JPS5948978A - 半導体レ−ザ用ベ−スおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ用ベ−スおよびその製造方法Info
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- JPS5948978A JPS5948978A JP58145782A JP14578283A JPS5948978A JP S5948978 A JPS5948978 A JP S5948978A JP 58145782 A JP58145782 A JP 58145782A JP 14578283 A JP14578283 A JP 14578283A JP S5948978 A JPS5948978 A JP S5948978A
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- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、゛１′−導体レーザ川のベースおよびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
（背景技術）
’１′、、４体レーザ川ペースは、レーザ効果の座を形
成する半導体構造を機械的に支持する機能を果す部材で
あり、さらに、その半導体構造から発生する熱を放散し
、かつ電源との電気的接続を容易側こする部材である。
成する半導体構造を機械的に支持する機能を果す部材で
あり、さらに、その半導体構造から発生する熱を放散し
、かつ電源との電気的接続を容易側こする部材である。
半導体レーザは非常に敏感であることから、図切なベー
スを設けるという問題は、常に、当該技術分野における
専門家にとってト要なイレ１１の−・つである。一般に
、使用されるベースはモノプロ・ンク（一体構造）の金
属製の支持体で構成され、その上面はつや出しく ｐｏ
ｌｉｓｈｉｎｇ ）されて半導体レーザのチップが取り
付１すられる。
スを設けるという問題は、常に、当該技術分野における
専門家にとってト要なイレ１１の−・つである。一般に
、使用されるベースはモノプロ・ンク（一体構造）の金
属製の支持体で構成され、その上面はつや出しく ｐｏ
ｌｉｓｈｉｎｇ ）されて半導体レーザのチップが取り
付１すられる。
しかしながら、このようなベースの構造は、ベースの・
ｊ法が大きいためにつや出しした後のベースの上面が凸
状になり、このためチップとベースの間の熱的な接触が
不十分になり、−・Ｈ，’Ｖ−導体レーザのアッセンブ
リが完成した後では、半導体レーザ構造を囲う鏡に非常
に近づきにくくなるという問題点がある。
ｊ法が大きいためにつや出しした後のベースの上面が凸
状になり、このためチップとベースの間の熱的な接触が
不十分になり、−・Ｈ，’Ｖ−導体レーザのアッセンブ
リが完成した後では、半導体レーザ構造を囲う鏡に非常
に近づきにくくなるという問題点がある。
（発明の開示）
この発明の目的は、レーザのチップを１１ｙり伺ける部
分が狭く、そのため凸状になることかなく、さらにレー
ザの鏡に接近することので、５る゛１パ導体レーザ川ベ
ースを提供し、もって１−述Ｌ７たような問題点を解消
することにある。
分が狭く、そのため凸状になることかなく、さらにレー
ザの鏡に接近することので、５る゛１パ導体レーザ川ベ
ースを提供し、もって１−述Ｌ７たような問題点を解消
することにある。
この＋１的を達成するためのごの発明の半導体レーザ川
ベースの特徴は、ベースの長「一方向の対称・Ｆ而に対
