JPS5948798B2 - 化合物半導体基板結晶の処理方法 - Google Patents
化合物半導体基板結晶の処理方法Info
- Publication number
- JPS5948798B2 JPS5948798B2 JP57106839A JP10683982A JPS5948798B2 JP S5948798 B2 JPS5948798 B2 JP S5948798B2 JP 57106839 A JP57106839 A JP 57106839A JP 10683982 A JP10683982 A JP 10683982A JP S5948798 B2 JPS5948798 B2 JP S5948798B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- compound semiconductor
- implanted
- substrate
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 17
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical group [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005465 channeling Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/2654—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds
- H01L21/26546—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in AIIIBV compounds of electrically active species
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子デバイスの大規模集積回路の形成に好適
な化合物半導体基板結晶の処理方法に関する。
な化合物半導体基板結晶の処理方法に関する。
近年高速でしかも大規模に集積化された電子回路を作成
する要請が高まり、これに伴つてガリウム砒素などの高
い移動度を持つ■−Ｖ族化合物基板結晶上に多数の均一
一 ・な特性を有する電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）を形成する方法に関心が寄せられている。
する要請が高まり、これに伴つてガリウム砒素などの高
い移動度を持つ■−Ｖ族化合物基板結晶上に多数の均一
一 ・な特性を有する電界効果型トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）を形成する方法に関心が寄せられている。
現在広く採用されているＦＥＴを形成する方法は半絶縁
性のガリウム砒素基板結晶表面よりシリコン原子等をイ
オン化した上高速度で注入し、しかるのち加熱アニール
処理を行う方法が採られている。
性のガリウム砒素基板結晶表面よりシリコン原子等をイ
オン化した上高速度で注入し、しかるのち加熱アニール
処理を行う方法が採られている。
このとき使用される基板結晶は電子デバイス相互間の絶
縁性を保証するため固有抵抗を有するものでなければな
らない。現在このような高抵抗を有する化合物半導体結
晶としてはクロムを混入したガリウム砒素が通常用いら
れているが、クロム原子はアニール処理の際結晶内を移
動し易い性質を有しているため、デバイス形成工程中に
おいて、しばしばクロム原子の移動による分布変化のた
めの結晶特性の変化が生じる欠点があつた。
縁性を保証するため固有抵抗を有するものでなければな
らない。現在このような高抵抗を有する化合物半導体結
晶としてはクロムを混入したガリウム砒素が通常用いら
れているが、クロム原子はアニール処理の際結晶内を移
動し易い性質を有しているため、デバイス形成工程中に
おいて、しばしばクロム原子の移動による分布変化のた
めの結晶特性の変化が生じる欠点があつた。
上述の如き欠点を除去するため、高純度ガリウム砒素単
結晶はその大部分が半絶縁性であることに着目し、最近
Ｂ。
結晶はその大部分が半絶縁性であることに着目し、最近
Ｂ。
０３融液中でガリウム砒素単結晶を引き上げる液体封止
引上げ法（ＬＥＣ法）が開発された。
引上げ法（ＬＥＣ法）が開発された。
しかしこの方法ではクロムの有する欠点は除かれる反面
、ストイキオメトリイのゆらぎなどの複雑な原因によつ
