JPH05226343A - 化合物半導体中の酸素のゲッタリング - Google Patents
化合物半導体中の酸素のゲッタリングInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】微量の酸素を含有するIII−Ｖ族の化合物半導
体材料中の電気的活性度と電子移動度を実質的に増大さ
せる方法と、それによって得られる製造品を提供する。 【構成】III−Ｖ族の化合物結晶材料をｎ型ドーパント
でドーピングし、このIII−Ｖ族の化合物材料に、上記
の増大効果を示すのに十分な少量の酸素に反応する元素
を添加または注入する。これらの量は、それぞれ約１×
１０13ｃｍ-2、および４．５×１０12ｃｍ-2を超えない
量とする。添加または注入した酸素に反応する元素の量
はｎ型ドーパントの量より少ないことが好ましい。実験
データによれば、添加または注入した酸素に反応する元
素は、ゲッタリング剤として機能して、ドーパント領域
と酸素に反応する元素の領域の間に酸素空乏帯を形成す
る。
体材料中の電気的活性度と電子移動度を実質的に増大さ
せる方法と、それによって得られる製造品を提供する。 【構成】III−Ｖ族の化合物結晶材料をｎ型ドーパント
でドーピングし、このIII−Ｖ族の化合物材料に、上記
の増大効果を示すのに十分な少量の酸素に反応する元素
を添加または注入する。これらの量は、それぞれ約１×
１０13ｃｍ-2、および４．５×１０12ｃｍ-2を超えない
量とする。添加または注入した酸素に反応する元素の量
はｎ型ドーパントの量より少ないことが好ましい。実験
データによれば、添加または注入した酸素に反応する元
素は、ゲッタリング剤として機能して、ドーパント領域
と酸素に反応する元素の領域の間に酸素空乏帯を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、III−Ｖ族化合物中
に添加する酸素に反応する元素とともにｎ型ドーパント
を入れて、活性度および電子移動度が改善された半導体
を形成する方法に関するものである。この発明はまた、
この改良を得るために、III−Ｖ族化合物、特にIII−Ｖ
族化合物半導体から、添加した酸素に反応する元素によ
って酸素をゲッタリングする方法にも関するものであ
る。
に添加する酸素に反応する元素とともにｎ型ドーパント
を入れて、活性度および電子移動度が改善された半導体
を形成する方法に関するものである。この発明はまた、
この改良を得るために、III−Ｖ族化合物、特にIII−Ｖ
族化合物半導体から、添加した酸素に反応する元素によ
って酸素をゲッタリングする方法にも関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｃ．Ｗ．ファーレイ（Farley）他の Jou
rnal of Electronic Materials、Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．
１、１９８７年、ｐ．７９に所載の論文には、Ｓｉ、Ｓ
ｉ＋Ａｌ、およびＳｉ＋Ｐを注入した半絶縁ＧａＡｓ：
Ｃｒの密接したコンタクトの急速熱アニーリングが記載
されている。ファーレイ他は、従来の技術および先に報
告された本件に関するより詳しい結果に従って、III族
元素（たとえばＡｌ）およびＶ族元素（たとえばＰ）と
Ｓｉの同時注入により、そのドナー活性度またはアクセ
プタ活性度が影響を受けることを認めた。Ｓｉ、Ａｌ、
およびＰの注入量はそれぞれ１×１０14ｃｍ-2であっ
た。
rnal of Electronic Materials、Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．
１、１９８７年、ｐ．７９に所載の論文には、Ｓｉ、Ｓ
ｉ＋Ａｌ、およびＳｉ＋Ｐを注入した半絶縁ＧａＡｓ：
Ｃｒの密接したコンタクトの急速熱アニーリングが記載
されている。ファーレイ他は、従来の技術および先に報
告された本件に関するより詳しい結果に従って、III族
元素（たとえばＡｌ）およびＶ族元素（たとえばＰ）と
Ｓｉの同時注入により、そのドナー活性度またはアクセ
プタ活性度が影響を受けることを認めた。Ｓｉ、Ａｌ、
およびＰの注入量はそれぞれ１×１０14ｃｍ-2であっ
た。
【０００３】米国特許第３９７４００２号明細書には、
ＧａＡｓ化合物に基づく異種接合構造レーザの分子線エ
ピタキシによる製造中のゲッタリング剤としてアルミニ
ウムを使用することが記載されている。上記特許の図３
Ｂには、ＧａＡｓとＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓが交互になっ
た領域、すなわちアルミニウムのゲッタリング剤が約２
５％使用されている構造が示されている。
ＧａＡｓ化合物に基づく異種接合構造レーザの分子線エ
ピタキシによる製造中のゲッタリング剤としてアルミニ
ウムを使用することが記載されている。上記特許の図３
Ｂには、ＧａＡｓとＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓが交互になっ
た領域、すなわちアルミニウムのゲッタリング剤が約２
５％使用されている構造が示されている。
【０００４】米国特許第４４２６２３７号明細書には、
Ｍｇドーピングの効率を高めるために、Ｇａ供給源のる
つぼにアルミニウムを添加して、分子線エピタキシによ
りＧａＡｓを成長させる方法が記載されている。Ｇａ供
給源材料には、Ａｌは約０．１％しか含まれておらず、
たとえば、ＧａＡｓ１モル当たりＡｌが１０-3モルであ
る。上記特許には、形成されるＧａＡｓ領域のＡｌによ
る汚染は、Ａｌの使用量がこのように少量であるため、
問題にならないことが指摘されている。
Ｍｇドーピングの効率を高めるために、Ｇａ供給源のる
つぼにアルミニウムを添加して、分子線エピタキシによ
りＧａＡｓを成長させる方法が記載されている。Ｇａ供
給源材料には、Ａｌは約０．１％しか含まれておらず、
たとえば、ＧａＡｓ１モル当たりＡｌが１０-3モルであ
る。上記特許には、形成されるＧａＡｓ領域のＡｌによ
る汚染は、Ａｌの使用量がこのように少量であるため、
問題にならないことが指摘されている。
【０００５】米国特許第３６４７３８９号明細書には、
酸化ホウ素を封入剤として使用する液体封入法によっ
て、III−Ｖ族化合物半導体を成長させる際に、アルミ
ニウムをゲッタリング剤として使用することが記載され
ている。
酸化ホウ素を封入剤として使用する液体封入法によっ
て、III−Ｖ族化合物半導体を成長させる際に、アルミ
ニウムをゲッタリング剤として使用することが記載され
ている。
【０００６】キャッスル（Castl）他のＩＢＭテクニカ
ル・ディスクロージャ・ブルテン、Ｖｏｌ．１２、Ｎ
ｏ．１１、１９７０年４月に所載の論文には、シリコン
・ウェーハの一面を加工して集積回路または類似のデバ
イスを形成した後、その裏側にアルミニウムを付着させ
て、半導体材料から迅速に拡散する不純物をゲッタリン
グする方法が記載されている。その結果得られる構造を
約６００℃で約半時間熱処理すると、熱処理の間に、シ
リコン中の迅速に拡散する銅等の不純物が、アルミニウ
ム皮膜のゲッタリング作用により除去される。
ル・ディスクロージャ・ブルテン、Ｖｏｌ．１２、Ｎ
ｏ．１１、１９７０年４月に所載の論文には、シリコン
・ウェーハの一面を加工して集積回路または類似のデバ
イスを形成した後、その裏側にアルミニウムを付着させ
て、半導体材料から迅速に拡散する不純物をゲッタリン
グする方法が記載されている。その結果得られる構造を
約６００℃で約半時間熱処理すると、熱処理の間に、シ
リコン中の迅速に拡散する銅等の不純物が、アルミニウ
ム皮膜のゲッタリング作用により除去される。
【０００７】ポポニアック（Poponiak）他のＩＢＭテク
ニカル・ディスクロージャ・ブルテン、Ｖｏｌ．１６、
Ｎｏ．４、１９７３年９月に所載の論文には、デバイス
領域を実質的に妨害することなく、ゲッタリングの目的
で半導体本体中に損傷領域または領域を形成するゲッタ
リング技術が記載されている。Ｇｅ、Ｓｎ等の非導電性
不純物を、表面より十分下まで浸透するのに十分なエネ
ルギーで単結晶半導体本体にイオン注入する。これによ
り損傷領域または領域が形成され、その後、半導体を、
損傷領域上の欠陥をアニーリングするのに十分な温度
で、かつそれに十分な時間加熱する。
ニカル・ディスクロージャ・ブルテン、Ｖｏｌ．１６、
Ｎｏ．４、１９７３年９月に所載の論文には、デバイス
領域を実質的に妨害することなく、ゲッタリングの目的
で半導体本体中に損傷領域または領域を形成するゲッタ
リング技術が記載されている。Ｇｅ、Ｓｎ等の非導電性
不純物を、表面より十分下まで浸透するのに十分なエネ
ルギーで単結晶半導体本体にイオン注入する。これによ
り損傷領域または領域が形成され、その後、半導体を、
損傷領域上の欠陥をアニーリングするのに十分な温度
で、かつそれに十分な時間加熱する。
【０００８】ディンクラージュ（Dinklage）他のＩＢＭ
テクニカル・ディスクロージャ・ブルテン、Ｖｏｌ．１
９、Ｎｏ．１１、１９７７年４月に所載の論文には、イ
オン注入によるゲッタリング法が記載されている。ウェ
ハの第１面すなわち表面上に付着させたドーピングした
酸化シリコン領域等の酸化物領域を有する、所与の導電
型の半導体シリコン・ウェーハから不純物がゲッタリン
グされる。、ウェーハの第２面すなわち裏面から、後で
第１面に形成する電解効果トランジスタ等のデバイスの
最も深い空乏領域よりも第１面に近くない深さまでイオ
ンを注入することにより、損傷領域が形成される。注入
