JPH0248464A - チタン酸バリウム系半導体磁器 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器Info
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- JPH0248464A JPH0248464A JP63195752A JP19575288A JPH0248464A JP H0248464 A JPH0248464 A JP H0248464A JP 63195752 A JP63195752 A JP 63195752A JP 19575288 A JP19575288 A JP 19575288A JP H0248464 A JPH0248464 A JP H0248464A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｊ！Ｉ業上の利用分野］
本発明は、チタン酸バリウム系半導体磁器に係り、特に
、通信回線に誘起する“エサージや、商用電源との混触
防護用に用いるチタン酸バリウム系半導体磁器に関する
ものである。
、通信回線に誘起する“エサージや、商用電源との混触
防護用に用いるチタン酸バリウム系半導体磁器に関する
ものである。
［従来の技（＆］
従来のチタン酸バリウム系半導体磁器は、ＢａＴｉ０３
（チタン酸バリウム）、又は３ ａ Ｔ ｉ０３ （チ
タン酸バリウム）を主としてこれにキュリー点制御のた
めのストロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓ ｎ）又はジル
コニウム（Ｚ ｒ）を添加したチタン酸バリウム系磁器
組成物に対し、積上類元素，イットリウム（Ｙ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）群
の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のための微
量添加物として加えた組成を有している。上記微量添加
物の添加により正の抵抗温度係数を有する半導体磁器を
得ることができる。
（チタン酸バリウム）、又は３ ａ Ｔ ｉ０３ （チ
タン酸バリウム）を主としてこれにキュリー点制御のた
めのストロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓ ｎ）又はジル
コニウム（Ｚ ｒ）を添加したチタン酸バリウム系磁器
組成物に対し、積上類元素，イットリウム（Ｙ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）群
の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のための微
量添加物として加えた組成を有している。上記微量添加
物の添加により正の抵抗温度係数を有する半導体磁器を
得ることができる。
しかしこのような添加物のみでは抵抗の温度変化率が小
さいので、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｊ）、アルミ
ニウム（ＡＩ）、チタン（Ｔｔ）等の酸化物を添加して
、その抵抗温度特性の勾配を急峻にすることにより、無
接点スイッチや電子機器の加熱防止用部品等に用いられ
るようにしている。
さいので、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｊ）、アルミ
ニウム（ＡＩ）、チタン（Ｔｔ）等の酸化物を添加して
、その抵抗温度特性の勾配を急峻にすることにより、無
接点スイッチや電子機器の加熱防止用部品等に用いられ
るようにしている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら従来技術によるチタン酸バリウム系半導体
磁嘉においては、これを通信回線用保安器に利用して屋
外に：Ｉ２置した場合、昼、夜の気温変化が大きいとき
にはこれに伴ない抵抗値が増減するために、その変化の
度合によっては通常の通信に支障をきたすという問題点
があった。
磁嘉においては、これを通信回線用保安器に利用して屋
外に：Ｉ２置した場合、昼、夜の気温変化が大きいとき
にはこれに伴ない抵抗値が増減するために、その変化の
度合によっては通常の通信に支障をきたすという問題点
があった。
従って、本発明は一ヒ記実情に鑑みて成されたもので、
その目的は、使用環境での温度変化に基づく抵抗変動を
小さくし、且つ常温比抵抗値を低くすることにより例え
ば通信用保安器に用いた場合１通常使用時での′ｌ［ｉ
ｌ信を良好に行えるようしたチタン酸バリウム系半導体
磁器を提供するにある。
その目的は、使用環境での温度変化に基づく抵抗変動を
小さくし、且つ常温比抵抗値を低くすることにより例え
ば通信用保安器に用いた場合１通常使用時での′ｌ［ｉ
ｌ信を良好に行えるようしたチタン酸バリウム系半導体
磁器を提供するにある。
［課題を達成するための手段］
上記目的を達成するための第１の発明のチタン酸バリウ
ム系半導体磁器の特徴は、バリウム（Ｂａ）の一部を０
．００１〜０．１ａｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ
）と０．０１〜２．０ａｔパーセントのカルシウム（Ｃ
ａ）で同時置換固溶したものである拳 又、第２発明のチタン酸バリウム系半導体磁器の特徴は
、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．０１〜５．０ａｔパ