て結晶内に往々にして電導度のゆらぎが生じ、そのため
低抵抗部分が生じて均質で高抵抗の基板結晶を再現性よ
く製造することは困難であつた。この発明の目的はＦＥ
Ｔ等の電子デバイスの大規模集積回路の各電子デバイス
間が互に絶縁され、好適に形成することのできる化合物
半導体結晶基板を得るための結晶基板処理方法を提供す
る。
、ストイキオメトリイのゆらぎなどの複雑な原因によつ
て結晶内に往々にして電導度のゆらぎが生じ、そのため
低抵抗部分が生じて均質で高抵抗の基板結晶を再現性よ
く製造することは困難であつた。この発明の目的はＦＥ
Ｔ等の電子デバイスの大規模集積回路の各電子デバイス
間が互に絶縁され、好適に形成することのできる化合物
半導体結晶基板を得るための結晶基板処理方法を提供す
る。
このため、この発明においては■−Ｖ族化合物半導体の
活性層を形成すべき結晶表面より炭素原子をイオンの形
で予じめ注入する。その結果、イオン注入部分附近の固
有抵抗値が向上し、抵抗分布はより均質となる。部分的
に半絶縁性の結晶においても、炭素イオンの注入により
低抵抗部分の抵抗値が高くなり、全体が均質の半絶縁性
結晶となる。さらに高濃度の炭素イオンの注入を行うと
、注入領域はｐ型電導を示すこともあるが、この場合も
形成されるデバイス間の絶縁は有効に保持される。この
ように大規模集積回路に用い得るように基板結晶の抵抗
値を向上、且つ均質とした後、周知の方法によりシリコ
ン、硫黄、セレン原子等を処理領域へ注入して電子デバ
イスを形成するので、各電子デバイス間は有効に絶縁が
保持される。この発明の対象となる基板結晶はガリウム
砒素、インジウム燐、ガリウム燐、ガリウムアンチモン
等の−Ｖ族化合物半導体結晶或はそれらの混晶であつて
、全面が必ずしも均質の半絶縁性でない基板結晶であつ
ても良く、しかし、固有抵抗は１０５Ω・儂以上のもの
が好ましい。上記の基板結晶の活性層となる部分の表面
より炭素原子をイオンの形でチヤネリングが生じない角
度で加速エネルギーを用いて注人する。
活性層を形成すべき結晶表面より炭素原子をイオンの形
で予じめ注入する。その結果、イオン注入部分附近の固
有抵抗値が向上し、抵抗分布はより均質となる。部分的
に半絶縁性の結晶においても、炭素イオンの注入により
低抵抗部分の抵抗値が高くなり、全体が均質の半絶縁性
結晶となる。さらに高濃度の炭素イオンの注入を行うと
、注入領域はｐ型電導を示すこともあるが、この場合も
形成されるデバイス間の絶縁は有効に保持される。この
ように大規模集積回路に用い得るように基板結晶の抵抗
値を向上、且つ均質とした後、周知の方法によりシリコ
ン、硫黄、セレン原子等を処理領域へ注入して電子デバ
イスを形成するので、各電子デバイス間は有効に絶縁が
保持される。この発明の対象となる基板結晶はガリウム
砒素、インジウム燐、ガリウム燐、ガリウムアンチモン
等の−Ｖ族化合物半導体結晶或はそれらの混晶であつて
、全面が必ずしも均質の半絶縁性でない基板結晶であつ
ても良く、しかし、固有抵抗は１０５Ω・儂以上のもの
が好ましい。上記の基板結晶の活性層となる部分の表面
より炭素原子をイオンの形でチヤネリングが生じない角
度で加速エネルギーを用いて注人する。
注入すべき炭素原子の表面密度は半導体結晶の種類、抵
抗値、抵抗分布等を考慮の上決定すべきであるが、通常
の１０７Ω・礪程度の部分的な低抵抗領域を有する結晶
の場合は注入エネルギー２００ＫｅＶのとき１０１０Ｃ
ＴｒＬ−２程度を必要とする。基板結晶の固有抵抗値が
１０５Ω・礪程度と比較的低い場合は電子濃度を低減せ
しめるため１０１２ＣＴｎ−２の如く炭素原子の注人量
を増加させると絶縁性が向上する。更にｎ型の基板結晶
の場合、高濃度の炭素原子を注人すると、炭素原子の注
入部分はｐ型電導を示す場合もある。このように注入す
る炭素原子を多くすると、効果が確実となるが、余りに
も過剰に注人すると結晶中の電子移動度が低減する傾向
を示す。炭素原子はガリウム砒素結晶中において両性ド
ーパントとして作用し、ドナー及びアクセプタとして働
くことが知られているが、ｎ型電導を示す−族化合物半
導体結晶に対しては特にアクセプタを形成し易い傾向を
示し、結晶の電気的特性を均一化せしめ得ることが実験
の結果確認された。
抗値、抵抗分布等を考慮の上決定すべきであるが、通常
の１０７Ω・礪程度の部分的な低抵抗領域を有する結晶
の場合は注入エネルギー２００ＫｅＶのとき１０１０Ｃ
ＴｒＬ−２程度を必要とする。基板結晶の固有抵抗値が
１０５Ω・礪程度と比較的低い場合は電子濃度を低減せ
しめるため１０１２ＣＴｎ−２の如く炭素原子の注人量
を増加させると絶縁性が向上する。更にｎ型の基板結晶
