JPS5977618A - 磁気抵抗効果形磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果形磁気ヘツドInfo
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- JPS5977618A JPS5977618A JP18857282A JP18857282A JPS5977618A JP S5977618 A JPS5977618 A JP S5977618A JP 18857282 A JP18857282 A JP 18857282A JP 18857282 A JP18857282 A JP 18857282A JP S5977618 A JPS5977618 A JP S5977618A
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- magneto
- insulating layer
- magnetoresistive film
- magnetoresistive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は磁気抵抗効果を利用して磁気配録媒体の再生
を行なう磁気抵抗効果形磁気ヘッド、より具体的には作
動ギャップを有する磁気回路をなす磁気コアの一部分が
切断されてなる磁気抵抗効果形磁気ヘッドに関し、特に
感度を向上しうるようにしたものである。
を行なう磁気抵抗効果形磁気ヘッド、より具体的には作
動ギャップを有する磁気回路をなす磁気コアの一部分が
切断されてなる磁気抵抗効果形磁気ヘッドに関し、特に
感度を向上しうるようにしたものである。
背鼠技術とその問題点
磁気抵抗効果形磁気ヘッドは回磁誘導形再生磁気ヘッド
に比し、狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生に優
れたものとして知られている０この磁気抵抗効果形磁気
ヘッドとしては磁気抵抗効果素子をテープ対接面から後
退させて配置したいわゆるリアタイプ形の磁気抵抗効果
形磁気ヘッドが提案されている。
に比し、狭トラツク再生、短波長再生、超低速再生に優
れたものとして知られている０この磁気抵抗効果形磁気
ヘッドとしては磁気抵抗効果素子をテープ対接面から後
退させて配置したいわゆるリアタイプ形の磁気抵抗効果
形磁気ヘッドが提案されている。
第１図はこのリアタイプの磁気抵抗効果形磁気ヘッドを
簡略化して示すもので、この第１Ｍにおいてフェライト
基板（１）上には順次バイアス導体（２）、磁気抵抗効
果膜（３）及びコア磁性体（４）が設けられている。フ
ェライト基板（１）は例えばＮ１−Ｚｎｎフジイ） 、
Ｍｎ−Ｚｎフェライト等からなる。バイアス導体（２）
は磁気抵抗効果膜（３）に磁気的なバイアスをかけるも
のである。場合によっては磁気抵抗効果膜（３）にいわ
ゆるパーパーヂールを形成してこのバイアス導体（２）
を省略するようにしてもよい１−１磁気抵抗効果膜（３
）を自己バイアスさせるよう圧してもよい。磁気抵抗効
果膜（３）はフェライト基板（１）のテープ対接面へ呻
から１０μｍ退いた位置に形成され、その形状は５〜１
０μｍ幅のコ字状となっている。コア磁性体（４）はテ
ープ対接面（１ａ）側から奥まった方向に延在するもの
で、磁気抵抗効果膜（３）をまたぐような配置となって
いる。そしてこの磁気抵抗効果膜（３）の配置でコア磁
性体（４）に切断部（４ａ）が形成されている。尚この
コア磁性体（４）はノｆ−マロイ、モリブデンノ９−マ
ロイ、センダスト、 Ｃｏ−Ｚｎ、Ｆｅ−Ｂ等のアモル
ファス膜により形成される。この場合コア磁性体（４）
及びフェライト基板（１）は磁気回路を形成し、この磁
気回路を通る磁束が切断部（４ａ）により磁気抵抗効果
膜（３）を迂回するようになっている。
簡略化して示すもので、この第１Ｍにおいてフェライト
基板（１）上には順次バイアス導体（２）、磁気抵抗効
果膜（３）及びコア磁性体（４）が設けられている。フ
ェライト基板（１）は例えばＮ１−Ｚｎｎフジイ） 、
Ｍｎ−Ｚｎフェライト等からなる。バイアス導体（２）
は磁気抵抗効果膜（３）に磁気的なバイアスをかけるも
のである。場合によっては磁気抵抗効果膜（３）にいわ
ゆるパーパーヂールを形成してこのバイアス導体（２）
