JPS59591B2 - プラズマエツチング方法 - Google Patents
プラズマエツチング方法Info
- Publication number
- JPS59591B2 JPS59591B2 JP15266981A JP15266981A JPS59591B2 JP S59591 B2 JPS59591 B2 JP S59591B2 JP 15266981 A JP15266981 A JP 15266981A JP 15266981 A JP15266981 A JP 15266981A JP S59591 B2 JPS59591 B2 JP S59591B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- plasma etching
- resist
- etching method
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマエッチング方法に係り、特に平行した
平面状電極を有するエッチング装置を用いて行うプラズ
マエツチング方法（平行平板型プラズマエツチンク１二
極スパッタエッチング、リアクティブ・イオンエッチン
グを含む）の改良に関する。
平面状電極を有するエッチング装置を用いて行うプラズ
マエツチング方法（平行平板型プラズマエツチンク１二
極スパッタエッチング、リアクティブ・イオンエッチン
グを含む）の改良に関する。
半導体デバイスにおける高密度集積化が進むに伴つて、
微細パターンを精度よく形成するエッチング手段として
平行した平面状電極を有するエッチング装置によるプラ
ズマエッチング゛、例えばリアクティブ・イオンエッチ
ング法が多用されるようになつて来た。
微細パターンを精度よく形成するエッチング手段として
平行した平面状電極を有するエッチング装置によるプラ
ズマエッチング゛、例えばリアクティブ・イオンエッチ
ング法が多用されるようになつて来た。
第１図は従来のリアクティブ・イオンエッチング装置の
要部断面構造を示したもので、１はエッチング室、２は
高周波パワーが印加される下部電極、３は接地される上
部電極、４は排気系、５はエッチングガス導入管、６は
高周波電源、７は接地、８は被処理基板、９はプラズマ
領域を表わしている。
要部断面構造を示したもので、１はエッチング室、２は
高周波パワーが印加される下部電極、３は接地される上
部電極、４は排気系、５はエッチングガス導入管、６は
高周波電源、７は接地、８は被処理基板、９はプラズマ
領域を表わしている。
しかしこのようなエッチング装置を用いる従来のリアク
ティブ・イオンエッチング法に於ては、ラジカル或るい
はイオンの衝撃により破砕して飛び散つたレジスト・マ
スク膜の細片（この細片はラジカル或るいはイオンに叩
かれて変質しており、耐エッチング性が極めて高くなつ
ている）が、被エッチング面に附着してエッチングを阻
害したり、又エッチング完了面を汚染させたりする。
ティブ・イオンエッチング法に於ては、ラジカル或るい
はイオンの衝撃により破砕して飛び散つたレジスト・マ
スク膜の細片（この細片はラジカル或るいはイオンに叩
かれて変質しており、耐エッチング性が極めて高くなつ
ている）が、被エッチング面に附着してエッチングを阻
害したり、又エッチング完了面を汚染させたりする。
第２図に示す断面模式図は、この状態をクロムマスクを
製造する際の選択エッチング工程の例について表わした
もので、図に於て２は下部電極、１０はガラス基板、１
１はクロム膜、１２はレジストマスクパターン、１３は
四塩化炭素ラジカル（ｃｃｔわ及び塩素イオン（ｃｔ−
）等、１４はレジスト変質物の細片、１５はレジスト変
質物の飛程を示している。即ちプラズマによつて励起さ
れたｃｃｔ＾Ｃｆ等１３によつて叩かれるレジスト・マ
スクパターン１２面からレジスト変質物の細片１４が飛
散し、該レジスト変質物細片１４が表出しているクロム
膜１１の被エッチング１面上に被着し、レジスト変質物
細片１４によりその下部のクロム膜のエッチングが阻害
さ札該領域にクロム膜の残渣が形成される。又レジスト
変質物は耐エツチン性が強いので除去が困難であるた八
該レジスト変質物細片がクロム膜のエッチング除去され
たガラス基板上に附着した場合には、該レジスト変質物
細片による遮光残渣が形成され、何れの場合もクロムマ
スクは不良になるという問題があつた。本発明の目的は
