JPS5943587A - 半導体レ−ザ−の駆動方式 - Google Patents
半導体レ−ザ−の駆動方式Info
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- JPS5943587A JPS5943587A JP15413182A JP15413182A JPS5943587A JP S5943587 A JPS5943587 A JP S5943587A JP 15413182 A JP15413182 A JP 15413182A JP 15413182 A JP15413182 A JP 15413182A JP S5943587 A JPS5943587 A JP S5943587A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
導体レーザーの駆動方式に関する。
半導体レーザーは製造時σ）ブしｙセス苧ｐ＋−によ０
順方向電流と著，出力時１′１′が先ＴλＡ Ｋ １６
℃・て例え１自５１ 図ノＡ （ＴＯ） ＋ Ｂ（ ｌ
ｉｔｏ） ノ如＜ ノ”／ ツクＧ ”でｔｌｒ，Ｏ、
である。
順方向電流と著，出力時１′１′が先ＴλＡ Ｋ １６
℃・て例え１自５１ 図ノＡ （ＴＯ） ＋ Ｂ（ ｌ
ｉｔｏ） ノ如＜ ノ”／ ツクＧ ”でｔｌｒ，Ｏ、
である。
また、周囲温し距が・常温よりＨ＋ ＜ ｉｆｆろと、
公１４２序イ本レーザーの順方向■モ流と光出力ｌ持ゼ
）はＡ （Ｔ’ ） ＋ｆ３（ＴＩ）の如く図で右方向
にシフトし、逆にｙ・へＪ ｌ／ｉｉχ７，ｊ′。
公１４２序イ本レーザーの順方向■モ流と光出力ｌ持ゼ
）はＡ （Ｔ’ ） ＋ｆ３（ＴＩ）の如く図で右方向
にシフトし、逆にｙ・へＪ ｌ／ｉｉχ７，ｊ′。
度カ常温ヨリ低（ ｆｌ ７） トＡ（Ｔ？） 、 Ｂ
（Ｔ２）＃） ＊ｌＴ ＜ ＩＺＩで左方向にシフト
するものである。こび）周囲温）ｆ変動による温度特性
のシフト量は半導体レーーシ′一の構造により決まるも
のである。
（Ｔ２）＃） ＊ｌＴ ＜ ＩＺＩで左方向にシフト
するものである。こび）周囲温）ｆ変動による温度特性
のシフト量は半導体レーーシ′一の構造により決まるも
のである。
また、半導体レーザーはｌｌ１ｉ方向電圧Ｖｌｉ”７５
；）ｉ’、］ ｆｔｆｌη品度の増大につれて減少する
ように温度変動１−４）ものである。
；）ｉ’、］ ｆｔｆｌη品度の増大につれて減少する
ように温度変動１−４）ものである。
このような半導体レーザーはイが来、九通イ１（装置〆
イやレーザービームプリンタ等の高価な機器＋に使用さ
れているが、このような機器は入出力特１’ｔ Ｉ７）
Ｊｕ格が非常に厳しく、また一定温度により使用さノ
１ていた。
イやレーザービームプリンタ等の高価な機器＋に使用さ
れているが、このような機器は入出力特１’ｔ Ｉ７）
Ｊｕ格が非常に厳しく、また一定温度により使用さノ
１ていた。
最近は：４′−導体レーザーを高価な機器ばかりでなく
、カメラ等の安価な携帯機器に使用できるように−する
ことが要僧されている。