を省略するようにしてもよい１−１磁気抵抗効果膜（３
）を自己バイアスさせるよう圧してもよい。磁気抵抗効
果膜（３）はフェライト基板（１）のテープ対接面へ呻
から１０μｍ退いた位置に形成され、その形状は５〜１
０μｍ幅のコ字状となっている。コア磁性体（４）はテ
ープ対接面（１ａ）側から奥まった方向に延在するもの
で、磁気抵抗効果膜（３）をまたぐような配置となって
いる。そしてこの磁気抵抗効果膜（３）の配置でコア磁
性体（４）に切断部（４ａ）が形成されている。尚この
コア磁性体（４）はノｆ−マロイ、モリブデンノ９−マ
ロイ、センダスト、 Ｃｏ−Ｚｎ、Ｆｅ−Ｂ等のアモル
ファス膜により形成される。この場合コア磁性体（４）
及びフェライト基板（１）は磁気回路を形成し、この磁
気回路を通る磁束が切断部（４ａ）により磁気抵抗効果
膜（３）を迂回するようになっている。
勿論テープ対接面（ｌａ） においてはコア磁性体（４
）及びフェライト基板（１）の間にイヤツブｇが形成さ
れる。
）及びフェライト基板（１）の間にイヤツブｇが形成さ
れる。
第１図では省略したけれども、この磁気ヘッドにおいて
も各揮絶縁ｒＰ等が用いられる。ＮＵち坑２図に示すよ
うにフェライト基板（１）上には先ずバイアス導体（２
）が被着され、このバイアス導体（２）上に８１０．２
ｊ Ａｔ２０．等の絶縁＃ （５）を中盤状に形成す
る。
も各揮絶縁ｒＰ等が用いられる。ＮＵち坑２図に示すよ
うにフェライト基板（１）上には先ずバイアス導体（２
）が被着され、このバイアス導体（２）上に８１０．２
ｊ Ａｔ２０．等の絶縁＃ （５）を中盤状に形成す
る。
そしてこの絶縁層（５）の上に磁気抵抗効果膜（３）を
蒸着やスパッタリングによって被着し、この後戻に絶縁
層（６）を被着する。この絶縁層（６）はギャップｇの
長さを規定するためのものでもある。この場合コア磁性
体（４）とフェライト基板（１）とを磁気的に結合する
ためのコンタクト窓（６ａ）を形成するようにする。尚
ギャップ長が大となってもよい場合には上述した中盤状
の絶縁層（５）の不用部分をエツチングする等の必要は
なく、この絶縁！ （５）の上に更に他の絶縁層（６）
を被着するようにしてもよい。この後コア磁性体（４）
を蒸着やスパッタリングにより形成し、この上に更にＰ
ｔ＆層（７）を被着する。そしてこの絶縁層（７）上に
ガラス板やセラミック板からなる保護板（８）を接着剤
（９）￥Ｃよって接合する。
蒸着やスパッタリングによって被着し、この後戻に絶縁
層（６）を被着する。この絶縁層（６）はギャップｇの
長さを規定するためのものでもある。この場合コア磁性
体（４）とフェライト基板（１）とを磁気的に結合する
ためのコンタクト窓（６ａ）を形成するようにする。尚
ギャップ長が大となってもよい場合には上述した中盤状
の絶縁層（５）の不用部分をエツチングする等の必要は
なく、この絶縁！ （５）の上に更に他の絶縁層（６）
を被着するようにしてもよい。この後コア磁性体（４）
を蒸着やスパッタリングにより形成し、この上に更にＰ
ｔ＆層（７）を被着する。そしてこの絶縁層（７）上に
ガラス板やセラミック板からなる保護板（８）を接着剤
（９）￥Ｃよって接合する。
このようなリアタイプの磁気抵抗効果形磁気ヘッドでは
磁気抵抗効果膜（３）が直接磁気テープに接触しないの
で磁気抵抗効果膜が摩耗することがな−。
磁気抵抗効果膜（３）が直接磁気テープに接触しないの
で磁気抵抗効果膜が摩耗することがな−。
ところでこのような磁気ヘット９では磁気抵抗効果膜（
３）がテープ対接面（１ａ）よシ上述のとおり例えばｌ
Ｏ＃Ｉはど後退しているため、磁気回路による横失が大
きく、このため感度が劣化する恐れがあった。
３）がテープ対接面（１ａ）よシ上述のとおり例えばｌ
Ｏ＃Ｉはど後退しているため、磁気回路による横失が大
きく、このため感度が劣化する恐れがあった。
このため高分解能の再生が困難となる。しかも上述から
理解されるように磁気抵抗効果膜（３）に磁束を通すた
めにコア磁性体（４）に切断部（４ａ）を形成している
。したがって、一層上述の不都合が顕著なものとなって
しまう。
理解されるように磁気抵抗効果膜（３）に磁束を通すた
めにコア磁性体（４）に切断部（４ａ）を形成している
。したがって、一層上述の不都合が顕著なものとなって
しまう。
