JPS5950353A - ガス検知素子の製法 - Google Patents
ガス検知素子の製法Info
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- JPS5950353A JPS5950353A JP16126082A JP16126082A JPS5950353A JP S5950353 A JPS5950353 A JP S5950353A JP 16126082 A JP16126082 A JP 16126082A JP 16126082 A JP16126082 A JP 16126082A JP S5950353 A JPS5950353 A JP S5950353A
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- pdo
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、メタンガス、ブタンガス、水素ガス等の可
燃性ガスを感知したときに警報を発するガス漏れ警報器
の素子などとして用いられるガス検知素子の製法に関す
る。
燃性ガスを感知したときに警報を発するガス漏れ警報器
の素子などとして用いられるガス検知素子の製法に関す
る。
金属酸化物半導体に可燃性ガスが吸着したときに生じる
抵抗値変化を利用してガス検知を行う素子は、公知であ
る。発明者らは、このような素子としてすぐれた特性を
示すものを種々開発した。
抵抗値変化を利用してガス検知を行う素子は、公知であ
る。発明者らは、このような素子としてすぐれた特性を
示すものを種々開発した。
それらの中で、目的のガスを検知する能力（ガス検知能
）を示す成分すなわち有効成分が一酸化インジウム、酸
化錫および酸化パラジウムからなるガス検知素子が、き
わめてすぐれていることを見出した。たしかに、このガ
ス検知素子は可燃性ガスが吸着したときに生じる実用濃
度域での素子抵抗値変化が大きく、かつガス濃度に対し
て素子抵抗値変化が直線関係を有し、ガス感応性に富ん
だ実用性の大きいものである。
）を示す成分すなわち有効成分が一酸化インジウム、酸
化錫および酸化パラジウムからなるガス検知素子が、き
わめてすぐれていることを見出した。たしかに、このガ
ス検知素子は可燃性ガスが吸着したときに生じる実用濃
度域での素子抵抗値変化が大きく、かつガス濃度に対し
て素子抵抗値変化が直線関係を有し、ガス感応性に富ん
だ実用性の大きいものである。
しかし、検知特性についてもつとも重要なのは各ガスに
対する感度のバランスがとれていることであるが、その
点からみたとき、従来のものは必ずしも十分満足し得る
ものではなかった。この点での改善を図るために発明者
らは種々検討した。
対する感度のバランスがとれていることであるが、その
点からみたとき、従来のものは必ずしも十分満足し得る
ものではなかった。この点での改善を図るために発明者
らは種々検討した。
その結果、原因のひとつが酸化パラジウム原料粉末の性
状、すなわちその粒度分布にあること、そしてその而か
らみるとき、特性に影響を及はす因子は実添加量ではな
く、添加粒子数（酸化インジウムや酸化錫母材と酸化パ
ラジウム触媒との接触点数を決めるもの）であるとみな
ければならないことを知った。そこで、さらに研究を進
め、ついに、前記の点の改善は酸化パラジウムの粒径が
０．２μＪＪ下ノモノを一定範囲内で含有させることに
ょつ千達成されることを見出し、この発明を完成するに
至ったものである。
状、すなわちその粒度分布にあること、そしてその而か
らみるとき、特性に影響を及はす因子は実添加量ではな
く、添加粒子数（酸化インジウムや酸化錫母材と酸化パ
ラジウム触媒との接触点数を決めるもの）であるとみな
ければならないことを知った。そこで、さらに研究を進
め、ついに、前記の点の改善は酸化パラジウムの粒径が
０．２μＪＪ下ノモノを一定範囲内で含有させることに
ょつ千達成されることを見出し、この発明を完成するに
至ったものである。
この発明は、有効成分が酸化インジウム、酸化錫および
酸化パラジウムからなるガス検知素子を得るに当り、原