、カメラ等の安価な携帯機器に使用できるように−する
ことが要僧されている。
しかし１１がら、安価な携帯機器とじ一℃例えばカメラ
は電源電圧が５ボルト乃至７ボルトの範囲で変Ｐ＋ＩＩ
Ｊするのが常識であり、しかも屋内と屋外等温度差のＧ
上げしい場所で使用されろ関係上、半導体レーザーは安
価な携帯機器に使用することが困難であった。
は電源電圧が５ボルト乃至７ボルトの範囲で変Ｐ＋ＩＩ
Ｊするのが常識であり、しかも屋内と屋外等温度差のＧ
上げしい場所で使用されろ関係上、半導体レーザーは安
価な携帯機器に使用することが困難であった。
本発明（ま−に記実情に鑑みなされたもので半導体レー
ザーの一端と霜；源との間にトランジスタケ接続し、該
トランジスタの制御端子を増ｒｌｊ器の出方端に４＆続
するとどもに、該増ｒｌ＋器の一方の入力に基準電圧を
印加し、半導体レーザーの他端に補償用抵抗を接続し、
該半導体レーザーと補償用抵抗との４９ ｋ、点を増中
器の他力の入力端に接続することにより、半導体レーザ
ーの入出力特性のバラツキ並ひに周囲温度変動、電源電
圧変動による影響を補イｉ“イして半導体レーザーの出
力を安定化した半導体レーザーの駆動方式を稈供（〜３
１５とｆ−４）ものである。
ザーの一端と霜；源との間にトランジスタケ接続し、該
トランジスタの制御端子を増ｒｌｊ器の出方端に４＆続
するとどもに、該増ｒｌ＋器の一方の入力に基準電圧を
印加し、半導体レーザーの他端に補償用抵抗を接続し、
該半導体レーザーと補償用抵抗との４９ ｋ、点を増中
器の他力の入力端に接続することにより、半導体レーザ
ーの入出力特性のバラツキ並ひに周囲温度変動、電源電
圧変動による影響を補イｉ“イして半導体レーザーの出
力を安定化した半導体レーザーの駆動方式を稈供（〜３
１５とｆ−４）ものである。
以下本発明の一実施例を図面を参照し７て説明する。第
２図において、Ｉｕ ハ？Ｍ ’ｄｆ ｌ山ＩＯ，、Ｓ
Ｗ ｉｔ、 ’１ｉｊ源スイッチ、Ｉ）Ｃは昇ＩＬ用
のＩ） Ｃ−Ｉ） Ｃコンバータである。１１は電分’
ｄｊ、用の変動及び２１′導体シ／−ザーの１ｌｉＮｔ
方向ｆｆｉ’ｊ、川の温度変ｌｌｌ１Ｉを除去−づ−ろ
ブ、１めの回路であり、この回路１１はコンバータ１）
（，，ンｈ、源スイッチＳＷを介して電源１４に接続し
ているＯ ’：１：た回路１１は定電ＦＩ：、電鯨ｎ、
＋＞ｃ； 、演豹増１Ｊ器Ｏ１，’＋ 、 ＋−ランジ
スタＴｒ１及び半導体レーザーＴ、 ｌ）か【）成り、
定電Ｌｆ、電源■什〕Ｇかもの基準電圧ＶＫはｉ’ｔｉ
ｉ幹増［↑〕）：：÷ＯＰ１の非反転入力端に印加され
、この演駒増］１〕器ＯＰ１の出力対４はトランジスタ
Ｔｒ＋のベースに１メフ糸み、している。このトランジ
スタｉ、’ ｒ １のエミッタに（ま、半導体レーザー
１．Ｄのアノ−ドが接等元きれ、この半導体レーザーＬ
Ｄのカソードは演ρ目９・’ｉ ｒＩＪ器ＯＰ１の非
反転入力端子に接続している。１２！；１周四温度の変
動及び入出力特性のパラツギ苓・補償するための回路で
あり、この回路１２はチーミスタＲＴ抵抗ＩＬ＋ 、