の場合、高濃度の炭素原子を注人すると、炭素原子の注
入部分はｐ型電導を示す場合もある。このように注入す
る炭素原子を多くすると、効果が確実となるが、余りに
も過剰に注人すると結晶中の電子移動度が低減する傾向
を示す。炭素原子はガリウム砒素結晶中において両性ド
ーパントとして作用し、ドナー及びアクセプタとして働
くことが知られているが、ｎ型電導を示す−族化合物半
導体結晶に対しては特にアクセプタを形成し易い傾向を
示し、結晶の電気的特性を均一化せしめ得ることが実験
の結果確認された。
上述の如く、シリコン等の電子デバイスを形成する原子
の注人に先立つて−族化合物半導体またはその混晶の活
性層となる基板結晶表面の炭素原子をイオンの形で注人
すると、注人部分の固有抵抗値が向上し、部分的に半絶
縁性の半導体結晶についても固有抵抗値が高くなり、し
かもその分布が均質となる。次いでこのように処理した
結晶基板に公知の方法にて所定の位置にシリコン、硫黄
、セレンなどのデバイスを形成するための原子を高濃度
で注入し、加熱によるアニール処理を施すことにより注
人された原子がドナー或はアクセブタとして活性化され
、ＦＥＴｌパイポーラトランジスタ等の電子デバイスが
形成されるが、高集積状態を形成するように注人しても
それぞれのデバイスは絶縁、分離されて形成することが
可能となる。
の注人に先立つて−族化合物半導体またはその混晶の活
性層となる基板結晶表面の炭素原子をイオンの形で注人
すると、注人部分の固有抵抗値が向上し、部分的に半絶
縁性の半導体結晶についても固有抵抗値が高くなり、し
かもその分布が均質となる。次いでこのように処理した
結晶基板に公知の方法にて所定の位置にシリコン、硫黄
、セレンなどのデバイスを形成するための原子を高濃度
で注入し、加熱によるアニール処理を施すことにより注
人された原子がドナー或はアクセブタとして活性化され
、ＦＥＴｌパイポーラトランジスタ等の電子デバイスが
形成されるが、高集積状態を形成するように注人しても
それぞれのデバイスは絶縁、分離されて形成することが
可能となる。
このように、これまで大規模集積回路の形成に不向きで
あつた比較的抵抗値の低い基板結晶或は部分的に半絶縁
性の基板結晶について本発明を適用することにより絶縁
性が向上、改善され、均質となつて、大規模集積回路の
基板結晶として使用することができ、従来のクロム原子
を含有する基板結晶と比較してクロム原子の再分布によ
つて生じる問題を回避し得るのみならず絶縁性が向上し
、且つ均質となりしかも炭素を注入しても活性層の電子
の移動度は殆ど影響されない。
あつた比較的抵抗値の低い基板結晶或は部分的に半絶縁
性の基板結晶について本発明を適用することにより絶縁
性が向上、改善され、均質となつて、大規模集積回路の
基板結晶として使用することができ、従来のクロム原子
を含有する基板結晶と比較してクロム原子の再分布によ
つて生じる問題を回避し得るのみならず絶縁性が向上し
、且つ均質となりしかも炭素を注入しても活性層の電子
の移動度は殆ど影響されない。
また、炭素原子は他のアクセプタ原子、例えばベリリウ
ム、マグネシウム、亜鉛のように基板結晶へ注人後、ア
ニール処理間に移動する傾向を示さず、殆ど動かない性
質を有しているため、これらの原子において見られる注
入後の分布の乱れが生ぜず、はるかに有利である。次に
本発明を実施例により説明する。
ム、マグネシウム、亜鉛のように基板結晶へ注人後、ア
ニール処理間に移動する傾向を示さず、殆ど動かない性
質を有しているため、これらの原子において見られる注
入後の分布の乱れが生ぜず、はるかに有利である。次に
本発明を実施例により説明する。
固有抵抗値が１０６Ω・儂のｎ型のガリウム砒素結晶の
表面より表面に対して７度の角度で２００ＫｅＶのエネ
ルギーで１０１１ｃｍ−２の表面密度で炭素原子をイオ
ン化した上、注入した。
表面より表面に対して７度の角度で２００ＫｅＶのエネ
ルギーで１０１１ｃｍ−２の表面密度で炭素原子をイオ
ン化した上、注入した。
しかる後、１００ＫｅＶのエネルギーで１０１２Ｃ！Ｉ
Ｌ−２の表面密度でシリコン原子を注人した。このよう
にイオン注人を行つたガリウム砒素結晶は表面をＳｌ３
Ｎ４で被覆保護した後、８００℃で２０分間窒素雰囲気
中で加熱してアニール処理を行つた。炭素原子及びシリ
コン原子の注入状態を測定した結果、第１図のグラフに
示す。グラフにおいて、縦軸は注入原子濃度を示し、横
軸は結晶表面よりの距離を示し、炭素原子は表面より深
さ約０．４μｍをピークに注入されており（曲線部分１
）、シリコン原子は表面より約０．１μｍの深さをピー