できるイオンには、Ｂ+、Ｐ+、Ａｒ+、Ｏ+、Ｘｅ+、Ｓ
ｉ+、Ｎ+、またはＡｓ+がある。
テクニカル・ディスクロージャ・ブルテン、Ｖｏｌ．１
９、Ｎｏ．１１、１９７７年４月に所載の論文には、イ
オン注入によるゲッタリング法が記載されている。ウェ
ハの第１面すなわち表面上に付着させたドーピングした
酸化シリコン領域等の酸化物領域を有する、所与の導電
型の半導体シリコン・ウェーハから不純物がゲッタリン
グされる。、ウェーハの第２面すなわち裏面から、後で
第１面に形成する電解効果トランジスタ等のデバイスの
最も深い空乏領域よりも第１面に近くない深さまでイオ
ンを注入することにより、損傷領域が形成される。注入
できるイオンには、Ｂ+、Ｐ+、Ａｒ+、Ｏ+、Ｘｅ+、Ｓ
ｉ+、Ｎ+、またはＡｓ+がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、III−Ｖ
族化合物などの半導体材料中の電気的活性度と電子移動
度を共に改善する方法、およびそれによって得られた製
造品に関するものである。微量の酸素を不純物として含
有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶中にｎ型のドーパン
トを導入し、同時に酸素に反応する元素をドーパント領
域に対向する領域に導入すると、このようにして製造し
た半導体デバイス中の電気的活性度と電子移動度が共に
著しく改善され、場合によっては、III−Ｖ族化合物の
結晶にｎ型のドーパントを導入し、酸素に反応する元素
を同時に導入しない対照サンプルに比べて２０％以上改
善されることが知られている。本発明者等は、いかなる
理論の制限も受けることを望まないが、注入酸素に反応
する元素が酸素のゲッタリング剤として作用して、ｎ型
ドーパント領域と注入酸素に反応する元素の領域との間
に酸素空乏帯を形成すると考えられる。
族化合物などの半導体材料中の電気的活性度と電子移動
度を共に改善する方法、およびそれによって得られた製
造品に関するものである。微量の酸素を不純物として含
有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶中にｎ型のドーパン
トを導入し、同時に酸素に反応する元素をドーパント領
域に対向する領域に導入すると、このようにして製造し
た半導体デバイス中の電気的活性度と電子移動度が共に
著しく改善され、場合によっては、III−Ｖ族化合物の
結晶にｎ型のドーパントを導入し、酸素に反応する元素
を同時に導入しない対照サンプルに比べて２０％以上改
善されることが知られている。本発明者等は、いかなる
理論の制限も受けることを望まないが、注入酸素に反応
する元素が酸素のゲッタリング剤として作用して、ｎ型
ドーパント領域と注入酸素に反応する元素の領域との間
に酸素空乏帯を形成すると考えられる。
【００１０】この発明の利点が最初に得られる機構は、
結晶中の酸素がゲッタリングされることであると現在考
えられているので、この点に関して使用される酸素に反
応する元素は、注入する酸素に反応する元素と称し、II
I−Ｖ族化合物の結晶またはその相等物に導入または添
加される元素からなり、酸素との親和性または化学反応
性が、III−Ｖ族化合物の成分原子と酸素、またはドー
パントと酸素の親和性または化学反応性より大きいもの
である。言い換えれば、注入した酸素に反応する元素
は、酸素との反応において、III−Ｖ族化合物またはド
ーパントよりも競争力が高くなるように、すなわち、酸
素が注入する酸素に反応する元素と選択的に反応し、あ
るいはIII−Ｖ族化合物の成分原子と酸素、またはドー
パントと酸素の反応より多く反応するように選定する。
さらに、注入する酸素に反応する元素と、使用する濃度
は、基板の電気特性を妨げないように（むしろ改善する
ように）選択し、またこの発明に従って製造する製造品
の形成に使用する方法と適合するものでなければならな
い。
結晶中の酸素がゲッタリングされることであると現在考
えられているので、この点に関して使用される酸素に反
応する元素は、注入する酸素に反応する元素と称し、II
I−Ｖ族化合物の結晶またはその相等物に導入または添
加される元素からなり、酸素との親和性または化学反応
性が、III−Ｖ族化合物の成分原子と酸素、またはドー
パントと酸素の親和性または化学反応性より大きいもの
である。言い換えれば、注入した酸素に反応する元素
は、酸素との反応において、III−Ｖ族化合物またはド
ーパントよりも競争力が高くなるように、すなわち、酸
素が注入する酸素に反応する元素と選択的に反応し、あ
るいはIII−Ｖ族化合物の成分原子と酸素、またはドー
パントと酸素の反応より多く反応するように選定する。
さらに、注入する酸素に反応する元素と、使用する濃度
は、基板の電気特性を妨げないように（むしろ改善する
ように）選択し、またこの発明に従って製造する製造品
の形成に使用する方法と適合するものでなければならな
い。
【００１１】金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳ
ＦＥＴ）は、ゲート電極と動作可能に関連づけられたチ
ャネルをまたぐソース領域およびドレイン領域を形成す
るようにシリコン等のｎ型材料でドーピングした、ガリ
ウムヒ素等のIII−Ｖ族化合物から製造することができ
る。ソース電極とドレイン電極は、同様にソース領域と
ドレイン領域に関連づけられる。ソース電極とドレイン
電極の間の電流は、スイッチと同様に動作する、そのチ
ャネルおよびそれに関連するゲート電極によって制御さ
れる。適当な電流をゲート電極に与えることによってデ
バイスがオンおよびオフに切り替わる速度は、チャネル
領域中の電荷の量およびキャリア（ｎ型ドーパントの場
合は電子）の移動度に依存する。必要量の電荷に対する
キャリアの移動度が改善されれば、ＭＥＳＦＥＴの動作
速度を増大させることができ、商業的応用分野が広くな
る。この種のデバイスをコンピュータ回路に使用する
と、スイッチング速度が高くなるので、データの処理速
度が増大し、コンピュータの出力が増大すると言える。
ＦＥＴ）は、ゲート電極と動作可能に関連づけられたチ
ャネルをまたぐソース領域およびドレイン領域を形成す
るようにシリコン等のｎ型材料でドーピングした、ガリ
ウムヒ素等のIII−Ｖ族化合物から製造することができ
る。ソース電極とドレイン電極は、同様にソース領域と
ドレイン領域に関連づけられる。ソース電極とドレイン
電極の間の電流は、スイッチと同様に動作する、そのチ
ャネルおよびそれに関連するゲート電極によって制御さ
れる。適当な電流をゲート電極に与えることによってデ
バイスがオンおよびオフに切り替わる速度は、チャネル
領域中の電荷の量およびキャリア（ｎ型ドーパントの場
合は電子）の移動度に依存する。必要量の電荷に対する
キャリアの移動度が改善されれば、ＭＥＳＦＥＴの動作
速度を増大させることができ、商業的応用分野が広くな
る。この種のデバイスをコンピュータ回路に使用する
と、スイッチング速度が高くなるので、データの処理速
度が増大し、コンピュータの出力が増大すると言える。
【００１２】したがって、この発明の目的は、上記のお
よびその他の目的を達成することにある。
よびその他の目的を達成することにある。
【００１３】この発明の他の目的は、電気的活性度と電
子移動度が改善されたIII−Ｖ族化合物半導体の製造方
法、およびそれによって得られる製造品を提供すること
にある。
子移動度が改善されたIII−Ｖ族化合物半導体の製造方
法、およびそれによって得られる製造品を提供すること
にある。
【００１４】この発明の他の目的は、電気的活性度と電
子移動度が改善されたIII−Ｖ族化合物半導体材料のＭ
ＥＳＦＥＴの製造方法、およびそれによって得られる製
造品を提供することにある。
子移動度が改善されたIII−Ｖ族化合物半導体材料のＭ
ＥＳＦＥＴの製造方法、およびそれによって得られる製
造品を提供することにある。
【００１５】この発明の他の目的は、ＧａＡｓをベース
とするIII−Ｖ族化合物半導体で上記の利点を得ること
にある。
とするIII−Ｖ族化合物半導体で上記の利点を得ること
にある。
【００１６】この発明の他の目的は、ｎ型材料でドーピ
ングしたIII−Ｖ族化合物半導体で上記の利点を得るこ
とにある。
ングしたIII−Ｖ族化合物半導体で上記の利点を得るこ
とにある。
【００１７】この発明の他の目的は、シリコンでドーピ
ングしたIII−Ｖ族化合物半導体で上記の利点を得るこ
とにある。
ングしたIII−Ｖ族化合物半導体で上記の利点を得るこ
とにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記その他の目的は、II
I−Ｖ族化合物の結晶材料をｎ型ドーパントでドーピン
グし、III−Ｖ族化合物材料中に酸素に反応する元素を
添加または注入することにより、III−Ｖ族化合物半導
体材料中の電気的活性度と電子移動度を増大させること
を含む、この発明の製造方法および製造品によって達成
される。ドーパントおよび注入酸素に反応する元素の量
は、III−Ｖ族化合物半導体中の電気的活性度と電子移
動度を改善するのに十分な低さであり、特に、約１０13
ｃｍ-2を超えない。他の実施例では、添加または注入す
る酸素に反応する元素の量は、ｎ型ドーパントの量より
かなり少なく、特にｎ型ドーパントの量の約０．７５倍
ないし約０．２倍である。
I−Ｖ族化合物の結晶材料をｎ型ドーパントでドーピン
グし、III−Ｖ族化合物材料中に酸素に反応する元素を
添加または注入することにより、III−Ｖ族化合物半導
体材料中の電気的活性度と電子移動度を増大させること