して傾斜した２つの平面により形成されるプリズム部と
、平面状の保持部とを右するモノブロツクの金属製の支
持体で構成され、プリズム部の対称平面の位置に溝が設
けられ、その溝内にろう付けされる金属製の条片（５ｔ
ｒｉｐ ）のつや出しされた上端面に、長さがその条片
の厚さに等しい半導体レーザのチップが取り伺けられる
と共に、平面状の保持部上に、絶縁性の基板に金７４製
の導電性被膜を覆うことにより形成されかつ接続部材に
より半導体レーザのチップに接続ｒｒ（能な、平行六面
体の相互連結ウェーハ（１ｎｔｅｒ −ｃｏｎｎｅｃｔ
ｉｏｎ讐ａｆｐｒ ）がろう伺けされることにある。
ベースの特徴は、ベースの長「一方向の対称・Ｆ而に対
して傾斜した２つの平面により形成されるプリズム部と
、平面状の保持部とを右するモノブロツクの金属製の支
持体で構成され、プリズム部の対称平面の位置に溝が設
けられ、その溝内にろう付けされる金属製の条片（５ｔ
ｒｉｐ ）のつや出しされた上端面に、長さがその条片
の厚さに等しい半導体レーザのチップが取り伺けられる
と共に、平面状の保持部上に、絶縁性の基板に金７４製
の導電性被膜を覆うことにより形成されかつ接続部材に
より半導体レーザのチップに接続ｒｒ（能な、平行六面
体の相互連結ウェーハ（１ｎｔｅｒ −ｃｏｎｎｅｃｔ
ｉｏｎ讐ａｆｐｒ ）がろう伺けされることにある。
好ましくは、支持体と条片は銅で形成される。
好ましくは、相互連結ウェーハはフリント（ｆｒｉｔ
）したアルミナ製のノ、（板で構成され、その基板の１
つの面に金をスクリーン印刷した導電性被膜が伺着され
、基板の他の面（保持部と接触する而）が銀−パ！シウ
トペーストの助力により形成される伝熱性１１に膜によ
り覆われる。
）したアルミナ製のノ、（板で構成され、その基板の１
つの面に金をスクリーン印刷した導電性被膜が伺着され
、基板の他の面（保持部と接触する而）が銀−パ！シウ
トペーストの助力により形成される伝熱性１１に膜によ
り覆われる。
この発明はまム・、以ドに規定するような゛１′導体レ
ーザ川ペースの製造方法に関する。その製造方法の特徴
は、金属製の支持体をフライス削り（ｍｉｌｌｉｎｇ
）およびωＦ削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ ）により機械加工
して、プリズム部と保持部を形成する工程と、プリズム
部と保持部に溝を形成する工程と、金属製のシートを圧
延（ｒｏｌｌｉｎｇ ）Ｌ、所望の長さに切断し、３つ
の端面を研削しかつ第４の端面をつや出１．シて条片を
製造する一Ｌ程と、絶縁性の基板−ヒに金属ペーストを
スクリーン印刷することにより相互連結ウェーハを製造
する工程と、条片をつや出しした第４の端面をトにして
溝内に挿入し、かつ相互連結ウェーハを保持部にゝｈて
がう上程と、条片および相カ一連結ウェーハをろう付け
する［程とから構成したことにある。
ーザ川ペースの製造方法に関する。その製造方法の特徴
は、金属製の支持体をフライス削り（ｍｉｌｌｉｎｇ
）およびωＦ削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ ）により機械加工
して、プリズム部と保持部を形成する工程と、プリズム
部と保持部に溝を形成する工程と、金属製のシートを圧
延（ｒｏｌｌｉｎｇ ）Ｌ、所望の長さに切断し、３つ
の端面を研削しかつ第４の端面をつや出１．シて条片を
製造する一Ｌ程と、絶縁性の基板−ヒに金属ペーストを
スクリーン印刷することにより相互連結ウェーハを製造
する工程と、条片をつや出しした第４の端面をトにして
