜99℃の7−アセトキシ−4−メ
チルー8−プロピルクマリンが得られた。
7−アセトキシ−4−メチル−8−プロピルクマリン2
0F及び塩化アルミニウム25.6gの混合物を、攪拌
せずに油浴を用いて120℃まで加熱した。約15分後
、油浴を170℃に調節し、反応混合物を約1時間、こ
の温度のままで放置した。次いで、冷却し、氷250m
l及び濃塩酸1mlで加水分解した。30分間激しく攪
拌した後、生成物を吸引ろ過し、水で洗った。メタノー
ル/水から再結晶させると、融点117〜118℃の6
−アセチル−7−ヒドロオキシー4−メチル−8−プロ
ピルクマリンが得られた。
0F及び塩化アルミニウム25.6gの混合物を、攪拌
せずに油浴を用いて120℃まで加熱した。約15分後
、油浴を170℃に調節し、反応混合物を約1時間、こ
の温度のままで放置した。次いで、冷却し、氷250m
l及び濃塩酸1mlで加水分解した。30分間激しく攪
拌した後、生成物を吸引ろ過し、水で洗った。メタノー
ル/水から再結晶させると、融点117〜118℃の6
−アセチル−7−ヒドロオキシー4−メチル−8−プロ
ピルクマリンが得られた。
シュウ酸ジエチルエステル8.12mlを、ナトリウム
242f及び無水エタノールJ05rneから新しく造
ったナトリウエトキシド溶液に加え、全体を室温で約1
時間攪拌した。次いで、6−アセチル−7−ヒドロキシ
−4−メチル−8−プロピルクマリン13Fを加え、混
合物を更に30分間加熱還流した。冷却後、全体を氷酢
酸100ml及び水800m1に注いだ。生成物をクロ
ロホルムで抽出した。次いで、クロロホルム相を水で五
目洗いこれらを一緒にし、硫酸ナトリウムで乾燥し、ロ
ータリーエバポレータを用い真を下で蒸発濃縮した。6
−(3−エトキシカルボニル−2−オキソ−2H−ベン
ゾ[1,2−b]ピランが得られたが、これは更に精製
することなく用いられた。
242f及び無水エタノールJ05rneから新しく造
ったナトリウエトキシド溶液に加え、全体を室温で約1
時間攪拌した。次いで、6−アセチル−7−ヒドロキシ
−4−メチル−8−プロピルクマリン13Fを加え、混
合物を更に30分間加熱還流した。冷却後、全体を氷酢
酸100ml及び水800m1に注いだ。生成物をクロ
ロホルムで抽出した。次いで、クロロホルム相を水で五
目洗いこれらを一緒にし、硫酸ナトリウムで乾燥し、ロ
ータリーエバポレータを用い真を下で蒸発濃縮した。6
−(3−エトキシカルボニル−2−オキソ−2H−ベン
ゾ[1,2−b]ピランが得られたが、これは更に精製
することなく用いられた。
類似した方法によジェタノールから再結晶させると、融
点153〜155℃の8−(3−エトキシカルボニル−
3−オキノフロヒオニル〕−7−ヒドロキシ−4−メチ
ル−2−オキソ−2H−ベンゾ[3,4−b]ピランが
得られた。
点153〜155℃の8−(3−エトキシカルボニル−
3−オキノフロヒオニル〕−7−ヒドロキシ−4−メチ
ル−2−オキソ−2H−ベンゾ[3,4−b]ピランが
得られた。
実施例5
実施例4に記載された類似の方法により、融点125〜
127℃の4−メチル−6−プロピル−2,10−ジオ
キソ−2H,]]OH−ベンゾ1.2−b:5.6−b
’]ジピラン−8−カルボン酸が得られた。
127℃の4−メチル−6−プロピル−2,10−ジオ
キソ−2H,]]OH−ベンゾ1.2−b:5.6−b
’]ジピラン−8−カルボン酸が得られた。
出発物質は、以下の如く製造することができる:8−ア
セチル−7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン43.6
g、炭酸カリウム41.5g及び臭化アリル18.9m
lが懸濁された無水アセトン1.6lを約8時間加熱還
流した。冷却後、水1.2lを加乏、アセトンをロータ
リーエバポレーターを用いA9下で蒸発濃縮した。得ら
れた生成物をろ取し、メタノール/水から再結晶させた
。このようにして、融点119〜120℃の8−アセチ
ル−4−メチル−7−アリルオキシ−2−オキソ−2H
−ベンゾ[1,2−b ]ビランが得られた。
セチル−7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン43.6
g、炭酸カリウム41.5g及び臭化アリル18.9m
lが懸濁された無水アセトン1.6lを約8時間加熱還
流した。冷却後、水1.2lを加乏、アセトンをロータ
リーエバポレーターを用いA9下で蒸発濃縮した。得ら
れた生成物をろ取し、メタノール/水から再結晶させた
。このようにして、融点119〜120℃の8−アセチ
ル−4−メチル−7−アリルオキシ−2−オキソ−2H
−ベンゾ[1,2−b ]ビランが得られた。
8−アセチル−4−メチル−7−了りルオキシ=2−メ
キンー2H−ベンゾ[1,2−b] ビラン50、7
fを、攪拌することなく205℃の油浴温度のま13
時間保持した。次いで、溶離液系としてトルエン/酢酸
エチル(1(!:1)を用イ、シリカゲルでクロマトグ
ラフィーによる請判を行うと、融点131〜133℃の
8−アセチルー7−ヒドロキシー4−メチル−6−了り
ルー2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b]ベンゾピ
ランが得られた。
キンー2H−ベンゾ[1,2−b] ビラン50、7
fを、攪拌することなく205℃の油浴温度のま13
時間保持した。次いで、溶離液系としてトルエン/酢酸
エチル(1(!:1)を用イ、シリカゲルでクロマトグ
ラフィーによる請判を行うと、融点131〜133℃の
8−アセチルー7−ヒドロキシー4−メチル−6−了り
ルー2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b]ベンゾピ
ランが得られた。
実施例4に記載された方法と類似した方法によシ、接触
還元すると、融点129〜131℃の8−アセチル−7
−ヒドロキシ−4−メチル−6−ブロビルー2−オキソ
−2H−ベンゾ[1,2−b)ビランが得られた。
還元すると、融点129〜131℃の8−アセチル−7
−ヒドロキシ−4−メチル−6−ブロビルー2−オキソ
−2H−ベンゾ[1,2−b)ビランが得られた。
実施例4と類似した方法により、8−アセチル−7−ヒ
ドロキシ−4−メチル−6−ブロビルー2−オキソ−2
H−ベンゾ[1,2−b’:lビランから8−(3−エ
トキシカルボニル−3−オキソプロピオニル)−7−ヒ