を含む、この発明の製造方法および製造品によって達成
される。ドーパントおよび注入酸素に反応する元素の量
は、III−Ｖ族化合物半導体中の電気的活性度と電子移
動度を改善するのに十分な低さであり、特に、約１０13
ｃｍ-2を超えない。他の実施例では、添加または注入す
る酸素に反応する元素の量は、ｎ型ドーパントの量より
かなり少なく、特にｎ型ドーパントの量の約０．７５倍
ないし約０．２倍である。
【００１９】したがって、この発明はまた、III−Ｖ族
化合物中にドーパントを入れてドーパント領域を形成
し、酸素に反応する元素を入れてそれに対向する領域を
形成して、注入酸素に反応する元素がゲッタリング剤と
して機能して、酸素と結合し、両領域の間に酸素の空乏
帯を形成するようにすることにより、このようなIII−
Ｖ族化合物から酸素をゲッタリングする方法に関するも
のである。領域の深さ、および領域間の間隔は、酸素に
反応する元素と結合した酸素が実質的にドーパントの電
気特性を妨げないのに十分なものとする。
化合物中にドーパントを入れてドーパント領域を形成
し、酸素に反応する元素を入れてそれに対向する領域を
形成して、注入酸素に反応する元素がゲッタリング剤と
して機能して、酸素と結合し、両領域の間に酸素の空乏
帯を形成するようにすることにより、このようなIII−
Ｖ族化合物から酸素をゲッタリングする方法に関するも
のである。領域の深さ、および領域間の間隔は、酸素に
反応する元素と結合した酸素が実質的にドーパントの電
気特性を妨げないのに十分なものとする。
【００２０】ドーパントと注入酸素に反応する元素の量
は、このようにして得られるIII−Ｖ族化合物半導体の
電気特性が改善されるのに十分な低さにし、１実施例で
は、酸素に反応する元素の量をドーパントの量より少な
くする。
は、このようにして得られるIII−Ｖ族化合物半導体の
電気特性が改善されるのに十分な低さにし、１実施例で
は、酸素に反応する元素の量をドーパントの量より少な
くする。
【００２１】この発明の他の実施例では、ドーパント領
域、酸素に反応する元素の領域、および酸素空乏帯を、
酸素空乏帯も注入する酸素に反応する元素の領域に対向
するドーパント領域の表面から延びるように形成する。
ドーパント領域および注入する酸素に反応する元素の領
域は、III−Ｖ族化合物にイオン注入することができ
る。
域、酸素に反応する元素の領域、および酸素空乏帯を、
酸素空乏帯も注入する酸素に反応する元素の領域に対向
するドーパント領域の表面から延びるように形成する。
ドーパント領域および注入する酸素に反応する元素の領
域は、III−Ｖ族化合物にイオン注入することができ
る。
【００２２】微量の酸素、ドーパント領域、およびそれ
に対向する注入する酸素に反応する元素の領域を含み、
これらの領域間に酸素空乏帯を有し、これらの領域間の
間隔と、ドーパントおよび注入する酸素に反応する元素
の量が上記のような値の、新規のIII−Ｖ族化合物半導
体製造品も得られる。
に対向する注入する酸素に反応する元素の領域を含み、
これらの領域間に酸素空乏帯を有し、これらの領域間の
間隔と、ドーパントおよび注入する酸素に反応する元素
の量が上記のような値の、新規のIII−Ｖ族化合物半導
体製造品も得られる。
【００２３】
【実施例】この発明によれば、どのようなIII−Ｖ族化
合物半導体材料でも使用できるが、ＧａＡｓおよびＩｎ
Ａｓ材料、特にＧａＡｓ材料が好ましい。同様に、どの
ような添加または注入した酸素に反応する元素でも使用
できるが、Ａｌが特に好ましい。
合物半導体材料でも使用できるが、ＧａＡｓおよびＩｎ
Ａｓ材料、特にＧａＡｓ材料が好ましい。同様に、どの
ような添加または注入した酸素に反応する元素でも使用
できるが、Ａｌが特に好ましい。
【００２４】本発明の１実施例では、ＳｉをＡｌととも
に下記の量だけ注入して、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中に導
電性チャネルを形成すると、電気的活性度と電子移動度
が共に、Ａｌを使用しないでＳｉを注入した対照サンプ
ルに比べて著しく（２０％以上）改善される。
に下記の量だけ注入して、ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ中に導
電性チャネルを形成すると、電気的活性度と電子移動度
が共に、Ａｌを使用しないでＳｉを注入した対照サンプ
ルに比べて著しく（２０％以上）改善される。
【００２５】ＭＥＳＦＥＴの速度は、デバイスのチャネ
ル領域と、このチャネル領域中の電荷および移動度に大
幅に依存する。このチャネル領域は半導体性であり、II
I−Ｖ族化合物半導体デバイスでは、通常Ｓｉでドーピ
ングした領域を含む。
ル領域と、このチャネル領域中の電荷および移動度に大
幅に依存する。このチャネル領域は半導体性であり、II
I−Ｖ族化合物半導体デバイスでは、通常Ｓｉでドーピ
ングした領域を含む。
【００２６】所与の量のドーパント原子のうち、活性な
のはごく一部分で、量が増えるにしたがってキャリアの
活性化する割合は減少する。したがって、この点に関し
てシリコンなどのｎ型ドーパントの量を低下させること
により、移動度が増大し、ＭＥＳＦＥＴデバイスのチャ
ネル中のキャリア濃度を約５×１０17ｃｍ-2にするのが
標準的であることが分かる。このように、従来の技術で
はキャリア濃度が増大するにつれて移動度が低下する
が、この発明ではＳｉでドーピングしたＧａＡｓなどの
III−Ｖ族化合物半導体結晶にＡｌなどの酸素に反応す
る元素を注入すると、キャリア濃度と移動度が同時に改
善されることが分かった。したがって、アルミニウムな
どの酸素に反応する元素を注入することにより、シリコ
ンなどのｎ型ドーパントを減少させて、移動度をさらに
増大させることができる。この点に関するデータの一部
を図１に示す。
のはごく一部分で、量が増えるにしたがってキャリアの
活性化する割合は減少する。したがって、この点に関し
てシリコンなどのｎ型ドーパントの量を低下させること
により、移動度が増大し、ＭＥＳＦＥＴデバイスのチャ
ネル中のキャリア濃度を約５×１０17ｃｍ-2にするのが
標準的であることが分かる。このように、従来の技術で
はキャリア濃度が増大するにつれて移動度が低下する
が、この発明ではＳｉでドーピングしたＧａＡｓなどの
III−Ｖ族化合物半導体結晶にＡｌなどの酸素に反応す
る元素を注入すると、キャリア濃度と移動度が同時に改
善されることが分かった。したがって、アルミニウムな
どの酸素に反応する元素を注入することにより、シリコ
ンなどのｎ型ドーパントを減少させて、移動度をさらに
増大させることができる。この点に関するデータの一部
を図１に示す。
【００２７】この発明の方法を用いて、ＭＥＳＦＥＴデ
バイス中にチャネル領域を形成すると、電荷の振動速度
が増大するので、このようにして形成したチャネル領域
中の電荷と移動度が改善される。この振動速度は、デバ
イスのスイッチング速度と相関がある。このように、Ｍ
ＥＳＦＥＴデバイスのチャネル領域中でこの発明を使用
することにより、スイッチング速度が増大し、上述のよ
うに、データ処理速度とデバイスの容量が増大するため
に、コンピュータ・デバイスにおける商業的応用分野が
広くなる。
バイス中にチャネル領域を形成すると、電荷の振動速度
が増大するので、このようにして形成したチャネル領域
中の電荷と移動度が改善される。この振動速度は、デバ
イスのスイッチング速度と相関がある。このように、Ｍ
ＥＳＦＥＴデバイスのチャネル領域中でこの発明を使用
することにより、スイッチング速度が増大し、上述のよ
うに、データ処理速度とデバイスの容量が増大するため
に、コンピュータ・デバイスにおける商業的応用分野が
広くなる。
【００２８】本発明者等は、どの理論の制限も受けるこ
とを望まないが、この発明に従って使用する添加または
注入した酸素に反応する元素が、少量の酸素を不純物と
して含有するＧａＡｓなどの半導体グレードのIII−Ｖ
族化合物材料の結晶中でゲッタリング剤として機能する
と考えられる。この明細書に示す対照実験のデータによ
れば、ＧａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物の結晶に18Ｏ
と、Ａｌなどの酸素に反応する元素を注入すると、注入
後のアニーリング時に、ＧａＡｓ中に酸素濃度の低い帯
域、すなわち酸素空乏帯が形成される。やはりこの明細
書に示す追加データによれば、アルミニウム濃度が最高
の場合、アルミニウムに向かう酸素の移動によって、酸
素空乏帯が形成される。
とを望まないが、この発明に従って使用する添加または
注入した酸素に反応する元素が、少量の酸素を不純物と
して含有するＧａＡｓなどの半導体グレードのIII−Ｖ
族化合物材料の結晶中でゲッタリング剤として機能する
と考えられる。この明細書に示す対照実験のデータによ
れば、ＧａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物の結晶に18Ｏ
と、Ａｌなどの酸素に反応する元素を注入すると、注入
後のアニーリング時に、ＧａＡｓ中に酸素濃度の低い帯
域、すなわち酸素空乏帯が形成される。やはりこの明細
書に示す追加データによれば、アルミニウム濃度が最高
の場合、アルミニウムに向かう酸素の移動によって、酸
素空乏帯が形成される。
【００２９】本発明者等は、いかなる理論の制限も受け
ることを望まないが、この発明によれば、ｎ型ドーパン
トをIII−Ｖ族化合物の結晶中に導入して、ドーパント
領域を形成し、注入する酸素に反応する元素を同様にII
I−Ｖ族化合物中に導入して、酸素に反応する元素の領
