JPS5950531A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPS5950531A
JPS5950531A JP57161243A JP16124382A JPS5950531A JP S5950531 A JPS5950531 A JP S5950531A JP 57161243 A JP57161243 A JP 57161243A JP 16124382 A JP16124382 A JP 16124382A JP S5950531 A JPS5950531 A JP S5950531A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lifetime
region
semiconductor substrate
semiconductor device
restored
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57161243A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Furuguchi
古口　栄男
Toshio Yonezawa
敏夫 米沢
Shunichi Kai
開　俊一
Hiroshi Kinoshita
博 木下
Kuniaki Kumamaru
熊丸　邦明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57161243A priority Critical patent/JPS5950531A/ja
Priority to US06/531,620 priority patent/US4521256A/en
Priority to DE8383109181T priority patent/DE3368347D1/de
Priority to EP83109181A priority patent/EP0111638B1/en
Publication of JPS5950531A publication Critical patent/JPS5950531A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2636—Bombardment with radiation with high-energy radiation for heating, e.g. electron beam heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
    • H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
    • H01L21/26546—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds of electrically active species
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/024—Defect control-gettering and annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/046—Electron beam treatment of devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/081—Insulators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は少数キャリアのう・ｆフタイムを選択的に制
御してアナログ回路とデジタル回路が形成される領域の
少数キャリアのライフタイムを変化させて、特にデジタ
ル回路での高速スイッチング特性を向上させた選択的に
ライフタイムが制御された半導体装置及びその製造方法
に関する。
〔発明の技術的背景〕
高速スイッチング特性を必要とするシリコンダイオード
、トランジスタ、ザイリスク等では、少数キャリアのラ
イフタイムを短かくするため、通常人υ等の不純物拡散
あるいは部分的な電子線照射技術が導入されており、制
御性の優位性によシミ子線照射が主流となっている。電
子腺照射による少数キャリアのライフタイムの制御は照
射された電子が半導体ウニノ・を通過する際に、励起、
イオン効果、衝突散乱効果、原子核変位効果等によシ半
導体つェハ内に結晶欠陥を誘起し再結合サイトを故意に
形成して、少数キャリアのライフタイムを変化させてい
る。このように電子線照射によるライフタイムの変化は
次式％式％ ここで、Ｎ＝再結合センター密度（錆　）φ　−電子線
照射量（ｃｒｎ） σ　＝再結合センタの捕獲断面積 ｖｔｈ＝熱キャリア速度 ｋ　＝電子線による損傷係数 である。
上記した式から明らかなように電子線照射量φを可変に
することによ択フサ自由にコントロールすることができ
る。
〔背景技術の問題点〕
しかし、従来のようにライフタイムを変化させる場合の
電子線照射はウェア１単位、又はチッｆ（半導体装置）
単位で適用されているため、半導体装置内でライフタイ
ムを制御することが不可能であった。
〔発明の目的〕
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は半導体装置内で選択的にライフタイムを制御すること
ができる選択的ライフタイムが制御された半導体装置及
びその製造方法を提供することにある。
〔発明の概要〕
半導体ウェハに電子線を照射してライフタイムを制御す
るように欠陥を誘起させた後選択的にイオンイングラン
チージョンを行い、その後加熱処理によフ選択的に半導
体ウニノ・の横方向及び縦方向にライフタイムを回復さ
せ同一ウエバ内にライフタイムの異なる領域を形成して
いる。
〔発明の実施例〕
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
第１図（４）において、ＩＪはｓｉ半導体基板、１２１
及び１２２は上記半導体基板１１上に形成されたＰＮ接
合を有する領域で、実施例において、領域１２．にはデ
ジタル回路、領域１２２にはアナログ回路が形成されて
いるものとする。従って、領域１２１に形成されるデジ
タル回路に対しては少数キャリアのライフタイムを短か
くしてスイッチング特性を速くすることが望まれる。
まず、第１図（Ｂ）に示すように半導体基板１１に、α
線、γ線、電子線、Ｘ線、中性子腺等の放射線を照射し
て欠陥１３を誘起させる。この場合の放射線の照射量と
少数キャリアのライフタイムの変化の関係は上記した第
１式に示したとおシである。例えば、抵抗率ρ−１５０
にｈ１ライフタイム＝８０μｓに対してＥＡ　（照射エ
ネルギー＝１、ＯＭｅＶ　１　φ（ドーズＷ（）　＝　
ｌＸｌ０　ｃｍを照射するとライフタイムは５μｓ程度
に短縮される。次に第１図（Ｃ）に示すように上記半導
体基板１１にマスク材としてレジスト膜１４を形成する
。なお、マスク材として５１０２　、ＳｉＮ等の酸化膜
、ＣＶＤ膜を形Ｊｊ、’ＣＬでもよい。そして、上記レ
ジスト膜１４を露光、エッグングして８ＰＪｉ図（Ｄ）
に示すようなレジスト・ギターンを形成する。
ここで、このレジストｚｆターンはアナログ回路が形成
される領域１２２にその開［」部１５が位置するように
設定される。次に、２■１図（Ｅ）に示すようにこの開
口部１５よシＳｉイオンをイオンプランテーションする
。ここで、ライフタイムを回復させる領域１２２の深さ
、ラインタイツ・の程度によって打込みエネルギー、１
゛−ゾ量が決定される。例えは、打込み工オル”ｌ”　
　Ｉ　ＭｅＶドーズ量ｌＸｌ０１３でＳｉを注入し次に
、第１図１（Ｆ）に示すように、ＹＡＧレーザ−（２０
ｋｌ’Ｌｙ、　１０　Ｗ）照射を行い、ゲッターサイｉ
・を形成し、ラインタイムの回復された領域が選択的に
形成される。
第２図において、ｓＩイオンプランテーションを行なっ
た後レーザーアニール処理にょシライフタイムの回復を
行々っだ場合の特性を曲線ａによシ、電子線照射後サー
マルアニールによってのみのライフタイムの回復を行な
った場合の特性を曲線すによシ示している。曲＋ＴＩＪ
　＆の条件は抵抗率ρ＝１５００ｔｙｎ、　ＥＡ（照射
エネルギー）＝１、ＯＭｅＶ　、　　φｅ（ドーズ量）
　＝　Ｉ　Ｘ　１０”ｃｍ−２、インプラ加速電圧””
　Ｉ　ＭｅＶ　、インプラ後レーザーアニール、レーザ
ーアニ−＃　：　２０　ｋＨｚ　、　１０Ｗまた、曲線
ｂｏ条件は抵抗率（１）　＝　１５０　Ｑｔｍ　。
ＥＡ（照射エネルギー）　＝　１．０　ＭｅＶ　、　　
φ　（ドーズ量”　Ｉ　Ｘ　ｌ　０１４ｃｒｎ−２、ア
ニーリング温度３ｏｏ℃である。これによシ、アニーリ
ングにょシライフタイム回復が可能な電子線照射量に対
してもイオンインプランテーションを行い、かつアニー
ル処理を行なう事でライフタイムを、選択的に回復させ
ることができる。また、イオンインプランテーションの
打込みエネルギーによりライフタイム回復領域を深さ方
向に制御することができる。また、ドーズ量とアニーリ
ングを組合せてライフタイムの回復の程度を任意に制御
することができる。
なお、上記実施例においてはシリコン半導体基板を用い
たが、ＧａＡｓ半導体基板を用いても良いことは勿論で
ある。
〔発明の効果〕
以上詳述したようにこの発明によれば、半導体装置内で
選択的にライフタイムを制御することかので、アナログ
回路とデジタル回路を有するバイポーラＬＳＩ　（大規
模集積回路）ではライフタイムの長い領域でアナログデ
バイスを形成して周波数特性を改善し、ライフタイムの
短い領域にデジタル回路を形成してスイッチング特性を
改善してスピードアップを割ることが可能となる。さら
に、例えばＭＯ８ＬＳＩで最近話題になっているα線に
よるソフトエラーやインパクトイオン化によって発生し
た少数キャリアによるメモリ誤動作などの改善を計るこ
とができる。
また、ＣＯＤイメージセンサでは光漏れ現象と呼ばれる
受光部以外の不要部分からの光漏れによるノイズ、周辺
回路から電気的に注入された少数キャリアによるクロッ
ク、ノイズなどの悪化を改善するととができる。更に、
分光特性や解像度特性々どの特性向上をもたらすことが
できる。さらに、ＣＭＯＳデバイスのラッチアップ防止
対策にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）〜（Ｆ）はこの発明の一実施例における半
導体装置及びその製造方法を示す図、第２図はライフタ
イムの変化を示す図である。 １ノ・・・８１半導体基板、１３・・・欠陥、１５・・
・開口部。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１図