ドロキシ−4−メチル−6−ブロビルー2−カギソー2
H−ベンゾ[1,2−b]ビラン得たが、この化合物を
粗生成物の形でそのまま使用した。
ドロキシ−4−メチル−6−ブロビルー2−オキソ−2
H−ベンゾ[1,2−b’:lビランから8−(3−エ
トキシカルボニル−3−オキソプロピオニル)−7−ヒ
ドロキシ−4−メチル−6−ブロビルー2−カギソー2
H−ベンゾ[1,2−b]ビラン得たが、この化合物を
粗生成物の形でそのまま使用した。
実施例6
出発物質として6−(3−エトキシカルボニル−3−オ
キソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−8
−了りルー2−オキソ−2H−ベンゾC1,2−b’:
lビランを用い、実施例4と類似した方法により、融点
295〜297℃の4−メチル−10−アリル−2,6
−ジオキソ−2H,6H−ベンゾ[1,2−b:5,4
−b’)ジピラン−8−カルボン酸を得た。
キソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−8
−了りルー2−オキソ−2H−ベンゾC1,2−b’:
lビランを用い、実施例4と類似した方法により、融点
295〜297℃の4−メチル−10−アリル−2,6
−ジオキソ−2H,6H−ベンゾ[1,2−b:5,4
−b’)ジピラン−8−カルボン酸を得た。
出発物質は、例えば以下の方法により製造することがで
きる: 7−アセチル−4−メチル−2−オキソ−2H−ベンゾ
[1、2−b〕ビラン[A、Russel、J、R,F
ryp。
きる: 7−アセチル−4−メチル−2−オキソ−2H−ベンゾ
[1、2−b〕ビラン[A、Russel、J、R,F
ryp。
W、L、Mauldin、J、Amer、Chem、S
oc、62.1441(1940)]109g及び塩化
アルミニウム167gの混合物を、温度120℃の油浴
を用い、攪拌することなく加熱した。約15分後、油浴
を170℃に調節し、混合物をその温度のままで1時間
保持した。次いで冷却し、氷2を及び濃塩酸10meで
加水分解した。約30分間激しく攪拌した後、生成物を
吸引ろ過し、水で洗った。メタノール/水から再結晶す
ると、0−ヒドロキシアセトフエノンの両異性体の混合
物が得られた。二つの異性体生成物を、それぞれ溶離液
系としてトルエン/酢酸エチル=6:1を用いたシリカ
ゲルによるクロマトグラフィーによって分離することが
できた。
oc、62.1441(1940)]109g及び塩化
アルミニウム167gの混合物を、温度120℃の油浴
を用い、攪拌することなく加熱した。約15分後、油浴
を170℃に調節し、混合物をその温度のままで1時間
保持した。次いで冷却し、氷2を及び濃塩酸10meで
加水分解した。約30分間激しく攪拌した後、生成物を
吸引ろ過し、水で洗った。メタノール/水から再結晶す
ると、0−ヒドロキシアセトフエノンの両異性体の混合
物が得られた。二つの異性体生成物を、それぞれ溶離液
系としてトルエン/酢酸エチル=6:1を用いたシリカ
ゲルによるクロマトグラフィーによって分離することが
できた。
かくして、融点163〜164℃(m、p、163℃)
の8−アセチル−7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン
及び融点206〜207℃の6−アセチル−7−ヒドロ
キシー4−メチルクマリンが得られた。出発物声として
6−丁セチルー7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ〔]、2−b)ピラン及び臭化アリル
を用い、実施例5に記載された方法と同様にして、融点
155〜156℃の6−アセチル−4−メチル−7−ア
リルオキシ−2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b]
ピランを得た。
の8−アセチル−7−ヒドロキシ−4−メチルクマリン
及び融点206〜207℃の6−アセチル−7−ヒドロ
キシー4−メチルクマリンが得られた。出発物声として
6−丁セチルー7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ〔]、2−b)ピラン及び臭化アリル
を用い、実施例5に記載された方法と同様にして、融点
155〜156℃の6−アセチル−4−メチル−7−ア
リルオキシ−2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b]
ピランを得た。
出発物質として6−アセチル−4−メチル−7−アリル
オキシ−2−オキソ−211−ベンゾ〔1,2−b〕ピ
ランを用い、実施例5と類似した方法により、融点11
6〜118℃の6−アセチル−7−ヒドロキシ−4−メ
チル−8−アリル−2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2
−b]ビランを得た。
オキシ−2−オキソ−211−ベンゾ〔1,2−b〕ピ
ランを用い、実施例5と類似した方法により、融点11
6〜118℃の6−アセチル−7−ヒドロキシ−4−メ
チル−8−アリル−2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2
−b]ビランを得た。
出発物質と1.て6−アセヂルー7−ヒドロキシー4−
メチル−8−アリル−2−オキソ−2H−ベンゾ〔1,
2−b〕ピランを用い、実施例4と類似した方法により
、6−(3−エトキシカルボニル−3−オキソプロピオ
ニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−8−アリル−2
−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−h:]ピランを得た
。
メチル−8−アリル−2−オキソ−2H−ベンゾ〔1,
2−b〕ピランを用い、実施例4と類似した方法により
、6−(3−エトキシカルボニル−3−オキソプロピオ
ニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−8−アリル−2
−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−h:]ピランを得た
。
更に同様にし、出発物質として8−アセチル−7−ヒド
ロキシ−4−メチル−6−ブロベンー2−イル−2−オ