域をドーパント領域から離れてそれと対向するように形
成すると、電気的活性度と移動度が改善されるように思
われる。
ることを望まないが、この発明によれば、ｎ型ドーパン
トをIII−Ｖ族化合物の結晶中に導入して、ドーパント
領域を形成し、注入する酸素に反応する元素を同様にII
I−Ｖ族化合物中に導入して、酸素に反応する元素の領
域をドーパント領域から離れてそれと対向するように形
成すると、電気的活性度と移動度が改善されるように思
われる。
【００３０】しかし、ドーパント領域と注入する酸素に
反応する元素の領域が混在せずにあると言うのではな
い。このような領域はあるが、相互に間隔を保たれるの
は、それぞれのピーク量の領域であり、互いに対向し、
相互に分離した領域にあるドーパントと酸素に反応する
元素に関してこの発明を記述するときに、意図するのは
このことである。
反応する元素の領域が混在せずにあると言うのではな
い。このような領域はあるが、相互に間隔を保たれるの
は、それぞれのピーク量の領域であり、互いに対向し、
相互に分離した領域にあるドーパントと酸素に反応する
元素に関してこの発明を記述するときに、意図するのは
このことである。
【００３１】このようなIII−Ｖ族化合物中のドーパン
ト領域と、それに対向する注入する酸素に反応する元素
の領域との間に、実質的に酸素の空乏した帯域を形成す
ることにより、特に、酸素空乏帯も注入する酸素に反応
する元素の領域に対向するドーパント領域の表面から延
びている場合、このようにして得られた半導体デバイス
の電気的活性度と電子移動度が共に著しく改善されるこ
とが分かった。しかし、両領域間の間隔は、注入する酸
素に反応する元素と結合した酸素が実質的にドーパント
の電気特性を妨げないのに十分な大きさであり、注入す
る酸素に反応する元素の量が、やはり実質的にドーパン
トの電気特性を妨げないように十分に少ないことが重要
である。
ト領域と、それに対向する注入する酸素に反応する元素
の領域との間に、実質的に酸素の空乏した帯域を形成す
ることにより、特に、酸素空乏帯も注入する酸素に反応
する元素の領域に対向するドーパント領域の表面から延
びている場合、このようにして得られた半導体デバイス
の電気的活性度と電子移動度が共に著しく改善されるこ
とが分かった。しかし、両領域間の間隔は、注入する酸
素に反応する元素と結合した酸素が実質的にドーパント
の電気特性を妨げないのに十分な大きさであり、注入す
る酸素に反応する元素の量が、やはり実質的にドーパン
トの電気特性を妨げないように十分に少ないことが重要
である。
【００３２】この発明の実施に際しては、注入する酸素
に反応する元素をIII−Ｖ族化合物の表面を介して導入
し、表面下に領域を形成させる。その後、注入する酸素
に反応する元素の領域のピーク上の表面にドーパントを
導入することができる。熱アニーリングの後、２つの領
域間の帯域は、実質的に酸素の空乏した帯域となる。別
法として、この酸素空乏帯も、注入する酸素に反応する
元素の領域に対向するドーパント領域の表面から、III
−Ｖ族化合物の表面に向かって、または任意選択でIII
−Ｖ族化合物の表面と連続して、延びていてもよい。ド
ーパントと注入する酸素に反応する元素を入れる順序を
反対にすることも、またこれらを同時に添加または注入
することも、この発明の範囲内に含まれる。
に反応する元素をIII−Ｖ族化合物の表面を介して導入
し、表面下に領域を形成させる。その後、注入する酸素
に反応する元素の領域のピーク上の表面にドーパントを
導入することができる。熱アニーリングの後、２つの領
域間の帯域は、実質的に酸素の空乏した帯域となる。別
法として、この酸素空乏帯も、注入する酸素に反応する
元素の領域に対向するドーパント領域の表面から、III
−Ｖ族化合物の表面に向かって、または任意選択でIII
−Ｖ族化合物の表面と連続して、延びていてもよい。ド
ーパントと注入する酸素に反応する元素を入れる順序を
反対にすることも、またこれらを同時に添加または注入
することも、この発明の範囲内に含まれる。
【００３３】本発明の１実施例では、注入する酸素に反
応する元素の領域は、ドーパント層の深さより大きく、
約２倍である。一般に、注入する酸素に反応する元素の
領域とドーパント領域の分離間隔は、約２００〜１０，
０００Å、特に約１０００〜４０００Å（１μｍ＝１
０，０００Å）である。ドーパント領域は、デバイス内
のどこにでも、III−Ｖ族化合物の表面から、約３００
〜５０００Å、特に約２００〜１０００Å下に注入する
ことができる。ゲッタリング層と対向するドーパント領
域の表面から延びる酸素空乏帯は、どこにでも約０〜５
０００Å、特に約０〜３０００Åとすることができる。
応する元素の領域は、ドーパント層の深さより大きく、
約２倍である。一般に、注入する酸素に反応する元素の
領域とドーパント領域の分離間隔は、約２００〜１０，
０００Å、特に約１０００〜４０００Å（１μｍ＝１
０，０００Å）である。ドーパント領域は、デバイス内
のどこにでも、III−Ｖ族化合物の表面から、約３００
〜５０００Å、特に約２００〜１０００Å下に注入する
ことができる。ゲッタリング層と対向するドーパント領
域の表面から延びる酸素空乏帯は、どこにでも約０〜５
０００Å、特に約０〜３０００Åとすることができる。
【００３４】この場合も、この発明はドーパントと注入
する酸素に反応する元素の２つの量のピークを分離する
ことに限定されるものではない。というのは、予備的デ
ータによれば、Ａｌなどの酸素に反応する元素の量が低
い値に、すなわち上述の範囲に維持されるなら、これら
２つのピークが相互に重なりまたは接していても、チャ
ネル内で同程度の電気的活性度および電子移動度が得ら
れるからである。しかし、この発明の好ましい実施例で
は、それぞれのピーク量の領域は、相互に間隔をおい
て、とくに本明細書で指定する範囲の間隔に維持され
る。
する酸素に反応する元素の２つの量のピークを分離する
ことに限定されるものではない。というのは、予備的デ
ータによれば、Ａｌなどの酸素に反応する元素の量が低
い値に、すなわち上述の範囲に維持されるなら、これら
２つのピークが相互に重なりまたは接していても、チャ
ネル内で同程度の電気的活性度および電子移動度が得ら
れるからである。しかし、この発明の好ましい実施例で
は、それぞれのピーク量の領域は、相互に間隔をおい
て、とくに本明細書で指定する範囲の間隔に維持され
る。
【００３５】注入する酸素に反応する元素の領域および
ドーパント領域を形成する好ましい方法は、この工程用
の従来の操作条件および装置を用いたイオン注入による
ものである。注入した領域の深さは、注入する酸素に反
応する元素またはドーパントのイオンをIII−Ｖ族化合
物に注入する際のエネルギーに依存する。イオン注入装
置の電圧（調節可能）が高いほど、酸素に反応する元素
またはドーパントの注入が深くなる。
ドーパント領域を形成する好ましい方法は、この工程用
の従来の操作条件および装置を用いたイオン注入による
ものである。注入した領域の深さは、注入する酸素に反
応する元素またはドーパントのイオンをIII−Ｖ族化合
物に注入する際のエネルギーに依存する。イオン注入装
置の電圧（調節可能）が高いほど、酸素に反応する元素
またはドーパントの注入が深くなる。
【００３６】ドーパント領域および注入する酸素に反応
する元素の領域の形成後、III−Ｖ族化合物をアニーリ
ングして、イオン注入工程で生じたIII−Ｖ族化合物の
結晶構造の損傷を修復する。III−Ｖ族化合物中の酸素
が、図５に示すようにアニーリング時に移動し、この工
程の間に注入する酸素に反応する元素と接触し、反応す
ると考えられる。アニーリングは、一挙に、または（注
入する酸素に反応する元素の領域であれ、ドーパント領
域であれ）各領域の形成後に行うことが好ましい。いず
れの場合も、６００℃より高いアニーリング温度を約２
〜６０秒間使用し、特に約６００〜１０００℃の温度を
約２〜１０秒間使用する。
する元素の領域の形成後、III−Ｖ族化合物をアニーリ
ングして、イオン注入工程で生じたIII−Ｖ族化合物の
結晶構造の損傷を修復する。III−Ｖ族化合物中の酸素
が、図５に示すようにアニーリング時に移動し、この工
程の間に注入する酸素に反応する元素と接触し、反応す
ると考えられる。アニーリングは、一挙に、または（注
入する酸素に反応する元素の領域であれ、ドーパント領
域であれ）各領域の形成後に行うことが好ましい。いず
れの場合も、６００℃より高いアニーリング温度を約２
〜６０秒間使用し、特に約６００〜１０００℃の温度を
約２〜１０秒間使用する。
【００３７】この発明の方法によって処理できる各種の
III−Ｖ族化合物は、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、Ｉ
ｎＰおよび、これらと同等の当技術分野で既知の、周期
律表のIIIＡ族とＶＡ族の化合物に基づくものである。
III−Ｖ族化合物は、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＰ、Ｉ
ｎＰおよび、これらと同等の当技術分野で既知の、周期
律表のIIIＡ族とＶＡ族の化合物に基づくものである。
【００３８】使用できる各種のドーパントは、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、およびＴｅであり、その量は、約１×
１０12ｃｍ-2〜２×１０13ｃｍ-2、特に約４×１０12ｃ
ｍ-2〜１×１０13ｃｍ-2とする。
ｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、およびＴｅであり、その量は、約１×
