JPS5943955B2 - 新規なジベンゾピラン中間体およびその製造法 - Google Patents
新規なジベンゾピラン中間体およびその製造法Info
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- JPS5943955B2 JPS5943955B2 JP55177955A JP17795580A JPS5943955B2 JP S5943955 B2 JPS5943955 B2 JP S5943955B2 JP 55177955 A JP55177955 A JP 55177955A JP 17795580 A JP17795580 A JP 17795580A JP S5943955 B2 JPS5943955 B2 JP S5943955B2
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- C07D311/06—Benzo[b]pyrans, not hydrogenated in the carbocyclic ring with oxygen or sulfur atoms directly attached in position 2
- C07D311/08—Benzo[b]pyrans, not hydrogenated in the carbocyclic ring with oxygen or sulfur atoms directly attached in position 2 not hydrogenated in the hetero ring
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- C07D311/08—Benzo[b]pyrans, not hydrogenated in the carbocyclic ring with oxygen or sulfur atoms directly attached in position 2 not hydrogenated in the hetero ring
- C07D311/18—Benzo[b]pyrans, not hydrogenated in the carbocyclic ring with oxygen or sulfur atoms directly attached in position 2 not hydrogenated in the hetero ring substituted otherwise than in position 3 or 7
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なジベンゾピランの製造に有用な中間体
およびその製法に関する。
およびその製法に関する。
現在多数の鎮痛剤が入手できるにもかかわらず、新らし
い改良された鎮痛剤の研究が続けられている。
い改良された鎮痛剤の研究が続けられている。
このことは広い意味の痛みを抑制しかつ副作用が最小で
ある鎮痛剤が不足していることを意味する。最も普通に
使用されている鎮痛剤のアスピリンは、激しい痛みの抑
制に実際的価値がなく、いろいろの望ましくない副作用
を示すことが知られている。他のいつそう効力のある鎮
痛剤、たとえばd−プロポキシフエン、コデインやモル
ヒネは習慣性を与える傾向がある。したがつて、改良さ
れた効力のある鎮痛剤が要求されていることは、明らか
である。9−ノル−9β−ヒドロキシヘキサヒドロカン
ナビノ一ルや他のカンナビノイド構造体、たとえばΔ8
−テトラヒドロカンナビノ一ル(Δ8THC)およびそ
の一次代謝物の11−ヒドロキシーΔ8−THCの鎮痛
性は、WilsonおよびMay..Absts..P
aper,.Am.Chem.Soc.、168Mee
t.、MEDI 11(1874)およびJ.Med.
Chem.、17、475−476(1974)に報告
されている。
ある鎮痛剤が不足していることを意味する。最も普通に
使用されている鎮痛剤のアスピリンは、激しい痛みの抑
制に実際的価値がなく、いろいろの望ましくない副作用
を示すことが知られている。他のいつそう効力のある鎮
痛剤、たとえばd−プロポキシフエン、コデインやモル
ヒネは習慣性を与える傾向がある。したがつて、改良さ
れた効力のある鎮痛剤が要求されていることは、明らか
である。9−ノル−9β−ヒドロキシヘキサヒドロカン
ナビノ一ルや他のカンナビノイド構造体、たとえばΔ8
−テトラヒドロカンナビノ一ル(Δ8THC)およびそ
の一次代謝物の11−ヒドロキシーΔ8−THCの鎮痛
性は、WilsonおよびMay..Absts..P
aper,.Am.Chem.Soc.、168Mee
t.、MEDI 11(1874)およびJ.Med.
Chem.、17、475−476(1974)に報告
されている。
1970年4月21日付けの米国特許
3507885および1972年1月18日付の米国特
許3636058は、9位置にオキソ、ヒドロカルビル
、ヒドロキシ、クロロおよびヒドロカルビリデンのよう
な置換基をもつ種々の1−ヒドロキシ−3−アルキル−
6H−ジベンゾ〔b・d〕ピランならびにそれらの中間
体を記載している。
許3636058は、9位置にオキソ、ヒドロカルビル
、ヒドロキシ、クロロおよびヒドロカルビリデンのよう
な置換基をもつ種々の1−ヒドロキシ−3−アルキル−
6H−ジベンゾ〔b・d〕ピランならびにそれらの中間
体を記載している。
1972年3月14日付けの米国特許
3649650は、精神治療剤として、1位置にω−ジ
アルキルアミノアルコキシ基をもつ一連のテトラヒドロ
−6・6・9−トリアルキル−6H−ジベンゾ〔b−d
〕ピラン誘導体を開示している。
アルキルアミノアルコキシ基をもつ一連のテトラヒドロ
−6・6・9−トリアルキル−6H−ジベンゾ〔b−d
〕ピラン誘導体を開示している。
1975年5月7日付けのドイツ国特許明細書2451
934は、血圧低下、向精神薬、鎮痛剤および鎮痛剤と
して、3位置にアルキルまたはアルケニル基をもつ1・
9−ジヒドロキシーヘキサヒドロジベンゾ〔b−d〕ピ
ランおよびそのある種の1−アシル誘導体を開始してい
る。
934は、血圧低下、向精神薬、鎮痛剤および鎮痛剤と
して、3位置にアルキルまたはアルケニル基をもつ1・
9−ジヒドロキシーヘキサヒドロジベンゾ〔b−d〕ピ
ランおよびそのある種の1−アシル誘導体を開始してい
る。
それらの製造に使用しかつ対応する9−ヒドロキル化合
物として同じ利用性をもつと報告されている前駆物質の
ヘギサヒドロ−9H−ジベンゾ〔b−d〕ピラン−9−
オンは、1975年5月7日付けのドイツ国特許明細書
2451932に記載されている。1974年10月1
7日付けのドイツ国特許明細書2415697は、3位
置にアラルキル、(置換されたアラルキル)またはピリ
ジルアルキル基をもつ1−ヒドロキシ−6・6・9−ト
リメチルーヘキサヒドロジベンゾ〔b−d〕ピラン誘導
体およびその中間体を記載している。
物として同じ利用性をもつと報告されている前駆物質の
ヘギサヒドロ−9H−ジベンゾ〔b−d〕ピラン−9−
オンは、1975年5月7日付けのドイツ国特許明細書
2451932に記載されている。1974年10月1