料配合において酸化インジウムと酸化錫の相互割合を酸
化インジウム２５〜５０重量係、残部を酸化錫とし、酸
化インジウムと酸化錫の合計量に対する酸化パラジウム
の、下式で求められる有効添加量の割合を０．０６〜３
．０重量％とすることを特徴とするガス検知素子の製法
を要旨としている。
酸化パラジウムからなるガス検知素子を得るに当り、原
料配合において酸化インジウムと酸化錫の相互割合を酸
化インジウム２５〜５０重量係、残部を酸化錫とし、酸
化インジウムと酸化錫の合計量に対する酸化パラジウム
の、下式で求められる有効添加量の割合を０．０６〜３
．０重量％とすることを特徴とするガス検知素子の製法
を要旨としている。
酸化パラジウムの有効添加量
以下、これについて詳細に説明する。、この発明にかか
る製法によって作られる検知素子は、それぞれに特質を
有する酸化インジウム。
る製法によって作られる検知素子は、それぞれに特質を
有する酸化インジウム。
酸化錫および酸化パラジウムの３種成分で構成されて込
る。
る。
素子を構成する各酸化物は、複数種類の原子価をもつこ
とに起因して種々の酸化形態をとりうることがあるが、
その種類は問わない。また−複数種類の酸化形態が存在
する酸化物につめては、いずれかの酸化形態のものが単
独で素子中に存在する場合のほか、複数種類の酸化形態
のものが併せて素子中に存在する場合も、ある。な〉、
ここにいう酸化形態には格子欠陥などに起因して非化学
量論的組成をもつものも含まれている。
とに起因して種々の酸化形態をとりうることがあるが、
その種類は問わない。また−複数種類の酸化形態が存在
する酸化物につめては、いずれかの酸化形態のものが単
独で素子中に存在する場合のほか、複数種類の酸化形態
のものが併せて素子中に存在する場合も、ある。な〉、
ここにいう酸化形態には格子欠陥などに起因して非化学
量論的組成をもつものも含まれている。
もつとも、普−通、酸化インジウムはＩｎｚＯ３、酸化
錫は５ｎ０２ という酸化形態であり一酸化パラジウ
ムはＰｄＯという酸化形態である。したがって、この明
細書において、素子を構成する成分の割合（組成比）を
考えるに当たっては、各酸化物はすべて上に表わされて
いる酸化形態のものに換算されることとしている。なお
−Ｉｎ 、 Ｓｎ 、 Ｐｄ は元素状態で素子中に
存在することもあるが、そのような場合もこれを上記の
酸化物とみなして組成比が計算される。
錫は５ｎ０２ という酸化形態であり一酸化パラジウ
ムはＰｄＯという酸化形態である。したがって、この明
細書において、素子を構成する成分の割合（組成比）を
考えるに当たっては、各酸化物はすべて上に表わされて
いる酸化形態のものに換算されることとしている。なお
−Ｉｎ 、 Ｓｎ 、 Ｐｄ は元素状態で素子中に
存在することもあるが、そのような場合もこれを上記の
酸化物とみなして組成比が計算される。
そうすれば、原料混合時の３成分の配合は、つぎのとお
りになることが必要である。すなわち、酸化インジウム
と酸化錫の相互割合を一酸化インジウムが２５〜５０重
量係（以下「俤」と略す）を占め、酸化錫が残部すなわ
ち７５〜５０チを占めるように選ぶ。酸化パラジウムは
、これら酸化インジウムと酸化錫の２種合計量に対し、
下式で求められる有効添加量が０．０６〜３，０俤とな
る範囲で用いる。
りになることが必要である。すなわち、酸化インジウム
と酸化錫の相互割合を一酸化インジウムが２５〜５０重
量係（以下「俤」と略す）を占め、酸化錫が残部すなわ
ち７５〜５０チを占めるように選ぶ。酸化パラジウムは
、これら酸化インジウムと酸化錫の２種合計量に対し、
下式で求められる有効添加量が０．０６〜３，０俤とな
る範囲で用いる。
酸化パラジウムの有効添加量
上式において、Ｗけ酸化パラジウム粉末の粒度分布に〉
いて、０．２μ以下の粒径のものが全体に占める割合を
重量係で示すものである。なお、その割合が５．０係以
下のものは全て５．０係とみなす。
いて、０．２μ以下の粒径のものが全体に占める割合を
重量係で示すものである。なお、その割合が５．０係以
下のものは全て５．０係とみなす。
原料混合時の相互割合において、酸化インジウムが５０
係を超えると、素子抵抗値が小さくなりすぎて警報器の