、上記従来の方法に於いて問題点であつた被エッチング
１面或るいはエッチング完了面への異物附着を防止する
プラズマ・エッチング方法を提供することにある。即ち
本発明は平行した平面状電極を有するエツチング装置を
用いるプラズマエツチング方法に於て、プラズマ領域内
に、被処理物を搭載する電極の縁部から該電極に対向す
る電極の中央部に向つて傾斜する磁場を形成し、該磁場
を介してプラズマエツチングを行うことを特徴とする。
製造する際の選択エッチング工程の例について表わした
もので、図に於て２は下部電極、１０はガラス基板、１
１はクロム膜、１２はレジストマスクパターン、１３は
四塩化炭素ラジカル（ｃｃｔわ及び塩素イオン（ｃｔ−
）等、１４はレジスト変質物の細片、１５はレジスト変
質物の飛程を示している。即ちプラズマによつて励起さ
れたｃｃｔ＾Ｃｆ等１３によつて叩かれるレジスト・マ
スクパターン１２面からレジスト変質物の細片１４が飛
散し、該レジスト変質物細片１４が表出しているクロム
膜１１の被エッチング１面上に被着し、レジスト変質物
細片１４によりその下部のクロム膜のエッチングが阻害
さ札該領域にクロム膜の残渣が形成される。又レジスト
変質物は耐エツチン性が強いので除去が困難であるた八
該レジスト変質物細片がクロム膜のエッチング除去され
たガラス基板上に附着した場合には、該レジスト変質物
細片による遮光残渣が形成され、何れの場合もクロムマ
スクは不良になるという問題があつた。本発明の目的は
、上記従来の方法に於いて問題点であつた被エッチング
１面或るいはエッチング完了面への異物附着を防止する
プラズマ・エッチング方法を提供することにある。即ち
本発明は平行した平面状電極を有するエツチング装置を
用いるプラズマエツチング方法に於て、プラズマ領域内
に、被処理物を搭載する電極の縁部から該電極に対向す
る電極の中央部に向つて傾斜する磁場を形成し、該磁場
を介してプラズマエツチングを行うことを特徴とする。
以下本発明を一実施例について、第３図に示すリアクテ
イブ・イオンエツチング装置の要部断面図を用いて詳細
に説明する。
イブ・イオンエツチング装置の要部断面図を用いて詳細
に説明する。
本発明を適用したリアクテイブ・イオンエツチング方法
に於ては、例えば第３図に示すような、平行した平面状
電極を有するプラズマエツチング装置を使用する。
に於ては、例えば第３図に示すような、平行した平面状
電極を有するプラズマエツチング装置を使用する。
即ち該装置に於ては排気系４及びエツチングガス導入管
５が接続されたエツチング室１内に、高周波電源６に接
続された平面状の下部電極２と、該下部電極２に対向し
接地７された平面状の上部電極３が配設されてなる従来
構造のプラズマエツチング装置に於けるプラズマ領域９
の周縁部に、下部電極２の周縁部から上部電極３の中央
部に向つて例えば３０〜６０〔度〕程度の傾斜θを有す
る複数個の棒磁石Ｍを、例えばＮ極を上部電極３側に向
けた一定の磁極方向で放射状に配設し、該磁石Ｍにより
プラズマ領域９内に下部電極２の周縁部から上部電極３
の中央部に向つて傾斜する磁場１６が形成される。なお
該磁場の磁束密度はプラズマの集中性を乱さない程度、
例えば５〜２０〔ガウス〕程度が適切である。又磁石の
Ｎ，Ｓ極の向きは上下何れの向きに統一されてもよい。
そして該磁石が傘形のリング状に形成されれば最も効率
が良い。更に又磁石Ｍは永久磁石、電磁石何れでもさし
つかえない。本発明の方法により例えばクロムマスクを
製造するに際しては、ガラス基板１０面に３００〜５０
０〔人〕程度の厚さのクロム膜１１が被着形成されてな
る通常のクロム・プランク板上に、通常のフオトプロセ
スにより厚さ例えば７０００〔λ〕程度のレジスト・マ
スクパターン１２を形成してなる被処理基板８を下部電
極２上に載置し、通常の条件例えばエツチング室１内を
１０２〜１σ３〔ＴＯｒｒ〕程度のＣｃｔ４雰囲気に保
つて、例えば１３．５６〔ＭＨｚ〕、０．２〜０．３〔
Ｗ／Ｃｆｌ］程度の高周波パワーにより上下電極間にプ
ラズマを発生させて、レジスト・マスクパターン１２間
に表出しているタロム膜１１を選択的にエツチング除去
する。
５が接続されたエツチング室１内に、高周波電源６に接
続された平面状の下部電極２と、該下部電極２に対向し
接地７された平面状の上部電極３が配設されてなる従来
構造のプラズマエツチング装置に於けるプラズマ領域９