キソ−2H−ベンゾ[1,2−b〕ビランを用いて、8
−(3−エトキシカルボニル−3−オキソ フロピオニ
ル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−6−ブロベンー2
−イル−2−オキソ−21(−ベンゾ[s、4−b)ピ
ランを得た。
ロキシ−4−メチル−6−ブロベンー2−イル−2−オ
キソ−2H−ベンゾ[1,2−b〕ビランを用いて、8
−(3−エトキシカルボニル−3−オキソ フロピオニ
ル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−6−ブロベンー2
−イル−2−オキソ−21(−ベンゾ[s、4−b)ピ
ランを得た。
実施例7
実施例5と類似し、た方法により、以下の化合物を製造
することも可能である: 融点275〜277℃(、′−メチルー2 、1 (1
−ジオキン−2H,1011−ベンゾ[I !+2−b
: 5,6−b’]ジビラン−8−カルボン酸(−水
和物)融点143〜145℃の6−アリル−4−メチル
−2,In−ジオキン−2)■1IOH−ベンゾ〔1゜
2−b:5,6−b’〕ジピラン−8−カルボン酸実施
例8 無水エタノール150ml及び塩酸25mlに6−(3
−エトキシカルボニル−3−オキソプロピオニル)−7
−ヒドロキシ−4−メチル−8−プロピル−2−オキソ
−2H−ベンゾ[1,2−b)ビラン3.6gを溶解し
た溶液を30分間加熱還流した。
することも可能である: 融点275〜277℃(、′−メチルー2 、1 (1
−ジオキン−2H,1011−ベンゾ[I !+2−b
: 5,6−b’]ジビラン−8−カルボン酸(−水
和物)融点143〜145℃の6−アリル−4−メチル
−2,In−ジオキン−2)■1IOH−ベンゾ〔1゜
2−b:5,6−b’〕ジピラン−8−カルボン酸実施
例8 無水エタノール150ml及び塩酸25mlに6−(3
−エトキシカルボニル−3−オキソプロピオニル)−7
−ヒドロキシ−4−メチル−8−プロピル−2−オキソ
−2H−ベンゾ[1,2−b)ビラン3.6gを溶解し
た溶液を30分間加熱還流した。
反応混合物を冷却し、生成物をろ取し、エタノール及び
エーテルで洗った。かくして 融点173〜175℃の
4−メチル−10−プロピル−2,6−シオキソ−2H
,6H−ベンゾ[1,2−b:5.4−b′]ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステルが得られた。
エーテルで洗った。かくして 融点173〜175℃の
4−メチル−10−プロピル−2,6−シオキソ−2H
,6H−ベンゾ[1,2−b:5.4−b′]ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステルが得られた。
類似の方法により、以下の化合物を製造することも可能
である: 融点271〜273℃の4−メチル−2,1,0−ジオ
キソ−2H,l0H−ベンゾ[1,2−b : 5,6
−b′〕シヒラン−8−カルボン酸エチルエステル融点
145〜147℃の4−メチル−6−アリル−2,10
−ジオキソ−2H,l0H−ベンゾ〔l。
である: 融点271〜273℃の4−メチル−2,1,0−ジオ
キソ−2H,l0H−ベンゾ[1,2−b : 5,6
−b′〕シヒラン−8−カルボン酸エチルエステル融点
145〜147℃の4−メチル−6−アリル−2,10
−ジオキソ−2H,l0H−ベンゾ〔l。
2−b:5,6−b’]ジピラン−8−カルボン酸エチ
ルエステル 融点81〜83℃の4−メチル−6−ブロビルー2.1
0−ジオキソ−2)1.l0H−ベンゾ[1,2−b:
5.6−b’]ジピラン−8−カルボン酸エチルエステ
ル ル点152〜154℃の4−メチル−10−アリル−2
,6−シオキソー2)i、6H−ベンゾ[1、2−b:
5,4−b’〕ジビラン8−カルボン酸エチルエステル 実施例9 7−ヒドロキシ−4−メチル−8−プロピルクマリン2
1.8g、アセチレンジカルボン酸ジメチルエステル1
47−及び濃度40%の水酸化トリメチルアンモニウム
(トリトンB)2.3mlの無水ジオキサン溶液250
mlを90分間加熱還流した。
ルエステル 融点81〜83℃の4−メチル−6−ブロビルー2.1
0−ジオキソ−2)1.l0H−ベンゾ[1,2−b:
5.6−b’]ジピラン−8−カルボン酸エチルエステ
ル ル点152〜154℃の4−メチル−10−アリル−2
,6−シオキソー2)i、6H−ベンゾ[1、2−b:
5,4−b’〕ジビラン8−カルボン酸エチルエステル 実施例9 7−ヒドロキシ−4−メチル−8−プロピルクマリン2
1.8g、アセチレンジカルボン酸ジメチルエステル1
47−及び濃度40%の水酸化トリメチルアンモニウム
(トリトンB)2.3mlの無水ジオキサン溶液250
mlを90分間加熱還流した。
次いで、反応混合物をロータリーエバポレーターで真空
下濃縮し、残液を酢酸エチル及び水に分配せしめた。水
相を除き、酢酸エチルで再度抽出した。合わせた有機相
を二回水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥し、ロータリー
エバポレーターで真空下留去せしめることにより濃縮し
た。残渣に酢酸500ml、濃塩酸200ml及び水3
00mlを加え、全体を約20分間加熱還流した。次い
で、冷却し、水1500mgで希釈し酢酸エチルで二回
抽出した。
下濃縮し、残液を酢酸エチル及び水に分配せしめた。水
相を除き、酢酸エチルで再度抽出した。合わせた有機相
を二回水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥し、ロータリー
エバポレーターで真空下留去せしめることにより濃縮し
た。残渣に酢酸500ml、濃塩酸200ml及び水3
00mlを加え、全体を約20分間加熱還流した。次い
で、冷却し、水1500mgで希釈し酢酸エチルで二回
抽出した。
酢酸エチル抽出物を水で二回洗い、一つに合わせ硫酸ナ
トリウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで真空下
留去することにより濃縮した。粗シス/トランスジカル
ボン酸生成物を濃縮し、クロロスルホン酸250mlを
加え、全体を室温で約1時間攪拌した。異色の反応混合
物を注意深く約3tの氷の中に注いだ。褐色の沈殿物を
吸引ろ過し水で洗い、高真突下で乾燥した。次いで、残
