JPS63146404A - 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 - Google Patents
正特性サ−ミスタ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS63146404A JPS63146404A JP61294056A JP29405686A JPS63146404A JP S63146404 A JPS63146404 A JP S63146404A JP 61294056 A JP61294056 A JP 61294056A JP 29405686 A JP29405686 A JP 29405686A JP S63146404 A JPS63146404 A JP S63146404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature coefficient
- coefficient thermistor
- positive temperature
- thermistor element
- manufacture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、チタン酸バリウム系正特性サーミスタ（以下
ＰＴＣサーミスタと呼ぶ）のスイッチング温度τＳが１
″００℃〜１５０℃を有する正特性サーミスタ素子の製
造方法に関するものである。
ＰＴＣサーミスタと呼ぶ）のスイッチング温度τＳが１
″００℃〜１５０℃を有する正特性サーミスタ素子の製
造方法に関するものである。
従来の技術
従来、この種のＰＴＣサーミスタのスイッチング温度Ｔ
ｓはＢａＴｉ０５の形にして１２０℃であり、スイッチ
ング温度丁Ｓを移動させるシフターとして低温側Ｓｒ、
高温側ｐｂを各々Ｂ＆サイトを置換してシフトすること
が一般的であった。
ｓはＢａＴｉ０５の形にして１２０℃であり、スイッチ
ング温度丁Ｓを移動させるシフターとして低温側Ｓｒ、
高温側ｐｂを各々Ｂ＆サイトを置換してシフトすること
が一般的であった。
ところで、そのシフト材を用いないで得られるスイッチ
ング温度Ｔｓが１２０℃の材料又は、シフト材の置換量
が少ない周辺のスイッチング温度Ｔｓが１００’Ｃ〜１
５０’Ｃの材料は焼結時に粒子が僅少な条件変動で異常
成長するため得られたセラミックは非常に不安定であり
緒特性が著しく低下するという欠点があった。
ング温度Ｔｓが１２０℃の材料又は、シフト材の置換量
が少ない周辺のスイッチング温度Ｔｓが１００’Ｃ〜１
５０’Ｃの材料は焼結時に粒子が僅少な条件変動で異常
成長するため得られたセラミックは非常に不安定であり
緒特性が著しく低下するという欠点があった。
従来はこの結晶粒子の成長を抑制するため低温シフト材
のＳｒと高温シフト材のｐｂを相殺させる形でＢａサイ
トに置き換えて混合〜仮焼〜粉砕して粒子の成長を抑制
していたがロフト間変動が大きく問題となっていた。
のＳｒと高温シフト材のｐｂを相殺させる形でＢａサイ
トに置き換えて混合〜仮焼〜粉砕して粒子の成長を抑制
していたがロフト間変動が大きく問題となっていた。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような従来の同時混合方法では、Ｓｒとｐ
ｂが仮焼された場合、反応温度に差があり仮焼時の固相
反応が異なって均質な材料が得られないという問題があ
った。本発明は、このような問題点を解決することの出
来る正特性サーミスタ素子の製造方法を提供せんとする
ものである。
ｂが仮焼された場合、反応温度に差があり仮焼時の固相
反応が異なって均質な材料が得られないという問題があ
った。本発明は、このような問題点を解決することの出
来る正特性サーミスタ素子の製造方法を提供せんとする
ものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、ＢａＴｉＯ３系
半導体のＢａサイトをＳｒで置換した（ＢＩＬ０．８５
Ｓｒｏ、＋５）Ｔｉ＋、ｏ１０５＋ Ｂａサイトをｐｂ
で置換した（ Ｂａａ、ｖ２Ｐｂ ｏ、ｏａ ） Ｔｉ
ｔｏ１０５とを仮焼した後に粉砕工程で合成したこと
を特徴とした正特性サーミスタ素子の製造方法である。