クに注入されていた（曲線部分２）。更にこの結晶の正
負のキヤリヤの濃度を深さの関数として示すと第２図の
如くであつて、グラフ中、縦軸はキヤリア濃度を、横軸
は結晶表面よりの距離を示し、表面付近はシリコン原子
のため高いｎ型電導を示し（曲線部分３）、０．２μｍ
より０．８μｍ付近の深さまでは炭素原子の大部分がア
クセプタとして働くため微弱なｐ型電導を示し（曲線部
分４）、０．８μｍより深い部分では微弱なｎ型電導を
示した（曲線部分５）。
Ｌ−２の表面密度でシリコン原子を注人した。このよう
にイオン注人を行つたガリウム砒素結晶は表面をＳｌ３
Ｎ４で被覆保護した後、８００℃で２０分間窒素雰囲気
中で加熱してアニール処理を行つた。炭素原子及びシリ
コン原子の注入状態を測定した結果、第１図のグラフに
示す。グラフにおいて、縦軸は注入原子濃度を示し、横
軸は結晶表面よりの距離を示し、炭素原子は表面より深
さ約０．４μｍをピークに注入されており（曲線部分１
）、シリコン原子は表面より約０．１μｍの深さをピー
クに注入されていた（曲線部分２）。更にこの結晶の正
負のキヤリヤの濃度を深さの関数として示すと第２図の
如くであつて、グラフ中、縦軸はキヤリア濃度を、横軸
は結晶表面よりの距離を示し、表面付近はシリコン原子
のため高いｎ型電導を示し（曲線部分３）、０．２μｍ
より０．８μｍ付近の深さまでは炭素原子の大部分がア
クセプタとして働くため微弱なｐ型電導を示し（曲線部
分４）、０．８μｍより深い部分では微弱なｎ型電導を
示した（曲線部分５）。
上記のグラフより活性層相互間或は活性層と基板結晶の
間に充分な絶縁が行われたことが判る。即ち、上述のよ
うにして炭素イオンを表面より注人したガリウム砒素結
晶は、第３図に示すように、表面よりほぼ０．８μｍの
深さに亘つて１０９Ω・礪以上の比抵抗を有するｐ型半
絶縁性基板結晶２１となり、基板表面に電子デバイスを
形成するための原子の注入により形成された多数の活性
層２２間を良好に絶縁することになる。
間に充分な絶縁が行われたことが判る。即ち、上述のよ
うにして炭素イオンを表面より注人したガリウム砒素結
晶は、第３図に示すように、表面よりほぼ０．８μｍの
深さに亘つて１０９Ω・礪以上の比抵抗を有するｐ型半
絶縁性基板結晶２１となり、基板表面に電子デバイスを
形成するための原子の注入により形成された多数の活性
層２２間を良好に絶縁することになる。
第１図は本発明の方法によりガリウム砒素結晶に炭素原
子とシリコン原子を注人したときの原子の分布図、第２
図はガリウム砒素結晶に炭素原子とシリコン原子を注入
したときの正負キヤリアの分布図、第３図は本発明で処
理したガリウム砒素結晶表面に活性層を形成した状態を
示す説明図で、図中、２１は基板結晶、２２は活性層を
示す。
子とシリコン原子を注人したときの原子の分布図、第２
図はガリウム砒素結晶に炭素原子とシリコン原子を注入
したときの正負キヤリアの分布図、第３図は本発明で処
理したガリウム砒素結晶表面に活性層を形成した状態を
示す説明図で、図中、２１は基板結晶、２２は活性層を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ III−Ｖ族化合物半導体基板結晶に結晶表面より高
速で１０＾１＾０ｃｍ＾−＾２以上の表面濃度の炭素原
子を注入することを特徴とする化合物半導体基板結晶の
処理方法。 ２ III−Ｖ族化合物半導体はガリウム砒素である特許
請求の範囲第１項記載の化合物半導体基板結晶の処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106839A JPS5948798B2 (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 化合物半導体基板結晶の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106839A JPS5948798B2 (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 化合物半導体基板結晶の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223700A JPS58223700A (ja) | 1983-12-26 |
| JPS5948798B2 true JPS5948798B2 (ja) | 1984-11-28 |
Family