この場合、感度を向上させるには、
（１）磁気抵抗効果膜（３）に流れる蝉、流”ＭＲを大
とすること、 ■ 磁気抵抗効果膜（３）を鎖交する磁束φを大とする
こと、 ■ 磁気抵抗効果膜（３）の断面積を大とすることが考
えられる。
とすること、 ■ 磁気抵抗効果膜（３）を鎖交する磁束φを大とする
こと、 ■ 磁気抵抗効果膜（３）の断面積を大とすることが考
えられる。
ｆａｌｌち、この磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果膜（３
）に磁気的なバイアスをかけておき磁気テープの残留磁
化に応じて磁気回路に流れる磁束を変化させ、この磁束
の変化による磁気抵抗効果膜（３）の抵抗変化ΔＲを京
、圧の変化として検出するものである。そしてこの磁気
ヘッドの出力電圧Δｅはｔを磁気抵抗効果膜（３）の厚
さ、Ｗを磁気抵抗効果膜（３）の幅とすると、Δｅ＝１
ＭＲ×ΔＲ＝に、ＩＭＲ・φ／ｌｖ （ｋは比例定数）
となる。従って上述のような３つの態様で感度を上昇さ
せうろことが理解できる。
）に磁気的なバイアスをかけておき磁気テープの残留磁
化に応じて磁気回路に流れる磁束を変化させ、この磁束
の変化による磁気抵抗効果膜（３）の抵抗変化ΔＲを京
、圧の変化として検出するものである。そしてこの磁気
ヘッドの出力電圧Δｅはｔを磁気抵抗効果膜（３）の厚
さ、Ｗを磁気抵抗効果膜（３）の幅とすると、Δｅ＝１
ＭＲ×ΔＲ＝に、ＩＭＲ・φ／ｌｖ （ｋは比例定数）
となる。従って上述のような３つの態様で感度を上昇さ
せうろことが理解できる。
しかしながら上述の■及び■の方法は事実上採用するこ
とはできない。即ち一般にはノイズの電流”ＭＲに対す
る依存は第２図に示すよう罠なっている。この図から理
解されるようにＳ／Ｎは５ｍＡ程度で最大となりそれよ
シ小さくても大きくてもＳ／）Ｊは劣化する。従ってＳ
Ａの点から電流ＩＭＲを大とすること罠は限界があるの
である。尚第２図ではノイズ（１２５〜１００ ｋＨｚ
）を８０ｄＢの増幅器で増幅した場合のものとした。
とはできない。即ち一般にはノイズの電流”ＭＲに対す
る依存は第２図に示すよう罠なっている。この図から理
解されるようにＳ／Ｎは５ｍＡ程度で最大となりそれよ
シ小さくても大きくてもＳ／）Ｊは劣化する。従ってＳ
Ａの点から電流ＩＭＲを大とすること罠は限界があるの
である。尚第２図ではノイズ（１２５〜１００ ｋＨｚ
）を８０ｄＢの増幅器で増幅した場合のものとした。
次に■の断面積の増大について考える。Ｗを小さくする
ことは先ず微細加工上限界がある。他方ｔは２５０″に
程度が限界となる。これは磁気特性上の限界である。結
局感度を上昇させるには■の方法が有効である。
ことは先ず微細加工上限界がある。他方ｔは２５０″に
程度が限界となる。これは磁気特性上の限界である。結
局感度を上昇させるには■の方法が有効である。
発明の目的
この発明は上述の事情を考慮してなされたものであシ、
感度の高い磁気抵抗効果形磁気ヘツＰを提供することを
目的としている。
感度の高い磁気抵抗効果形磁気ヘツＰを提供することを
目的としている。
発明の概要
この発明ではこのような目的を達成するため忙磁気回路
の切断部と磁気抵抗効果膜とを磁気的に短絡するように
してｈる。
の切断部と磁気抵抗効果膜とを磁気的に短絡するように
してｈる。
この磁気抵抗効果形磁気ヘツ゛ドでは磁気回路の（ｎ失
が少なくなり高感度化を実」することができる。このた
め高分解能とすることができる。
が少なくなり高感度化を実」することができる。このた
め高分解能とすることができる。
実施例
以下この発明の実施例について第４図以降の図面を参照
しながら説明しより。尚以降の図面において哨１図又は
第２図と対応する個所には対応する符号を付してそれぞ
れの詳細説明を省略しである。
しながら説明しより。尚以降の図面において哨１図又は
第２図と対応する個所には対応する符号を付してそれぞ
れの詳細説明を省略しである。
ｔ■４図はこの発明の第１の実施例を示し、この第４図
においてはコア磁性体（４）及び磁気抵抗効果膜（３）
との間に磁気抵抗が火−…大な高這磁率材料の層例えば
Ｎ１−Ｚｎフェライト層０９を破着形成するようにして
いる。本例では従前透磁率が１１＼さな絶縁層（６）（
第２図参照）が介在していた部分にＮトＺｎフェライト