7日付けのドイツ国特許明細書2415697は、3位
置にアラルキル、(置換されたアラルキル)またはピリ
ジルアルキル基をもつ1−ヒドロキシ−6・6・9−ト
リメチルーヘキサヒドロジベンゾ〔b−d〕ピラン誘導
体およびその中間体を記載している。
それらは鎮痛剤およびききめのゆるやかな精神安定剤と
して有用である。1974年12月24日付けの米国特
許 3856821は、抗関節炎活性、抗炎症活性および中
枢神経系活性をもつ一連の3−アルコキシ置換ジベンゾ
〔b−d〕ピランを記載している。
して有用である。1974年12月24日付けの米国特
許 3856821は、抗関節炎活性、抗炎症活性および中
枢神経系活性をもつ一連の3−アルコキシ置換ジベンゾ
〔b−d〕ピランを記載している。
(ヘ)−Δ1−テトラヒドロカンナビノ一ルとしてより
いつそう普通に知られている(ヘ)トランス6a・7・
8・10a、−テトラヒドロ−3−ぺンチル−6・6・
9−トリメチル−6H−ジベンゾ〔b−d〕ピラン−1
−オールの立体特異性的合成は、Razdanetal
.(J.Am.Chem.Soc.、96、5860−
5、1974)により報告された。この1工程合成法は
、塩化メチレン中で1%の三フッ化ホウ素エーチレート
および無水硫酸マグネシウムの存在でO℃においてシス
/トランスー(ト)−p−メンタ−2・8−ジエン−1
−オールをオリベトールと反応させることからなる。こ
のようにして生成したテトラヒドロ化合物リ、W11d
es e1 al.、J.0rg.Cl]em.、36
、721−3(1971)の方法により、対応する9−
ケトヘキサヒドロ化合物に転化する。この方法は、この
1−ヒドロキシーテトラヒドロ化合物のそのメチルエー
テルへのメチル化、次いでクロロホルム中0℃における
塩化亜鉛およびHClとの反応による塩化水素付加物へ
の転化を含む。次いで、この付加物をカリウムトリシク
ロペンチルカルビノレートとの反応により脱・・ロゲン
化水素化して、対応する6a・7・8・9・10・10
a−ヘキサヒドロ−3−ペンチル−6・6ージメチル−
9−メチレン−6H−ジベンゾ〔b・d〕ピラン−1−
オールメチルエーテルを生成する。その9−メチレン基
を過マンガン酸カリウム−過ヨウ素酸塩で酸化すると、
9−ケトンが得られる。塩化ピリジニウムまたは他の酸
性試薬でそのメチルエーテルを脱メチル化すると、アル
コールが得られる。Bergeletal.、J.Ch
em.SOc.、286−7(1943)は、7・8・
9・10−テトラヒトロー3−ペンチル一6・6・9−
トリメチル−6H−ジベンゾ〔b−d〕ピラン一1−オ
ールの3位置のペンチル基をアルコキシ(ブトキシ、ペ
ントキシ、ヘキソキシおよびオクトキシ)で置換するこ
とを研究することを研究し、この置換によりこの化合物
は生物学的に不活性となることを発見した。
いつそう普通に知られている(ヘ)トランス6a・7・
8・10a、−テトラヒドロ−3−ぺンチル−6・6・
9−トリメチル−6H−ジベンゾ〔b−d〕ピラン−1
−オールの立体特異性的合成は、Razdanetal
.(J.Am.Chem.Soc.、96、5860−
5、1974)により報告された。この1工程合成法は
、塩化メチレン中で1%の三フッ化ホウ素エーチレート
および無水硫酸マグネシウムの存在でO℃においてシス
/トランスー(ト)−p−メンタ−2・8−ジエン−1
−オールをオリベトールと反応させることからなる。こ
のようにして生成したテトラヒドロ化合物リ、W11d
es e1 al.、J.0rg.Cl]em.、36
、721−3(1971)の方法により、対応する9−
ケトヘキサヒドロ化合物に転化する。この方法は、この
1−ヒドロキシーテトラヒドロ化合物のそのメチルエー
テルへのメチル化、次いでクロロホルム中0℃における
塩化亜鉛およびHClとの反応による塩化水素付加物へ
の転化を含む。次いで、この付加物をカリウムトリシク
ロペンチルカルビノレートとの反応により脱・・ロゲン
化水素化して、対応する6a・7・8・9・10・10
a−ヘキサヒドロ−3−ペンチル−6・6ージメチル−
9−メチレン−6H−ジベンゾ〔b・d〕ピラン−1−
オールメチルエーテルを生成する。その9−メチレン基
を過マンガン酸カリウム−過ヨウ素酸塩で酸化すると、
9−ケトンが得られる。塩化ピリジニウムまたは他の酸
性試薬でそのメチルエーテルを脱メチル化すると、アル
コールが得られる。Bergeletal.、J.Ch
em.SOc.、286−7(1943)は、7・8・
9・10−テトラヒトロー3−ペンチル一6・6・9−
トリメチル−6H−ジベンゾ〔b−d〕ピラン一1−オ
ールの3位置のペンチル基をアルコキシ(ブトキシ、ペ
ントキシ、ヘキソキシおよびオクトキシ)で置換するこ
とを研究することを研究し、この置換によりこの化合物
は生物学的に不活性となることを発見した。
このヘキソキシ誘導体は、10〜20η/Kgにおいて
弱いハシツシユ活性を示すと報告された。残りのエーテ
ル類は、20即/K9までの投与量において活性を示さ
なかつた。最近の研究において、LOOvOtal.、
J.Med.Chem.、16、1200−6(197
3)は、3位置の置換基が−0CH(CH3)C5Hl
l、−CH2CH(CH3)C5HllまたはCH(C
H3)C5Hllである7・8・9・10−テトラヒト
ロー3一置換−6・6・9−トリメチル−6H−ジベン
ゾ〔b−d〕ピラン一1−オールの比較について報告し
ている。
弱いハシツシユ活性を示すと報告された。残りのエーテ
ル類は、20即/K9までの投与量において活性を示さ
なかつた。最近の研究において、LOOvOtal.、
J.Med.Chem.、16、1200−6(197
3)は、3位置の置換基が−0CH(CH3)C5Hl
l、−CH2CH(CH3)C5HllまたはCH(C
H3)C5Hllである7・8・9・10−テトラヒト
ロー3一置換−6・6・9−トリメチル−6H−ジベン
ゾ〔b−d〕ピラン一1−オールの比較について報告し
ている。
このエーテル側鎖含有化合物は、中枢神経系活性おいい
て、アルキル側鎖が介在酸素原子を経なくて芳香族環に
直接に結合する対応する化合物より活性が50%少なく
、そして酸素がメチレンで置換されている化合物より活
性が5倍強かつた。さて、本発明によれば、鎮痛剤、血
圧低下剤、抗分泌剤、抗不安剤、免疫抑制剤および精神
安定剤として有効なある群の化合物、すなわち非麻酔性
かつ非習慣性の1・9−ジヒドロキシジベンゾ〔b−d
〕ピラン(式1)の製造における価値ある中間体(式)
が見出された。
て、アルキル側鎖が介在酸素原子を経なくて芳香族環に
直接に結合する対応する化合物より活性が50%少なく
、そして酸素がメチレンで置換されている化合物より活
性が5倍強かつた。さて、本発明によれば、鎮痛剤、血
圧低下剤、抗分泌剤、抗不安剤、免疫抑制剤および精神
安定剤として有効なある群の化合物、すなわち非麻酔性
かつ非習慣性の1・9−ジヒドロキシジベンゾ〔b−d
〕ピラン(式1)の製造における価値ある中間体(式)
が見出された。
これらの化合物は、次式を有する。(式中Rは水素およ
び炭素数1〜4のアルカノイルからなる・群よりえらば
れ、R4およびR5のおのおのは水素またはメチルから
なる群よりえらばれ、Zは炭素数1〜9のアルキレンで