ーセントの鉛（Ｐｂ）とｏ、ｏｉ〜２、Ｏａｔパーセン
トのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶されたものであ
る。
ム系半導体磁器の特徴は、バリウム（Ｂａ）の一部を０
．００１〜０．１ａｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ
）と０．０１〜２．０ａｔパーセントのカルシウム（Ｃ
ａ）で同時置換固溶したものである拳 又、第２発明のチタン酸バリウム系半導体磁器の特徴は
、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．０１〜５．０ａｔパ
ーセントの鉛（Ｐｂ）とｏ、ｏｉ〜２、Ｏａｔパーセン
トのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶されたものであ
る。
又、第３の発明のチタン酸バリウム系半導体磁器の特徴
は、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．００１−０．１ａ
ｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１〜５．
Ｏａｔパーセントの鉛（Ｐｂ）と０．０１〜２．０ａｔ
パーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶された
ものである。
は、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．００１−０．１ａ
ｔパーセントのマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１〜５．
Ｏａｔパーセントの鉛（Ｐｂ）と０．０１〜２．０ａｔ
パーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶された
ものである。
［作用］
第１の発明においては、バ１ノウム（Ｂ ａ）の−部と
置換されて固溶された０、００１〜０．１ａ七パーセン
トのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０１〜２．Ｏａｔパ
ーセントのカルシウム（Ｃａ）が、使用環境の温度変化
に基づくチタン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動
を抑えると共に常温比抵抗値を低く抑える。
置換されて固溶された０、００１〜０．１ａ七パーセン
トのマグネシウム（Ｍｇ）及び０．０１〜２．Ｏａｔパ
ーセントのカルシウム（Ｃａ）が、使用環境の温度変化
に基づくチタン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動
を抑えると共に常温比抵抗値を低く抑える。
第２の発明においては、バリウム（Ｂ ａ）の−部と置
換ごれて固溶された０、０１〜５．Ｏａｔパーセントの
鉛（ｐ ｂ）及び０．０１〜２．Ｏａｔパーセントのカ
ルシウム（Ｃａ）が、使用環境の温度変化に基づくチタ
ン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑えると共
に常温比抵抗値を低く抑える。
換ごれて固溶された０、０１〜５．Ｏａｔパーセントの
鉛（ｐ ｂ）及び０．０１〜２．Ｏａｔパーセントのカ
ルシウム（Ｃａ）が、使用環境の温度変化に基づくチタ
ン酸バリウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑えると共
に常温比抵抗値を低く抑える。
第３の発明においては、バリウム（Ｂ ａ）の−部と置
換されて固溶された０、００１〜０．ｌａｔパーセント
のマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１−５．０ａｔパーセ
ントの鉛（Ｐ ｂ）及び０．０１〜２．０ａｔパーセン
トのカルシウム（Ｃａ）が、使用環境の温度変化に基づ
くチタン酸１＜リウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑
えると共に常温比抵抗値を低く抑える。
換されて固溶された０、００１〜０．ｌａｔパーセント
のマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１−５．０ａｔパーセ
ントの鉛（Ｐ ｂ）及び０．０１〜２．０ａｔパーセン
トのカルシウム（Ｃａ）が、使用環境の温度変化に基づ
くチタン酸１＜リウム系半導体磁器の抵抗値の変動を抑
えると共に常温比抵抗値を低く抑える。
［発明の実施例］
以下に第１の発明の実施例について説明する。
チタン酸バリウム系半導体磁器は、チタン酸Ｉくリウム
（ＢａＴｉ０３）、又はチタン酸バリウム（Ｂ ａＴ
ｉ ０３）を主としてこれにキュリー点制御のためのス
トロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓｎ）又はジルコニウム
（Ｚ ｒ）が添加された組成のチタン酸バリウム系磁器
組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｄｉ）群
の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のための微
量添加物として加えられた組成を有している。
（ＢａＴｉ０３）、又はチタン酸バリウム（Ｂ ａＴ
ｉ ０３）を主としてこれにキュリー点制御のためのス
