JPS5956737A - 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 - Google Patents

半導体素子のボンデイング用Ａｌ線

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JPS5956737A
JPS5956737A JP57167799A JP16779982A JPS5956737A JP S5956737 A JPS5956737 A JP S5956737A JP 57167799 A JP57167799 A JP 57167799A JP 16779982 A JP16779982 A JP 16779982A JP S5956737 A JPS5956737 A JP S5956737A
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JP
Japan
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lead wire
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bonding
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semiconductor element
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Yasuo Fukui
福井　康夫
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Tanaka Denshi Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のボンディング用Ａ　ｔ　％４、詳
しく妹がＩ！？予が７０〜５００μφのホンティング用
Ａｔ線の改良に関する。
従来、パワートランジスタ、ザイリスク等の高出力の半
導体素子の配線用リード糾として線径が７０〜５００μ
φ、一般的には２００〜３００μφの高純度Ａｔ線が使
用されている。
とのＡ４糾を月１いり−ド線を接扁した後の封止形態と
して、最近コストダウンを図るだめに、今までの金栖ギ
ャップに代えて樹脂封止することが多く採用されている
。
上記樹脂による刺止形態において高純度Ａｔ（９９，９
９９ｗｔ％又は（！９．９９Ｗｔ’ｌ　）のリードＭ（
ＡｔＰｊ　）の高湿度下で樹脂のすき間から侵入する水
分によりＪｐｉｉ食してしまうという不具合がみられた
。
本発明は上記従来Ａ／−線の不具合を解消すべく、Ａｔ
線に７Ｅｌ’ｒ定の添加元素を含有せしめて樹脂封止法
による半導体素子の信頼性、性能を向上させることを目
的とするっ Ｊυ［る本発明のＡｔ線は、高純度のＡｔに、ニッケル
（Ｎ１）　、銅（Ｃｕ）の−又は二つの元素を含有せし
め、その含有量が０．００５〜ｏ、ｚｗｔ％であること
、すなわち０．００５−０．２　ｗ　ｔ％Ｎｉ又は００
０５〜（１，２ｗｔ　％　ＣＬＩを含不さぜ、あるいｉ
、ｊＮｉ及びＣｕを−１の合Ｈ１栖０．００５〜０．２
ｗｔチ含有させたことを特徴とする。
上記本発明のＡｔ線は超す波接着法たけでなく不活性伴
囲気中におけるポールボンディング法（熱圧着法）にあ
っても十分使用に供し得るものである。
上記添加元素Ｎｉ、Ｃｕは夫々Ａｔのポンティング性及
び耐食性を高めるもので、実験結果によＩＬば、ぞの−
又は二つの含有量がｏ、　ｏｏｓ　ｗｔ　％以下では実
効が少なく、０２Ｗｔチを越えるとＡｔ線が硬くなり超
音波接着法においてベレット割れ等を起すｌ１７１害が
ある。
以下に実施例を示す。
各試料はＡ４合金を溶解鋳造し、脚力加工に上り線径２
００μφのＡｔ線としたものである。
各試料の添加元素及びその含有量り：次ｆ：、（１）に
示す通りであって、その試料ｔｌｕ　１−１２は本発明
の実施品、陽１３及び１４は従来品である。
表　　（１） （含有量ｍ位ｗｔ％） 上ｊｊｌｊ各試料全試料て（λ械的１’−＋：　：７勺
、面ｊ食性を１ｌｌｌ＋定した結果を表（２）に示す。
表　　（２） 上記結果よシみて、Ｎｉ、Ｃｕ含有翔の最適範囲０．０
０５〜０．２ｗｔチを選択した。
上記表から知れるように本発明のＡ４細ｆ、ｉ従来品処
較べて面１食性が著しく改１１ｊされ、したがって、す
〜ド岬接続後に樹ＪＩ＋￥刺止をした形態においても胚
食を防止でき半導体素子の（ｇ　１ｉｔ（性、性能を都
めることができるとともに破断初乗を従来より少し人き
く、シたたけであるから、承ンディング時にベレット割
れすることなくホンティング性を良好に維持することが
できる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 線径が７０〜５００μφのボンディング用Ａｔ線であっ
    て、高純度のＡｔＫ、ニッケル（Ｎｉ）、１１１Ｉｌ（
    Ｃｕ）の−又は二つの元素を含有せしめ、その含有量が
    ０、（１０５〜ｇ、２ｗｔ％である半導体素子のボンデ
    ィング用Ａｔ脚。
JP57167799A 1982-09-25 1982-09-25 半導体素子のボンデイング用Ａｌ線 Granted JPS5956737A (ja)

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JPH0216579B2 JPH0216579B2 (ja) 1990-04-17

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