溝内に挿入し、かつ相互連結ウェーハを保持部にゝｈて
がう上程と、条片および相カ一連結ウェーハをろう付け
する［程とから構成したことにある。
（発明を実施するための最良の形態）
以下、この発明のこれに限定されない実施例を、図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
第１図において、半導体レーザ用ベースはモノブロック
の金属製の支持体ｌＯで構成寝れ、この支持体１０には
、支持体ｌＯを含むアンセンブリの長手方向の対称平面
に対して傾斜した２つの平面により形成されるプリズム
部１２を有する。このプリズム部１２の対称平面の位置
には１つの溝１３が設けられる。この溝１３内には１枚
の金属製の条片１４がろう付けされ、この条片１４のつ
や出もした−１．端面には半導体レーザのチ、ンプ１５
が取り付けられる。このチップ１５の長さは条片１４の
厚さに等しい。従って゛１′導体レーザの放射線は矢印
のごとく横断方向を向く。ベースの支持体ｌＯはさらに
平面状の保持部ｌｌを有しこの保持部１１１．に平行六
面体の相ＩＴｉ！ｌ結ウェーハ１６がろう付けされる。
の金属製の支持体ｌＯで構成寝れ、この支持体１０には
、支持体ｌＯを含むアンセンブリの長手方向の対称平面
に対して傾斜した２つの平面により形成されるプリズム
部１２を有する。このプリズム部１２の対称平面の位置
には１つの溝１３が設けられる。この溝１３内には１枚
の金属製の条片１４がろう付けされ、この条片１４のつ
や出もした−１．端面には半導体レーザのチ、ンプ１５
が取り付けられる。このチップ１５の長さは条片１４の
厚さに等しい。従って゛１′導体レーザの放射線は矢印
のごとく横断方向を向く。ベースの支持体ｌＯはさらに
平面状の保持部ｌｌを有しこの保持部１１１．に平行六
面体の相ＩＴｉ！ｌ結ウェーハ１６がろう付けされる。
支持体１０には取（＝Ｉけ穴１８を設けてムよい。
プリズム部には、レーザチップ１５の）１（板全体に１
１−って存在する熱的な接触を損うことなく、レーザチ
ップと鏡を解放することが明らかであろう。
１−って存在する熱的な接触を損うことなく、レーザチ
ップと鏡を解放することが明らかであろう。
このようなオ導体し−ザ用ベースの％Ｊ ｒ方法は、以
下のような例示的な工程で構成することができる。
下のような例示的な工程で構成することができる。
銅、°例えば焼きなましたＣｕ、ＡＩの丸い素材または
引き伸ばした素材をプライス削りしかつ研削して、支持
体１０を得る。次いで第２図のように、保持部１１ と
プリズム部１２を得る。
引き伸ばした素材をプライス削りしかつ研削して、支持
体１０を得る。次いで第２図のように、保持部１１ と
プリズム部１２を得る。
１回の通過で所望の幅を得られるような幅を持つ縦に切
り目を入れる鋸（ｓｌｉｔｔｉｎｇ ｓａｗ ）により
、溝１３を形成する。溝１３の幅は挿入する条片１４の
厚さに３０ないし４Ｑ ｇｍを加えたものに等しい。次
いで、支持体ｌＯをひれ取り （ｔｒｉ−ｍｍｉｎｇ
） Ｌ、さらに超音波槽において塩化溶剤またはぶつ化
溶剤で洗浄する。かくして第３図に示すようにプリズム
部１２と保持部１１に溝１３が形成される。
り目を入れる鋸（ｓｌｉｔｔｉｎｇ ｓａｗ ）により
、溝１３を形成する。溝１３の幅は挿入する条片１４の
厚さに３０ないし４Ｑ ｇｍを加えたものに等しい。次
いで、支持体ｌＯをひれ取り （ｔｒｉ−ｍｍｉｎｇ
） Ｌ、さらに超音波槽において塩化溶剤またはぶつ化
溶剤で洗浄する。かくして第３図に示すようにプリズム
部１２と保持部１１に溝１３が形成される。