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）少なくとも１つのＰＮ接合を有した半導体基板に
    均一に少数キャリアのライフタイムが短かくされた領域
    と、上記領域中に形成されたライフタイムが回復された
    領域とを具備したことを特徴とする半導体装置。
  2. （２）少なくとも１つのＰＮ接合を有している半導体基
    板に放射線を照射して少数キャリアのライフタイムを短
    かくするように欠陥を誘起させる電子照射工程と、上記
    半導体基板のライフタイム回復予定領域に選択的にイオ
    ン注入を行なうイオンインプランテーション工程と、上
    記半導体基板に対して加熱処理を行なう加熱処理工程と
    を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. （３）上記半導体基板はＳｌあるいはＧａＡｓであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
    。
  4. （４）上記半導体基板はＳｔあるいはＧａＡｓであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体装置
    の製造方法。
JP57161243A 1982-09-16 1982-09-16 半導体装置及びその製造方法 Pending JPS5950531A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57161243A JPS5950531A (ja) 1982-09-16 1982-09-16 半導体装置及びその製造方法
US06/531,620 US4521256A (en) 1982-09-16 1983-09-13 Method of making integrated devices having long and short minority carrier lifetimes
DE8383109181T DE3368347D1 (en) 1982-09-16 1983-09-16 Process for adjusting charge carrier lifetime
EP83109181A EP0111638B1 (en) 1982-09-16 1983-09-16 Process for adjusting charge carrier lifetime