１０12ｃｍ-2〜２×１０13ｃｍ-2、特に約４×１０12ｃ
ｍ-2〜１×１０13ｃｍ-2とする。
【００３９】この発明の方法の実施に適する注入する酸
素に反応する元素としては、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、およびＭｎがある。
素に反応する元素としては、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、およびＭｎがある。
【００４０】上記のように、注入する酸素に反応する元
素の量が過剰である場合は、ドーパントの電気的特性を
妨げるので、この問題を避けるために、その量を慎重に
制御する必要がある。注入する酸素に反応する元素の量
は、約１×１０13ｃｍ-2より少なく、特に約４．５×１
０12ｃｍ-2〜１．５×１０12ｃｍ-2とするのがよいこと
が分かった。
素の量が過剰である場合は、ドーパントの電気的特性を
妨げるので、この問題を避けるために、その量を慎重に
制御する必要がある。注入する酸素に反応する元素の量
は、約１×１０13ｃｍ-2より少なく、特に約４．５×１
０12ｃｍ-2〜１．５×１０12ｃｍ-2とするのがよいこと
が分かった。
【００４１】これらの注入する酸素に反応する元素の量
は、III−Ｖ族化合物中の酸素の濃度が約１×１０15ｃ
ｍ-3〜１×１０17ｃｍ-3、特に約１×１０15ｃｍ-3〜１
×１０16ｃｍ-3である場合、すなわち酸素の量が微量で
ある場合に特に有効である。この発明は、半導体グレー
ドのＧａＡｓに見られるような、酸素濃度が約１×１０
17ｃｍ-3未満のIII−Ｖ族化合物半導体材料の製造に特
に有用である。
は、III−Ｖ族化合物中の酸素の濃度が約１×１０15ｃ
ｍ-3〜１×１０17ｃｍ-3、特に約１×１０15ｃｍ-3〜１
×１０16ｃｍ-3である場合、すなわち酸素の量が微量で
ある場合に特に有効である。この発明は、半導体グレー
ドのＧａＡｓに見られるような、酸素濃度が約１×１０
17ｃｍ-3未満のIII−Ｖ族化合物半導体材料の製造に特
に有用である。
【００４２】一般に、１×１０13ｃｍ-2より僅かに少な
い量のアルミニウムを、１６０ｋｅＶで約０．２〜０．
３μｍの深さまでイオン注入した後、５０ｋｅＶ未満の
電圧でＳｉを注入すると、ＧａＡｓ化合物中に酸素に反
応する元素の領域とドーパント領域が形成される。次
に、注入済み基板を、キャップなしで９００℃以下で約
１０〜６０秒間熱アニーリングする。Ｓｉなどのドーパ
ント領域は、III−Ｖ族化合物の表面に、または注入す
る酸素に反応する元素の領域から約５００〜２０００Å
の所にあり、したがって酸素空乏帯も注入する酸素に反
応する元素の領域と対向するドーパント領域の表面から
延びる。
い量のアルミニウムを、１６０ｋｅＶで約０．２〜０．
３μｍの深さまでイオン注入した後、５０ｋｅＶ未満の
電圧でＳｉを注入すると、ＧａＡｓ化合物中に酸素に反
応する元素の領域とドーパント領域が形成される。次
に、注入済み基板を、キャップなしで９００℃以下で約
１０〜６０秒間熱アニーリングする。Ｓｉなどのドーパ
ント領域は、III−Ｖ族化合物の表面に、または注入す
る酸素に反応する元素の領域から約５００〜２０００Å
の所にあり、したがって酸素空乏帯も注入する酸素に反
応する元素の領域と対向するドーパント領域の表面から
延びる。
【００４３】基板中に注入Ａｌ領域およびドーパント領
域を形成しようとする以前の試みでは、このようにして
製造した半導体デバイス中の電気的活性度と電子移動度
が共に低下した。これらの問題は、Ａｌとドーパントの
量がそれぞれ約１×１０13ｃｍ-2より多い場合に生じ
た。ファーリー他（上掲）は、１×１０14ｃｍ-2のＳｉ
でドーピングし、１×１０14ｃｍ-2のＡｌを同時に注入
したＧａＡｓの電気特性について記載している。室温で
のホール効果の測定でシート・キャリアの量から判定し
た注入Ｓｉのドナー活性は、これらの量が増大するにつ
れて低下する。
域を形成しようとする以前の試みでは、このようにして
製造した半導体デバイス中の電気的活性度と電子移動度
が共に低下した。これらの問題は、Ａｌとドーパントの
量がそれぞれ約１×１０13ｃｍ-2より多い場合に生じ
た。ファーリー他（上掲）は、１×１０14ｃｍ-2のＳｉ
でドーピングし、１×１０14ｃｍ-2のＡｌを同時に注入
したＧａＡｓの電気特性について記載している。室温で
のホール効果の測定でシート・キャリアの量から判定し
た注入Ｓｉのドナー活性は、これらの量が増大するにつ
れて低下する。
【００４４】Ｓｉ、Ｓｅ、およびＴｅでドーピングした
ＧａＡｓ結晶のアニーリング条件を最適化するための実
験を行い、どのようなＲＴＡ条件が最良の電気的データ
を与えるかを求めた。標準のイオン・ビーム注入の方法
および装置を用いて、半導体グレードのＧａＡｓ結晶に
ドーパントとＡｌを注入した。それぞれの量およびイオ
ン・ビーム電圧を、ＲＴＡ条件、面積抵抗率Ｒs、キャ
リアの移動度μｃｍ2／Ｖ−ｓｅｃ、シート・キャリア
濃度Ｎs（電子の量と比較）、およびＣ−Ｖ法で測定し
たＭＥＳＦＥＴをオフにする電圧の尺度であるしきい電
圧Ｖtと共に求めた。ドーパント・イオンの質量が増大
するにつれて、最適なエンハンスメントと電気的活性を
得るには、より高いアニーリング温度が必要となること
が分かった。たとえばＳｉでは、約８５０〜８７５℃の
範囲の温度が最良の温度範囲であるのに対し、Ｓｅおよ
びＴｅでは、それぞれ約９２５〜９５０℃、および約９
５０〜１０００℃が最良の温度範囲である。Ｔｅの場
合、Ａｌの量は、ＳｉまたはＳｅの場合に使用するＡｌ
の量より少なくする。さらに実験データによれば、Ｓｅ
の量は２×１０13ｃｍ-2以下にすべきであることが分か
った。実験１の結果（２×１０13ｃｍ-2以下のＳｅの量
を支持するデータを除く）を表１に示す。
ＧａＡｓ結晶のアニーリング条件を最適化するための実
験を行い、どのようなＲＴＡ条件が最良の電気的データ
を与えるかを求めた。標準のイオン・ビーム注入の方法
および装置を用いて、半導体グレードのＧａＡｓ結晶に
ドーパントとＡｌを注入した。それぞれの量およびイオ
ン・ビーム電圧を、ＲＴＡ条件、面積抵抗率Ｒs、キャ
リアの移動度μｃｍ2／Ｖ−ｓｅｃ、シート・キャリア
濃度Ｎs（電子の量と比較）、およびＣ−Ｖ法で測定し
たＭＥＳＦＥＴをオフにする電圧の尺度であるしきい電
圧Ｖtと共に求めた。ドーパント・イオンの質量が増大
するにつれて、最適なエンハンスメントと電気的活性を
得るには、より高いアニーリング温度が必要となること
が分かった。たとえばＳｉでは、約８５０〜８７５℃の
範囲の温度が最良の温度範囲であるのに対し、Ｓｅおよ
びＴｅでは、それぞれ約９２５〜９５０℃、および約９
５０〜１０００℃が最良の温度範囲である。Ｔｅの場
合、Ａｌの量は、ＳｉまたはＳｅの場合に使用するＡｌ
の量より少なくする。さらに実験データによれば、Ｓｅ
の量は２×１０13ｃｍ-2以下にすべきであることが分か
った。実験１の結果（２×１０13ｃｍ-2以下のＳｅの量
を支持するデータを除く）を表１に示す。
【表１】
【００４５】ＧａＡｓ結晶中にＳｉおよびＳｉとＡｌを
イオン・ビーム注入によって注入し、続いてキャップレ
スＲＴＡを行って、Ｃ−Ｖ法で測定したキャリア濃度と
深さの関係を示すデータを求めた。実験条件と結果を図
１に示すが、１６０ｋｅＶで４．５×１０12ｃｍ-2のＡ
ｌを添加すると、ピーク・キャリア濃度が著しく改善さ
れることが分かった。ピーク量は、Ｓｉのみの場合の約
４×１０17ｃｍ-3から、ＳｉとＡｌを同時に注入した場
合の約５．５×１０17ｃｍ-3へと改善される。ＳｉをＡ
ｌと組み合せると、より少ない量のＳｉで、Ａｌを含ま
ずより多い量のＳｉを用いた場合と同じしきい電圧を得
るのに十分である。ＭＥＳＦＥＴなどのデバイスでは、
Ｓｉの量を減少させると、チャネル領域、すなわちゲー
ト中の移動度が高くなり、高速のデバイスが得られる。
イオン・ビーム注入によって注入し、続いてキャップレ
スＲＴＡを行って、Ｃ−Ｖ法で測定したキャリア濃度と
深さの関係を示すデータを求めた。実験条件と結果を図
１に示すが、１６０ｋｅＶで４．５×１０12ｃｍ-2のＡ
ｌを添加すると、ピーク・キャリア濃度が著しく改善さ
れることが分かった。ピーク量は、Ｓｉのみの場合の約
４×１０17ｃｍ-3から、ＳｉとＡｌを同時に注入した場
合の約５．５×１０17ｃｍ-3へと改善される。ＳｉをＡ
ｌと組み合せると、より少ない量のＳｉで、Ａｌを含ま
ずより多い量のＳｉを用いた場合と同じしきい電圧を得
るのに十分である。ＭＥＳＦＥＴなどのデバイスでは、
Ｓｉの量を減少させると、チャネル領域、すなわちゲー
ト中の移動度が高くなり、高速のデバイスが得られる。
【００４６】ＳｉとＡｌをイオン・ビーム注入によっ
て、同時にＧａＡｓ結晶に注入し、ＳｉとＡｌの原子濃
度と相対深さ分布をＳＩＭＳ法を用いて決定した。その
結果を図２に示す。図２には、イオン注入の条件、濃
度、およびＲＴＡ条件も示してある。
て、同時にＧａＡｓ結晶に注入し、ＳｉとＡｌの原子濃
度と相対深さ分布をＳＩＭＳ法を用いて決定した。その
結果を図２に示す。図２には、イオン注入の条件、濃
度、およびＲＴＡ条件も示してある。
【００４７】図２から、Ａｌ注入のピーク濃度が約０．
２μｍであるのに対して、Ｓｉのピーク濃度は約０．０
５μｍであることが分かる。これらの濃度は、Ｓｉの注
入とＡｌの注入で異なるイオン・ビーム電圧を用いるこ
とによって得られ、したがって、いわゆるＳｉドーパン
ト領域は同じレベルのピーク濃度に維持できるが、これ