あり、 そしてwはフエニルである。
び炭素数1〜4のアルカノイルからなる・群よりえらば
れ、R4およびR5のおのおのは水素またはメチルから
なる群よりえらばれ、Zは炭素数1〜9のアルキレンで
あり、 そしてwはフエニルである。
)前記式を有する化合物は、6a位置および/または1
0a位置に不整中心を含む。
0a位置に不整中心を含む。
3位置の置換基(−Z−W)、6位置および9位置に追
加の不整中心が存在しうる。
加の不整中心が存在しうる。
9β立体配置をもつジアステレオマ一は、生物学的活性
がより大き℃・(定量的に)ため、9α異性体より好適
である。
がより大き℃・(定量的に)ため、9α異性体より好適
である。
同様に、トランス(6a・10a)ジアステレオマ一は
シス(6a・10a)ジアステレオマ一より好ましい前
記式において、波状線は9位置および6a・10a位置
におけるジアステレオマ一を示す。
シス(6a・10a)ジアステレオマ一より好ましい前
記式において、波状線は9位置および6a・10a位置
におけるジアステレオマ一を示す。
一般に、天然に産出するカンナビノールと同じ絶対配置
を6a位置および10a位置の両方に含む光学的に活性
な鏡像体は、生物学的活性がより大きい(定量的に)た
め、好ましい。これらの化合物のラセミ体はより活性な
鏡像体を50%含有するため、そのまま使用できる。ラ
セミ混合物、ジアステレオマ一混合物ならびに純粋な鏡
像体およびジアステレオマ一の有用性は、下記の生物学
的評価によつて決定する。下記図式Aに式から式1に至
る経路を示す。
を6a位置および10a位置の両方に含む光学的に活性
な鏡像体は、生物学的活性がより大きい(定量的に)た
め、好ましい。これらの化合物のラセミ体はより活性な
鏡像体を50%含有するため、そのまま使用できる。ラ
セミ混合物、ジアステレオマ一混合物ならびに純粋な鏡
像体およびジアステレオマ一の有用性は、下記の生物学
的評価によつて決定する。下記図式Aに式から式1に至
る経路を示す。
式の化合物は、塩基、たとえばアルカリ金属の水酸化物
もしくはアルコキシドまたは第三級有機塩基、たとえば
トリエチルアミンの存在下に適当な本発明の化合物5−
ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2−R4R5−
Jヨ黶iZ−W)−4ークロマノン(式)とメチルビニル
ケトンとの環縮合により、Michael付加を行い、
次いで塩基、たとえばアルカリ金属の水酸化物またはア
ルコキシド(ナトリウムまたはカリウムの水酸化物、工
トキシドまたはメトキシド)で処理してアルドール環化
を完結することによつて、容易に製造される。次いで、
生成した6a・7ージヒドロ一1−ヒドロキシ−6 ・
6−R4R5−3−(Z−W)−6H−ジベンゾ〔b−
d〕 ピラン一9(8H)オンを、Birch還元によ
り、対応する6aβ・7・10・10aα−テトラヒド
ロ化合物(式)に変える。
もしくはアルコキシドまたは第三級有機塩基、たとえば
トリエチルアミンの存在下に適当な本発明の化合物5−
ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2−R4R5−
Jヨ黶iZ−W)−4ークロマノン(式)とメチルビニル
ケトンとの環縮合により、Michael付加を行い、
次いで塩基、たとえばアルカリ金属の水酸化物またはア
ルコキシド(ナトリウムまたはカリウムの水酸化物、工
トキシドまたはメトキシド)で処理してアルドール環化
を完結することによつて、容易に製造される。次いで、
生成した6a・7ージヒドロ一1−ヒドロキシ−6 ・
6−R4R5−3−(Z−W)−6H−ジベンゾ〔b−
d〕 ピラン一9(8H)オンを、Birch還元によ
り、対応する6aβ・7・10・10aα−テトラヒド
ロ化合物(式)に変える。
この還元は金属としてリチウムを用いて都合よく実施さ
れる。また、ナトリウムまたはカリウムを使用できる。
この反応は約−35℃〜一80゜Cの温度において行う
。このBjrch還元は、式の所望のトランス−ケトン
の生成を引き起こす立体特異性を与えるため、好適であ
る。式およびの化合物を、脱水剤、たとえばp−トルエ
ンスルホン酸またはケタール化で使用する他の酸(シユ
ウ酸、アジピン酸)の存在下に、炭素数2〜4の適当な
アルキレングリコールで処理すると、対応するケタール
が得られる。
れる。また、ナトリウムまたはカリウムを使用できる。
この反応は約−35℃〜一80゜Cの温度において行う
。このBjrch還元は、式の所望のトランス−ケトン
の生成を引き起こす立体特異性を与えるため、好適であ
る。式およびの化合物を、脱水剤、たとえばp−トルエ
ンスルホン酸またはケタール化で使用する他の酸(シユ
ウ酸、アジピン酸)の存在下に、炭素数2〜4の適当な
アルキレングリコールで処理すると、対応するケタール
が得られる。
式およびの化合物の9−オキソ基を水素化金属で還元す
ると、式1(R−H)の化合物が得られる。
ると、式1(R−H)の化合物が得られる。
このような転化に有用な水素化金属の代表例は、水素化
リチウムアルミニウム、水素化ホ★rウ素リチウムおよ
び水素化ホウ素ナトリウムである。水素化ホウ素ナトリ
ウムは、所望生成物の満足すべき収率を与えるのみなら
ず、かつまたヒドロキシル溶媒(メタノール、エタノー
ル、水)と十分にゆつくり反応してヒドロキシル溶媒を
溶媒として使用できるので、この工程における還元剤と
して好適である。約0〜30℃の温度を一般に使用する
。これより低い温度、たとえば約−70℃までの温度で
さえも、還元の選択性を増加させるために使用できる。
温度が前記範囲より高いと、水素化ホウ素ナトリウムと
ヒドロキシル溶媒との反応が起こりうる。一定の還元に
より高い温度が望ましいかまたは必要であるとき、イソ
プロピルアルコールまたはジエチレングリコールのジメ
チルエーテルを溶媒として使用する。水素化ホウ素リチ
ウムまたは水素化リチウムアルミニウムのような還元剤
は、無水条件と非ヒドロキシル溶媒(1・2−ジメトキ
シエタン、テトラヒドロフラン、エーテル、ジエチレン
グリコールのジメチルエーテル)を必要とする。
リチウムアルミニウム、水素化ホ★rウ素リチウムおよ
び水素化ホウ素ナトリウムである。水素化ホウ素ナトリ
ウムは、所望生成物の満足すべき収率を与えるのみなら
ず、かつまたヒドロキシル溶媒(メタノール、エタノー
ル、水)と十分にゆつくり反応してヒドロキシル溶媒を
溶媒として使用できるので、この工程における還元剤と
して好適である。約0〜30℃の温度を一般に使用する
。これより低い温度、たとえば約−70℃までの温度で
さえも、還元の選択性を増加させるために使用できる。
温度が前記範囲より高いと、水素化ホウ素ナトリウムと
ヒドロキシル溶媒との反応が起こりうる。一定の還元に
より高い温度が望ましいかまたは必要であるとき、イソ
プロピルアルコールまたはジエチレングリコールのジメ
チルエーテルを溶媒として使用する。水素化ホウ素リチ
ウムまたは水素化リチウムアルミニウムのような還元剤
は、無水条件と非ヒドロキシル溶媒(1・2−ジメトキ
シエタン、テトラヒドロフラン、エーテル、ジエチレン
グリコールのジメチルエーテル)を必要とする。
異性体の9α−ヒドロキシ化合物と9β−ヒドロキシ化