支持体ｌＯの場合と同様に、条Ｊ１も焼きなました銅Ｃ
ｕ、ＡＩで形成するのが好ましい。、Ｌ ｋＡをシート
の形態で貯蔵し、そのシートから幅２．５５ ａｍ、長
さ約２５０ ｍ＋ｎの多数の帯板（ｂａｎｄ ）を引き
抜く。各帯板を圧延機に通し、厚さを条片の厚さ± １
ｇｍ等しくする。圧延機を出た（１シ板は、すＪり目を
入れる鋸の助力により長さ４．５ ｍｍの条片に９Ｊ断
される。切断後、条片はｌＪ！化ｌ’ｌ剤Ｊ−たはふっ
化溶剤の助力により洗浄される。次いで各条片１４の第
４図に示す３つの端面？３ 、２５．２６が研削され、
板面２１ 、２２はそのまま放置される。
ｕ、ＡＩで形成するのが好ましい。、Ｌ ｋＡをシート
の形態で貯蔵し、そのシートから幅２．５５ ａｍ、長
さ約２５０ ｍ＋ｎの多数の帯板（ｂａｎｄ ）を引き
抜く。各帯板を圧延機に通し、厚さを条片の厚さ± １
ｇｍ等しくする。圧延機を出た（１シ板は、すＪり目を
入れる鋸の助力により長さ４．５ ｍｍの条片に９Ｊ断
される。切断後、条片はｌＪ！化ｌ’ｌ剤Ｊ−たはふっ
化溶剤の助力により洗浄される。次いで各条片１４の第
４図に示す３つの端面？３ 、２５．２６が研削され、
板面２１ 、２２はそのまま放置される。
次いで条片１４のレーザチップ１５を取り付けるための
第４の端面２４がつや出しされる。このつや出し操作の
ためには、多数の条片を重ねたブロックを、そのブロッ
クの両端の条件の板面２１と２２を抑える２つのフラン
ジを持った特別の１段で保持する。この条片のブロック
をつや出ししてから、各条片を分離する。この方法によ
れば、周縁を落とすことなく、鏡面つや出しされた端面
２４を得ることができる。各条片を把持する手段の縁部
のみが折り返される。
第４の端面２４がつや出しされる。このつや出し操作の
ためには、多数の条片を重ねたブロックを、そのブロッ
クの両端の条件の板面２１と２２を抑える２つのフラン
ジを持った特別の１段で保持する。この条片のブロック
をつや出ししてから、各条片を分離する。この方法によ
れば、周縁を落とすことなく、鏡面つや出しされた端面
２４を得ることができる。各条片を把持する手段の縁部
のみが折り返される。
第５図に示すように、相介連結ウェー／＼１６は、ガラ
スを遊離した（ ｇｌａｓｓ −ｆｒｅｅ ）金ペース
トのスクリーン印刷により形成した、相Ｑ１１！結の［
１的のために使用される導電性被膜３２を付着した。フ
リットされたアルミナ酸の）、（板３０を有する。支持
体１〔１の保持部１１に固定するｔ−めのＦ面は、銀−
パ″・シウムペーストの助力により青られる伝熱性液＋
＋・２３４で覆われる。いくつかのつ工−ハを１つのメ
ルミナ製の基板−１−に同時にスクリーン印刷しかつ焼
き固めることができ、イーの」、（板は次いでレーザビ
ート加工装置の助力により切断される。
スを遊離した（ ｇｌａｓｓ −ｆｒｅｅ ）金ペース
トのスクリーン印刷により形成した、相Ｑ１１！結の［
１的のために使用される導電性被膜３２を付着した。フ
リットされたアルミナ酸の）、（板３０を有する。支持
体１〔１の保持部１１に固定するｔ−めのＦ面は、銀−
パ″・シウムペーストの助力により青られる伝熱性液＋
＋・２３４で覆われる。いくつかのつ工−ハを１つのメ
ルミナ製の基板−１−に同時にスクリーン印刷しかつ焼
き固めることができ、イーの」、（板は次いでレーザビ
ート加工装置の助力により切断される。
支持体１０に形成した溝１３内に、条片１４を軟ろう付
けにより固定する。適当な融解温度とベースとして要求
される適当な熟的挙動４８性を持つ付加合金が選択され
る。例えば１６０ ’Ｃの点に対して、′Ａｌ３２．５