Ｒ２、可変抵抗ＲＶからなり、半導体レーザーＬ Ｌ）
のカソードに抵抗几１及びＴ（２が直列に接続されてい
る。抵抗■（，１には並列にチーミスタ几Ｔが接続され
、抵抗７３，１．ＩＬ２と並列に可変抵抗ＲＶが接続さ
れている。１６は半導体レーザーＬ Ｄの出力を変調す
るための回路であり、この回路１６はコンバータＤＣ，
電源スイッチＳＷを介して電源に接続している。この回
路１６はトランジスタＴｒ２゜Ｔｒｓ 、抵抗Ｒ，５、
Ｒ４、Ｒｓ 、発振器ＯＳＣから成り、このＲ振器Ｏ８
Ｃの出力は抵抗Ｒ５を介してトランジスタＴｒ３０ベー
スに接続している。このトランジスタＴｒ５のエミッタ
はアースされ、コレクタは抵抗１モ４を介ｌ〜てコンバ
ータＤＣに接続されている。またｌ・ランジスタ１゛ｒ
３のコレクタ（゛よ抵抗■（・６を介してトランジスタ
Ｔｒ２のベースに接続され、このトランジスタ゛Ｉ−’
ｒ２のエミッタはコンバータＩ） ＣＫ接続され、コレ
クタはトランジスタＴｒ１のコレクタに接続されて成っ
ている。
２図において、Ｉｕ ハ？Ｍ ’ｄｆ ｌ山ＩＯ，、Ｓ
Ｗ ｉｔ、 ’１ｉｊ源スイッチ、Ｉ）Ｃは昇ＩＬ用
のＩ） Ｃ−Ｉ） Ｃコンバータである。１１は電分’
ｄｊ、用の変動及び２１′導体シ／−ザーの１ｌｉＮｔ
方向ｆｆｉ’ｊ、川の温度変ｌｌｌ１Ｉを除去−づ−ろ
ブ、１めの回路であり、この回路１１はコンバータ１）
（，，ンｈ、源スイッチＳＷを介して電源１４に接続し
ているＯ ’：１：た回路１１は定電ＦＩ：、電鯨ｎ、
＋＞ｃ； 、演豹増１Ｊ器Ｏ１，’＋ 、 ＋−ランジ
スタＴｒ１及び半導体レーザーＴ、 ｌ）か【）成り、
定電Ｌｆ、電源■什〕Ｇかもの基準電圧ＶＫはｉ’ｔｉ
ｉ幹増［↑〕）：：÷ＯＰ１の非反転入力端に印加され
、この演駒増］１〕器ＯＰ１の出力対４はトランジスタ
Ｔｒ＋のベースに１メフ糸み、している。このトランジ
スタｉ、’ ｒ １のエミッタに（ま、半導体レーザー
１．Ｄのアノ−ドが接等元きれ、この半導体レーザーＬ
Ｄのカソードは演ρ目９・’ｉ ｒＩＪ器ＯＰ１の非
反転入力端子に接続している。１２！；１周四温度の変
動及び入出力特性のパラツギ苓・補償するための回路で
あり、この回路１２はチーミスタＲＴ抵抗ＩＬ＋ 、
Ｒ２、可変抵抗ＲＶからなり、半導体レーザーＬ Ｌ）
のカソードに抵抗几１及びＴ（２が直列に接続されてい
る。抵抗■（，１には並列にチーミスタ几Ｔが接続され
、抵抗７３，１．ＩＬ２と並列に可変抵抗ＲＶが接続さ
れている。１６は半導体レーザーＬ Ｄの出力を変調す
るための回路であり、この回路１６はコンバータＤＣ，
電源スイッチＳＷを介して電源に接続している。この回
路１６はトランジスタＴｒ２゜Ｔｒｓ 、抵抗Ｒ，５、
Ｒ４、Ｒｓ 、発振器ＯＳＣから成り、このＲ振器Ｏ８
Ｃの出力は抵抗Ｒ５を介してトランジスタＴｒ３０ベー
スに接続している。このトランジスタＴｒ５のエミッタ
はアースされ、コレクタは抵抗１モ４を介ｌ〜てコンバ
ータＤＣに接続されている。またｌ・ランジスタ１゛ｒ
３のコレクタ（゛よ抵抗■（・６を介してトランジスタ