渣をアセトンに溶解し、ロータリーエバポレーターで真
空下留去することにより約50mlで濃縮し、しかる後
、酢酸エチル300m1を加え、微細な結晶沈殿物を吸
引ろ取した。かくして、融点295〜297℃の4−メ
チル−10−プロピル−2,6−ジオキソ−2H,6H
−ベンゾ[1+2b:5、4−b′)ジピラン−8−カ
ルボン酸が得られた。
トリウムで乾燥し、ロータリーエバポレーターで真空下
留去することにより濃縮した。粗シス/トランスジカル
ボン酸生成物を濃縮し、クロロスルホン酸250mlを
加え、全体を室温で約1時間攪拌した。異色の反応混合
物を注意深く約3tの氷の中に注いだ。褐色の沈殿物を
吸引ろ過し水で洗い、高真突下で乾燥した。次いで、残
渣をアセトンに溶解し、ロータリーエバポレーターで真
空下留去することにより約50mlで濃縮し、しかる後
、酢酸エチル300m1を加え、微細な結晶沈殿物を吸
引ろ取した。かくして、融点295〜297℃の4−メ
チル−10−プロピル−2,6−ジオキソ−2H,6H
−ベンゾ[1+2b:5、4−b′)ジピラン−8−カ
ルボン酸が得られた。
実施例10
ピバリン酸ヨードメチル1.75 ml (11,0m
?71.OL)及び1、5−ジアザビシクロ〔5,4,
0〕ウンデカ−5−エン1.64g(11.0mmol
)を、4−メチル−10−アリル−2,6−シオキンー
2H,6H−ベンゾ[1、2−b:5.4−b’)ジピ
ラン−8−カルボン酸(実施例6)3.121(100
mmol)が溶解され、約0℃に冷却された無水ジメチ
ルホルムアミド(25m/)溶液に加えた。冷却浴を取
除き、混合物を室温で央に1時間攪拌した。反応混合物
を酢酸エチルで希釈し、水で洗い、硫酸ナトリウムで乾
燥した。溶媒をロータリーエバポレーターで真壁下濃縮
し、残渣をメタノール/水から再結晶させた。融点99
〜101℃の10−アリル−4−メチル−2,6−シオ
キソ−2H,6H−ベンゾ〔1,2−b:5、4−h’
)ジピラン−8−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエ
ステルが荷られた。
?71.OL)及び1、5−ジアザビシクロ〔5,4,
0〕ウンデカ−5−エン1.64g(11.0mmol
)を、4−メチル−10−アリル−2,6−シオキンー
2H,6H−ベンゾ[1、2−b:5.4−b’)ジピ
ラン−8−カルボン酸(実施例6)3.121(100
mmol)が溶解され、約0℃に冷却された無水ジメチ
ルホルムアミド(25m/)溶液に加えた。冷却浴を取
除き、混合物を室温で央に1時間攪拌した。反応混合物
を酢酸エチルで希釈し、水で洗い、硫酸ナトリウムで乾
燥した。溶媒をロータリーエバポレーターで真壁下濃縮
し、残渣をメタノール/水から再結晶させた。融点99
〜101℃の10−アリル−4−メチル−2,6−シオ
キソ−2H,6H−ベンゾ〔1,2−b:5、4−h’
)ジピラン−8−カルボン酸ピバロイルオキシメチルエ
ステルが荷られた。
実施例11
実施例8と類似した方法により、6−[3−(1−ブテ
ニル)]−8−(3−エトキシカルボニル−3−オキソ
プロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オ
キソ−2H−ベンゾ[3,4−b]ピランから、融点1
85〜187℃の2,10−ジオキソ−4−メチル−6
−(3−(1−ブテニル)]−2H。
ニル)]−8−(3−エトキシカルボニル−3−オキソ
プロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オ
キソ−2H−ベンゾ[3,4−b]ピランから、融点1
85〜187℃の2,10−ジオキソ−4−メチル−6
−(3−(1−ブテニル)]−2H。
10H−ベンゾ[1.2−b:5.6−b’]ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステルを製造することができ
た。
−8−カルボン酸エチルエステルを製造することができ
た。
出発物質は、例えば以下の方法により製造することがで
きる: 実施例5と同様に、8−アセチル−7−ヒドロキシ−4
−メチル−2−オキソ−21■−ベンゾ〔1゜2−b〕
ピラン及び4−ブロモ−2−ブデンから融点131〜1
33℃の8−アセデル−7−(2−ブテニルオキシ)−
4−メチル−2−オキソ−211−ベンゾ[1、2−t
)]ビランが得られ;実施例5と同様に、8−アセチル
−7−(2−ブテニルオキシ)−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ[1,2−t)]ピランから、融点1
16〜118℃の8−アセチル−6−(3−(1−ブテ
ニル)〕−〕7−ヒドロキシー4−メチルー2オキソ−
211−ベンゾ[1,2−b]ビランが得られ;実施例
4と同様に、8−アセチル−6−[3−(1−フチニル
)]−]7−ヒドロキシー4−メチルー2オキソ−2H
−ベンゾ[1,2−blビランから6−[3−(1−ブ
テニル))−8−(3−エトキシカルボニル−3−オキ
ソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−
オキノー2H−ベンゾ[3,4−b〕ピランが得られた
。
きる: 実施例5と同様に、8−アセチル−7−ヒドロキシ−4
−メチル−2−オキソ−21■−ベンゾ〔1゜2−b〕
ピラン及び4−ブロモ−2−ブデンから融点131〜1
33℃の8−アセデル−7−(2−ブテニルオキシ)−
4−メチル−2−オキソ−211−ベンゾ[1、2−t
)]ビランが得られ;実施例5と同様に、8−アセチル
−7−(2−ブテニルオキシ)−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ[1,2−t)]ピランから、融点1
16〜118℃の8−アセチル−6−(3−(1−ブテ
ニル)〕−〕7−ヒドロキシー4−メチルー2オキソ−
211−ベンゾ[1,2−b]ビランが得られ;実施例
4と同様に、8−アセチル−6−[3−(1−フチニル
)]−]7−ヒドロキシー4−メチルー2オキソ−2H
−ベンゾ[1,2−blビランから6−[3−(1−ブ
テニル))−8−(3−エトキシカルボニル−3−オキ
ソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−
オキノー2H−ベンゾ[3,4−b〕ピランが得られた
。
実施例12