合物は、この工程において製造される。
合物は、この工程において製造される。
本発明の5−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2
−R4R5−Jヨ黶iZ−W)−4−クロマノン()は、
次の概略化した図式Bで表わされるようにして3・5製
造される。
−R4R5−Jヨ黶iZ−W)−4−クロマノン()は、
次の概略化した図式Bで表わされるようにして3・5製
造される。
ジヒドロキシ安息香酸から
本発明の方法は上記図式B中→に示す工程からなる。
出発物質の3・5−ジヒドロキシ安息香酸()は、文献
に記載されている方法により、Y2がアルコキシ基、好
ましくは製造容易性の観点からメトキシもしくはエトキ
シ、またはアミノ基であり、そしてY1がヒドロキシ保
護基である式()の化合物に変える。
に記載されている方法により、Y2がアルコキシ基、好
ましくは製造容易性の観点からメトキシもしくはエトキ
シ、またはアミノ基であり、そしてY1がヒドロキシ保
護基である式()の化合物に変える。
Y1は好ましくは炭素数1〜4のアルキルまたはベンジ
ルである。
ルである。
基Y1の機能は、引き続く反応の間ヒドロキシ基を保護
することである。特定の機能、すなわちヒドロキシ基の
保護を行うのは、の基の重要な構造であるよりはむしろ
その基の能力である。適当な保護基の選択および確認は
、この分野の専門家であれば、容易になすことができる
。ヒドロキシ基の保護基として、ある基が適切かつ有効
であるかどうかは、このような基を前述の反応に使用す
ることによつて決定する。したがつて、この基は容易に
除去されていてヒドロキシ基を保存できる基であるべき
である。メチルはピリジン塩酸塩による処理によつて除
去されやすいので、保護アルキル基として好ましい。ペ
ンジル基は、これを保護基として使用する場合、接触水
添分解または酸性加水分解によつて除去される。次いで
、2個のヒドロキシ基が保護された安息香酸誘導体()
は、知られている技術によつて、式()の化合物に転化
する。一つの方法において、を対応する酸(Y−0H)
またはワチウム塩に加水分解し、適当なアルキルリチウ
ムと反応させて、アルキルジ置換フエニルケトン(Y2
アルキル)を生成する。メチルリチウムを使用するとき
、生成するアセトフエノン誘導体をグリニヤール試薬(
W−Z″−MgBr)で処理する。この中間付加物を加
水分解して対応するアルコールにし、次いでこれを水素
化してヒドロキシ基を水素と置換する。この方法はこと
に有用である。エーテル基は適当な手段、たとえばピリ
ジン塩酸塩による処理(Y1−メチル)または接触水添
分解(Y,−ベンジル)、あるいはトリフルオロ酢酸、
塩酸、臭化水素酸もしくは硫酸のような酸、またはピリ
ジン塩酸塩による処理、によつて分離する。式の化合物
を式の化合物に変える他の方法は、式(Y2=アルキル
)のケトンを適当な臭化トリフエニノTスホニウム▲体
〔(C6H5)3P−Z−W,lBrと塩基(たとえば
、水素化ナトリウム)の存在で反応させることからなる
。
することである。特定の機能、すなわちヒドロキシ基の
保護を行うのは、の基の重要な構造であるよりはむしろ
その基の能力である。適当な保護基の選択および確認は
、この分野の専門家であれば、容易になすことができる
。ヒドロキシ基の保護基として、ある基が適切かつ有効
であるかどうかは、このような基を前述の反応に使用す
ることによつて決定する。したがつて、この基は容易に
除去されていてヒドロキシ基を保存できる基であるべき
である。メチルはピリジン塩酸塩による処理によつて除
去されやすいので、保護アルキル基として好ましい。ペ
ンジル基は、これを保護基として使用する場合、接触水
添分解または酸性加水分解によつて除去される。次いで
、2個のヒドロキシ基が保護された安息香酸誘導体()
は、知られている技術によつて、式()の化合物に転化
する。一つの方法において、を対応する酸(Y−0H)
またはワチウム塩に加水分解し、適当なアルキルリチウ
ムと反応させて、アルキルジ置換フエニルケトン(Y2
アルキル)を生成する。メチルリチウムを使用するとき
、生成するアセトフエノン誘導体をグリニヤール試薬(
W−Z″−MgBr)で処理する。この中間付加物を加
水分解して対応するアルコールにし、次いでこれを水素
化してヒドロキシ基を水素と置換する。この方法はこと
に有用である。エーテル基は適当な手段、たとえばピリ
ジン塩酸塩による処理(Y1−メチル)または接触水添
分解(Y,−ベンジル)、あるいはトリフルオロ酢酸、
塩酸、臭化水素酸もしくは硫酸のような酸、またはピリ
ジン塩酸塩による処理、によつて分離する。式の化合物
を式の化合物に変える他の方法は、式(Y2=アルキル
)のケトンを適当な臭化トリフエニノTスホニウム▲体
〔(C6H5)3P−Z−W,lBrと塩基(たとえば
、水素化ナトリウム)の存在で反応させることからなる
。
この反応はアルケンを経て進行し、このアルケンを引き
続いて接触的に水添して対応するアルカン(Z−W)に
し、これを分離してジヒドロキシ化合物()とする。別
法として、構造の化合物の構造の化合物への転化は、反
応過程→→によつて実現できる。
続いて接触的に水添して対応するアルカン(Z−W)に
し、これを分離してジヒドロキシ化合物()とする。別
法として、構造の化合物の構造の化合物への転化は、反
応過程→→によつて実現できる。
この反応において、2個のヒドロキシ基が保護されたベ
ンズアミド(、Y2−NH2)を適当なグリニヤール試
薬(BrMg−Z′−W)との反応によりケトン(、Z
′=Z1個より少ないCH2基)に変え、次いでハロゲ
ン化メチルマグネシウムまたはハロゲン化エチルマグネ
シウムとの反応により対応するカルビノールを生成する
。このカルビノールを、たとえばp−トルエンスルホン
酸で脱水すると、対応するアルケンが得られ、次いでこ
れを触媒により水添(Pi/c)してアルカン()にす
る。エーテル基は前述のように分離するヒドロキシに変
える)。の4−クロマノン()への転化は、をク ロトン酸または式R4R5−C−CH−COOHの酸と
三フツ化ホウ素エーテレートの存在下に約20〜約12
5℃において反応させることによつて行う。
ンズアミド(、Y2−NH2)を適当なグリニヤール試
薬(BrMg−Z′−W)との反応によりケトン(、Z
′=Z1個より少ないCH2基)に変え、次いでハロゲ
ン化メチルマグネシウムまたはハロゲン化エチルマグネ
シウムとの反応により対応するカルビノールを生成する
。このカルビノールを、たとえばp−トルエンスルホン
酸で脱水すると、対応するアルケンが得られ、次いでこ
れを触媒により水添(Pi/c)してアルカン()にす
る。エーテル基は前述のように分離するヒドロキシに変
える)。の4−クロマノン()への転化は、をク ロトン酸または式R4R5−C−CH−COOHの酸と
三フツ化ホウ素エーテレートの存在下に約20〜約12
5℃において反応させることによつて行う。
構造の生成物のほかに、(7ーヒドロキシ一2・2−R
4R5−5−Z−W−4−クロマノン)に対して異性体
である第2生成物も生成する。次いで、式の4−クロマ
ノンを、ギ酸エチルおよび水素化ナトリウムとの反応に
より、式のヒドロキシメチレン誘導体に変える。前記反