半導体のＢａサイトをＳｒで置換した（ＢＩＬ０．８５
Ｓｒｏ、＋５）Ｔｉ＋、ｏ１０５＋ Ｂａサイトをｐｂ
で置換した（ Ｂａａ、ｖ２Ｐｂ ｏ、ｏａ ） Ｔｉ
ｔｏ１０５とを仮焼した後に粉砕工程で合成したこと
を特徴とした正特性サーミスタ素子の製造方法である。
作用
この手段によってＢａＴ工０５系半導体材料として（Ｂ
ａｏ、ａｓ Ｓｒｏ、＋ｓ ） Ｔｉｔｏ１０５と（Ｂ
ａ０．９２ Ｐｂ０．０８ ）Ｔｉｔｏ１０３とを各々
に適正固相反応させて焼成後、結晶粒子を混合粉砕する
ので均一な結晶粒子の正特性サーミスタ素子となり電気
的性能及び磁器性能を向上させることが可能となる。
ａｏ、ａｓ Ｓｒｏ、＋ｓ ） Ｔｉｔｏ１０５と（Ｂ
ａ０．９２ Ｐｂ０．０８ ）Ｔｉｔｏ１０３とを各々
に適正固相反応させて焼成後、結晶粒子を混合粉砕する
ので均一な結晶粒子の正特性サーミスタ素子となり電気
的性能及び磁器性能を向上させることが可能となる。
実施例
以下本発明の一実施例に基づいて説明する。
ＢａＴｉＯ３系半導体で半導体化元素にＹ２Ｏ５を用い
、その他派加物としてＭｎＯ２及び５１０２を加えた（
Ｂａｏ、ａｓ Ｓｒｏ、＋’ｓ ） Ｔｉ１．ｏ＋
０５ ＋ Ｏ−００２２Ｙ２Ｏ５＋０．０００３Ｍｎ０
２＋０．０２４Ｓｉ０２の組成物を１１６０℃で仮焼し
、他方同様に添加物を加えた（ Ｂａａ、９ｚＰｂｏ、
ｏｓ ）Ｔｉｔ、ａｔＯｓ＋０．００２２ Ｙ２Ｏ３十
０．０００３ ＭｎＯ２＋ ０．０２４５ｉ０２の組成
物を１０６０℃で仮焼した各々の組成物を粉砕工程で（
Ｂａ０．８５ Ｓｒｏ、＋ｓ ）Ｔｉ１．ａ１０５系を
７０重量％に（Ｂａａ９２ＰｂＩＩＬｏａ ）Ｔｉｔｏ
１０３系を３０重量％とし、また（ ＢＩＬ（Ｌ８Ｓ
Ｓｒｏ、１ｓ ） Ｔｉｔ、ｏｌｏ ３系を５０重量％
に（ＢＩＬ０．９２ Ｐｂｏ、ｏａ ）Ｔｉｔｏｔ ０
５系を６０重量％、また（ Ｂａ１１．ａｓ Ｓｒ ｏ
ｌｓ ） Ｔ工ｔｏ１０５系を１０重量％に（Ｂａｏ９
２Ｐｂｏ、ａａ ）Ｔｉｔｏｌｏ ５系を９０重量％と
した各々の組成系を粉砕して得た粉末にバインダーを加
えて造粒、成形を行い焼結後、焼結体にオーミック電極
をつけて電気的性能を測定した。また、磁器的性能を測
定したも′のを表１に示した。
、その他派加物としてＭｎＯ２及び５１０２を加えた（
Ｂａｏ、ａｓ Ｓｒｏ、＋’ｓ ） Ｔｉ１．ｏ＋
０５ ＋ Ｏ−００２２Ｙ２Ｏ５＋０．０００３Ｍｎ０
２＋０．０２４Ｓｉ０２の組成物を１１６０℃で仮焼し
、他方同様に添加物を加えた（ Ｂａａ、９ｚＰｂｏ、
ｏｓ ）Ｔｉｔ、ａｔＯｓ＋０．００２２ Ｙ２Ｏ３十
０．０００３ ＭｎＯ２＋ ０．０２４５ｉ０２の組成
物を１０６０℃で仮焼した各々の組成物を粉砕工程で（
Ｂａ０．８５ Ｓｒｏ、＋ｓ ）Ｔｉ１．ａ１０５系を
７０重量％に（Ｂａａ９２ＰｂＩＩＬｏａ ）Ｔｉｔｏ
１０３系を３０重量％とし、また（ ＢＩＬ（Ｌ８Ｓ
Ｓｒｏ、１ｓ ） Ｔｉｔ、ｏｌｏ ３系を５０重量％
に（ＢＩＬ０．９２ Ｐｂｏ、ｏａ ）Ｔｉｔｏｔ ０
５系を６０重量％、また（ Ｂａ１１．ａｓ Ｓｒ ｏ
ｌｓ ） Ｔ工ｔｏ１０５系を１０重量％に（Ｂａｏ９
２Ｐｂｏ、ａａ ）Ｔｉｔｏｌｏ ５系を９０重量％と
した各々の組成系を粉砕して得た粉末にバインダーを加
えて造粒、成形を行い焼結後、焼結体にオーミック電極
をつけて電気的性能を測定した。また、磁器的性能を測
定したも′のを表１に示した。
一方、スイッチング温度シフト材のＳｒとｐｂを同時に
配合した組成物より得られたセラミック（Ｂａａ、ａｓ
Ｓｒｏ、ｏｓ Ｐｂｏ、１ｏ ）Ｔｉｔａｌｏ ５
＋ ０．００２２ Ｙ２Ｏ５＋Ｏ，０００３Ｍｎ０２＋
０．０２４５ｉｎ２゜（ｂａｏ、ａｓｓｒｏ、ｏｙｓ
Ｐｂｏ、ｏｙｓ ）Ｔｉｔｏｔｏ ３＋０．００２２Ｙ
２０５＋００ＯＯ０３ｋｎ０２＋ ｏ、ｏ２４ｓｉｏ２
．及び（Ｂａｏ、ａｓＳｒｏｌｌｓＰｂｏ、ｏ３ｓ ）
Ｔｉ１．ｏｔＯ３＋ ＯｏＯＯ２２ｙ２ｏ。
配合した組成物より得られたセラミック（Ｂａａ、ａｓ
Ｓｒｏ、ｏｓ Ｐｂｏ、１ｏ ）Ｔｉｔａｌｏ ５
＋ ０．００２２ Ｙ２Ｏ５＋Ｏ，０００３Ｍｎ０２＋
０．０２４５ｉｎ２゜（ｂａｏ、ａｓｓｒｏ、ｏｙｓ
Ｐｂｏ、ｏｙｓ ）Ｔｉｔｏｔｏ ３＋０．００２２Ｙ
２０５＋００ＯＯ０３ｋｎ０２＋ ｏ、ｏ２４ｓｉｏ２
．及び（Ｂａｏ、ａｓＳｒｏｌｌｓＰｂｏ、ｏ３ｓ ）