トロンチウム（Ｓｒ）、スズ（Ｓｎ）又はジルコニウム
（Ｚ ｒ）が添加された組成のチタン酸バリウム系磁器
組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｄｉ）群
の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のための微
量添加物として加えられた組成を有している。
又、更に、上記チタン酸バリウム系半導体磁器は、正の
抵抗温度特性を向上させて抵抗温度勾配を急峻にするた
めの副添加物が添加された組成を有している。この副添
加物としては、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｔ）、ア
ルミニウム（ＡＩ）、チタン（Ｔｉ）等の酸化物がある
。
抵抗温度特性を向上させて抵抗温度勾配を急峻にするた
めの副添加物が添加された組成を有している。この副添
加物としては、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｔ）、ア
ルミニウム（ＡＩ）、チタン（Ｔｉ）等の酸化物がある
。
上記チタン酸バリウム系半導体磁器の特徴は。
バリウム（Ｂａ）の一部を０．００１〜Ｏ，ｌａ七パー
セントのマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１〜２．Ｏａｔ
パーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶された
ものである。ここで、マグネシウム（Ｍｇ）は温度特性
比を向とさせる因子であり、上記成分の下限値以下では
その向上が認められず、又、上限値以上では常温におけ
る比抵抗が著しく高くなったり、良好な焼結体が得られ
にくくなるものである。又、上記カルシウム（Ｃａ）は
常温の比抵抗値を低下させる因子であり、上記成分の下
限値以下ではその低下効果が認められず、又、上限値以
上では比抵抗値はが低下するが温度特性比が大きくなり
、本来の目的から外れてしまうためである。
セントのマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１〜２．Ｏａｔ
パーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶された
ものである。ここで、マグネシウム（Ｍｇ）は温度特性
比を向とさせる因子であり、上記成分の下限値以下では
その向上が認められず、又、上限値以上では常温におけ
る比抵抗が著しく高くなったり、良好な焼結体が得られ
にくくなるものである。又、上記カルシウム（Ｃａ）は
常温の比抵抗値を低下させる因子であり、上記成分の下
限値以下ではその低下効果が認められず、又、上限値以
上では比抵抗値はが低下するが温度特性比が大きくなり
、本来の目的から外れてしまうためである。
而して、上記組成のチタン酸バリウム系半導体磁器を成
形するには、ＢａＣＯ３、Ｓ ｒｃＯｊＭｇＣＯｘ
、Ｙ２０３ 、Ｔｉ０ｚ 、ＭｎＯ，５ｉ０７
、Ｚ ｒｏ２ 、Ｓ ｂ２０３ 、ＣａＣＯ３を所定
着秤量し、これらを混合粉砕して、乾燥した後。
形するには、ＢａＣＯ３、Ｓ ｒｃＯｊＭｇＣＯｘ
、Ｙ２０３ 、Ｔｉ０ｚ 、ＭｎＯ，５ｉ０７
、Ｚ ｒｏ２ 、Ｓ ｂ２０３ 、ＣａＣＯ３を所定
着秤量し、これらを混合粉砕して、乾燥した後。
温度約１１００度Ｃで２時間保持して仮焼成を行う、仮
焼成後、再度、粉砕乾燥し、ポリビニルアルコールを結
合剤として加え、１５０メツシュ程度の粒度に造粒する
。造粒後、プレス機械により圧力約１０００Ｋｇ／ｃｍ
程度を加えて、直径１０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板上に整
形し、電気炉で温度約１３７０度Ｃに昇温させ、約１時
間焼結してチタン酸バリウム系老導体磁冴を焼成する。
焼成後、再度、粉砕乾燥し、ポリビニルアルコールを結
合剤として加え、１５０メツシュ程度の粒度に造粒する
。造粒後、プレス機械により圧力約１０００Ｋｇ／ｃｍ
程度を加えて、直径１０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板上に整
形し、電気炉で温度約１３７０度Ｃに昇温させ、約１時
間焼結してチタン酸バリウム系老導体磁冴を焼成する。
又、第２の発明におけるチタン酸バリウム系半導体磁器
の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．０１〜５．
０ａｔパーセントの鉛（Ｐ ｂ）と０．０１〜２．Ｏａ
ｔパーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時と換固溶して
なるものである。ここで、上記鉛（ｐ ｂ）は温度特性
比を向上させる因子であり、上記成分の下限値以下では
その向上が認められず、又、上限値以上では常温におけ
る比抵抗が著しく高くなったり、良好な焼結体が得られ
にくくなるものである。而して、この第２の発明におけ
るチタン酸バリウム形半導体磁器を成形するには、Ｂａ
Ｃ０： 、５ｒＣＯａ 、ＰｂＯ，Ｙ２Ｏ５、Ｔｉ
Ｏ２、ＭｎＯ，５ｉ０２ 、ＺｒＯ２、Ｓｂ７ Ｑ３
、ＣａｃＯ３を所￥量秤量した後に上記と同様な成
形工程を経ることにより斯るチタン酸バリウム形半導体
磁器を得ることができる。
の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部を０．０１〜５．