応の第一工程(Wittig反応)は、適当な反応成分
の選択により、直鎖または分岐鎖のアルキレン基を有す
る化合物を生成する。
4R5−5−Z−W−4−クロマノン)に対して異性体
である第2生成物も生成する。次いで、式の4−クロマ
ノンを、ギ酸エチルおよび水素化ナトリウムとの反応に
より、式のヒドロキシメチレン誘導体に変える。前記反
応の第一工程(Wittig反応)は、適当な反応成分
の選択により、直鎖または分岐鎖のアルキレン基を有す
る化合物を生成する。
上の式において、kがメチルまたはエチルであるとき、
フエニル基に隣接する炭素原子(α)にアルキル置換基
を有する化合物が生成する。他の部位、たとえばアルキ
レン基のβ一炭素原子におけるメチルまたはエチル基の
置換は、適当なカルボアルコキシアルキリデントリフエ
ニルホスホラン、たとえば(C6H5)3P−C(V)
−COOC2H5の選択によつて行なう。このように生
成した不飽和エステルは、一般に少量の塩化アルミニウ
ムの存在で、水素化リチウムアルミニウムとの反応によ
り対応する飽和アルコールに還元する。別法として、Y
1がベンジル以外(たとえば、メチル)であるとき、パ
ラジウム一炭素を用いて不飽和エステルを触媒により還
元し、次いでこのように生成した飽和エステルを水素化
リチウムアルミニウムで処理することによつてアルコー
ルを生成する。このアルコールを対応するトンレートま
たはタンレートに変え、次いでこのトンレートまたはタ
ンレートを適当なHX″−(Aek)−W反応成分のア
ルカリ金属塩でアルキル化し、最後に保護基(Y1 )
を除去すると、所望のレゾルシノールが得られる。前記
反応の変更は、アルコールをトンレートまたはタンレー
トに変えないでこれを臭素化することからなる。三臭化
リンは好適な臭素化剤である。次いで、このブロモ誘導
体を適当な塩基の存在で適当なHX−(Aek)−Wと
反応させる(WilliamsOn反応)。
フエニル基に隣接する炭素原子(α)にアルキル置換基
を有する化合物が生成する。他の部位、たとえばアルキ
レン基のβ一炭素原子におけるメチルまたはエチル基の
置換は、適当なカルボアルコキシアルキリデントリフエ
ニルホスホラン、たとえば(C6H5)3P−C(V)
−COOC2H5の選択によつて行なう。このように生
成した不飽和エステルは、一般に少量の塩化アルミニウ
ムの存在で、水素化リチウムアルミニウムとの反応によ
り対応する飽和アルコールに還元する。別法として、Y
1がベンジル以外(たとえば、メチル)であるとき、パ
ラジウム一炭素を用いて不飽和エステルを触媒により還
元し、次いでこのように生成した飽和エステルを水素化
リチウムアルミニウムで処理することによつてアルコー
ルを生成する。このアルコールを対応するトンレートま
たはタンレートに変え、次いでこのトンレートまたはタ
ンレートを適当なHX″−(Aek)−W反応成分のア
ルカリ金属塩でアルキル化し、最後に保護基(Y1 )
を除去すると、所望のレゾルシノールが得られる。前記
反応の変更は、アルコールをトンレートまたはタンレー
トに変えないでこれを臭素化することからなる。三臭化
リンは好適な臭素化剤である。次いで、このブロモ誘導
体を適当な塩基の存在で適当なHX−(Aek)−Wと
反応させる(WilliamsOn反応)。
また、このブロモ化合物は、前記反応においてアルキレ
ン部分の鎖長を増加してzがーアルキレン−Wである化
合物を生成するための価値ある中間体として役立つ。
ン部分の鎖長を増加してzがーアルキレン−Wである化
合物を生成するための価値ある中間体として役立つ。
この方法は、ブロモ誘導体をトリJャGニルホスフインで
処理して対応する臭化トリフエニルホスホニウムを生成
することからなる。この臭化トリフエニルホスホニウム
を水素化ナトリウムまたはn−ブチルリチウムのような
塩基の存在で適当なアルデヒドまたはケトンと反応させ
ると、不飽和誘導体が得られ、次いでこれを触媒により
水素化して対応する飽和化合物にする。この変法におい
て、保護基(Y1 )は特定の反応過程に応じて選択す
る。右側の垂直の反応過程を採用するとき、接触的水素
化工程の理由からベンジルは好ましい保護基である、左
側の垂直の反応過程を用いるとき、メチルはここに記載
する酸の処理により都合よく除去されるので、好ましい
保護基である。参考例 1 d1−5−ヒドロキシ−2・2−ジメチルー7(1−メ
チル−4−フエニルブチル)−4クロマノン 2−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−5ーフエニル
ペンタン(9.67)と3−メチルクロトン酸(4.5
7)との混合物を窒素ふん囲気中で125℃に加熱し、
三フツ化エーテレート(8.7m0を加える。
処理して対応する臭化トリフエニルホスホニウムを生成
することからなる。この臭化トリフエニルホスホニウム
を水素化ナトリウムまたはn−ブチルリチウムのような
塩基の存在で適当なアルデヒドまたはケトンと反応させ
ると、不飽和誘導体が得られ、次いでこれを触媒により
水素化して対応する飽和化合物にする。この変法におい
て、保護基(Y1 )は特定の反応過程に応じて選択す
る。右側の垂直の反応過程を採用するとき、接触的水素
化工程の理由からベンジルは好ましい保護基である、左
側の垂直の反応過程を用いるとき、メチルはここに記載
する酸の処理により都合よく除去されるので、好ましい
保護基である。参考例 1 d1−5−ヒドロキシ−2・2−ジメチルー7(1−メ
チル−4−フエニルブチル)−4クロマノン 2−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−5ーフエニル
ペンタン(9.67)と3−メチルクロトン酸(4.5
7)との混合物を窒素ふん囲気中で125℃に加熱し、
三フツ化エーテレート(8.7m0を加える。
1時間還流した後、反応混合物を冷却し、水(10m0
、次いで6Nの水酸化ナトリウム(40m0を加える。
、次いで6Nの水酸化ナトリウム(40m0を加える。
この反応混合物を水蒸気浴上で5分間加熱し、6Nの塩
酸で酸性にする。水層をエーテル(3×100m0で抽
出し、合わせたエーテル抽出液を10%の重炭酸ナトリ
ウム(1×25m0と水(1×25m1)で洗う。有機
相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空濃縮すると12.
7tの粗油が得られ、これをシリカゲルのクロマトグラ
フイ・−により精製すると、5,07のdl −5−ヒ
ドロキシ−2・2−ジメチルー7(1−メチル−4−フ
エニルブチル)−4−クロマノンが無色の油として得ら
れる。エチレン)、1.5(S、6、Gemジメチル)
、2.3−2.9(M、3、ベンジルーメチレン、メチ
ニル)、2.65(S、2、α−メチレン)、6.1−
6.35(M、2、芳香族)、6.9ー7,4(M、5
、芳香族)、11.53、11,63、(d、1、ヒド
ロキシル)。
酸で酸性にする。水層をエーテル(3×100m0で抽
出し、合わせたエーテル抽出液を10%の重炭酸ナトリ
ウム(1×25m0と水(1×25m1)で洗う。有機
相を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空濃縮すると12.