層（ＩＪを配しているので磁気回路の磁気伍抗が小さく
なり、これによって磁気抵抗効果膜（３）を鎖交する磁
束φを充分に大とでき、この結果感度を増大させること
ができる。
においてはコア磁性体（４）及び磁気抵抗効果膜（３）
との間に磁気抵抗が火−…大な高這磁率材料の層例えば
Ｎ１−Ｚｎフェライト層０９を破着形成するようにして
いる。本例では従前透磁率が１１＼さな絶縁層（６）（
第２図参照）が介在していた部分にＮトＺｎフェライト
層（ＩＪを配しているので磁気回路の磁気伍抗が小さく
なり、これによって磁気抵抗効果膜（３）を鎖交する磁
束φを充分に大とでき、この結果感度を増大させること
ができる。
本例では好ましくは絶縁層（５）を熱伝導度の高いもの
例えばシリコンカーバイト（０，１０ｃ＆ｔ／ｃｍ・５
ｅｅ−Ｋ ） Ｎ シリコンナイトライド（０，０３〜
０．０９ｃ＆ｔ／（：ｍ ・ｓｅｅ ・Ｋ ） 、アル
ｉす（０，０６〜０．１ ｅａｔ／ｃｍ ・５ｅｃ−Ｋ
）、ベリリア（０，５８ｃａｔ／ｃｌｎ・ｎｎｃ ・Ｋ
）とする。
例えばシリコンカーバイト（０，１０ｃ＆ｔ／ｃｍ・５
ｅｅ−Ｋ ） Ｎ シリコンナイトライド（０，０３〜
０．０９ｃ＆ｔ／（：ｍ ・ｓｅｅ ・Ｋ ） 、アル
ｉす（０，０６〜０．１ ｅａｔ／ｃｍ ・５ｅｃ−Ｋ
）、ベリリア（０，５８ｃａｔ／ｃｌｎ・ｎｎｃ ・Ｋ
）とする。
このことにより一層感度を向−ヒきぜることかできる。
これは熱Ｎ、音を抑えることができるからである。
一般に熱抵抗効果膜（３）で発生する熱雑音６ｎは電流
と無関係に Ｑ ｎＯｊげ（Ｔ；絶対温度） であシ、他方出力重圧θｏｉｌ： ｅｏｏｃ、■ＭＲ であり、温度による抵抗の変化を簡略化のために無視す
れば、・ジュール熱の発生により磁気抵抗効果膜（３）
の温度Ｔは Ｔ＝Ｔ、＋ΔＴ （Ｔ ６ ％室ｍ） となるヶここでΔ’ｌ’ｃｙｅｌ、ｌＥである。従って
Ｓ／Ｎ ＦｉとなりＳ／′ＮはＷｆ流の値に応じて増加
することとなる。
と無関係に Ｑ ｎＯｊげ（Ｔ；絶対温度） であシ、他方出力重圧θｏｉｌ： ｅｏｏｃ、■ＭＲ であり、温度による抵抗の変化を簡略化のために無視す
れば、・ジュール熱の発生により磁気抵抗効果膜（３）
の温度Ｔは Ｔ＝Ｔ、＋ΔＴ （Ｔ ６ ％室ｍ） となるヶここでΔ’ｌ’ｃｙｅｌ、ｌＥである。従って
Ｓ／Ｎ ＦｉとなりＳ／′ＮはＷｆ流の値に応じて増加
することとなる。
しかし実際にＶよ温度による抵抗変化を無視することは
できない。具体的にはテープの走行によりヘッドからテ
ープへの放熱状態は不規則に変化し最終的には磁気抵抗
効果膜（３）の温度変化が雑音として出力に加わってし
まうのである。この場合温度変化が充分小さいとすれば
抵抗変化の変位はΔτに比例し、この結果 となシＳ／’Ｎは極大値を持つこととなる。仁のＳ／Ｎ
の極大値を大とするにはに、の値を小さくすればよい。
できない。具体的にはテープの走行によりヘッドからテ
ープへの放熱状態は不規則に変化し最終的には磁気抵抗
効果膜（３）の温度変化が雑音として出力に加わってし
まうのである。この場合温度変化が充分小さいとすれば
抵抗変化の変位はΔτに比例し、この結果 となシＳ／’Ｎは極大値を持つこととなる。仁のＳ／Ｎ
の極大値を大とするにはに、の値を小さくすればよい。
ｋｌｌち磁気抵抗効果膜（３）からテープへ流れる熱量
を小さくすればよい。これを小さくするには磁気抵抗効
果膜（３）とテープ対接面（１ａ）との距離を大とすれ
ばよいけれども、これは磁気効率を低下させることとな
る。本例では絶縁層（５）の熱導伝率を大とし、これに
より磁気抵抗効果膜（３）からテープへ流出する熱量を
小さく抑えるようにしているのでＳａを大とでき、この
結果磁気抵抗効果膜（３）の電流１ＭＲを大とでき感度
を、Ｌ昇させることができる。
を小さくすればよい。これを小さくするには磁気抵抗効
果膜（３）とテープ対接面（１ａ）との距離を大とすれ
ばよいけれども、これは磁気効率を低下させることとな
る。本例では絶縁層（５）の熱導伝率を大とし、これに
より磁気抵抗効果膜（３）からテープへ流出する熱量を
小さく抑えるようにしているのでＳａを大とでき、この
結果磁気抵抗効果膜（３）の電流１ＭＲを大とでき感度
を、Ｌ昇させることができる。
結局本例では上述の磁気回路の磁気抵抗の低下と合わせ
て感度を極めて向上させることができることとなる。