０ａｔパーセントの鉛（Ｐ ｂ）と０．０１〜２．Ｏａ
ｔパーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時と換固溶して
なるものである。ここで、上記鉛（ｐ ｂ）は温度特性
比を向上させる因子であり、上記成分の下限値以下では
その向上が認められず、又、上限値以上では常温におけ
る比抵抗が著しく高くなったり、良好な焼結体が得られ
にくくなるものである。而して、この第２の発明におけ
るチタン酸バリウム形半導体磁器を成形するには、Ｂａ
Ｃ０： 、５ｒＣＯａ 、ＰｂＯ，Ｙ２Ｏ５、Ｔｉ
Ｏ２、ＭｎＯ，５ｉ０２ 、ＺｒＯ２、Ｓｂ７ Ｑ３
、ＣａｃＯ３を所￥量秤量した後に上記と同様な成
形工程を経ることにより斯るチタン酸バリウム形半導体
磁器を得ることができる。
又、第３の発明におけるチタン酸バリウム系半導体磁器
の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部をｏ、ｏｏｔ〜Ｏ
，ｌａｔパーセントのマグネシウム（Ｍ ｇ）と０．０
１〜０．ｌａｔパーセントの鉛（Ｐ ｂ）及び０．０１
〜２．０ａｔパーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置
換固溶したものである。而して、この第３の発明におけ
るチタン酸バリウム形半導体磁器を成形するには、Ｂａ
ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＰｂＯ，Ｙ２Ｏ３、
ＴｉＯ２、ＭｎＯ，５ｉ０２ 、ＺｒＯ２、Ｓｌ）’
０３ 、ＣａＣＯ３を所定量秤量した後にＬ記と同
様な成形工程を経ることにより斯るチタン酸バリウム形
半導体磁器を得ることができる。
の特徴は、バリウム（Ｂ ａ）の一部をｏ、ｏｏｔ〜Ｏ
，ｌａｔパーセントのマグネシウム（Ｍ ｇ）と０．０
１〜０．ｌａｔパーセントの鉛（Ｐ ｂ）及び０．０１
〜２．０ａｔパーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置
換固溶したものである。而して、この第３の発明におけ
るチタン酸バリウム形半導体磁器を成形するには、Ｂａ
ＣＯ３、ＳｒＣＯ３、ＭｇＣＯ３、ＰｂＯ，Ｙ２Ｏ３、
ＴｉＯ２、ＭｎＯ，５ｉ０２ 、ＺｒＯ２、Ｓｌ）’
０３ 、ＣａＣＯ３を所定量秤量した後にＬ記と同
様な成形工程を経ることにより斯るチタン酸バリウム形
半導体磁器を得ることができる。
而して、上述の如く円板上に成形したチタン酸バリウム
系゛ト導体磁器の両面にオーム正接触を示す電極を取り
付けることにより正特性サーミスタを形成する。
系゛ト導体磁器の両面にオーム正接触を示す電極を取り
付けることにより正特性サーミスタを形成する。
このような正特性サーミスタを用いて、半導体磁器のマ
グネシウム（Ｍｇ）、鉛（Ｐｂ）の添加量をそれぞれ変
更した場合の常温の比抵抗値ρ（２５℃）、温度特性比
Ｒ（−２０℃）／Ｒ（ｍｉｎ）、Ｒ（６０℃） ／Ｒ（
ｍ ｉ ｎ）を表１に示し、又、＆度−比抵抗値の特性
線図を図面に示す、尚１図面中、実線は本実施例を示し
、−点鎖線は本出願人の従来例を示し、二点鎖線は他人
の従来例を示す。
グネシウム（Ｍｇ）、鉛（Ｐｂ）の添加量をそれぞれ変
更した場合の常温の比抵抗値ρ（２５℃）、温度特性比
Ｒ（−２０℃）／Ｒ（ｍｉｎ）、Ｒ（６０℃） ／Ｒ（
ｍ ｉ ｎ）を表１に示し、又、＆度−比抵抗値の特性
線図を図面に示す、尚１図面中、実線は本実施例を示し
、−点鎖線は本出願人の従来例を示し、二点鎖線は他人
の従来例を示す。
而して、上述の如く、バリウム（Ｂａ）の一部をマグネ
シウム（Ｍｇ）、或いは鉛（Ｐｂ）、又はマグネシウム
（Ｍｇ）及び鉛（Ｐ ｂ）で同時にＩ７ｆ換固溶するこ
とで図面で示す如＜Ｒｍｉｎ＃１を示すＮＴＣ領域でそ
のＮＴＣ特性を抑えることがｆｉｒ能となった。即ち、
Ｒｍｉｎ値を境に約±４０℃の広い温度範囲に亙って抵
抗値の変動の少ないＰＴＣサーミスタを得ることができ
た。具体的には第１図に示す如〈従来値が１．３０以七
のものを１．２０以下に抑えることができた。
シウム（Ｍｇ）、或いは鉛（Ｐｂ）、又はマグネシウム
（Ｍｇ）及び鉛（Ｐ ｂ）で同時にＩ７ｆ換固溶するこ
とで図面で示す如＜Ｒｍｉｎ＃１を示すＮＴＣ領域でそ
のＮＴＣ特性を抑えることがｆｉｒ能となった。即ち、
Ｒｍｉｎ値を境に約±４０℃の広い温度範囲に亙って抵
抗値の変動の少ないＰＴＣサーミスタを得ることができ
た。具体的には第１図に示す如〈従来値が１．３０以七
のものを１．２０以下に抑えることができた。
更に、バリウム（Ｂ ａ）の一部をカルシウム（Ｃａ）
で同時に置換固溶することにより表１に示す如く常温比
抵抗値を低下させることができた。
で同時に置換固溶することにより表１に示す如く常温比
抵抗値を低下させることができた。
通常、国内での使用環境温度は一２０℃〜６０℃を渇え
れば良いため、この温度範囲で温度特性比［Ｒ（−２０
℃） 、／Ｒ（ｍｉ ｎ） 、 Ｒ（６０℃）／Ｒ（ｍ
ｉｎ）］が小さい、換言すれば抵抗変動が小さく、且つ
常温比抵抗値の低い、安定したＰＴＣサーミスタを得る
ことができる。
れば良いため、この温度範囲で温度特性比［Ｒ（−２０
℃） 、／Ｒ（ｍｉ ｎ） 、 Ｒ（６０℃）／Ｒ（ｍ
ｉｎ）］が小さい、換言すれば抵抗変動が小さく、且つ
常温比抵抗値の低い、安定したＰＴＣサーミスタを得る
ことができる。
このように使用環境の温度変化の範囲内において１図面
に示す如く、環境温度が変動してもサーミスタの抵抗値
が従来例の如く大きくは変動せず、且つ表１に示す如く
常温比抵抗値を低く抑えることができるので、通信回線