実施例4と類似した方法によシ、6−[3−(1−フチ
ニル)] −8−(3−エトキシカルボニル−3−オキ
ソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−
オキソ−2H−ベンゾ[3,4−b〕 ピランから、融
点248〜250℃の2.10−ジオキソ−4−メチル
−6−(3−、(1−ブテニル)]−2H。
ニル)] −8−(3−エトキシカルボニル−3−オキ
ソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−
オキソ−2H−ベンゾ[3,4−b〕 ピランから、融
点248〜250℃の2.10−ジオキソ−4−メチル
−6−(3−、(1−ブテニル)]−2H。
10H−ベンゾ[1,2−b:5,6−h’]ジピラン
−8−カルボン酸を得ることができた一 実施例13 実施例8と類似した方法により、6−(2−(n−ブチ
ル)]−8−(3−エトキシ力ルボニル−3−オキソプ
ロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ〔3,4−b]ビランから、融点17
7〜178℃の2、10−ジオキソ−4−メチル−6−
[2−(n−ブチル)〕−2H、10H−ベンゾ[1,
2−b:5,6−b’)ジビラン−8−カルボン酸エチ
ルエステルを得ることができた。
−8−カルボン酸を得ることができた一 実施例13 実施例8と類似した方法により、6−(2−(n−ブチ
ル)]−8−(3−エトキシ力ルボニル−3−オキソプ
ロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ〔3,4−b]ビランから、融点17
7〜178℃の2、10−ジオキソ−4−メチル−6−
[2−(n−ブチル)〕−2H、10H−ベンゾ[1,
2−b:5,6−b’)ジビラン−8−カルボン酸エチ
ルエステルを得ることができた。
出発物質は、例えば以下の方法により製令することがで
きる: 実施例4及び5と同様にして、8−アセチル−6−[3
−(1−ブテニル)1−7−ヒドロキシ−4−メチル−
2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b)ピラン(実施
例11参照)から、融点97〜99℃の8−アセチル−
6−[2−(n−ブチル)]−]7−ヒドロキシ−4−
メチル−2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b]ビラ
ンが;実施例4と同様にして、8−アセチル−6−(2
−(n−ブチル)〕−〕7−ヒドロキシー4−メチルー
2オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b)ビランから6−
[2−(n−ブチル)]−8−(3−エトキシカルボニ
ル−3−オキソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−
メチル−2−オキソ−2H−ベンゾ[3,4−h]ピラ
ンを製造することができる。
きる: 実施例4及び5と同様にして、8−アセチル−6−[3
−(1−ブテニル)1−7−ヒドロキシ−4−メチル−
2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b)ピラン(実施
例11参照)から、融点97〜99℃の8−アセチル−
6−[2−(n−ブチル)]−]7−ヒドロキシ−4−
メチル−2−オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b]ビラ
ンが;実施例4と同様にして、8−アセチル−6−(2
−(n−ブチル)〕−〕7−ヒドロキシー4−メチルー
2オキソ−2H−ベンゾ[1,2−b)ビランから6−
[2−(n−ブチル)]−8−(3−エトキシカルボニ
ル−3−オキソプロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−
メチル−2−オキソ−2H−ベンゾ[3,4−h]ピラ
ンを製造することができる。
案施例14
実施例4と類似した方法により、6−[2−(n−ブチ
ル)]−8−(3−エトキシカルボニル−3−オキソプ
ロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ[3,4−b]ビランから、融点23
7〜239℃の2,10−ジオキソ−4−メチル−6−
[2−(n−ブチル)]−2H。
ル)]−8−(3−エトキシカルボニル−3−オキソプ
ロピオニル)−7−ヒドロキシ−4−メチル−2−オキ
ソ−2H−ベンゾ[3,4−b]ビランから、融点23
7〜239℃の2,10−ジオキソ−4−メチル−6−
[2−(n−ブチル)]−2H。
10H−ベンゾ[1,2−b:5,6−b’]ジビラン
−8−カルボン酸を製造することができた。
−8−カルボン酸を製造することができた。
実施例15
活性成分として、例えば4−メチル−10−プロピル−
2,6−ジオキソ−2H,6H−ベンゾ〔1,2−b:
5.4−b’]ジピラン−8−カルボン酸はその塩を2
5mg含有する錠剤を、以下の如くして製造することが
できた: 成分(1000個の錠剤) 活性成分 25.Og乳糖
100.7g小麦デンプン
7.5gポリエチレングリコ
ール6000 5.0gタルク
5.0gステアリン酸マグネシウム
1.8g脱塩水
適量製造 全ての固体成分を、まず、メッシュ幅0.6mmのふる
いにかけた。次いで、活性成分、乳糖、メルク、ステア
リン酸マグネシウム及び半解のデンプンを混合した。残
余の半量のデンプンを40mlの水に懸濁し、この懸濁
液を100mlの水にポリエチレングリコールが溶解さ
れた沸騰水溶液中に加えた。得られたデンプンペースト
を上記主要部分中に加え、混合物を必要ならば水を加え
て粒状化えた。顆粒を35℃で一夜乾燥し、メッシュ幅
1.2mmのふるいにかけ、圧縮して、両側部が陥没し
た直径約6mmの錠剤を形成した。
2,6−ジオキソ−2H,6H−ベンゾ〔1,2−b:
5.4−b’]ジピラン−8−カルボン酸はその塩を2
5mg含有する錠剤を、以下の如くして製造することが
できた: 成分(1000個の錠剤) 活性成分 25.Og乳糖
100.7g小麦デンプン
7.5gポリエチレングリコ
ール6000 5.0gタルク
5.0gステアリン酸マグネシウム
1.8g脱塩水
適量製造 全ての固体成分を、まず、メッシュ幅0.6mmのふる
