JPS5957958A - 高電気伝導性セラミツク組成物 - Google Patents
高電気伝導性セラミツク組成物Info
- Publication number
- JPS5957958A JPS5957958A JP57167569A JP16756982A JPS5957958A JP S5957958 A JPS5957958 A JP S5957958A JP 57167569 A JP57167569 A JP 57167569A JP 16756982 A JP16756982 A JP 16756982A JP S5957958 A JPS5957958 A JP S5957958A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- composition
- ceramic composition
- ceo2
- zro2
- Prior art date
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高電気伝導性のCeO2−ZrO2系セラミッ
ク組成物に関する。
ク組成物に関する。
従来、CeO2−2rO2系セラミック組成物は、高温
において高い電気伝導度を有するので、高温用電極材料
としての使用が試みられてきた。
において高い電気伝導度を有するので、高温用電極材料
としての使用が試みられてきた。
しかしながら、この系のセラミック組成物は500℃以
下の低温における電気伝導度は低く、室温では絶縁体で
あるため、電極等の応用に際しては上記事項を考慮した
うえで設計がなされねばならないという欠点があり、実
際面での使用を妨げていた。
下の低温における電気伝導度は低く、室温では絶縁体で
あるため、電極等の応用に際しては上記事項を考慮した
うえで設計がなされねばならないという欠点があり、実
際面での使用を妨げていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものでちゃ、500
℃以下の低温でも電気伝導度が著しく高く、室温から直
接通電できる高電気伝導性セラミック組成物を提供しよ
うとするものである。
℃以下の低温でも電気伝導度が著しく高く、室温から直
接通電できる高電気伝導性セラミック組成物を提供しよ
うとするものである。
本発明者はCeO2−ZrO2系セラミック組成物にあ
る程度のNb2O5f添加することにより500℃以下
の低温にお込て導電性が向上することを見出した。
る程度のNb2O5f添加することにより500℃以下
の低温にお込て導電性が向上することを見出した。
すなわち、本発明の高電気伝導性セラミック組成物は、
CeO2−ZrO2−Nb2O5三成分組成図において
、A、B、C,D、Eの各点 化し、A : CeO299,99モル% 、 ZrO
20,00モルチ、Nt)205 0.01モルチB
: CeO290,00モル% 、 ZrO20,00
モルチ、 Nb2O510,00モルチC: CeO2
10,O0モル% 、 ZrO2Bo、00モルチ*
N1)20s 10.00モルチD : CeO29,
90モル% 、 ZrO290,00モルチ、 Nb2
O50,10モルチ E 二CeO280,00モル%、 ZrO219,9
0モル係、 Nb2O50,10モル係 で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とするもの
である。
CeO2−ZrO2−Nb2O5三成分組成図において
、A、B、C,D、Eの各点 化し、A : CeO299,99モル% 、 ZrO
20,00モルチ、Nt)205 0.01モルチB
: CeO290,00モル% 、 ZrO20,00
モルチ、 Nb2O510,00モルチC: CeO2
10,O0モル% 、 ZrO2Bo、00モルチ*
N1)20s 10.00モルチD : CeO29,
90モル% 、 ZrO290,00モルチ、 Nb2
O50,10モルチ E 二CeO280,00モル%、 ZrO219,9
0モル係、 Nb2O50,10モル係 で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とするもの
である。
本発明において組成範囲を上記範囲に限定したのは、上
記範囲を逸脱すると、500℃以下の低温における導電
性が低下しで、電極材料あるいは発熱体として使用でき
ないからである。
記範囲を逸脱すると、500℃以下の低温における導電
性が低下しで、電極材料あるいは発熱体として使用でき
ないからである。
上述した組成範囲のセラミック組成物が500℃以下の
低温においても商い導電性を示す理由の一部は原子価制
御論により説明することができる。すなわち、CeO2
相及びZrO2f:固溶したCeO2相の存在する組成
範囲ではn型半導体であるCeO2へN、b205が固
溶すると、電子数の増加により導電性が向上することが
考えられる。しかし、 CeO2を固溶したZrO2相
へNb2O5を固溶した場合に500℃以下の低温でも
高い導電性を示す理由については未だ十分に解明されて
いない。
低温においても商い導電性を示す理由の一部は原子価制
御論により説明することができる。すなわち、CeO2
相及びZrO2f:固溶したCeO2相の存在する組成
範囲ではn型半導体であるCeO2へN、b205が固
溶すると、電子数の増加により導電性が向上することが
考えられる。しかし、 CeO2を固溶したZrO2相
へNb2O5を固溶した場合に500℃以下の低温でも
高い導電性を示す理由については未だ十分に解明されて
いない。
以下、本発明の詳細な説明する・純度
99.9%級のCeO2+ ZrO2及びNb2O5の
微粉を用意し、これらを常法に従い下記表に示す割合で