における雷サージや商用電源の混触防止に用いる保安器
の構成部品として要求される信頼性の高いＰＴＣサーミ
スタを提供できる。
に示す如く、環境温度が変動してもサーミスタの抵抗値
が従来例の如く大きくは変動せず、且つ表１に示す如く
常温比抵抗値を低く抑えることができるので、通信回線
における雷サージや商用電源の混触防止に用いる保安器
の構成部品として要求される信頼性の高いＰＴＣサーミ
スタを提供できる。
［発明の効果］
以上説明した如くチタン酸バリウム系半導体磁器のバリ
ウムの一部を、マグネシウム及びカルシウムで置換固溶
するか、或いは鉛及びカルシウムで置換固溶するか、又
はマグネシウム、鉛及びカルシウムで同時に置換固溶す
ることにより使用環境の温度範囲内において温度変化に
基〈抵抗の変化を抑えることができ、且つ常温比抵抗値
を低く抑えることができるので、このチタン酸バリウム
系半導体磁器を通信回線用保安器の構成部品に用いた場
合、この通信用保安器の信頼性を向上させることができ
る。
ウムの一部を、マグネシウム及びカルシウムで置換固溶
するか、或いは鉛及びカルシウムで置換固溶するか、又
はマグネシウム、鉛及びカルシウムで同時に置換固溶す
ることにより使用環境の温度範囲内において温度変化に
基〈抵抗の変化を抑えることができ、且つ常温比抵抗値
を低く抑えることができるので、このチタン酸バリウム
系半導体磁器を通信回線用保安器の構成部品に用いた場
合、この通信用保安器の信頼性を向上させることができ
る。
表１は、チタン酸バリウム系半導体磁器の主成分の組成
割合、２５℃での比抵抗値、温度特性比について従来例
と本実施例とを比較した表１図面は温度変化に基いた比
抵抗値の変動について従来例と本実施例とを比較した線
図である。 特許出願人 株式会社 白山製作所
割合、２５℃での比抵抗値、温度特性比について従来例
と本実施例とを比較した表１図面は温度変化に基いた比
抵抗値の変動について従来例と本実施例とを比較した線
図である。 特許出願人 株式会社 白山製作所
Claims (3)
- （１）ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、又はＢａＴ
ｉＯ３（チタン酸バリウム）を主としてこれにキュリー
点制御のためのストロンチウム（Ｓｒ），スズ（Ｓｎ）
又はジルコニウム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム
系磁器組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）
，ニオブ（Ｎｂ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂ
ｉ）群の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のた
めの微量添加物として加え、更にＰＴＣ特性を向上させ
るための複数の副添加物を含有してなるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器において、 バリウム（Ｂａ）の一部を０．００１〜０．１ａｔパー
セントのマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１〜２．０ａｔ
パーセントのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶したこ
とを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器。 - （２）ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、又はＢａＴ
ｉＯ３（チタン酸バリウム）を主としてこれにキュリー
点制御のためのストロンチウム（Ｓｒ），スズ（Ｓｎ）
又はジルコニウム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム
系磁器組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）
，ニオブ（Ｎｂ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂ
ｉ）群の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のた
めの微量添加物として加え，更にＰＴＣ特性を向上させ
るための複数の副添加物を含有してなるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器において、 バリウム（Ｂａ）の一部を０．０１〜５．０ａｔパーセ
ントの鉛（Ｐｂ）と０．０１〜２．０ａｔパーセントの
カルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶したことを特徴とす
るチタン酸バリウム系半導体磁器。 - （３）ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、又はＢａＴ
ｉＯ３（チタン酸バリウム）を主としてこれにキュリー
点制御のためのストロンチウム（Ｓｒ），スズ（Ｓｎ）
又はジルコニウム（Ｚｒ）を添加したチタン酸バリウム
系磁器組成物に対し、稀土類元素，イットリウム（Ｙ）
，ニオブ（Ｎｂ），アンチモン（Ｓｂ），ビスマス（Ｂ
ｉ）群の内から選ばれた少なくとも１種を半導体化のた
めの微量添加物として加え、更にＰＴＣ特性を向上させ