Ｔｉ１．ｏｔＯ３＋ ＯｏＯＯ２２ｙ２ｏ。
＋ Ｏ−０００３ＭｎＯ２＋ Ｏ−０２４５ｉＯｚ（ｉ
Ｄ各々）特性を表２に示した。
Ｄ各々）特性を表２に示した。
（以 下 余 白）
尚、合成させて得ようとする組成物は、Ｓｒ系で（Ｂａ
ｏ、７ｓＳｒａ、２ｓ ） Ｔｉ１．ｏｔ ０５から（
Ｂａｏ９Ｓｒｏ、＋）Ｔｉｔｏ１０３の範囲とｐｂ系で
（Ｂａ０．９ Ｐｂｏｙ＋ ） Ｔｉ ＋、ｏ １０５
から（Ｂａ０．９２ Ｐｂｏ、ｏａ ）Ｔｉ ｔｏｔ
０５の範囲内での各々の組合においても本発明組成と同
等の効果が認められたが低比抵抗用としてはｐｂのモル
数は低い方が好ましい為、本実施例ではＰｂ８ｍｏ１％
を用いた。
ｏ、７ｓＳｒａ、２ｓ ） Ｔｉ１．ｏｔ ０５から（
Ｂａｏ９Ｓｒｏ、＋）Ｔｉｔｏ１０３の範囲とｐｂ系で
（Ｂａ０．９ Ｐｂｏｙ＋ ） Ｔｉ ＋、ｏ １０５
から（Ｂａ０．９２ Ｐｂｏ、ｏａ ）Ｔｉ ｔｏｔ
０５の範囲内での各々の組合においても本発明組成と同
等の効果が認められたが低比抵抗用としてはｐｂのモル
数は低い方が好ましい為、本実施例ではＰｂ８ｍｏ１％
を用いた。
第２図１ｄ （ＢＩＬ（ＬＩＩ５ Ｓｒｏ、ｏ７ｓ Ｐ
ｂ ｏ、ｏ ｙｓ ） Ｔ土ｔｏ １０５ ＋０ 、Ｏ
Ｏ２２Ｙ２Ｏ５＋Ｏ，０ＯＯ３ＭｎＯ２＋０．０２４Ｓ
ｉ０２の正特性サーミスタ素子の焼結体表面を示す図、
第１図は本発明の一実施例による （ ＢａｃＬａｓＳｒｏ、１ｓ ）Ｔｉ１．ｏｔ０５＋
０．００２２ Ｙ２Ｏ５＋０．０００３ ＭｎＯ２＋
ｏ、ｏ ２４５ｉ０２が５０重量％と（Ｂａ＋１Ｌｐ
２Ｐｂｏ、ｏａ ）Ｔｉ１．ｏｔ０３＋Ｏ，ＯＯ２２Ｙ
２Ｏ３＋０．０００３ ＭｎＯ２＋０．０２４５ｉ０２
が６ｏ重量％を合成した正特性サーミスタ素子の焼結体
表面を示す図である。この図から明らかな様に、本実施
例では均質な粒子の正特性サーミスタ素子を得ることが
出来ることが明らかである。
ｂ ｏ、ｏ ｙｓ ） Ｔ土ｔｏ １０５ ＋０ 、Ｏ
Ｏ２２Ｙ２Ｏ５＋Ｏ，０ＯＯ３ＭｎＯ２＋０．０２４Ｓ
ｉ０２の正特性サーミスタ素子の焼結体表面を示す図、
第１図は本発明の一実施例による （ ＢａｃＬａｓＳｒｏ、１ｓ ）Ｔｉ１．ｏｔ０５＋
０．００２２ Ｙ２Ｏ５＋０．０００３ ＭｎＯ２＋
ｏ、ｏ ２４５ｉ０２が５０重量％と（Ｂａ＋１Ｌｐ
２Ｐｂｏ、ｏａ ）Ｔｉ１．ｏｔ０３＋Ｏ，ＯＯ２２Ｙ
２Ｏ３＋０．０００３ ＭｎＯ２＋０．０２４５ｉ０２
が６ｏ重量％を合成した正特性サーミスタ素子の焼結体
表面を示す図である。この図から明らかな様に、本実施
例では均質な粒子の正特性サーミスタ素子を得ることが
出来ることが明らかである。
発明の効果
以上、本発明によれば均一な結晶粒子のサーミスタ素子
を得ることができる。
を得ることができる。
第１図は本発明の実施例に係るサーミスタ素子の焼結体
表面を示す図、第２図は従来例に係るターミスタ素子の
焼結体表面を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
表面を示す図、第２図は従来例に係るターミスタ素子の
焼結体表面を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (2)
- （１）チタン酸バリウム系正特性サーミスタ組成におい
て、主成分（Ｂａ＿０＿．＿８＿５Ｓｒ＿０＿．＿１＿
５）Ｔｉ＿１＿．＿０＿１Ｏ＿３（Ａ成分）と（Ｂａ＿
０＿．＿９＿２Ｐｂ＿０＿．＿０＿８）Ｔｉ＿１＿．＿
０＿１Ｏ＿３（Ｂ成分）を個別に混合、仮焼した後、Ａ
／Ｂの比率が１０対９０〜７０対３０になるように混合
粉砕することを特徴とした正特性サーミスタ素子の製造
方法。 - （２）Ｙ＿２Ｏ＿３を０．００２２ｍｏｌ、ＭｎＯ＿２
を０．０００３ｍｏｌ、ＳｉＯ＿２を０．０２４ｍｏｌ
加えて混合粉砕する特許請求の範囲第１項記載の正特性
サーミスタ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294056A JPS63146404A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61294056A JPS63146404A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63146404A true JPS63146404A (ja) | 1988-06-18 |