Ｔｒ２のベースに接続され、このトランジスタ゛Ｉ−’
ｒ２のエミッタはコンバータＩ） ＣＫ接続され、コレ
クタはトランジスタＴｒ１のコレクタに接続されて成っ
ている。
次に上記構成の動作について説明する。まず、電源スィ
ッチＳＷを閉成−ｆろと、７１テ、源′１（Ｃ川がコン
バータＤ Ｃで昇圧されて各回路に印加されろ。このた
め、発振器Ｏ８Ｃの発振パルスがトランジスタＴｒ５の
ベースに加えられ、トランジスタＩ１１ ｒ ３は発振
パルスに応じてオン・オフされる。このトランジスタＴ
ｒ３のオン・オフのタイミングに同期してトランジスタ
Ｔｒ２がオン・オフされろ。これに」二り、半導体レー
ザーＬ ＤはトランジスタＴｒ２のオンした際に通電さ
れて発光することになる。この半導体レーザーＬ Ｉ）
の光出力は次のようにして１間御されろ。
ッチＳＷを閉成−ｆろと、７１テ、源′１（Ｃ川がコン
バータＤ Ｃで昇圧されて各回路に印加されろ。このた
め、発振器Ｏ８Ｃの発振パルスがトランジスタＴｒ５の
ベースに加えられ、トランジスタＩ１１ ｒ ３は発振
パルスに応じてオン・オフされる。このトランジスタＴ
ｒ３のオン・オフのタイミングに同期してトランジスタ
Ｔｒ２がオン・オフされろ。これに」二り、半導体レー
ザーＬ ＤはトランジスタＴｒ２のオンした際に通電さ
れて発光することになる。この半導体レーザーＬ Ｉ）
の光出力は次のようにして１間御されろ。
ずなおち、演算増巾器ＯＰｔの非反転入力端には定電圧
電源ＩＩ、ＥＧより生ずる基準１１１川Ｖ＋＜が印加さ
れ、半導体１／−チーＬ ｌ）と補イｄ抵抗から成る回
路１２との接続点の電位が演尊増［ｉＪ器ＯＰ１の反転
入力端子に帰還されているので、半導体レーザーｉ、
］） ト回路１２との接続点の電位は？１℃圧ＶＫに１
．’ｉｌ定さＪｌる。
電源ＩＩ、ＥＧより生ずる基準１１１川Ｖ＋＜が印加さ
れ、半導体１／−チーＬ ｌ）と補イｄ抵抗から成る回
路１２との接続点の電位が演尊増［ｉＪ器ＯＰ１の反転
入力端子に帰還されているので、半導体レーザーｉ、
］） ト回路１２との接続点の電位は？１℃圧ＶＫに１
．’ｉｌ定さＪｌる。
このため、回路１２の各補償抵抗群に流れろ１↓ｌ流に
より半導体レーザーＬ Ｄの順方向型２流が規制される
。例えば周囲温度がＴＯの時、ザーミスタｎ、Ｔ、抵抗
Ｒ，１，１＜、２より成る温度補ｆｌ’（用抵抗！（ｆ
の１氏抗仙をｉｆ、 （’、１．” ［１）と１４）と
、半導体レーザ、−、Ｌ Ｄの順方向１１１．流、■八
〇は とｆ、Ｈ７−）。
より半導体レーザーＬ Ｄの順方向型２流が規制される
。例えば周囲温度がＴＯの時、ザーミスタｎ、Ｔ、抵抗
Ｒ，１，１＜、２より成る温度補ｆｌ’（用抵抗！（ｆ
の１氏抗仙をｉｆ、 （’、１．” ［１）と１４）と
、半導体レーザ、−、Ｌ Ｄの順方向１１１．流、■八
〇は とｆ、Ｈ７−）。
例えば周囲温度がＴ＋ 、Ｔ２と変動した場合に半導体
レーザ・−” Ｌ Ｌ）の光出力を第１図に示−１’−
Ｌに安定化′−（るれ二１３ｔ４、半導体レーザーＬＤ
の１帆方向１１１．流が■＾１，１＾２に１（Ｉ］よう