7tの粗油が得られ、これをシリカゲルのクロマトグラ
フイ・−により精製すると、5,07のdl −5−ヒ
ドロキシ−2・2−ジメチルー7(1−メチル−4−フ
エニルブチル)−4−クロマノンが無色の油として得ら
れる。エチレン)、1.5(S、6、Gemジメチル)
、2.3−2.9(M、3、ベンジルーメチレン、メチ
ニル)、2.65(S、2、α−メチレン)、6.1−
6.35(M、2、芳香族)、6.9ー7,4(M、5
、芳香族)、11.53、11,63、(d、1、ヒド
ロキシル)。
同様に、2−(3・5−ジヒドロキシフエニル)6−フ
エニルヘキサンをdl −5−ヒドロキシ−2・2−ジ
メチルーJヨ黶i1−メチル−5−フェニルペンチル)−
4−クロマノン(油)に変える。
エニルヘキサンをdl −5−ヒドロキシ−2・2−ジ
メチルーJヨ黶i1−メチル−5−フェニルペンチル)−
4−クロマノン(油)に変える。
7cps)、1.4(S、6、Gemジメチル)、1,
0−1.9〔M、6、ψ−CH2−(CH2)3C(C
H3)−ArL2.3−2.8(M、3、べンジルーメ
チレン、メチニル)、2.7(S、2、α−メチレン)
、6.2−6.4(Ml2、芳香族)、7.1−7.3
(M、5、芳香族)、11.6(Sll、ヒドロキシル
);1−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−2−フ
.゛エニルコタンを5−ヒドロキシ−2・2−ジメチル
ーJヨ黶i2−フエニルエチル)−4−クロマノン(油)
に変える。
0−1.9〔M、6、ψ−CH2−(CH2)3C(C
H3)−ArL2.3−2.8(M、3、べンジルーメ
チレン、メチニル)、2.7(S、2、α−メチレン)
、6.2−6.4(Ml2、芳香族)、7.1−7.3
(M、5、芳香族)、11.6(Sll、ヒドロキシル
);1−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−2−フ
.゛エニルコタンを5−ヒドロキシ−2・2−ジメチル
ーJヨ黶i2−フエニルエチル)−4−クロマノン(油)
に変える。
2.65(Sl2、α−メチレン)、2.65(Sl4
、エチレン)、6.25、3.3(2d12、芳香族)
、7.2(S、5、芳香族)、11.6(S、1、ヒド
ロキシル−D2O重なり)。
、エチレン)、6.25、3.3(2d12、芳香族)
、7.2(S、5、芳香族)、11.6(S、1、ヒド
ロキシル−D2O重なり)。
MS:(分子イオン)296
2−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−4フエニルブ
タンをd1 −5−ヒドロキシ−2・2−ジメチルーJ
ヨ黶i1−メチル−3−フエニルプロピル)−4−クロ
マノン(油)に変える。
タンをd1 −5−ヒドロキシ−2・2−ジメチルーJ
ヨ黶i1−メチル−3−フエニルプロピル)−4−クロ
マノン(油)に変える。
1.45(Sl6、Gemジメチル)、1.552.1
(Ml2、メチレン)、2.252.75(M、3、ベ
ンジル−メチレン、メチニル)、6.15(d、2、芳
香族)、7.1(S、5、芳香族)、11.6(Sll
、ヒドロキシD2O重なり)。
(Ml2、メチレン)、2.252.75(M、3、ベ
ンジル−メチレン、メチニル)、6.15(d、2、芳
香族)、7.1(S、5、芳香族)、11.6(Sll
、ヒドロキシD2O重なり)。
MS:(分子イオン)324
2−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−5フエニルペ
ンタン(5.277)を、3−メチルクロトン酸の代わ
りに三フツ化ホウ素エーテレート(4.81m1)およ
びクロトン酸(2.087の新らしく蒸留したもの)と
反応させて、d1 −5−ヒドロキシ−2−メチルーJ
ヨ黶i1−メチル−4フエニルブチル)−4−クロマノ
ンに変える。
ンタン(5.277)を、3−メチルクロトン酸の代わ
りに三フツ化ホウ素エーテレート(4.81m1)およ
びクロトン酸(2.087の新らしく蒸留したもの)と
反応させて、d1 −5−ヒドロキシ−2−メチルーJ
ヨ黶i1−メチル−4フエニルブチル)−4−クロマノ
ンに変える。
J−7Hz)、1.4(Dl3、2−メチル、J7Hz
)、1.3−1.8(M、4−メチレン)、2,2−2
.9(Ml5、α−メチレン、ベンジル−メチレン、メ
チニル)、4.5(M、1、メチルエーテル)、6.1
、6.2(2D、2、芳香族、J=1Hz)、0.9−
7.4(Ml5、芳香族)、11.7(Sll、フエノ
ール性0H)。4−(3・5−ジヒドロキシフエニル)
−1フエノキシペンタンを、dl −5−ヒドロキシ2
・2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル−4−フエノキシブ
チル)−4−クロマノン、淡黄色油に変える。
)、1.3−1.8(M、4−メチレン)、2,2−2
.9(Ml5、α−メチレン、ベンジル−メチレン、メ
チニル)、4.5(M、1、メチルエーテル)、6.1
、6.2(2D、2、芳香族、J=1Hz)、0.9−
7.4(Ml5、芳香族)、11.7(Sll、フエノ
ール性0H)。4−(3・5−ジヒドロキシフエニル)
−1フエノキシペンタンを、dl −5−ヒドロキシ2
・2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル−4−フエノキシブ
チル)−4−クロマノン、淡黄色油に変える。
MS:(分子イオン)354
Rf−0.61(シリカゲル、18−ベンゼン:1酢酸
エチル)4−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−1一
(4−ピリジル)ペンタンを、dl −5−ヒドロキシ
−2・2−ジメチルーJヨ黶k1−メチル−4一(4−ピ
リジル)ブチル〕−4−クロマノン、油に変える。
エチル)4−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−1一
(4−ピリジル)ペンタンを、dl −5−ヒドロキシ
−2・2−ジメチルーJヨ黶k1−メチル−4一(4−ピ
リジル)ブチル〕−4−クロマノン、油に変える。
Rf−0.39(シリカゲル、1−ベンゼン:1酢酸エ
チルメチレン、1.20においてメチルの二重線、Jー
7H2、ぉょびG8mジメチル−重線、1.5);2.
43−2。
チルメチレン、1.20においてメチルの二重線、Jー
7H2、ぉょびG8mジメチル−重線、1.5);2.
43−2。
86(M、5−H、メチレン、メチニル、一重線を含む
(2本のC−3H、2.71);6.26(B,.d.
.Sll−H、芳香族);6.33(B..d.S、1
−H、芳香族);7.00−7.20(B,.d,.D
l2−H、ピリジン芳香族);7.25(B..d..
Sll−H1ヒドロキシル);8.41−8.61(B
.d,.D、2−H、ピリジン芳香族)。
(2本のC−3H、2.71);6.26(B,.d.
.Sll−H、芳香族);6.33(B..d.S、1
−H、芳香族);7.00−7.20(B,.d,.D
l2−H、ピリジン芳香族);7.25(B..d..