の周縁部に、下部電極２の周縁部から上部電極３の中央
部に向つて例えば３０〜６０〔度〕程度の傾斜θを有す
る複数個の棒磁石Ｍを、例えばＮ極を上部電極３側に向
けた一定の磁極方向で放射状に配設し、該磁石Ｍにより
プラズマ領域９内に下部電極２の周縁部から上部電極３
の中央部に向つて傾斜する磁場１６が形成される。なお
該磁場の磁束密度はプラズマの集中性を乱さない程度、
例えば５〜２０〔ガウス〕程度が適切である。又磁石の
Ｎ，Ｓ極の向きは上下何れの向きに統一されてもよい。
そして該磁石が傘形のリング状に形成されれば最も効率
が良い。更に又磁石Ｍは永久磁石、電磁石何れでもさし
つかえない。本発明の方法により例えばクロムマスクを
製造するに際しては、ガラス基板１０面に３００〜５０
０〔人〕程度の厚さのクロム膜１１が被着形成されてな
る通常のクロム・プランク板上に、通常のフオトプロセ
スにより厚さ例えば７０００〔λ〕程度のレジスト・マ
スクパターン１２を形成してなる被処理基板８を下部電
極２上に載置し、通常の条件例えばエツチング室１内を
１０２〜１σ３〔ＴＯｒｒ〕程度のＣｃｔ４雰囲気に保
つて、例えば１３．５６〔ＭＨｚ〕、０．２〜０．３〔
Ｗ／Ｃｆｌ］程度の高周波パワーにより上下電極間にプ
ラズマを発生させて、レジスト・マスクパターン１２間
に表出しているタロム膜１１を選択的にエツチング除去
する。
そして該本発明の方法に於てはプラズマ領域９内に、前
述したように下部電極２の周縁部から上部電極３の中央
部に向つて傾斜した磁場１６が形成されている。従つて
Ｃｃｔ４８やＣｔ−によつて叩かれてレジスト・マスク
パターン１２面から飛散して来る細片状のレジスト変質
物は、大部分が該磁場１６に沿つて下部電極２の周辺部
に落下し、被エッチングｌに落下被着する細片状レジス
ト変質物の量は大幅に減少する。そして実際に、上記変
質物に起因するクロムマスクの欠陥は従来に比べ−以下
に減少した。なお上記実施例に於ては、本発明をリアク
テイブ・イオンエツチングに適用したが、本発明の方法
は平行平板型のプラズマエツチング及び二極スパツタエ
ツチングにも勿論適用できる。
述したように下部電極２の周縁部から上部電極３の中央
部に向つて傾斜した磁場１６が形成されている。従つて
Ｃｃｔ４８やＣｔ−によつて叩かれてレジスト・マスク
パターン１２面から飛散して来る細片状のレジスト変質
物は、大部分が該磁場１６に沿つて下部電極２の周辺部
に落下し、被エッチングｌに落下被着する細片状レジス
ト変質物の量は大幅に減少する。そして実際に、上記変
質物に起因するクロムマスクの欠陥は従来に比べ−以下
に減少した。なお上記実施例に於ては、本発明をリアク
テイブ・イオンエツチングに適用したが、本発明の方法
は平行平板型のプラズマエツチング及び二極スパツタエ
ツチングにも勿論適用できる。
以上説明したように本発明のプラズマエツチング方法に
よればフオトマスクに於ける残渣パターンの発生率は減
少し、フオトマスクの製造歩留まりが向上する。
よればフオトマスクに於ける残渣パターンの発生率は減
少し、フオトマスクの製造歩留まりが向上する。
又本発明のプラズマエツチング法を半導体装置の製造に
適用することにより、上記同様その製造歩留まりを向上
せしめることができる。
適用することにより、上記同様その製造歩留まりを向上
せしめることができる。
第１図は従来のリアクテイブ・イオンエツチング装置の
要部断面図、第２図は従来のエツチング状態説明図で、
第３図は本発明を適用したリアクテイブ・イオンエツチ
ング装置に於ける一実施例の要部断面図である。 図に於て、１はエツチング室、２は下部電極、３は上部
電極、４は排気系、５はエツチングガス導入管、６は高
周波電源、７は接地、８は被処理基板、９はプラズマ領
域、１６は磁場、Ｍは磁石、θは磁石の傾斜角を示す。
要部断面図、第２図は従来のエツチング状態説明図で、
第３図は本発明を適用したリアクテイブ・イオンエツチ
ング装置に於ける一実施例の要部断面図である。 図に於て、１はエツチング室、２は下部電極、３は上部
電極、４は排気系、５はエツチングガス導入管、６は高
周波電源、７は接地、８は被処理基板、９はプラズマ領
域、１６は磁場、Ｍは磁石、θは磁石の傾斜角を示す。
Claims (1)
- １ 平行した平面状電極を有するエッチング装置を用い
るプラズマエッチング方法に於て、プラズマ領域内に、
被処理物を搭載する電極の縁部から該電極に対向する電