回路形成上問題が生じる。さらに、メタンに比較して水
素やブタンに対する感度が低くなるという問題も生じる
。酸化錫が７５係を超えると、水素の濃度依存性が小さ
くなり、高濃度での感度が下がってくる。酸化パラジウ
ムについては、粒径０．２μ以下のものの割合に基いて
算出される有効添加量が３チを越えると一メタン、ブタ
ン、水素の各ガスに対してバランスよく感動しているか
どうかを判断する指標すなわちレベル設定余裕率Ｅが低
ドする。また、酸化パラジウムの有効添加量が０．０６
９１＋未満になるとメタンに対する感度がなくなるので
ある。上述の相互割合の範囲を満足するようＶこ、３種
成分の原料を配合し混合して焼成した素子は一素子抵抗
にすぐれ、各ガスに対する感度のバランスが向上スる。
係を超えると、素子抵抗値が小さくなりすぎて警報器の
回路形成上問題が生じる。さらに、メタンに比較して水
素やブタンに対する感度が低くなるという問題も生じる
。酸化錫が７５係を超えると、水素の濃度依存性が小さ
くなり、高濃度での感度が下がってくる。酸化パラジウ
ムについては、粒径０．２μ以下のものの割合に基いて
算出される有効添加量が３チを越えると一メタン、ブタ
ン、水素の各ガスに対してバランスよく感動しているか
どうかを判断する指標すなわちレベル設定余裕率Ｅが低
ドする。また、酸化パラジウムの有効添加量が０．０６
９１＋未満になるとメタンに対する感度がなくなるので
ある。上述の相互割合の範囲を満足するようＶこ、３種
成分の原料を配合し混合して焼成した素子は一素子抵抗
にすぐれ、各ガスに対する感度のバランスが向上スる。
ガス検知特性に再現性のあることが望ましいことは、言
うまでもない。ところが、メーカー違い。
うまでもない。ところが、メーカー違い。
ロッ）３１いの酸化パラジウムを使用すると−必ずしも
再現性の得られないことがある。このようなコトは一酸
化パラジウムの小粒子を多く含む系にすると一低減させ
ることができる。このためＫは、酸化パラジウムの原料
粉末として、粒径０．２μφ以下のものがｌＯチ以上の
ものを用いるとよい。
再現性の得られないことがある。このようなコトは一酸
化パラジウムの小粒子を多く含む系にすると一低減させ
ることができる。このためＫは、酸化パラジウムの原料
粉末として、粒径０．２μφ以下のものがｌＯチ以上の
ものを用いるとよい。
酸化パラジウムの原料粉末として粒径０．２μ−以下の
ものを少なくとも１０％含有したものを得るためには、
酸化パラジウムの原料素材を次のように処理するとよい
。すなわち−Ｘ線回折（ターゲットＣｕ −Ｋａ線）２
θ＝４６度１面指数［１゜０．１〕面ピークの半価中が
１．０度以上のアモルファスに近いものを用い、これを
５００〜７００℃で熱処理するのである。熱処理温度５
００℃未満および７００℃を越えた場合は、いずれも、
粒径０２μφ以下のものが１０％以下となる傾向にある
。
ものを少なくとも１０％含有したものを得るためには、
酸化パラジウムの原料素材を次のように処理するとよい
。すなわち−Ｘ線回折（ターゲットＣｕ −Ｋａ線）２
θ＝４６度１面指数［１゜０．１〕面ピークの半価中が
１．０度以上のアモルファスに近いものを用い、これを
５００〜７００℃で熱処理するのである。熱処理温度５
００℃未満および７００℃を越えた場合は、いずれも、
粒径０２μφ以下のものが１０％以下となる傾向にある
。
ガス検知素子をつくるに当たっては、この発明の効果を
妨げない範囲において、増量剤として働く成分など他の
成分を添加することもできる。
妨げない範囲において、増量剤として働く成分など他の
成分を添加することもできる。
この発明にかかる可燃性ガス検知素子の形態としては、
良好なガス感度が容易に得られる一経時安定性が良い等
の理由から、焼結体に構成する形態が選ばれる。すなわ
ち、前記３種の原料混合物を焼成するのである。この焼
成方法に特別の制限はない。その製造原料、製造方法等
も一原料の入手の容易さ、コストやその使用目的等を勘
案して適宜に選ばれる。製造用出発原料としては一素子
トナツタときに酸化インジウムであり、酸化錫であり、
また酸化パラジウムでありさえすれば種類は問わず（目