らの領域は相互に分離され、すなわちＳｉなどのｎ型ド
ーパントのピーク濃度の領域と、注入する酸素に反応す
る元素のピーク濃度の領域が、互いに対向し、測定可能
な間隔を置いて分離されている。
２μｍであるのに対して、Ｓｉのピーク濃度は約０．０
５μｍであることが分かる。これらの濃度は、Ｓｉの注
入とＡｌの注入で異なるイオン・ビーム電圧を用いるこ
とによって得られ、したがって、いわゆるＳｉドーパン
ト領域は同じレベルのピーク濃度に維持できるが、これ
らの領域は相互に分離され、すなわちＳｉなどのｎ型ド
ーパントのピーク濃度の領域と、注入する酸素に反応す
る元素のピーク濃度の領域が、互いに対向し、測定可能
な間隔を置いて分離されている。
【００４８】例として、図２を参照すると、Ｓｉドーパ
ントのピーク濃度の領域は、多少の重なりがあるとして
も、注入したＡｌのピーク濃度の領域から約０．１５μ
ｍの間隔で分離されていることが分かる。
ントのピーク濃度の領域は、多少の重なりがあるとして
も、注入したＡｌのピーク濃度の領域から約０．１５μ
ｍの間隔で分離されていることが分かる。
【００４９】図１と図２を比較すると、最大キャリア濃
度は約０．０５μｍの深さで得られ、注入Ａｌの最大濃
度が得られる約０．２μｍの深さとは異なることが分か
る。
度は約０．０５μｍの深さで得られ、注入Ａｌの最大濃
度が得られる約０．２μｍの深さとは異なることが分か
る。
【００５０】このデータおよび他のデータ（図５に示
す）は、酸素空乏帯が、ｎ型ドーパント領域と注入する
酸素に反応する元素の領域の間に形成され、それが、Ｇ
ａＡｓ結晶の表面からｎ型ドーパントよりも深くまで延
びる注入する酸素に反応する元素の酸素ゲッタリング作
用によるものであるという結論の裏付けとなると考えら
れる。
す）は、酸素空乏帯が、ｎ型ドーパント領域と注入する
酸素に反応する元素の領域の間に形成され、それが、Ｇ
ａＡｓ結晶の表面からｎ型ドーパントよりも深くまで延
びる注入する酸素に反応する元素の酸素ゲッタリング作
用によるものであるという結論の裏付けとなると考えら
れる。
【００５１】いずれの場合も、この実験で述べ図２に示
す方法で、ｎ型ドーパントとIII族元素の注入を行う
と、それによって形成されたIII−Ｖ族化合物中の電気
的活性度と電子移動度が著しく改善され、場合によって
は２０％以上も改善される。
す方法で、ｎ型ドーパントとIII族元素の注入を行う
と、それによって形成されたIII−Ｖ族化合物中の電気
的活性度と電子移動度が著しく改善され、場合によって
は２０％以上も改善される。
【００５２】前述の方法を用いて、Ａｌの量を変え、同
時に注入するＡｌの濃度の限度を決定した。１６０ｋｅ
ＶでＡｌ量が１．５×１０12ｃｍ-2および４．５×１０
12ｃｍ-2のときキャリア濃度が増大するが、Ａｌ量がこ
れより多くなると、すなわち１×１０13ｃｍ-2では低下
する。実験条件および結果を図３に示す。図３では曲線
はすべてＳｉをＡｌとともに注入したものである。これ
は、Ａｌの量が１×１０13ｃｍ-2より多いファーリー他
（上掲）のデータと一致する。
時に注入するＡｌの濃度の限度を決定した。１６０ｋｅ
ＶでＡｌ量が１．５×１０12ｃｍ-2および４．５×１０
12ｃｍ-2のときキャリア濃度が増大するが、Ａｌ量がこ
れより多くなると、すなわち１×１０13ｃｍ-2では低下
する。実験条件および結果を図３に示す。図３では曲線
はすべてＳｉをＡｌとともに注入したものである。これ
は、Ａｌの量が１×１０13ｃｍ-2より多いファーリー他
（上掲）のデータと一致する。
【００５３】前述の方法を用いて、ｎ型ドーパントとし
てＳｅを使って実験を行った。実験条件および結果を図
４に示す。Ｓｅ（７×１０12ｃｍ-2）と同時にＡｌ
（４．５×１０12ｃｍ-2）を注入すると、Ｓｅのみの場
合に比べてキャリア濃度の増大が約１桁改善される。
てＳｅを使って実験を行った。実験条件および結果を図
４に示す。Ｓｅ（７×１０12ｃｍ-2）と同時にＡｌ
（４．５×１０12ｃｍ-2）を注入すると、Ｓｅのみの場
合に比べてキャリア濃度の増大が約１桁改善される。
【００５４】８５０℃でのキャップレスＲＴＡアニーリ
ングの前後のＡｌおよび18Ｏの原子分布を調べた。
ングの前後のＡｌおよび18Ｏの原子分布を調べた。
【００５５】ＳＩＭＳ法は原子量１６の酸素に対する感
度が低いので、６７ｋｅＶで１×１０13ｃｍ-2の18Ｏを
イオン注入して、III−Ｖ族化合物の結晶へのＡｌ注入
の効果を調べた。２００ｋｅＶで１×１０14ｃｍ-2のＡ
ｌをイオン注入して、18Ｏ層およびＡｌ層をアニーリン
グ（キャップレスＲＴＡ）したものとしないものとにつ
いて、ＳＩＭＳ法で分析した。使用した条件と得られた
結果を図５に示す。図５から、アニーリング後は、約
０．１〜０．２μｍの18Ｏのピーク濃度の領域が著しく
減少することが分かる。これらのデータは、Ａｌの存在
下でアニーリングを行う間に、酸素の拡散により酸素空
乏帯が形成できることを示すと考えられる。このこと
は、酸素空乏帯が、このようにして得られたIII−Ｖ族
化合物半導体デバイス中の電気的活性度と電子移動度の
改善に寄与するという結論を裏付けるものである。
度が低いので、６７ｋｅＶで１×１０13ｃｍ-2の18Ｏを
イオン注入して、III−Ｖ族化合物の結晶へのＡｌ注入
の効果を調べた。２００ｋｅＶで１×１０14ｃｍ-2のＡ
ｌをイオン注入して、18Ｏ層およびＡｌ層をアニーリン
グ（キャップレスＲＴＡ）したものとしないものとにつ
いて、ＳＩＭＳ法で分析した。使用した条件と得られた
結果を図５に示す。図５から、アニーリング後は、約
０．１〜０．２μｍの18Ｏのピーク濃度の領域が著しく
減少することが分かる。これらのデータは、Ａｌの存在
下でアニーリングを行う間に、酸素の拡散により酸素空
乏帯が形成できることを示すと考えられる。このこと
は、酸素空乏帯が、このようにして得られたIII−Ｖ族
化合物半導体デバイス中の電気的活性度と電子移動度の
改善に寄与するという結論を裏付けるものである。
【００５６】この発明に関する各種の実験を行う際には
キャップレス・アニーリングを使用したが、これは、シ
ランとアンモニアから形成されるプラズマＣＶＤにより
成膜した窒化シリコンのキャップを使用した場合、不純
物がIII−Ｖ族化合物の基板に導入されるのを避けるた
めである。このことは、デ＝ソウサ（DeSouza）他のApp
l. Phys. Lett.、Ｖｏｌ．５７、Ｎｏ．１１、１９９０
年９月１０日、ｐｐ．１１２９〜３１に所載の論文に詳
細に記載されている。この発明によれば、汚染物質が基
板に導入される問題がなければ、キャップレスＲＴＡ法
もキャップ式ＲＴＡ法も使用できる。
キャップレス・アニーリングを使用したが、これは、シ
ランとアンモニアから形成されるプラズマＣＶＤにより
成膜した窒化シリコンのキャップを使用した場合、不純
物がIII−Ｖ族化合物の基板に導入されるのを避けるた
めである。このことは、デ＝ソウサ（DeSouza）他のApp
l. Phys. Lett.、Ｖｏｌ．５７、Ｎｏ．１１、１９９０
年９月１０日、ｐｐ．１１２９〜３１に所載の論文に詳
細に記載されている。この発明によれば、汚染物質が基
板に導入される問題がなければ、キャップレスＲＴＡ法
もキャップ式ＲＴＡ法も使用できる。
【００５７】このようにして得られたIII−Ｖ族化合物
半導体中の電気的活性度と電子移動度の改善が、結晶中
へのＡｌのイオン・ビーム注入によって生じた損傷によ
るものかどうか判定するために、Ｎｅを注入してＧａＡ
ｓ結晶を損傷させる実験を行ったが、結晶の電気特性に
測定可能な改善は見られなかった。したがって、電気的
活性度および電子移動度の改善は、この発明の方法によ
るｎ型ドーパントと注入する酸素に反応する元素の同時
注入、および注入する酸素に反応する元素によって得ら
れるゲッタリング効果によるものであると結論付けされ
た。Ｎｅを注入する実験では、Ａｌの注入の場合と異な
り、酸素空乏帯は形成されなかった。
半導体中の電気的活性度と電子移動度の改善が、結晶中
へのＡｌのイオン・ビーム注入によって生じた損傷によ
るものかどうか判定するために、Ｎｅを注入してＧａＡ
ｓ結晶を損傷させる実験を行ったが、結晶の電気特性に
測定可能な改善は見られなかった。したがって、電気的
活性度および電子移動度の改善は、この発明の方法によ
るｎ型ドーパントと注入する酸素に反応する元素の同時
注入、および注入する酸素に反応する元素によって得ら
れるゲッタリング効果によるものであると結論付けされ
た。Ｎｅを注入する実験では、Ａｌの注入の場合と異な
り、酸素空乏帯は形成されなかった。
【００５８】追加のデータによれば、ＧａＡｓ結晶に
７．９×１０12ｃｍ-2のＳｉを３０ｋｅＶで注入し、Ａ
ｌを１６０ｋｅＶで、１．５×１０12ｃｍ-2、４．５×
１０12ｃｍ-2、１．０×１０13ｃｍ-2、および５．０×
１０13ｃｍ-2の量で同時に注入すると、多い方から２つ
のＡｌの量では、面積抵抗が許容できないほど増大す
る。したがって、注入酸素に反応する元素の上限は、こ
れらのｎ型ドーパントのレベルでは、約４．５×１０12
ｃｍ-2であると思われる。
７．９×１０12ｃｍ-2のＳｉを３０ｋｅＶで注入し、Ａ
ｌを１６０ｋｅＶで、１．５×１０12ｃｍ-2、４．５×
１０12ｃｍ-2、１．０×１０13ｃｍ-2、および５．０×
１０13ｃｍ-2の量で同時に注入すると、多い方から２つ
のＡｌの量では、面積抵抗が許容できないほど増大す
る。したがって、注入酸素に反応する元素の上限は、こ
れらのｎ型ドーパントのレベルでは、約４．５×１０12
ｃｍ-2であると思われる。