に温度補イ１゛【用抵抗群の抵抗値を兎ｉえｉｔば良い
。
レーザ・−” Ｌ Ｌ）の光出力を第１図に示−１’−
Ｌに安定化′−（るれ二１３ｔ４、半導体レーザーＬＤ
の１帆方向１１１．流が■＾１，１＾２に１（Ｉ］よう
に温度補イ１゛【用抵抗群の抵抗値を兎ｉえｉｔば良い
。
また半導体レーザ゛−Ｌ ］、）の入出力４１ ’＋′
ＪＶｃバラソ・Ｖがｔ）る場合ては、可変抵抗■モ■を
変えて順方向’Ｉ：”ｉ ／＋ｔｒ、 １７）１７ ヘ
ルｔ（： 例エバＩ Ａ Ｏがら１８ｏへのシフトラ行
えば「凄い。
ＪＶｃバラソ・Ｖがｔ）る場合ては、可変抵抗■モ■を
変えて順方向’Ｉ：”ｉ ／＋ｔｒ、 １７）１７ ヘ
ルｔ（： 例エバＩ Ａ Ｏがら１８ｏへのシフトラ行
えば「凄い。
更に半導体レーザーの“）°に出力特性の温度変Φ１ノ
を第１図Ｑの如く補正したい揚冶には、ス・］応する順
方向電流を温に補供用抵抗群を介１７て流せば良℃あＩ
Ｊ −１： ｏ＞ 実１ｒｉｌｊ 例ニｉａ イ１、回
Ｌ’３ ’１２ （７） 温Ｗ Ｊｎｉ （７＜ 用抵
抗７Ｉの４；２ ｈ」’シ例を第２図に示したが、本発
明はこハ、に限定されることなく、斤７ろ図（ａ）、第
ろ図（ｂ） 。
を第１図Ｑの如く補正したい揚冶には、ス・］応する順
方向電流を温に補供用抵抗群を介１７て流せば良℃あＩ
Ｊ −１： ｏ＞ 実１ｒｉｌｊ 例ニｉａ イ１、回
Ｌ’３ ’１２ （７） 温Ｗ Ｊｎｉ （７＜ 用抵
抗７Ｉの４；２ ｈ」’シ例を第２図に示したが、本発
明はこハ、に限定されることなく、斤７ろ図（ａ）、第
ろ図（ｂ） 。
第５図（Ｃ）の如く接わｉｇ Ｌ−Ｃも良いことは勿論
でｋ）Ｚ）。
でｋ）Ｚ）。
第６図（ａｌｊ、第２１：ｌＸ＋の（Ｉ−（抗１１．２
’ｆ；＜省略した封、）合、２＋：ｊ ３図（１））
）Ｘ 第２ ’Ａ ノ抵１’４’、Ｉも２を措略し２、
ｍ抗１．１．＋ど凸丁変ｐ（抗ＲＶを可ご（抵抗１’Ｌ
Ｖ ｊで兼用させた場合、第、ろ−図Ｘ−ゝ （Ｃ）は第２図の抵抗Ｉ（１２をｉｊＪ変抵抗抵抗ｉ’
；いし、半導体レーザーの入出力特性を史に補償する場
合でル、ろ。
’ｆ；＜省略した封、）合、２＋：ｊ ３図（１））
）Ｘ 第２ ’Ａ ノ抵１’４’、Ｉも２を措略し２、
ｍ抗１．１．＋ど凸丁変ｐ（抗ＲＶを可ご（抵抗１’Ｌ
Ｖ ｊで兼用させた場合、第、ろ−図Ｘ−ゝ （Ｃ）は第２図の抵抗Ｉ（１２をｉｊＪ変抵抗抵抗ｉ’
；いし、半導体レーザーの入出力特性を史に補償する場
合でル、ろ。
以上Ｙｔ” Ｈ己したように本発明によれば、半導体レ
ーザーの一端ど′市、調−との間にトランジスタを接続
し、該トランジスタの１ト制御端子を増Ｉ＋］器の出力
端に接続するとともに、該Ｊ＋１￥巾器の−・方の人力
に基準電圧を印加し、半導体レーザーの他端に補イア（
用抵抗を接続し、該半導体レー・チーと袖イ□ハ用抵抗
との接続点火」９７ ＩｉＪ器の他方の入力端に接続す
ることにより、簡単な回路層・Ｖ成で半導体レーザーの
人出・力特性の規格にバラツキがあっても、また周囲温
度の変動や電源電圧の変動があっても、それらの影響を
除去し、常圧所望の光出力を得ることが出来る著しい効