１＆’３８１銀１．５％、融点か１７８°Ｃの合金を使
用することができる。また、２００°Ｃの点に対しては
、錫９５％、アンチモア ５％ 、 ｈ’ｌＲ点か２５
０ ’Ｃ！の合金を使用することができる。
けにより固定する。適当な融解温度とベースとして要求
される適当な熟的挙動４８性を持つ付加合金が選択され
る。例えば１６０ ’Ｃの点に対して、′Ａｌ３２．５
１＆’３８１銀１．５％、融点か１７８°Ｃの合金を使
用することができる。また、２００°Ｃの点に対しては
、錫９５％、アンチモア ５％ 、 ｈ’ｌＲ点か２５
０ ’Ｃ！の合金を使用することができる。
条片１４を構１３内に固定する操作は、２つの段階、す
なわち溝１３の各面を付加合金で覆う段階と、その次の
条片１４をろう付けする段階を含む。
なわち溝１３の各面を付加合金で覆う段階と、その次の
条片１４をろう付けする段階を含む。
溝１３だけを処理するために、選定した伺加合金のプレ
ホーム（ｐｒｅｆｏｒｍ＋前以って形成したもの）を用
いて溝１３の各面を覆う。この方法は次のようにして行
う。塩化溶剤またはぶつ化溶剤による洗浄にも“Ｃいて
、第３図の支持体１０を５ｚ塩酸溶液でエツチングする
。付加合金によるプレホームを以下の寸Ｖ、で調製する
。
ホーム（ｐｒｅｆｏｒｍ＋前以って形成したもの）を用
いて溝１３の各面を覆う。この方法は次のようにして行
う。塩化溶剤またはぶつ化溶剤による洗浄にも“Ｃいて
、第３図の支持体１０を５ｚ塩酸溶液でエツチングする
。付加合金によるプレホームを以下の寸Ｖ、で調製する
。
長さ＝溝１３の長さ
厚さ＝溝１３の厚さ
１’ｆ、ｉ ＝４００ないし１３００ ｇ ｔｎこの
プレホームを溝１３内の中心に位置決めし、に部が余っ
て突出するように挿入する。例えば支持体１０を熱板」
二に置くなどにより、支十〜体１０の温度をプレホーム
の融点よりわずかに高い錨爪に１：： ’ｉｔさせる。
プレホームを溝１３内の中心に位置決めし、に部が余っ
て突出するように挿入する。例えば支持体１０を熱板」
二に置くなどにより、支十〜体１０の温度をプレホーム
の融点よりわずかに高い錨爪に１：： ’ｉｔさせる。
プレホームは融解し、溝［３の縁部および底を流れる。
伺加合金製のプレホームか融解している間、厚さか溝１
３の厚さより １００μ５ｍだけ紡いステンレス銅製の
条）１を溝１３内に通過させる。この条片を縦方向に往
復連動させると、余分なＰノさのない旬着物が得られる
。相互連結ウェーハ１６を取り付けるだめの支＋１体１
０Ｉ７）モ面状の保持部１１も、回・の付加合金で覆い
、でき上ったアッセンブリを良好な放熱器」−に置いて
冷却する。
３の厚さより １００μ５ｍだけ紡いステンレス銅製の
条）１を溝１３内に通過させる。この条片を縦方向に往
復連動させると、余分なＰノさのない旬着物が得られる
。相互連結ウェーハ１６を取り付けるだめの支＋１体１
０Ｉ７）モ面状の保持部１１も、回・の付加合金で覆い
、でき上ったアッセンブリを良好な放熱器」−に置いて
冷却する。
このように調製された支持体を基本として、１゜述のよ
うに使用したプレホーム（第１のプレホーム）と同一種
類の付加合金製の第２のプレホームを溝１３内に挿入す
る。但し、その第２のプレホームの寸法は、 長さ：２ｍｍ 幅 ： ０．８ ｍｍ 厚さ ：溝１３の幅マイナス１００ｇｍに等しいノツネ
とする。
うに使用したプレホーム（第１のプレホーム）と同一種
類の付加合金製の第２のプレホームを溝１３内に挿入す
る。但し、その第２のプレホームの寸法は、 長さ：２ｍｍ 幅 ： ０．８ ｍｍ 厚さ ：溝１３の幅マイナス１００ｇｍに等しいノツネ