【００５９】ＧａＡｓ中のＳｉの量が４．５×１０13ｃ
ｍ-2〜１×１０14ｃｍ-2である場合、Ａｌの量が４．５
×１０12ｃｍ-2であると、このようにして得られたＧａ
Ａｓ半導体の電気特性に著しい影響を与えないことも分
かった。したがって、添加するＡｌの量がこのように高
くても、ＧａＡｓ中のＳｉの電気的活性度は低下も改善
もされないことが分かる。これは、デバイス製造の観点
から許容できる。したがって、ＭＥＳＦＥＴの製造でＳ
ｉの量を変える場合に、Ａｌの領域を画定する必要はな
い。このように、ＧａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物の結
晶からＭＥＳＦＥＴを製造する場合、ソースおよびドレ
イン電極の下の領域を、約４．５×１０13ｃｍ-2のＳｉ
でドーピングし、ソース領域とドレイン領域の間のチャ
ネル領域（すなわちゲート領域）は、これより低い量、
たとえば約４〜７×１０12ｃｍ-2のＳｉでドーピングす
ることができる。この発明の範囲内で、ゲート領域上に
Ａｌをブランケット注入して、ソース領域とドレイン領
域の電気的活性度と移動度を下げずに、チャネル中の電
気的活性度と移動度を増大させることができる。
ｍ-2〜１×１０14ｃｍ-2である場合、Ａｌの量が４．５
×１０12ｃｍ-2であると、このようにして得られたＧａ
Ａｓ半導体の電気特性に著しい影響を与えないことも分
かった。したがって、添加するＡｌの量がこのように高
くても、ＧａＡｓ中のＳｉの電気的活性度は低下も改善
もされないことが分かる。これは、デバイス製造の観点
から許容できる。したがって、ＭＥＳＦＥＴの製造でＳ
ｉの量を変える場合に、Ａｌの領域を画定する必要はな
い。このように、ＧａＡｓなどのIII−Ｖ族化合物の結
晶からＭＥＳＦＥＴを製造する場合、ソースおよびドレ
イン電極の下の領域を、約４．５×１０13ｃｍ-2のＳｉ
でドーピングし、ソース領域とドレイン領域の間のチャ
ネル領域（すなわちゲート領域）は、これより低い量、
たとえば約４〜７×１０12ｃｍ-2のＳｉでドーピングす
ることができる。この発明の範囲内で、ゲート領域上に
Ａｌをブランケット注入して、ソース領域とドレイン領
域の電気的活性度と移動度を下げずに、チャネル中の電
気的活性度と移動度を増大させることができる。
【００６０】この発明をいくつかの実施例を参照して説
明したが、新規の方法およびそれによって得られる製品
を限定するものではなく、その変更態様も、上記の開
示、頭記の特許請求の範囲および添付の図面に示す範囲
および趣旨に含まれるものである。
明したが、新規の方法およびそれによって得られる製品
を限定するものではなく、その変更態様も、上記の開
示、頭記の特許請求の範囲および添付の図面に示す範囲
および趣旨に含まれるものである。
【００６１】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
電気的活性度と移動度が改善された、III−Ｖ族化合物
半導体材料の製造方法と、それによる製造品が提供され
る。
電気的活性度と移動度が改善された、III−Ｖ族化合物
半導体材料の製造方法と、それによる製造品が提供され
る。
【図１】ＧａＡｓ結晶基板に、３０ｋｅＶで６．０×１
０12ｃｍ-2のシリコンをイオン・ビーム注入によって導
入し、キャップレス法を用いて８５０℃で１０秒間、急
速熱アニール（ＲＴＡ）を行ったもの、および上記の濃
度のＳｉと、１６０ｋｅＶで４．５×１０12ｃｍ-2のＡ
ｌを同時にイオン注入し、キャップレス法を用いて８５
０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったものについて、ｙ軸（縦
軸）に沿って、Ｃ−Ｖ法で測定したキャリア濃度（電
子）をｃｍ3単位で、×軸（横軸）に沿って、深さをオ
ングストローム（Å）単位でプロットした図である。
０12ｃｍ-2のシリコンをイオン・ビーム注入によって導
入し、キャップレス法を用いて８５０℃で１０秒間、急
速熱アニール（ＲＴＡ）を行ったもの、および上記の濃
度のＳｉと、１６０ｋｅＶで４．５×１０12ｃｍ-2のＡ
ｌを同時にイオン注入し、キャップレス法を用いて８５
０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったものについて、ｙ軸（縦
軸）に沿って、Ｃ−Ｖ法で測定したキャリア濃度（電
子）をｃｍ3単位で、×軸（横軸）に沿って、深さをオ
ングストローム（Å）単位でプロットした図である。
【図２】ＧａＡｓ結晶基板に、３０ｋｅＶで７×１０12
ｃｍ-2のシリコンをイオン注入し、アニーリングを行わ
ないもの、および８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったも
の、ならびに同様に１６０ｋｅＶで４．５×１０12ｃｍ
-2のＡｌを同時にイオン注入し、アニーリングを行わな
いもの、および８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったもの
について、ｙ軸（縦軸）に沿って、二次イオン質量分析
（ＳＩＭＳ）によって求めた原子の濃度をｃｍ3単位
で、ｘ軸（横軸）に沿って、結晶ＧａＡｓ基板中のＳｉ
とＡｌの深さをμｍ（ミクロン）単位でプロットした図
である。
ｃｍ-2のシリコンをイオン注入し、アニーリングを行わ
ないもの、および８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったも
の、ならびに同様に１６０ｋｅＶで４．５×１０12ｃｍ
-2のＡｌを同時にイオン注入し、アニーリングを行わな
いもの、および８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったもの
について、ｙ軸（縦軸）に沿って、二次イオン質量分析
（ＳＩＭＳ）によって求めた原子の濃度をｃｍ3単位
で、ｘ軸（横軸）に沿って、結晶ＧａＡｓ基板中のＳｉ
とＡｌの深さをμｍ（ミクロン）単位でプロットした図
である。
【図３】ＧａＡｓ結晶基板に、３０ｋｅＶで７．９×１
０12ｃｍ-2のシリコンと、１６０ｋｅＶで１．５×１０
12ｃｍ-2、４．５×１０12ｃｍ-2および１．０×１０
13ｃｍ-2のＡｌをイオン注入し、キャップレス法を用い
て９００℃で２秒間ＲＴＡを行ったものについて、キャ
リア濃度と、（図１と同様の方法で測定した）深さ（Å
単位）をプロットした図である。
０12ｃｍ-2のシリコンと、１６０ｋｅＶで１．５×１０
12ｃｍ-2、４．５×１０12ｃｍ-2および１．０×１０
13ｃｍ-2のＡｌをイオン注入し、キャップレス法を用い
て９００℃で２秒間ＲＴＡを行ったものについて、キャ
リア濃度と、（図１と同様の方法で測定した）深さ（Å
単位）をプロットした図である。
【図４】ＧａＡｓ結晶基板に、４０ｋｅＶで７×１０12
ｃｍ-2のＳｅをイオン注入したもの、およびＳｅを上記
のように注入し、同時に１６０ｋｅＶで４．５×１０12
ｃｍ-2のＡｌをイオン・ビーム注入し、キャップレス法
を用いて、８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったものにつ
いて、キャリア濃度と、（図１と同様の方法で測定し
た）深さ（Å単位）をプロットした図である。
ｃｍ-2のＳｅをイオン注入したもの、およびＳｅを上記
のように注入し、同時に１６０ｋｅＶで４．５×１０12
ｃｍ-2のＡｌをイオン・ビーム注入し、キャップレス法
を用いて、８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったものにつ
いて、キャリア濃度と、（図１と同様の方法で測定し
た）深さ（Å単位）をプロットした図である。
【図５】ＧａＡｓ結晶基板に、６７ｋｅＶで１．０×１
０13ｃｍ-2の18Ｏと、２００ｋｅＶで１．０×１０13ｃ
ｍ-2のＡｌをイオン注入し、アニーリングしないもの、
および８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったものについ
て、18ＯとＡｌの濃度と、（図２と同様の方法で測定し
た）注入深さ（Å単位）をプロットした図である。
０13ｃｍ-2の18Ｏと、２００ｋｅＶで１．０×１０13ｃ
ｍ-2のＡｌをイオン注入し、アニーリングしないもの、
および８５０℃で１０秒間ＲＴＡを行ったものについ
て、18ＯとＡｌの濃度と、（図２と同様の方法で測定し
た）注入深さ（Å単位）をプロットした図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョエル・ペレイタ・デ＝スーザ ブラジル連邦共和国90430、リオグラン デ・ド・スール州ポルト・アレグレ、ル ア・アニタ・ガリバルディ 1091／606 (72)発明者 デーヴェンドラ・クマル・サダナ アメリカ合衆国10570、ニューヨーク州プ レザントヴィル、スカイ・トップ・ドライ ブ90番地
Claims (10)
- 【請求項１】微量の酸素を不純物として含有するIII−
Ｖ族化合物半導体組成物を製造する方法において、上記
III−Ｖ族化合物中に４×１０12ｃｍ-2〜２×１０13ｃ
ｍ-2の量のｎ型ドーパントを入れ、さらに上記III−Ｖ
族化合物中に約１．５×１０12ｃｍ-2〜４．５×１０12
ｃｍ-2の酸素に反応する元素を入れることを特徴とする
方法。 - 【請求項２】上記ｎ型ドーパントの量が、４×１０12ｃ
ｍ-2〜１×１０13ｃｍ-2であり、上記酸素に反応する元
素の量が上記ドーパントの量より少ないことを特徴とす
る、請求項１の方法。 - 【請求項３】微量の酸素を不純物として含有するIII−