的の酸化物そのものであってもよい）、また必要により
出発原料に加えられる中間処理の区別も問わない。
良好なガス感度が容易に得られる一経時安定性が良い等
の理由から、焼結体に構成する形態が選ばれる。すなわ
ち、前記３種の原料混合物を焼成するのである。この焼
成方法に特別の制限はない。その製造原料、製造方法等
も一原料の入手の容易さ、コストやその使用目的等を勘
案して適宜に選ばれる。製造用出発原料としては一素子
トナツタときに酸化インジウムであり、酸化錫であり、
また酸化パラジウムでありさえすれば種類は問わず（目
的の酸化物そのものであってもよい）、また必要により
出発原料に加えられる中間処理の区別も問わない。
この発明の製法によって得られるガス検知素子は、メタ
ン、ブタン、水素の３種ガスに対してバランスのとれた
満足すべき感度を示す。しかも、ガス検知特性のバラツ
キが著しく少ないので信頼性が高い。
ン、ブタン、水素の３種ガスに対してバランスのとれた
満足すべき感度を示す。しかも、ガス検知特性のバラツ
キが著しく少ないので信頼性が高い。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
原料粉末としてＩｎｚ０３．５ｎＯｚ およびＰｄＯ
を選び、これらのうちの二つの原料粉末ＩｎｚＯ３ト５
ｎＯｚ全第１表の割合で配合した後、Ｉｎｚ０３と５ｎ
Ｏｚの合計量に対し、ＰｄＯを第１表記載の実添加債、
有効添加量で配合した。
を選び、これらのうちの二つの原料粉末ＩｎｚＯ３ト５
ｎＯｚ全第１表の割合で配合した後、Ｉｎｚ０３と５ｎ
Ｏｚの合計量に対し、ＰｄＯを第１表記載の実添加債、
有効添加量で配合した。
（以 下 余 白）
この配合物を石川弐捕潰機で充分混合（総量１ｇ−３０
分間）したのち、混合粉末を一定一所（１５〜）秤量し
て、白金線電極（直径０．２ ｍｍ−，長さ１５ ｍｍ
、 ）が２水平行ｉＣ埋設された直径２ ｍｍ−。
分間）したのち、混合粉末を一定一所（１５〜）秤量し
て、白金線電極（直径０．２ ｍｍ−，長さ１５ ｍｍ
、 ）が２水平行ｉＣ埋設された直径２ ｍｍ−。
長さ２ ｍｍで円柱状の素子形状に圧縮成形（圧力１〜
２ ｔ／ｃｍ２） Ｌ、、焼成温度６００ ’Ｃ、焼成
時間３時間〜空気中という焼成条件で焼成す゛ることに
よってガス検知素子をつくった。１各素子について素子
抵抗値とレベル設定余裕率Ｅを調べた結果は第１表のと
おりである。なお−これらを調べるために、濃度−抵抗
値の関係を測定した結果を第１図〜第１３図に示し、こ
れらの図と素子の対応を第１表に併記した。各図におい
て線ＬＨは水素の一線ＬＭはメタンの、線ＬＢはブタン
の、それぞれ濃度−抵抗値の関係をあられしている。
２ ｔ／ｃｍ２） Ｌ、、焼成温度６００ ’Ｃ、焼成
時間３時間〜空気中という焼成条件で焼成す゛ることに
よってガス検知素子をつくった。１各素子について素子
抵抗値とレベル設定余裕率Ｅを調べた結果は第１表のと
おりである。なお−これらを調べるために、濃度−抵抗
値の関係を測定した結果を第１図〜第１３図に示し、こ
れらの図と素子の対応を第１表に併記した。各図におい
て線ＬＨは水素の一線ＬＭはメタンの、線ＬＢはブタン
の、それぞれ濃度−抵抗値の関係をあられしている。
第１表にみるように、実施例１〜８はいずれも比較例１
〜５よりレベル設定余裕率（Ｅ）が大きく、すぐれてい
る。
〜５よりレベル設定余裕率（Ｅ）が大きく、すぐれてい
る。
素子特性のバラツキを検討するために第２表の如き素子
組成のものを選び一前記と同一条件で率子を作成した。
組成のものを選び一前記と同一条件で率子を作成した。
特性のバラツキを第２表に示しだ。
（以 下 余 白）
第２表にみるように、ＰｄＯ原料粉末全体に占める０、
２μ−以下の粒子の割合が１０係を越えている試料１．
２は、１０係未満の試料３，４に比較して検知特性のバ
ラツキが少なく〜すぐれている。
２μ−以下の粒子の割合が１０係を越えている試料１．
２は、１０係未満の試料３，４に比較して検知特性のバ
ラツキが少なく〜すぐれている。
ＰｄＯの熱処理温度と粒径の関係を検討するために、Ｐ
ｄＯ原料粉末として第３表のものを使用した。
ｄＯ原料粉末として第３表のものを使用した。