Family
ID=17802709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61294056A Pending JPS63146404A (ja) | 1986-12-10 | 1986-12-10 | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63146404A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5034011A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-04-02 |
-
1986
- 1986-12-10 JP JP61294056A patent/JPS63146404A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5034011A (ja) * | 1973-07-26 | 1975-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ouchi et al. | Piezoelectric Properties of Pb (Mg1/3Nb2/3) O3 PbTiO3‐PbZrO3 Ceramics Modified with Certain Additives | |
| US3637532A (en) | Sintered cold-conductor resistor body and method for its production | |
| JPH0226866A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
| JPH075363B2 (ja) | Ｐｔｃ磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS63146404A (ja) | 正特性サ−ミスタ素子の製造方法 | |
| JPS6051664A (ja) | チタン酸ジルコン酸鉛系磁器の製造法 | |
| US3222283A (en) | Lead barium niobate ceramic composition | |
| JP4269485B2 (ja) | チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物 | |
| JP2682022B2 (ja) | 強誘電性磁器組成物及びそれを利用した圧電素子 | |
| JP3555395B2 (ja) | チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JPH0212001B2 (ja) | ||
| JP2696118B2 (ja) | 非直線性誘電体素子の製造方法 | |
| JP3038906B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法 | |
| JPH01234360A (ja) | 鉛含有セラミック材料の製造方法 | |
| KR920001162B1 (ko) | 티탄산 바륨계 반도체 자기 및 그 제조방법 | |
| JPH0248465A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器 | |
| JPH1112033A (ja) | チタン酸バリウム鉛系半導体磁器組成物 | |
| JPS5957958A (ja) | 高電気伝導性セラミツク組成物 | |
| JPS61236176A (ja) | 圧電性磁器組成物 | |
| JPS5867001A (ja) | 正特性半導体磁器の製造方法 | |
| JPH01234359A (ja) | 鉛含有セラミック材料の製造方法 | |
| JP2576605B2 (ja) | 磁器組成物の製造方法 | |
| JPH02212349A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH01228103A (ja) | サーミスタ材料とその製造方法 |