混合した後、成形し、更に大気中1500℃で焼結した
。
微粉を用意し、これらを常法に従い下記表に示す割合で
混合した後、成形し、更に大気中1500℃で焼結した
。
得られた組成物について、下記表に示す各温度において
直流西端法によシ測定した抵抗率を下記表に併記する。
直流西端法によシ測定した抵抗率を下記表に併記する。
また、実施例1〜14及び比較例1〜9の組成及び50
0℃以下の低温においても高い導電性を示す実施例1〜
14の組成範囲を三成分組成図に示す。
0℃以下の低温においても高い導電性を示す実施例1〜
14の組成範囲を三成分組成図に示す。
上記表から明らかなように比較例1〜9及び参照例のセ
ラミック組成物は高温では抵抗率が小さいが、500℃
以下の低温では抵抗率が非常に犬きくなるのに対し、実
施例1〜14のセラミック組成物はいずれも高温で小さ
い抵抗率を示すだけでなく、500℃以下の低温でも抵
抗率はそれほど大きくない。したがって、実施例1〜1
4のセラミック組成物は広い温度範囲で電極材料あるい
は発熱体として使用することができる。
ラミック組成物は高温では抵抗率が小さいが、500℃
以下の低温では抵抗率が非常に犬きくなるのに対し、実
施例1〜14のセラミック組成物はいずれも高温で小さ
い抵抗率を示すだけでなく、500℃以下の低温でも抵
抗率はそれほど大きくない。したがって、実施例1〜1
4のセラミック組成物は広い温度範囲で電極材料あるい
は発熱体として使用することができる。
以上詳述した如く、本発明によれば500℃以下の低温
でも電気伝導度が著しく高く、室温から直接通電し得る
高電気伝導性セラミック組成物を提供できるものである
。
でも電気伝導度が著しく高く、室温から直接通電し得る
高電気伝導性セラミック組成物を提供できるものである
。
図はCeO2−ZrO2−Nb2O5三成分組成図であ
るO
るO
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 CeO2−ZrO2−Nb2O5三成分組成図において
、A、B、C,D、Eの各点 但し、A : CeO299,99モル% 、ZrO2
Q、’OOモルチ* Nb2O5o、 01モルチB
: CeO290,00モル% 、 Zr0z 0.
00モルチ、 Nb、、、0,10.00モル係C:
CeO210,00モル% 、 ZrO280,00モ
ル係、付b20s 10. OOモルチD : CeO
29゜90モル% 、 ZrO290,00モルチ、
Nb2O5o、 10モルチE : CeO280,0
0モル% r ZrO219,90モルチ、 Nb2O
50,10モルチ で囲まれた範囲内の組成を有することを特徴とする高電
気伝導性セラミック組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57167569A JPS5957958A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 高電気伝導性セラミツク組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57167569A JPS5957958A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 高電気伝導性セラミツク組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5957958A true JPS5957958A (ja) | 1984-04-03 |
JPH0236544B2 JPH0236544B2 (ja) | 1990-08-17 |
Family
ID=15852162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57167569A Granted JPS5957958A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 高電気伝導性セラミツク組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5957958A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531685A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | コーニング インコーポレイテッド | 低熱膨張物品 |
JP2015030641A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | ガスセンサ素子およびガスセンサ |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP57167569A patent/JPS5957958A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007531685A (ja) * | 2004-03-31 | 2007-11-08 | コーニング インコーポレイテッド | 低熱膨張物品 |
JP2015030641A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-16 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | ガスセンサ素子およびガスセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0236544B2 (ja) | 1990-08-17 |
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