第３表
上記ＰｄＯ原料粉末１ｇを石英管中に投入し、電気炉内
で回転しながら、空気雰囲気下で熱処理を行なった。熱
処理温度は一３５０℃、４５０℃、６００℃。
で回転しながら、空気雰囲気下で熱処理を行なった。熱
処理温度は一３５０℃、４５０℃、６００℃。
７５０℃とし、熱処理時間はいずれも１時間とした。
処理されたＰｄＯを取り出し、沈降法により粒度分布を
測定した。さらに、ロジンーラムラ−（Ｒｏｓｉｎ−Ｒ
ａｍｍ１ｅｒ ’）線図で粒径分布を求め、全ＰｄＯ粉
末中に占める０、２μφ以下の粒子の割合（チ）を求め
、その結果を第１４図に示した。
測定した。さらに、ロジンーラムラ−（Ｒｏｓｉｎ−Ｒ
ａｍｍ１ｅｒ ’）線図で粒径分布を求め、全ＰｄＯ粉
末中に占める０、２μφ以下の粒子の割合（チ）を求め
、その結果を第１４図に示した。
同図にみるように、酸化パラジウムの原料素材として、
Ｘ線回折（ターゲットＣｕ −Ｋ、ｚ線）２θ＝４６度
、而指数〔１、０、１）面ピークの半価中が１．０度以
上の原料素材を選び、５００〜７００℃で熱処理すると
、ＰｄＯ原料粉末全体に占める２μ−以下の粒子の割合
が１０係を超えるようになる。
Ｘ線回折（ターゲットＣｕ −Ｋ、ｚ線）２θ＝４６度
、而指数〔１、０、１）面ピークの半価中が１．０度以
上の原料素材を選び、５００〜７００℃で熱処理すると
、ＰｄＯ原料粉末全体に占める２μ−以下の粒子の割合
が１０係を超えるようになる。
なお、抵抗値の測定はつぎのようにして行なわれた。す
なわち、得られたガス検知素子１に、第１５図に示すよ
うに抵抗測定用の固定抵抗２（抵抗値はＲｃΩ）を直列
に接続し、これらの両端に５Ｖの一定電圧をかける。固
定抵抗２の両端の電位ｖｃ（ｖ）を測定すれば、ガス検
知素子１の抵抗値Ｒ５（Ω）が次の式により求められる
。ここに、ｉは回路を流れる電流である。
なわち、得られたガス検知素子１に、第１５図に示すよ
うに抵抗測定用の固定抵抗２（抵抗値はＲｃΩ）を直列
に接続し、これらの両端に５Ｖの一定電圧をかける。固
定抵抗２の両端の電位ｖｃ（ｖ）を測定すれば、ガス検
知素子１の抵抗値Ｒ５（Ω）が次の式により求められる
。ここに、ｉは回路を流れる電流である。
まず、ガス検知素子を装入した測定槽内に、湿度管理さ
れた精製空気を送り込み、雰囲気を充分に安定させたの
ち、前記の方法で素子抵抗値を測定する。つキニ、水素
、メタン、ブタン、アルコールを順に測定槽内に送り込
み、充分に安定した状態（約２時間経過後）で、それぞ
れのガス雰囲気中における抵抗値を同様な方法で測定す
る。この場合、測定の履歴を残さな暦よう、それぞれの
測定の間Ｖこ１日程度の間隔をあけるのが望ましい。
れた精製空気を送り込み、雰囲気を充分に安定させたの
ち、前記の方法で素子抵抗値を測定する。つキニ、水素
、メタン、ブタン、アルコールを順に測定槽内に送り込
み、充分に安定した状態（約２時間経過後）で、それぞ
れのガス雰囲気中における抵抗値を同様な方法で測定す
る。この場合、測定の履歴を残さな暦よう、それぞれの
測定の間Ｖこ１日程度の間隔をあけるのが望ましい。
なお、測定に際しては、素子加熱用ヒータに負荷する電
圧ｆｒ：調整することにより、素子の温度を４５０℃に
設定保持した。
圧ｆｒ：調整することにより、素子の温度を４５０℃に
設定保持した。
また、素子が水素、メタンおよびブタンのいずれに対し
ても同様に感動してｈるかどうかを判断するレベル設定
余裕率Ｅは下式で求めた。
ても同様に感動してｈるかどうかを判断するレベル設定
余裕率Ｅは下式で求めた。
Ｉ
Ｅ＝−
２
上式において、Ｒ１は爆発限界下限の１００分の１であ
る水素０．０４’ｌ、メタン０．０５ ％およびブタン
０．０２ ％における各素子抵抗値のうちの最小値を、
まだ、Ｒ２は爆発限界下限の４分の１である水素１．０
チ、メタン１．２５チおよびブタン０．４５係における
各素子抵抗値のうちの最大値をあられす。
る水素０．０４’ｌ、メタン０．０５ ％およびブタン
０．０２ ％における各素子抵抗値のうちの最小値を、
まだ、Ｒ２は爆発限界下限の４分の１である水素１．０
チ、メタン１．２５チおよびブタン０．４５係における
各素子抵抗値のうちの最大値をあられす。