いにかけた。次いで、活性成分、乳糖、メルク、ステア
リン酸マグネシウム及び半解のデンプンを混合した。残
余の半量のデンプンを40mlの水に懸濁し、この懸濁
液を100mlの水にポリエチレングリコールが溶解さ
れた沸騰水溶液中に加えた。得られたデンプンペースト
を上記主要部分中に加え、混合物を必要ならば水を加え
て粒状化えた。顆粒を35℃で一夜乾燥し、メッシュ幅
1.2mmのふるいにかけ、圧縮して、両側部が陥没し
た直径約6mmの錠剤を形成した。
類似した方法により、実施例1〜14に記載した式Iの
化合物のうち、いずれか一つを含有する錠剤を製造する
ことも可能である。
化合物のうち、いずれか一つを含有する錠剤を製造する
ことも可能である。
実施例16
遊離形で又は塩の形で本発明の水溶性活性成分を含有し
、吸入用として好適な約2%の水溶液を、例えば、以下
の組成物から製造することができる:組成物 4−メチル−10−アリル−2、6−ジオキソ−2H、
6H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b′)−ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステル等の活性成分
2000mgエチレンジアミン四酢酸ニナトリウム
塩等の安定剤 10mg
塩化ベンザルコニウム等の防腐剤 10mg蒸留
したばかりの水 全量100ml製造 活性成分を、蒸留したばかりの水に、等モル沿の2N水
酸化ナトリウム溶液を加えることにより溶解させた。次
いで、安定剤及び防腐剤を加えた全ての成分を完全に溶
解した後、得られた溶液を全量100mlとし、小フラ
スコに入れ気密に封をした。
、吸入用として好適な約2%の水溶液を、例えば、以下
の組成物から製造することができる:組成物 4−メチル−10−アリル−2、6−ジオキソ−2H、
6H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b′)−ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステル等の活性成分
2000mgエチレンジアミン四酢酸ニナトリウム
塩等の安定剤 10mg
塩化ベンザルコニウム等の防腐剤 10mg蒸留
したばかりの水 全量100ml製造 活性成分を、蒸留したばかりの水に、等モル沿の2N水
酸化ナトリウム溶液を加えることにより溶解させた。次
いで、安定剤及び防腐剤を加えた全ての成分を完全に溶
解した後、得られた溶液を全量100mlとし、小フラ
スコに入れ気密に封をした。
類似した方法により、実施例1〜14のうちいずれか一
つの活性成分を含有する2%吸入溶液を製造することも
可能である。
つの活性成分を含有する2%吸入溶液を製造することも
可能である。
実施例17
遊離形で又はナトリウム塩の形で本発明の水溶性活性成
分を含有し、吸入用として好適な約2%の水溶液を、例
えば、以下の組成物から製造することができる: 組成物 4−メチル−10−アリル−2、6−ジオキソ−2H、
6H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b′)−ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステル等の活性成分
2000mgエチレンジアミン四酢酸ニナトリウム塩
等の安定剤 10mg塩化
ベンザルコニウム等の防腐剤 10mg蒸留したば
かりの水 全量100ml製造 活性成分を蒸留したばかりの水に溶解した。次いで、安
定剤及び防腐剤を加えた。全ての成分を完全に溶解させ
た後、得られた溶液を全量100mlとし、小フラスコ
に入れ気密に封をした。
分を含有し、吸入用として好適な約2%の水溶液を、例
えば、以下の組成物から製造することができる: 組成物 4−メチル−10−アリル−2、6−ジオキソ−2H、
6H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b′)−ジピラン
−8−カルボン酸エチルエステル等の活性成分
2000mgエチレンジアミン四酢酸ニナトリウム塩
等の安定剤 10mg塩化
ベンザルコニウム等の防腐剤 10mg蒸留したば
かりの水 全量100ml製造 活性成分を蒸留したばかりの水に溶解した。次いで、安
定剤及び防腐剤を加えた。全ての成分を完全に溶解させ
た後、得られた溶液を全量100mlとし、小フラスコ
に入れ気密に封をした。
類似した方法圧より、実施例1〜14のうちいずれか一
つの別の活性成分を含有する2%吸入溶液を製造するこ
とも可能である。
つの別の活性成分を含有する2%吸入溶液を製造するこ
とも可能である。
実施例18
本発明の活性成分を約25mg含有した噴霧吸入用とし
て好適なカプセルを、例えば、以下の組成物から製造す
ることができる: 組成物 4−メチル−10アリル−2、6−ジオキソ−2H、6
H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b′)ジピラン−8
−カルボン酸エチルエステル等の活性成分 2
5g非常に細かく粉末化された乳糖 25g製造 活性成分及び乳糖を十分に混合した。次いで、得られた
粉末をふるいにかけ、1000個のゼラチンカプセル中
に、それぞれ50mgの割合で充填した。
て好適なカプセルを、例えば、以下の組成物から製造す
ることができる: 組成物 4−メチル−10アリル−2、6−ジオキソ−2H、6
H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b′)ジピラン−8
−カルボン酸エチルエステル等の活性成分 2
5g非常に細かく粉末化された乳糖 25g製造 活性成分及び乳糖を十分に混合した。次いで、得られた
粉末をふるいにかけ、1000個のゼラチンカプセル中
に、それぞれ50mgの割合で充填した。
類似した方法により、実施例1〜14のうちのいずれか
一つの活性成分を、それぞれ含有する噴霧吸入用カプセ
ルを製造することができる。
一つの活性成分を、それぞれ含有する噴霧吸入用カプセ
ルを製造することができる。
式■で示される化合物の抗アレルギー活性試験(ラット
を用いたPCA試験:経口投与してmg/Kgで表した
ED−50値) 特許請求の範囲第7項の化合物 0.3特許請求の範
囲第8項の化合物 0.1特許請求の範囲第9項の化
合物 0.1特許請求の範囲第10項の化合物 0.