とする。
条片 １４を溝１３内に挿入し、中心を合わせる。相互
連結ウェーハ１６を支持体１０の保持部ｌｌ上に位置決
めする。それらを載ｊ〆１した支持体をプレホームの融
解温度に上ｙ１させ、条片１４の端部に圧力を加えて条
片１４を溝１３の底に当接させる。
連結ウェーハ１６を支持体１０の保持部ｌｌ上に位置決
めする。それらを載ｊ〆１した支持体をプレホームの融
解温度に上ｙ１させ、条片１４の端部に圧力を加えて条
片１４を溝１３の底に当接させる。
この操作の間に、条片１４と相互連結ウェーハ１６を同
時にろう付けする。次いでこれを冷却し、塩化溶剤中で
洗浄する。できにつだベースは脱水した容器内に貯蔵し
ておく。
時にろう付けする。次いでこれを冷却し、塩化溶剤中で
洗浄する。できにつだベースは脱水した容器内に貯蔵し
ておく。
完成したアッセンブリは、厚さ０．４ないし１）、６１
Ｌｍの金の付着で被覆されたＪ’／さ０．５ないしＩｐ
Ｌｍの輝ニッケル（ｂｒｉｇｈｔ ｎ１ｃｋｅｌ ）を
伺ｒｌする電気分解付着により、表面処理を行なうこと
ができる。
Ｌｍの金の付着で被覆されたＪ’／さ０．５ないしＩｐ
Ｌｍの輝ニッケル（ｂｒｉｇｈｔ ｎ１ｃｋｅｌ ）を
伺ｒｌする電気分解付着により、表面処理を行なうこと
ができる。
第１図はこの発明の半導体レーザ川ベースの全体斜視図
、第２図は第１図のモノブロックの支持体の〜１１面図
と側面図、第３図は溝を形成した後の支持体の平面図と
側面図、第４図は条片の拡大斜視図、第５図は相互連結
ウェーハの拡大斜視図である。 １０・・・支持体、１１・・・保持部、１２・・・プリ
ズム部、 １３・・・溝、１４・・・条片、
１５・・・チンプ１６・・・相互連結ウェー
ハ、 １７・・・接続部材２３ 、２５．２８・・・端
面、 ２４・・・第４の端面、３０・・・基板、
３２・・・導゛屯に１被１１！マ、３４・
・・伝熱製杭１！う１゜ ４’ｒ ｊＭ出恥入 ルワツイｌ デメール 第１頁の続き ■出 願 人 シャーン・し・ルズイックフランス国２
２７００ペロ・ギレッ ク・セント・ケイ・ぺ凸・コー ンブナーン・アン・ドウール （無番地） ■出 願 人 シャーン・クロード・シモンフランス国
２２７００ペロ・ギレッ ク・リュ・デ・トレズトリグネ ル２３番地
、第２図は第１図のモノブロックの支持体の〜１１面図
と側面図、第３図は溝を形成した後の支持体の平面図と
側面図、第４図は条片の拡大斜視図、第５図は相互連結
ウェーハの拡大斜視図である。 １０・・・支持体、１１・・・保持部、１２・・・プリ
ズム部、 １３・・・溝、１４・・・条片、
１５・・・チンプ１６・・・相互連結ウェー
ハ、 １７・・・接続部材２３ 、２５．２８・・・端
面、 ２４・・・第４の端面、３０・・・基板、
３２・・・導゛屯に１被１１！マ、３４・
・・伝熱製杭１！う１゜ ４’ｒ ｊＭ出恥入 ルワツイｌ デメール 第１頁の続き ■出 願 人 シャーン・し・ルズイックフランス国２
２７００ペロ・ギレッ ク・セント・ケイ・ぺ凸・コー ンブナーン・アン・ドウール （無番地） ■出 願 人 シャーン・クロード・シモンフランス国
２２７００ペロ・ギレッ ク・リュ・デ・トレズトリグネ ル２３番地
Claims (8)
- （１）支持体の長手方向の対称平面に対して傾斜した２
つの平面により形成されるプリズム部と、平面状の保持
部とを一有するモノブロックの金属製。 の支持体で構成され、前記プリズム部の前記対称平面の
位置に溝が設けられ、該構内にろう伺げされる金属製の
条片のつや出しされた一１４端而に、Ｊそさか該条片の
厚さに等しい半導体レーザのチップが取り伺けられると