ID=14443859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57106839A Expired JPS5948798B2 (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 化合物半導体基板結晶の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948798B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01232770A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP57106839A patent/JPS5948798B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58223700A (ja) | 1983-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101137155B1 (ko) | 리트로그레이드 탄소 프로파일을 가지는 저결함 ｓｉ：ｃ 층 | |
| US6037640A (en) | Ultra-shallow semiconductor junction formation | |
| US3533857A (en) | Method of restoring crystals damaged by irradiation | |
| JPH0727965B2 (ja) | 埋込みＳｉＯ▲下２▼層を含む装置の製造方法 | |
| US4753895A (en) | Method of forming low leakage CMOS device on insulating substrate | |
| KR910007081A (ko) | 반도체 장치 제조 공정 | |
| US4816893A (en) | Low leakage CMOS/insulator substrate devices and method of forming the same | |
| US3607449A (en) | Method of forming a junction by ion implantation | |
| US4383869A (en) | Method for enhancing electron mobility in GaAs | |
| JPH07101677B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4889819A (en) | Method for fabricating shallow junctions by preamorphizing with dopant of same conductivity as substrate | |
| JPS6362227A (ja) | Ｐ型ド−パントの特性のその他のｐ型ド−パントでの修正 | |
| US4472206A (en) | Method of activating implanted impurities in broad area compound semiconductors by short time contact annealing | |
| CA1044577A (en) | Process for epitaxially growing silicon thin layers | |
| JPS5948798B2 (ja) | 化合物半導体基板結晶の処理方法 | |
| JPH0334649B2 (ja) | ||
| JPH0689870A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH05226343A (ja) | 化合物半導体中の酸素のゲッタリング | |
| JP3459050B2 (ja) | Ｍｏｓトランジスタの製造方法 | |
| JPH06151348A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19990029555A (ko) | Ｓｏｉ기판의 제조방법 | |
| JPH0226781B2 (ja) | ||
| Woodhouse et al. | Electrical characterization of Zn+ and P+ co-implanted InP: Fe | |
| JPH0689869A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0533527B2 (ja) |