03特許請求の範囲第11頃の化合物 0.1第1頁の
続き (ヰ発 明 者 パウル・ヴエンク スイス国4123アルシュヴイル・ クラエレンベーク7 1宿発 明 者 ビニール・ジョルジオ・フェリーニ スイス国4102ビンニンゲン、イ ム・レーヴエクゼル22
を用いたPCA試験:経口投与してmg/Kgで表した
ED−50値) 特許請求の範囲第7項の化合物 0.3特許請求の範
囲第8項の化合物 0.1特許請求の範囲第9項の化
合物 0.1特許請求の範囲第10項の化合物 0.
03特許請求の範囲第11頃の化合物 0.1第1頁の
続き (ヰ発 明 者 パウル・ヴエンク スイス国4123アルシュヴイル・ クラエレンベーク7 1宿発 明 者 ビニール・ジョルジオ・フェリーニ スイス国4102ビンニンゲン、イ ム・レーヴエクゼル22
Claims (22)
- (1)次式: 〔式中、Rは無置換の又はエステル化もしくはアミド化
されたカルボキシル基、又はテトラゾリル基を表し;R
1は水素原子又は脂肪族基を表し;R2は水素原子、脂
肪族基、アシル基又は場合によりエーテル化もしくはエ
ステル化されたヒドロキシル基を表し:R4は 次式: (式中、R6は水素原子又は場合によりヒドロキシル基
で置換された脂肪族基を表し、:R7は水素原子又は脂
肪族基を表し:R6は基R5及びR6のうちいずれか一
つと共にオキシ基を表し、基R8及びR6のうちの他方
は、水素原子を表すが、あるいはその他方のものがR5
である場合は、R5はヒドロキシル基を表してもよい)
の基を表す) で示される6位置換−4−オキソ−4H−1−ベンゾピ
ラン及び塩形成能を有する式(1)の化合物の塩。 - (2)R1が式:−C(R6)−C(R7)−C(=O
)−R6の基を表し、R6がR5と共にオキシ基を表し
、R1、R2、R3及びR7が水素原子を表し、R6が
メチル基である場合には、Rはエトキシカルボニル基以
外の基である、特許請求の範囲第1項記載の式(■)の
化合物。 - (3)Rがカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基、ヒドロキシ低級アルコキシカルボニル基、低級アル
カノイルオキシ低級アルコギソカルボニル基、カルバモ
イル基、N−モノもしくはN−ジ低級アルギルカルバモ
イル基、1−テトラゾリルカルボニル基又は5−テトラ
ゾリル基を表し;R1が水素原子、低級アルキル基又は
低級アルケニル基を表し;R2が水素原子、低級アルキ
ル基、低級アルケニル基、低級アルカノイル基、場合に
より低級アルキル、低級アルコキシ及び/又はハロゲン
原子で置換されたベンゾイル基、ヒドロキシル基、低級
アルコキシ基、低級アルクごルオキシ基、ハロゲン原子
もしくは低級アルカノイルオキシ基を表し;R4が式:
−C(R6)=C(R7)−C(=0)−R5(式中、
R6は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基又
はヒドロキシ低級アルキル基を表し:R7は水素原子、
低級アルキル基又は低級アルケニル基を表し;R8は基
R5及びR6のいずれか一つと共にオキシ基を表し、基
R3及びR6のうちの他方は水素原子を表すか、あるい
はその他方のものがR6である場合には、R5はヒドロ
キシル基を表してもよい;特許請求の範囲第1項又は第
2項記載の式(1)の化合物及びその塩。 - (4)Rがカルボキシル基、低級アルコキシカルボニル
基又は低級アルカノイルオキシ低級アルコキシカルボニ
ル基を表し;R1が水素原子又は低級アルキル基を表し
:R2が水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基
、ヒドロキシル基、低級アルコキシル基、低級アルカノ
イルオキン基又はハロゲン原子を表し;R6が式:−C
(R6)=C(R7)−C(=O)−R3(式中、R6
及びR7はそれぞれ独立して水素原子又は低級アルキル
基を表し;R8は基R3及びR2のいずれか一つと共に
オキシ基を表し、基R8及びR5のうちの他方は水素原
子を表す;特許請求の範囲第1項又は第2項記載の式(
1)の化合物及びその塩。 - (5)Rがカルボキシル基又は低級−アルキル部が炭素
原子数4以下である低級アルコキシカルボニル基を表し
;R3が水素原子を表し;R2が水素原子、炭素原子数
4以下の低級アルキル基又は炭素原子数4以下の低級ア
ルケニル基を表し:R4が式:−C(R6)=C(R7
)−C(=O)−R8(式中、R6は炭素原子数4以下
の低級アルキル基を表し;R7は水素原子を表し;基R
5及びR6のうちのいずれか一つはR8と共にオキシ基
を表し、他の基が水素原子を表す:特許請求の範囲第1
項又は第2項記載の式(1)の化合物及びその塩。 - (6)Rがカルボキシル基を表し;R1が水素原子を表
し;R7が炭素原子数4以下の低級アルキル基又は炭素
原子数4以下の低級アルケニル基を表し:R4が式:−
C(R6)=C(R7)−C(=O)6(式中、R6は
炭素原子数4以下の低級アルキル基を表し;R7は水素
原子を表し;基R3及びR5のうちいずれか一つはR8
と共にオキシ基を表し、他の基は水素原子を表す;特許
請求の範囲第1項又は第2項記載の式(1)の化合物及
びその塩。 - (7)4−メチル−2.6−シオキソ−2H,6H−ベ
ンゾ[1,2−b:5.4−b′)ジピラン−8−カル
ボン酸又はその塩。 - (8)4−メチル−10−プロピル−2,6−ジオキソ
−2H,6H−ベンゾ(1.2−b:5,4−b′]ジ
ピラン−8−カルボン酸はその塩。 - (9)4−メチル−6−プロピル−2.10−ジオキソ
−2H,10H−ベンゾ[1,2−b:3、4−b′)
ジピラン−8−カルボン酸又はその塩。 - (10)4−メチル−10−アリル−2、6−ジオキソ
−2H,6H−ベンゾ(1、2−b:5、4−b’)ジ
ピラン−8−カルボン酸又はその他。 - (11)6−アリル−4−メチル−2、10−ジオキソ
−2H、10H−ベンゾ(1、2−b:3、4−b′〕
ジピラン−8−カルボン酸又はその塩。 - (12)抗アレルギー作用を有する特許請求の範囲第1
項〜第11項のいずれかに記載の化合物。 - (13)人体又は動物の治療処置方法において使用され
る特許請求の範囲第1項〜第12項のいずれかに記載の
化合物。 - (14)特許請求の範囲第1項〜第13項のいずれかに
記載されている少なくとも一つの化合物を含有する薬学
的製剤。 - (15)特許請求の範囲第1項〜第13項のいずれかに
記載されている化合物をアレルギー疾患の治療剤として
使用する方法。 - (16)特許請求の範囲第1項〜第13項のいずれかに
記載されている化合物を薬学的製剤の製造用として使用