て感度を極めて向上させることができることとなる。
第５回は第２の実施例を示−ｔ−、第５図において１−
４図と対応する箇所に対応する符号を付す１．第５図例
においては、コア磁性体（４）自体をＮｌ−Ｚｎフェラ
イトとし直接磁気抵抗効果膜（３）を接合しつるようＫ
している。従って本例においても磁気回路の磁気抵抗を
小とすることができ、とのため感度を大とするととがで
きる。勿論第４図例の場合と同様に絶縁層（５）を熱伝
導性のよいものとすれば一層感度を向上させることがで
きる。
４図と対応する箇所に対応する符号を付す１．第５図例
においては、コア磁性体（４）自体をＮｌ−Ｚｎフェラ
イトとし直接磁気抵抗効果膜（３）を接合しつるようＫ
している。従って本例においても磁気回路の磁気抵抗を
小とすることができ、とのため感度を大とするととがで
きる。勿論第４図例の場合と同様に絶縁層（５）を熱伝
導性のよいものとすれば一層感度を向上させることがで
きる。
第６図Ｖｉ第３の実施例を示す。この図においても第４
図と対応する個所には対応する符号を付す。
図と対応する個所には対応する符号を付す。
第６図例ではバイアス導体（２）をフエライ）３板（１
）に埋め込むようにしている。これによってバイアス導
体（２）とフェライト基板（１）との接触面積を大とし
ているのである。この結果磁気抵抗効果膜（３）からの
熱絹はバイアス導体側に箭れ、この結果テープへ流れる
熱針が少なくなり、熱雑音を小さく抑えることができる
。本例でも第４図例と同様の作用ダｌ果があるととは容
易に理解できるであろう。
）に埋め込むようにしている。これによってバイアス導
体（２）とフェライト基板（１）との接触面積を大とし
ているのである。この結果磁気抵抗効果膜（３）からの
熱絹はバイアス導体側に箭れ、この結果テープへ流れる
熱針が少なくなり、熱雑音を小さく抑えることができる
。本例でも第４図例と同様の作用ダｌ果があるととは容
易に理解できるであろう。
第７図は第４の実施例を示す。第７図においても第４図
と対応する個所には対応する符号を付してそれぞれの詳
細説明を省略する。第７図例では磁気抵抗効果膜（３）
を絶縁層（５）を介してフェライト基板（１）に被着す
るようにしている。そしてこの絶縁層（５）を熱伝導性
の良いものとし、これによってテープ側に磁気抵抗効果
膜（３）から熱沼が流出するのを防止するようにしてい
る。この例においても第４図例と同様の作用効果をうろ
ことは容易に理解できるであろう。
と対応する個所には対応する符号を付してそれぞれの詳
細説明を省略する。第７図例では磁気抵抗効果膜（３）
を絶縁層（５）を介してフェライト基板（１）に被着す
るようにしている。そしてこの絶縁層（５）を熱伝導性
の良いものとし、これによってテープ側に磁気抵抗効果
膜（３）から熱沼が流出するのを防止するようにしてい
る。この例においても第４図例と同様の作用効果をうろ
ことは容易に理解できるであろう。
発明の効果
以上ＮＩ？、明したようにこの発明によれば磁気回路の
切断部と磁気抵抗効果膜とを磁気的に短絡するようにし
ているので磁気回路の磁気抵抗を小さくすることができ
、このため感度を大とすることができる。従って高分解
能の再生を行なうことが可能となる。
切断部と磁気抵抗効果膜とを磁気的に短絡するようにし
ているので磁気回路の磁気抵抗を小さくすることができ
、このため感度を大とすることができる。従って高分解
能の再生を行なうことが可能となる。
第１図は従来の磁気抵抗効果形磁気ヘッドを示す斜視図
、第２図は同様の断面図、第３図は従来例を説明するだ
めのグラフ、第４０はこの発明の一実施例を示す断面図
、第５図はこの発明の第２の実施例を示す断面図、第６
図はこの発明の第３の実施例を示す断面図、第７図はこ
の発明の第４の実施例を示す断面図である。 （１）はフェライト基体、（３）は磁気抵抗効果膜、（
４）はコア磁性体、（４ａ）はコア磁性体（４）の切断
部、α９１１Ｓｌ：Ｎ量−２ｎフ工ライト層、ｇはギヤ
゛ソゲである。 同 松 隈 秀 盛第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書 （１） 昭和５７年１２月１“γ目 （２） １、小イ′１の表示 昭和５７年特許願第１８８５７２ 号 （４）２、発
明の名称 磁気抵抗効果形磁気−＼ツド３、補正をする