るための複数の副添加物を含有してなるチタン酸バリウ
ム系半導体磁器において、 バリウム（Ｂａ）の一部を０．００１〜０．１ａｔパー
セントのマグネシウム（Ｍｇ）と０．０１〜５．０ａｔ
パーセントの鉛（Ｐｂ）と０．０１〜２．０ａｔパーセ
ントのカルシウム（Ｃａ）で同時置換固溶したことを特
徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63195752A JPH0248464A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
| KR1019890011194A KR920001162B1 (ko) | 1988-08-05 | 1989-08-05 | 티탄산 바륨계 반도체 자기 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63195752A JPH0248464A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0248464A true JPH0248464A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16346375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63195752A Pending JPH0248464A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248464A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897140A (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-27 | Trw Occupant Restraint Systems Gmbh | Belt pretensioner for a vehicular occupant restraint system |
| US5936186A (en) * | 1996-05-06 | 1999-08-10 | Trw Occupant Restraint Systems Gmbh | Electrical igniter of a pyrotechnical gas generator |
| US6343758B1 (en) | 1999-04-30 | 2002-02-05 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Pretensioner for webbing retractor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4837693A (ja) * | 1971-09-16 | 1973-06-02 | ||
| JPS4989193A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-08-26 | ||
| JPS5717106A (en) * | 1980-05-19 | 1982-01-28 | Siemens Ag | Ceramic positive temperature coefficient thermistor material and method of producing same |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63195752A patent/JPH0248464A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4837693A (ja) * | 1971-09-16 | 1973-06-02 | ||
| JPS4989193A (ja) * | 1972-12-28 | 1974-08-26 | ||
| JPS5717106A (en) * | 1980-05-19 | 1982-01-28 | Siemens Ag | Ceramic positive temperature coefficient thermistor material and method of producing same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936186A (en) * | 1996-05-06 | 1999-08-10 | Trw Occupant Restraint Systems Gmbh | Electrical igniter of a pyrotechnical gas generator |
| US5897140A (en) * | 1996-05-20 | 1999-04-27 | Trw Occupant Restraint Systems Gmbh | Belt pretensioner for a vehicular occupant restraint system |
| US6343758B1 (en) | 1999-04-30 | 2002-02-05 | Kabushiki Kaisha Tokai-Rika-Denki-Seisakusho | Pretensioner for webbing retractor |
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