第１図〜第１３図は実施例１〜８卦よび比較例１〜５の
ガス濃度−抵抗値の関係をあられすグラフ、第１４図は
ＰｄＯ熱処理温度−全ＰｄＯ中に占める０、 ２μ≠以
下粒子の割合（係）の関係をあ４わすグラフ、第１５図
は素子の抵抗を調べるための電気回路図である。 代理人 弁理士 松 木 武 彦 第３図 第４図 第７図 第８図 第１１図 第１０図 第１２図 １−一 第１５図
ガス濃度−抵抗値の関係をあられすグラフ、第１４図は
ＰｄＯ熱処理温度−全ＰｄＯ中に占める０、 ２μ≠以
下粒子の割合（係）の関係をあ４わすグラフ、第１５図
は素子の抵抗を調べるための電気回路図である。 代理人 弁理士 松 木 武 彦 第３図 第４図 第７図 第８図 第１１図 第１０図 第１２図 １−一 第１５図
Claims (3)
- （１）有効成分が酸化インジウム、酸化錫および酸化パ
ラジウムからなるガス検知素子を得るに当り、原料配合
において、酸化インジウムと酸化錫の相互割合を酸化イ
ンジウム２５〜５０ 重置’ｌｘ ＊残部を酸化錫とし
、酸化インジウムと酸化錫の合計ｔｉに対する酸化パラ
ジウムの、下式で求められる有効添加量の割合を０．０
６〜３．０重量係とすることを特徴とするガス検知素子
の製法。 - （２）酸化パラジウムの原料粉末として、その粒度分布
において０．２μ以下の粒径のものが全体に占める割合
Ｗが１０重量係以上のものが用いられている特許請求の
範囲第１項記載のガス検知素子の製法。 - （３）酸化パラジウムの原料粉末として、Ｘ線回折（タ
ーゲットＣｕ−に、、線）２θ＝４６度、而指数〔１，
０，，１）面ピークの半価中が１．０度以上の原料素材
を５００〜７００℃で熱処理したものが用いられている
特許請求の範囲第１項記載のガス検知素子め製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16126082A JPS5950353A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | ガス検知素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16126082A JPS5950353A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | ガス検知素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950353A true JPS5950353A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15731710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16126082A Pending JPS5950353A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | ガス検知素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950353A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5217692A (en) * | 1989-10-17 | 1993-06-08 | E.T.R. Elektronik Technologie Rump Gmbh | Gas sensor arrangement |
| JP2013531250A (ja) * | 2010-07-13 | 2013-08-01 | エバーハルト カール ウニヴェルジテート テュービンゲン | ガスセンサーおよびその製造方法 |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP16126082A patent/JPS5950353A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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