者 代表取締役 大 賀 典 却 ６、補止により増加する発明の数 明細書の第３頁の５行の「Ｃｏ−ＺｎＪをＪＣｏ−Ｚｒ
Ｊに訂正する。 同第５頁の１０行の１断面積を大とする」を「断面積を
小とする」に訂正する。 同第６頁の１１行の［増大−１を［小面積イし１に訂正
する。 同第８頁の１１行の「熱雑盲」を１磁気雑音」に訂正す
る。 以 １−
、第２図は同様の断面図、第３図は従来例を説明するだ
めのグラフ、第４０はこの発明の一実施例を示す断面図
、第５図はこの発明の第２の実施例を示す断面図、第６
図はこの発明の第３の実施例を示す断面図、第７図はこ
の発明の第４の実施例を示す断面図である。 （１）はフェライト基体、（３）は磁気抵抗効果膜、（
４）はコア磁性体、（４ａ）はコア磁性体（４）の切断
部、α９１１Ｓｌ：Ｎ量−２ｎフ工ライト層、ｇはギヤ
゛ソゲである。 同 松 隈 秀 盛第１図 第２図 第３図 第４図 手続補正書 （１） 昭和５７年１２月１“γ目 （２） １、小イ′１の表示 昭和５７年特許願第１８８５７２ 号 （４）２、発
明の名称 磁気抵抗効果形磁気−＼ツド３、補正をする
者 代表取締役 大 賀 典 却 ６、補止により増加する発明の数 明細書の第３頁の５行の「Ｃｏ−ＺｎＪをＪＣｏ−Ｚｒ
Ｊに訂正する。 同第５頁の１０行の１断面積を大とする」を「断面積を
小とする」に訂正する。 同第６頁の１１行の［増大−１を［小面積イし１に訂正
する。 同第８頁の１１行の「熱雑盲」を１磁気雑音」に訂正す
る。 以 １−
Claims (1)
- 磁気ギヤラグを有する磁気回路を構成する磁気コアの一
部分が明断されて磁気抵抗効果素子が配され”Ｃなる磁
気抵抗効粱形磁気ヘッドにおいて、Ｌ記磁気抵抗効果素
子と上舵磁気コアとを磁気的に短絡してなることを特徴
とする磁気抵抗効果形１１（ρ気ヘッドゥ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18857282A JPS5977618A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18857282A JPS5977618A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977618A true JPS5977618A (ja) | 1984-05-04 |
Family
ID=16226029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18857282A Pending JPS5977618A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 磁気抵抗効果形磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5977618A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626420A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-13 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS626421A (ja) * | 1985-07-01 | 1987-01-13 | Toshiba Corp | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0239308U (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-16 | ||
| US5155644A (en) * | 1985-12-27 | 1992-10-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Yoke thin film magnetic head constructed to avoid Barkhausen noises |