する方法。 - (17)実施例1〜14に記載されている新規な化合物
。 - (18)特許請求の範囲第1項〜第13項のいずれかに
記載されている化合物を場合により常用の添加物及び相
体の混合物と一緒に加工することにより、薬学的製剤を
成形することを特徴とする薬学的製剤の製造方法。 - (19)a)次式: 〔式中、X1はヒドロキシル基又は反応性エステル化ヒ
ドロキシル基を表し、X2は式:−CO−CH(R1)
−CO−Rの基を表し、R3′、R4′及びR5′はそ
れぞれR2、R4及びR5と同義であるが;又はX1は
式−O−C(R)=C(R1)−CO−R6(式中、R
9は適宜の脱離基を表す)の基を表し、X2は水素原子
を表し、R3′、R4′及びR5′は、それぞれR3、
R4及びR5と同義であるか:又は、X1は式:−O−
C(R)=C(R1)−CO−X1′の基を表し、X1
′はX2と共に共通の結合を表し、基R及びRのうちい
ずれか一つは式:−0−CO−CH(R7)−CO−も
の基を表し、他の基はそれぞれ馬又は馬の意味を有し、
R4′は水素原子を表すか;又は、いずれか一つは水素
原子又は反応性エステル化ヒドロキシル基を表し、他の
基はそれぞれR5又はR5の意味を有し、R5′は式:
−C(R5)−C(R7)−Co−鳥(Rやは適宜の脱
離基を表す)の基を表すか;又は、Xlは式:−O−C
(R)=C(R1)−CO−X1′の基を表し、X1′
はX2と共に共通の結合を表し、基板及びへカうちいず
れか一つは式:−O−CO−C(R1)=P(X3)3
(X3は脂肪族もしくは芳香族基、低級アルコキシ基又
は場合により置換されたフェノキシ基を表す)の基を表
し、他の基はそれぞれR又はR3の意味を有し、R4は
式:−CO−R6の基を表す〕で示される化合物又はか
かる化合物の塩を環化せしめるか、 又は、 b)次式: (式中、R4′は式:−C(R6)(X5)−C(R7
)(R6′)−CO−Rの基を表し、変換基X5、X6
、X5′及びX6′はそれぞれ水素原子又はハロゲン原
子を表すか;あるいは変換基X、及び為並びにX5′及
びX6′の苅のうちいずれか一つは共通の結合を表し、
他の対の変換基はそれぞれ水素原子又はハロゲン原子を
表すか;あるいは他の対の変換基のうちいずれか一つは
水素原子を表し、かかる対の他の変換基は適宜の脱離可
能基を表す) で示される化合物又はその塩から、式:X5′−X6′
及び/又はX5−X6の化合物を除去して一もしくはニ
の付加的な結合を形成せしめるか、 又は、 e)次式。 (式中、R0はRに変換され得る基を表す)で示される
化合物において、R6を基Rに変換せしめるか、 又は、 d)次式: (式中、R4は式:−C(R6)=C(R7)−Z′−
R5の基を表し、基2′及び2のうちいずれか一つはカ
ルボニル基に変換され得る基を表し、他の基は、カルボ
ニル基又はカルボニル基に変換され得る基を表す) で示される化合物又はその塩もしくは互変異性体におい
て、Z′及び/又はZをカルボニル基に変換せしめるが
、 必要ならば、本方法により得られる異性体混合物を各異
性体に分離して所望の異性体を単離し、更に望むならば
、得られた化合物を別の式(1)の化合物に変換し及び
/又は得られた遊離化合物を塩に変換するか、あるいは
得られた塩を遊離化合物又は別の塩に変換することを特
徴とする特許請求の範囲第1項〜第13項のいずれかに
記載されている式(1)の化合物の製造方法。 - (20)前記方法のあらゆる段階において中間体として
得られる化合物を出発物質として使用して残りの工程を
実施し及び/又は出発物質を塩、誘導体及び/又はラセ
ミ化合物もしくは対掌体の形で使用するか、あるいは、
特に反応条件下で形成された出発物質をそのまま使用す
る特許請求の範囲第19項記載の方法。 - (21)特許請求の範囲第19項又は第20項記載の方
法において使用される新規な出発物質及び/又は中間体
。 - (22)特許請求の範囲第19項又は20項記載の方法
により得られる化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH5806/820 | 1982-10-01 | ||
CH580682 | 1982-10-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5982379A true JPS5982379A (ja) | 1984-05-12 |
Family
ID=4299618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58182927A Pending JPS5982379A (ja) | 1982-10-01 | 1983-09-30 | 6位置換−4−オキソ−4h−1−ベンゾピラン類、その製造方法及びそれを含む薬学的製剤 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0108036A1 (ja) |
JP (1) | JPS5982379A (ja) |
AU (1) | AU1978583A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0150966B1 (en) * | 1984-01-26 | 1989-07-12 | FISONS plc | Benzopyran derivatives, compositions containing them and processes for their preparation |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2009157B (en) * | 1977-11-30 | 1982-05-19 | Fisons Ltd | Insoluble salts of nezodipyrans |
-
1983
- 1983-09-26 EP EP83810429A patent/EP0108036A1/de not_active Withdrawn
- 1983-09-30 JP JP58182927A patent/JPS5982379A/ja active Pending
- 1983-09-30 AU AU19785/83A patent/AU1978583A/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0108036A1 (de) | 1984-05-09 |
AU1978583A (en) | 1984-04-05 |
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