Sll−H1ヒドロキシル);8.41−8.61(B
.d,.D、2−H、ピリジン芳香族)。
dl −ヒドロキシ−2・2−ジメチルー7(1−メチ
ル−3−フエノキシピリジル)−4ークロマノンを、3
−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−1−フエノキシ
ブタンから油として調製する。
ル−3−フエノキシピリジル)−4ークロマノンを、3
−(3・5−ジヒドロキシフエニル)−1−フエノキシ
ブタンから油として調製する。
Rf−0.7(シリカゲル、18−ベンゼン:1一酢酸
エチル)dl −2−(3・5−ジヒドロキシフエニル
)−1−(2−フエニルエトキシ)プロパンを、dl一
2・2−ジメチル−5−ヒドロキシーJヨ黶k1メチル−
2−(2−フエニルエトキシ)エチル〕4−クロマノン
(油)に変える。
エチル)dl −2−(3・5−ジヒドロキシフエニル
)−1−(2−フエニルエトキシ)プロパンを、dl一
2・2−ジメチル−5−ヒドロキシーJヨ黶k1メチル−
2−(2−フエニルエトキシ)エチル〕4−クロマノン
(油)に変える。
NMR:
TMS
δρNrl..l2l(Dl7Hzlチル)、1.48
(S.gemジメチル)、2.73(S..C−3メチ
レン)、2.86(+、J−7Hz.CH2Ph)、2
.9(m1メチン)、3.50(D,.J−7Hzl−
CH2O−)、3.65(T.J−7Hz、−0CH2
−)、6.31(D.J−1Hz.ArH)、6,38
(d、J−1Hz,.ArH)、7.26(S,.Ph
)および13.33(S1フエノール)。
(S.gemジメチル)、2.73(S..C−3メチ
レン)、2.86(+、J−7Hz.CH2Ph)、2
.9(m1メチン)、3.50(D,.J−7Hzl−
CH2O−)、3.65(T.J−7Hz、−0CH2
−)、6.31(D.J−1Hz.ArH)、6,38
(d、J−1Hz,.ArH)、7.26(S,.Ph
)および13.33(S1フエノール)。
実施例 1
d1−5−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2・
2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル−4−フエニルブチル
)−4−クロマノンdl −5−ヒドロキシ−2・2−
ジメチルーロマノン(4.77)およびギ酸エチル(2
3.17)の溶液を、水素化ナトリウムの50%鉱油分
散物(6.677)をペンタンで洗つて得られた水素化
ナトリウムに、30分間にわたつて滴々加える。
2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル−4−フエニルブチル
)−4−クロマノンdl −5−ヒドロキシ−2・2−
ジメチルーロマノン(4.77)およびギ酸エチル(2
3.17)の溶液を、水素化ナトリウムの50%鉱油分
散物(6.677)をペンタンで洗つて得られた水素化
ナトリウムに、30分間にわたつて滴々加える。
次いで、この反応混合物を室温に冷却し、エーテノk(
350m0を加える。
350m0を加える。
生じた混合物を18時間還流し、室温に冷却し、1Nの
塩酸で酸性にする。エーテル層を分離し、水層をエーテ
ル(3×100m1)で抽出する。一緒にしたエーテル
抽出液を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空濃縮すると、
5.77のdl −5−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメ
チレン−2・2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル4−フエ
ニルブチル)−4−クロマノンが油として得られる。N
MR: 11V1k)δRsnρ11.051.8(Mll、?
mジメチル、α−メチル、エチレ)、2.45(M、3
、ベンジル−メチレン、メチニル)、6.2−6.5(
M、2、芳香族)、7.0−7.6(Ml6、芳香族、
メチニルエーテル)、11,3、11.36(2bd,
.S11、フエノール性ヒドロキシル)、13.3、1
3.5(2bd1S11、ヒドロキシル)。
塩酸で酸性にする。エーテル層を分離し、水層をエーテ
ル(3×100m1)で抽出する。一緒にしたエーテル
抽出液を硫酸ナトリウム上で乾燥し、真空濃縮すると、
5.77のdl −5−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメ
チレン−2・2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル4−フエ
ニルブチル)−4−クロマノンが油として得られる。N
MR: 11V1k)δRsnρ11.051.8(Mll、?
mジメチル、α−メチル、エチレ)、2.45(M、3
、ベンジル−メチレン、メチニル)、6.2−6.5(
M、2、芳香族)、7.0−7.6(Ml6、芳香族、
メチニルエーテル)、11,3、11.36(2bd,
.S11、フエノール性ヒドロキシル)、13.3、1
3.5(2bd1S11、ヒドロキシル)。
1R:(CHCl3)C−01625?−1同様に、参
考例1の生成物をdl −5−ヒドロキシ−3−ヒドロ
キシメチレン−2・2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル−
5−フエニルペンチル)−4−クロマノンに変える。
考例1の生成物をdl −5−ヒドロキシ−3−ヒドロ
キシメチレン−2・2−ジメチルーJヨ黶i1−メチル−
5−フエニルペンチル)−4−クロマノンに変える。
. TMSNMR:δ 1.2(D、3、α
゜CnC10 ゝ ゝメチルJ−7Cps)
、1.6(Sl6、Gemジメチル)、1.02.0(
Ml6、CH2−(CH2)3CH(CH3)Ar〕、
2.3−2.8(M、3、ベンジン−メチレン、メチニ
ル)、6.26.4(M、2、芳香族)、7、1−7.
4(M、6、芳香族、ビニル性)、11.4(Bd,.
Sll、フエノール性ヒドロキシル);d1 −5−ヒ
ドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2・2−ジメチル
ーJヨ黶i1−メチル−3フエニルプロピル)−4−クロ
マノン(油)。
゜CnC10 ゝ ゝメチルJ−7Cps)
、1.6(Sl6、Gemジメチル)、1.02.0(
Ml6、CH2−(CH2)3CH(CH3)Ar〕、
2.3−2.8(M、3、ベンジン−メチレン、メチニ
ル)、6.26.4(M、2、芳香族)、7、1−7.
4(M、6、芳香族、ビニル性)、11.4(Bd,.
Sll、フエノール性ヒドロキシル);d1 −5−ヒ
ドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2・2−ジメチル
ーJヨ黶i1−メチル−3フエニルプロピル)−4−クロ
マノン(油)。
NMR:δ″1゛M8l.l5(Dl3、メチル)゛
CDCl3゛ ゝ ) ・1.5(Sl6
、Gemジメチル)、1.652.1(Ml2、メチレ
ン)、2.252.75(Ml3、ベンジルーメチレン
、メチニル)、6.15、6.3(2d、2、芳香族)
、7.1(M、6、芳香族、オレフイン性プロトン11
.3(S、1、ヒドロキシル−D2O重なり)、13.
3、138(Dll、ヒドロキシルD2O重なり)。
CDCl3゛ ゝ ) ・1.5(Sl6
、Gemジメチル)、1.652.1(Ml2、メチレ
ン)、2.252.75(Ml3、ベンジルーメチレン
、メチニル)、6.15、6.3(2d、2、芳香族)
、7.1(M、6、芳香族、オレフイン性プロトン11
.3(S、1、ヒドロキシル−D2O重なり)、13.