極の中央部に向つて傾斜する磁場を形成し、該磁場を介
して被処理物のエッチングを行うことを特徴とするプラ
ズマエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15266981A JPS59591B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | プラズマエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15266981A JPS59591B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | プラズマエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855569A JPS5855569A (ja) | 1983-04-01 |
| JPS59591B2 true JPS59591B2 (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=15545503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15266981A Expired JPS59591B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | プラズマエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59591B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8700655A (nl) * | 1986-10-06 | 1988-05-02 | Philips Nv | Optisch uitleesbare registratiedrager voor het optekenen van informatie, een werkwijze en een inrichting voor het vervaardigen van een dergelijke registratiedrager, een inrichting voor het optekenen van informatie op een dergelijke registratiedrager, alsmede een inrichting voor het uitlezen van op een dergelijke registratiedrager opgetekende informatie. |
| JPH0686670B2 (ja) * | 1987-04-13 | 1994-11-02 | 日電アネルバ株式会社 | 放電化学反応装置 |
| KR100296392B1 (ko) * | 1999-06-09 | 2001-07-12 | 박호군 | 직류전원플라즈마화학증착법에 의한 다이아몬드막 합성장치 |
| US7455748B2 (en) * | 2003-06-20 | 2008-11-25 | Lam Research Corporation | Magnetic enhancement for mechanical confinement of plasma |
| JP4779808B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-09-28 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電膜形成方法及び有機電界発光素子の製造方法 |
| JP5236777B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2013-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1981
- 1981-09-26 JP JP15266981A patent/JPS59591B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5855569A (ja) | 1983-04-01 |
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