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57161243A JPS5950531A (ja) 1982-09-16 1982-09-16 半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5950531A true JPS5950531A (ja) 1984-03-23

Family

ID=15731365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57161243A Pending JPS5950531A (ja) 1982-09-16 1982-09-16 半導体装置及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4521256A (ja)
EP (1) EP0111638B1 (ja)
JP (1) JPS5950531A (ja)
DE (1) DE3368347D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431154A (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Fuji Seiko Honsha Cassette

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4684413A (en) * 1985-10-07 1987-08-04 Rca Corporation Method for increasing the switching speed of a semiconductor device by neutron irradiation
US4732874A (en) * 1986-10-15 1988-03-22 Delco Electronics Corporation Removing metal precipitates from semiconductor devices
US5510274A (en) * 1987-08-19 1996-04-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of controlling a carrier lifetime in a semiconductor switching device
US5017508A (en) * 1989-06-29 1991-05-21 Ixys Corporation Method of annealing fully-fabricated, radiation damaged semiconductor devices
JPH06349838A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
KR100342073B1 (ko) * 2000-03-29 2002-07-02 조중열 반도체 소자의 제조 방법
GB2393037B (en) * 2002-09-11 2007-05-23 Tera View Ltd Method of enhancing the photoconductive properties of a semiconductor and method of producing a seminconductor with enhanced photoconductive properties
JP5365063B2 (ja) * 2008-05-07 2013-12-11 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコンウェーハの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4880282A (ja) * 1972-01-31 1973-10-27
JPS5056883A (ja) * 1973-09-14 1975-05-17
JPS5299065A (en) * 1976-02-16 1977-08-19 Mitsubishi Electric Corp Production of semiconductor device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4047976A (en) * 1976-06-21 1977-09-13 Motorola, Inc. Method for manufacturing a high-speed semiconductor device
US4240844A (en) * 1978-12-22 1980-12-23 Westinghouse Electric Corp. Reducing the switching time of semiconductor devices by neutron irradiation
US4230791A (en) * 1979-04-02 1980-10-28 General Electric Company Control of valley current in a unijunction transistor by electron irradiation
DE2917455A1 (de) * 1979-04-30 1980-11-13 Ibm Deutschland Verfahren zur vollstaendigen ausheilung von gitterdefekten in durch ionenimplantation von phosphor erzeugten n-leitenden zonen einer siliciumhalbleitervorrichtung und zugehoerige siliciumhalbleitervorrichtung
JPS55150239A (en) * 1979-05-10 1980-11-22 Mitsubishi Electric Corp Heat treating method
US4249962A (en) * 1979-09-11 1981-02-10 Western Electric Company, Inc. Method of removing contaminating impurities from device areas in a semiconductor wafer
US4318750A (en) * 1979-12-28 1982-03-09 Westinghouse Electric Corp. Method for radiation hardening semiconductor devices and integrated circuits to latch-up effects
IN152079B (ja) * 1980-01-09 1983-10-08 Westinghouse Electric Corp
GB2070328B (en) * 1980-01-23 1984-08-30 Secr Defence Laser annealed electronic devices
US4328610A (en) * 1980-04-25 1982-05-11 Burroughs Corporation Method of reducing alpha-particle induced errors in an integrated circuit
US4392893A (en) * 1980-11-17 1983-07-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment
US4415373A (en) * 1981-11-17 1983-11-15 Allied Corporation Laser process for gettering defects in semiconductor devices

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4880282A (ja) * 1972-01-31 1973-10-27
JPS5056883A (ja) * 1973-09-14 1975-05-17
JPS5299065A (en) * 1976-02-16 1977-08-19 Mitsubishi Electric Corp Production of semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431154A (en) * 1987-07-28 1989-02-01 Fuji Seiko Honsha Cassette

Also Published As

Publication number Publication date
EP0111638B1 (en) 1986-12-10
DE3368347D1 (en) 1987-01-22
US4521256A (en) 1985-06-04
EP0111638A1 (en) 1984-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6346464B1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPS5950531A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US5950079A (en) Semiconductor processing methods of forming complementary metal oxide semiconductor memory and other circuitry
KR100412129B1 (ko) 반도체소자의 접합 형성방법
JP3211773B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
Leray Assessments of SOI technologies for hardening
JP2643901B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0411736A (ja) 半導体装置およびその製造方法
Wang et al. Application of synchrotron x‐ray lithography to fabricate fully scaled 0.5 μm complementary metal–oxide semiconductor devices and circuits
JPH0135507B2 (ja)
KR100322889B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
JPH08227936A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3293929B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2735601B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04363025A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS63164313A (ja) 半導体装置の製造方法
KR100328812B1 (ko) 이온 주입방법
KR890005197B1 (ko) 씨모오스 반도체장치의 제조방법
JP3257596B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0433375A (ja) Ｍｏｓトランジスタ
JPH02291173A (ja) Ｍｏｓトランジスタの製造方法
KR19990039596A (ko) 이온주입장치
JPH04267560A (ja) スタティックｒａｍのメモリセルの製造方法
JPS61198746A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0936381A (ja) シリコンオンサファイア集積回路構成体