| EP0654782A2 (en) * | 1993-11-22 | 1995-05-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic head having a head face and a thin-film structure, and method of manufacturing the magnetic head |
| EP0889460A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-07 | STMicroelectronics S.r.l. | An electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
| US6078479A (en) * | 1993-08-10 | 2000-06-20 | Read-Rite Corporation | Magnetic tape head with flux sensing element |
| US6101072A (en) * | 1997-02-28 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Yoke type or flux guide type magnetoresistive head in which the yoke or flux guide is provided to the magnetic resistive element via an interposed soft magnetic layer |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP18857282A patent/JPS5977618A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH0516642Y2 (ja) * | 1988-09-07 | 1993-05-06 | ||
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| EP0654782A3 (en) * | 1993-11-22 | 1995-06-21 | Philips Electronics Nv | Magnetic head having a head face and a thin-film structure, and method of manufacturing the magnetic head. |
| BE1007775A3 (nl) * | 1993-11-22 | 1995-10-17 | Philips Electronics Nv | Magneetkop, voorzien van een kopvlak en een dunnefilm structuur, en werkwijze voor het vervaardigen van de magneetkop. |
| US6101072A (en) * | 1997-02-28 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Yoke type or flux guide type magnetoresistive head in which the yoke or flux guide is provided to the magnetic resistive element via an interposed soft magnetic layer |
| EP0889460A1 (en) * | 1997-07-04 | 1999-01-07 | STMicroelectronics S.r.l. | An electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
| US6134088A (en) * | 1997-07-04 | 2000-10-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Electromagnetic head with magnetoresistive means connected to a magnetic core |
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