Ｖ族化合物から酸素をゲッタリングする方法において、
上記III−Ｖ族化合物中にｎ型ドーパントを入れて、ド
ーパント領域を形成し、酸素に反応する元素を入れて、
それと対向する酸素に反応する元素の領域を形成し、上
記酸素に反応する元素を上記酸素と結合させて上記両領
域の間に酸素空乏帯を形成し、上記両領域間の間隔を、
上記酸素と結合した酸素と反応する元素が実質的に上記
ドーパントの電気特性を妨げないように十分な間隔に
し、上記酸素と反応する元素の量を、上記ドーパントの
電気特性を妨げないように十分少なくすることを特徴と
する方法。 - 【請求項４】上記ドーパント領域が、上記III−Ｖ族化
合物中の空間に形成され、その空間を通して上記酸素に
反応する元素がイオン注入されることを特徴とする、請
求項３の方法。 - 【請求項５】上記ドーパント領域および上記酸素に反応
する元素の領域が、上記III−Ｖ族化合物中にイオン注
入されることを特徴とする、請求項３の方法。 - 【請求項６】上記III−Ｖ族化合物が、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ａｓ、ＧａＰ、またはＩｎＰであることを特徴とする、
請求項３の方法。 - 【請求項７】上記III−Ｖ族化合物がＧａＡｓまたはＩ
ｎＡｓであり、上記ドーパントがＳｉであり、上記酸素
に反応する元素がＡｌであることを特徴とする、請求項
３の方法。 - 【請求項８】微量の酸素を含有し、ドーパント領域と、
それに対向する酸素に反応する元素の領域とを有するII
I−Ｖ族化合物製造品において、上記酸素に反応する元
素を上記両領域の間の帯域の酸素と結合させて酸素空乏
帯を形成し、上記両領域を、上記酸素と結合した酸素と
反応する元素が実質的に上記ドーパントの電気特性を妨
げないように相互に十分な間隔をとり、上記酸素と反応
する元素の量を、上記ドーパントの電気特性を妨げない
ように十分少なくすることを特徴とする、III−Ｖ族化
合物製造品。 - 【請求項９】上記III−Ｖ族化合物が、ＧａＡｓ、Ｉｎ
Ａｓ、ＧａＰ、またはＩｎＰであることを特徴とする、
請求項８の製造品。 - 【請求項１０】上記III−Ｖ族化合物がＧａＡｓまたは
ＩｎＡｓであり、上記ドーパントがＳｉであり、上記酸
素に反応する元素がＡｌであることを特徴とする、請求
項８の製造品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US655512 | 1991-02-14 | ||
| US07/655,512 US5183767A (en) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | Method for internal gettering of oxygen in iii-v compound semiconductors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05226343A true JPH05226343A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=24629192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026427A Pending JPH05226343A (ja) | 1991-02-14 | 1992-02-13 | 化合物半導体中の酸素のゲッタリング |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5183767A (ja) |
| EP (1) | EP0499114A3 (ja) |
| JP (1) | JPH05226343A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5773356A (en) * | 1996-02-20 | 1998-06-30 | Micron Technology, Inc. | Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer |
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| US6146973A (en) * | 1997-12-12 | 2000-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | High density isolation using an implant as a polish stop |
| US6335562B1 (en) | 1999-12-09 | 2002-01-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and design for the suppression of single event upset failures in digital circuits made from GaAs and related compounds |
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| JPS60235799A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Nec Corp | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
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| DE2021345A1 (de) * | 1970-04-30 | 1972-01-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von sauerstoffarmen Galliumarsenid unter Verwendung von Silicium oder Germanium als Dotierstoff |
| US3647389A (en) * | 1970-05-11 | 1972-03-07 | Bell Telephone Labor Inc | Method of group iii-v semiconductor crystal growth using getter dried boric oxide encapsulant |
| US3974002A (en) * | 1974-06-10 | 1976-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | MBE growth: gettering contaminants and fabricating heterostructure junction lasers |
| US4383869A (en) * | 1981-06-15 | 1983-05-17 | Rca Corporation | Method for enhancing electron mobility in GaAs |
| US4426237A (en) * | 1981-10-13 | 1984-01-17 | International Business Machines Corporation | Volatile metal oxide suppression in molecular beam epitaxy systems |
| US4602965A (en) * | 1984-03-13 | 1986-07-29 | Communications Satellite Corporation | Method of making FETs in GaAs by dual species implantation of silicon and boron |
| JPS61256675A (ja) * | 1985-05-09 | 1986-11-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1991
- 1991-02-14 US US07/655,512 patent/US5183767A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-04 EP EP19920101763 patent/EP0499114A3/en not_active Withdrawn
- 1992-02-13 JP JP4026427A patent/JPH05226343A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155531A (en) * | 1980-04-30 | 1981-12-01 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60235799A (ja) * | 1984-05-08 | 1985-11-22 | Nec Corp | 半絶縁性ＧａＡｓ結晶の成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0499114A3 (en) | 1992-12-09 |
| EP0499114A2 (en) | 1992-08-19 |
| US5183767A (en) | 1993-02-02 |
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