共に、前記平面状の保持部」−に、絶縁性の基板に金属
製の導電性被膜を覆うことにより形成されかつ接続部材
により前記半導体レーザのチップに接続可能な、乎行六
面体の相互連結ウェーハがろう付けされる半導体レー′
ザ用ベース。 - （２）支持体と条片が銅で形成される特許請求の範囲第
１項記載の半導体レーザ川ベース。 - （３）相互連結ウェーハがフリットしたアルミナ製の基
板で構成され、該基板の１つの面に金をスクリーン印刷
した導電性被膜が付着される特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザ用ベース。 - （４）相互連結ウェーへの保持部に接触する面に、銀−
パラジウムペーストの助力により形成される伝熱性被膜
が付着される特許請求の範囲第３項記載の半導体レーザ
用ベース。 - （５）全付着物で覆われた電気分解ニッケル旧着物によ
り覆われた特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれ
かに記・成の半導体レーザ用ベース。 - （６）金属製の支し’＋体をフライス削りおよび研削に
より機械加圧Ｉ７てプリズト部と保持部を形成する工程
と、該プリズム部と該保持部に溝を形成する工程と、金
属製のシートを圧延し、所望の長さに切断し、３つの端
面を研削しかつ第４の端面をつや出しして条ノ１を製造
する工程と、絶縁性のノ、（板−１−に金属ペーストを
スクリーン印刷することにより相互連結ウェー八を製造
する工程と、＋ｉｉｊ記条片全条片出しした前記第４の
端面を上にして前記溝内に挿入し、かつ前記相方゛連結
つェーへを前記保持部に当てかう工程と、該条片および
該相互連結ウェーハをろう付けする−［程とから構成さ
れる特許＋’＋ｉｌＪ求の範囲第１ゲＩ記載の半導体レ
ーザ川ペースの製造方法。 - （７）つや出し操作が、多数の条片を重ねて同時につや
出しする特許請求の範囲第６項記載の半導体レーザ川ベ
ースの製造方法。 - （８）ろう付けする工程が、長さが溝の幅に等しく、そ
の上部が該溝の−Ｌ部から余って突出する千ｊ加合金製
の第１のプレホームを該構内に挿入する操作と、支持体
の該溝内に該第１のプレホームを挿入したアッセンブリ
を該第１のプレ十−ムの融点よりわずかに高い温度に過
熱する操イ′１と、該第１のプレホームが融解している
間に条片を前記溝内に挿入し、往復運動させ、相互連結
ウェーハを取り付ける前記支持体の平面状の保持部を同
一の伺加合金で被覆する操作と、長さが前記溝の長さよ
り短かい同一の付加合金製の第２のプレホームを該溝内
に挿入する操作と、前記相互連結ウェーハを前記保持部
上に載置する操作と、該アッセンブリを前記第２のプレ
ホームの融点まで加熱し、前記条片の端部に圧力を加え
て該条ノ１を１；亥１＋Ｖ４の底に当接させる操作とか
ら構成される特許請求の範囲第６項記載の半導体レーザ
用ヘースの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| FR8214042A FR2531819A1 (fr) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | Embase pour laser a semi-conducteur et son procede de fabrication |
| FR8214042 | 1982-08-12 |
Publications (1)
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