3、138(Dll、ヒドロキシルD2O重なり)。
MS:(分子イオン)352
d1−5−ヒドロキシ−3−ヒドロキシメチレン−2−
メチルーJヨ黶i1−メチル−4−フエニルブチル)−4
−クロマノン。
メチルーJヨ黶i1−メチル−4−フエニルブチル)−4
−クロマノン。
NMR:δ゛1゛Mゝ 1.1(D3α゜CDC13゛
ゝ ゝメチル、J−7Hz)、15(D、3、2
−メチル、J7Hz)、1.3−1,8(Ml4−エチ
レン)、2,3−2.9(M、3、ベンジル)、4,9
(Mll、メチニルエーテル、J−5Hz)、6.2、
63(2D、2、芳香族、J−1Hz)、6.97.4
(M、6、芳香族、ビニル性)、11.2(Bd.S、
1、フエノール性0H)。
ゝ ゝメチル、J−7Hz)、15(D、3、2
−メチル、J7Hz)、1.3−1,8(Ml4−エチ
レン)、2,3−2.9(M、3、ベンジル)、4,9
(Mll、メチニルエーテル、J−5Hz)、6.2、
63(2D、2、芳香族、J−1Hz)、6.97.4
(M、6、芳香族、ビニル性)、11.2(Bd.S、
1、フエノール性0H)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_4およびR_5のおのおのは水素またはメチ
ルであり、Zは炭素数1〜9のアルキレンであり、 Wはフェニルである) を有する、ジベンゾ〔b・d〕ピランの製造に有用な中
間体。 2 ジベンゾ〔b・d〕ピランの製造における中▲数式
、化学式、表等があります▼(式中R_4およびR_5
のおのおのは水素またはメチルであり、Zは炭素数1〜
9のアルキレンであり、 Wはフェニルである) の化合物を製造するにあたり、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1は水素、炭素数1〜5のアルカノイルま
たは−CO−(CH_2)_p−NR_2R_3であり
、ここでpは0または1〜4の整数であり、R_2およ
びR_3のおのおのは独立に水素または炭素数1〜4の
アルキルであり、あるいはR_2およびR_3は一緒に
なつてそれらが結合する窒素原子とともにピペリジノ、
ピロロ、ピロリジノ、モルホリノおよびアルキル基の炭
素数が1〜4であるN−アルキルピペラジノからえらば
れた5員または6員の複素環を形成し、R_4、R_5
、Z、およびWのおのおのは上記定義のとおりである。 )の化合物を水素化ナトリウムの存在でギ酸エチルと反
応させることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US62821075A | 1975-11-03 | 1975-11-03 | |
US628210 | 1975-11-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56103173A JPS56103173A (en) | 1981-08-18 |
JPS5943955B2 true JPS5943955B2 (ja) | 1984-10-25 |
Family
ID=24517939
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51132264A Granted JPS5277065A (en) | 1975-11-03 | 1976-11-02 | Novel dibenzopyran and its preparation |
JP54148293A Expired JPS5943958B2 (ja) | 1975-11-03 | 1979-11-15 | 新規なジベンゾピラン類 |
JP55177955A Expired JPS5943955B2 (ja) | 1975-11-03 | 1980-12-16 | 新規なジベンゾピラン中間体およびその製造法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51132264A Granted JPS5277065A (en) | 1975-11-03 | 1976-11-02 | Novel dibenzopyran and its preparation |
JP54148293A Expired JPS5943958B2 (ja) | 1975-11-03 | 1979-11-15 | 新規なジベンゾピラン類 |
Country Status (25)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JPS5277065A (ja) |
AR (1) | AR220521A1 (ja) |
BG (3) | BG27552A3 (ja) |
CA (1) | CA1099269A (ja) |
CH (1) | CH622790A5 (ja) |
CS (1) | CS207571B2 (ja) |
DD (3) | DD129214A5 (ja) |
DK (1) | DK495876A (ja) |
EG (1) | EG12648A (ja) |
ES (3) | ES452772A1 (ja) |
FI (1) | FI763131A (ja) |
GR (1) | GR65202B (ja) |
HU (1) | HU178321B (ja) |
IE (1) | IE43700B1 (ja) |
IL (1) | IL50717A (ja) |
NO (1) | NO148745C (ja) |
NZ (1) | NZ182368A (ja) |
PH (3) | PH14811A (ja) |
PL (1) | PL125297B1 (ja) |
PT (1) | PT65781B (ja) |
RO (4) | RO76124A (ja) |
SE (1) | SE432251B (ja) |
SU (4) | SU843748A3 (ja) |
YU (1) | YU268176A (ja) |
ZA (1) | ZA766281B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3926214A1 (en) | 2020-06-16 | 2021-12-22 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Shift device |
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---|---|---|---|---|
JPH0765890A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | コネクタ |
JP2988237B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1999-12-13 | 住友電装株式会社 | 簡易防水コネクタ |
JP5037799B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2012-10-03 | パナソニック株式会社 | テレビコンセント |
-
1976
- 1976-08-19 IE IE1842/76A patent/IE43700B1/en unknown
- 1976-10-11 SE SE7611275A patent/SE432251B/xx unknown
- 1976-10-18 GR GR51965A patent/GR65202B/el unknown
- 1976-10-19 CA CA263,717A patent/CA1099269A/en not_active Expired
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- 1976-10-19 IL IL50717A patent/IL50717A/xx unknown
- 1976-10-21 ZA ZA766281A patent/ZA766281B/xx unknown
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- 1976-10-27 ES ES452772A patent/ES452772A1/es not_active Expired
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- 1976-11-01 DD DD76213370A patent/DD143774A5/de unknown
- 1976-11-01 RO RO7695639A patent/RO75876A/ro unknown
- 1976-11-01 RO RO7688274A patent/RO71411A/ro unknown
- 1976-11-01 YU YU02681/76A patent/YU268176A/xx unknown
- 1976-11-01 DD DD76203283A patent/DD137837A5/xx unknown
- 1976-11-01 RO RO7695637A patent/RO76006A/ro unknown
- 1976-11-02 DK DK495876A patent/DK495876A/da not_active Application Discontinuation
- 1976-11-02 JP JP51132264A patent/JPS5277065A/ja active Granted
- 1976-11-02 HU HU76PI550A patent/HU178321B/hu unknown
- 1976-11-02 FI FI763131A patent/FI763131A/fi not_active Application Discontinuation
- 1976-11-02 CS CS767070A patent/CS207571B2/cs unknown
- 1976-11-02 PT PT65781A patent/PT65781B/pt unknown
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- 1976-11-03 BG BG034599A patent/BG27552A3/xx unknown
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- 1976-11-03 BG BG036486A patent/BG28057A4/xx unknown
- 1976-11-03 BG BG036485A patent/BG28058A4/xx unknown
- 1976-11-03 PL PL1976193435A patent/PL125297B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1976-11-03 EG EG680/76A patent/EG12648A/xx active
-
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- 1977-07-19 PH PH20008A patent/PH14383A/en unknown
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- 1977-07-29 SU SU772505754A patent/SU677660A3/ru active
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- 1977-09-29 ES ES462784A patent/ES462784A1/es not_active Expired
-
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-
1979
- 1979-09-21 CH CH852079A patent/CH622790A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1979-11-15 JP JP54148293A patent/JPS5943958B2/ja not_active Expired
-
1980
- 1980-05-29 PH PH24092A patent/PH16788A/en unknown
- 1980-12-16 JP JP55177955A patent/JPS5943955B2/ja not_active Expired
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3926214A1 (en) | 2020-06-16 | 2021-12-22 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Shift device |
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