果を有するもので、半導体レーザーを安価な（３（帯機
器に使用できるよ’ｌ Ｋ ｔ、たものである。
ーザーの一端ど′市、調−との間にトランジスタを接続
し、該トランジスタの１ト制御端子を増Ｉ＋］器の出力
端に接続するとともに、該Ｊ＋１￥巾器の−・方の人力
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用抵抗を接続し、該半導体レー・チーと袖イ□ハ用抵抗
との接続点火」９７ ＩｉＪ器の他方の入力端に接続す
ることにより、簡単な回路層・Ｖ成で半導体レーザーの
人出・力特性の規格にバラツキがあっても、また周囲温
度の変動や電源電圧の変動があっても、それらの影響を
除去し、常圧所望の光出力を得ることが出来る著しい効
果を有するもので、半導体レーザーを安価な（３（帯機
器に使用できるよ’ｌ Ｋ ｔ、たものである。
第１図は半導体レーザーの順方向電流どｙＣ−出力特イ
−［図、２４シ２図は本発明の一実施例を示す半導体レ
ーザーの駆動回路図、第６図（ａ）、第６図（１））
、第６図（Ｃ）はそれぞれ第２図の補供用抵抗群の変形
例を示し、第６図（ａｌは第２図の抵抗■（，２ケ削除
した図、１１Ｆ ３図（ｂ）は第２図の抵抗Ｒ２を削除
し、抵抗■（１１とｉｌｌ抗抵抗１・■な１−リ変抵抗
ＲＶ１で兼用したし′１．２゛４〜ろ図（Ｃ）は第２図
の抵抗Ｉ（，２を可変抵抗１もｖ２に（＋’ニアー摸し
た際の図であＺ）。 Ｅ ＠ ＊ ＠ ’ｌｆ４源、ＬＩ） −、−半導体レ
ーザー、Ｔｒｊ−ｅ＊トランジスタ、ｏＰｉ ＠・・演
１）Ｊ１占１１］択、、：、 Ｉ（，１号（−ｉ・・・
定電圧″１７．源、ｌｔ、１’、 １．Ｌ２・・・抵抗
、ＩｔＴ、 −−−リーーミスタ、Ｈ，Ｖ・・・可変抵
抗 代理人 丸 島 肯−□・・、、 Ｖ・−，１：、’ｉ＋・ｉ。
−［図、２４シ２図は本発明の一実施例を示す半導体レ
ーザーの駆動回路図、第６図（ａ）、第６図（１））
、第６図（Ｃ）はそれぞれ第２図の補供用抵抗群の変形
例を示し、第６図（ａｌは第２図の抵抗■（，２ケ削除
した図、１１Ｆ ３図（ｂ）は第２図の抵抗Ｒ２を削除
し、抵抗■（１１とｉｌｌ抗抵抗１・■な１−リ変抵抗
ＲＶ１で兼用したし′１．２゛４〜ろ図（Ｃ）は第２図
の抵抗Ｉ（，２を可変抵抗１もｖ２に（＋’ニアー摸し
た際の図であＺ）。 Ｅ ＠ ＊ ＠ ’ｌｆ４源、ＬＩ） −、−半導体レ
ーザー、Ｔｒｊ−ｅ＊トランジスタ、ｏＰｉ ＠・・演
１）Ｊ１占１１］択、、：、 Ｉ（，１号（−ｉ・・・
定電圧″１７．源、ｌｔ、１’、 １．Ｌ２・・・抵抗
、ＩｔＴ、 −−−リーーミスタ、Ｈ，Ｖ・・・可変抵
抗 代理人 丸 島 肯−□・・、、 Ｖ・−，１：、’ｉ＋・ｉ。
Claims (2)
- （１）半導体レーザーの一端と電源との間にトランジス
タを接続し５、該トランジスタの制御姑子を増中器の出
力端に接続するとともに、該増ｄ〕器の一方の入力に基
準電圧を印加し、半導体レーザーの他端に補償用抵舵、
を接続し、該半導体レーザーと補償用抵抗との接続点を
増ｒｌ器の他方の入力端に接続することを特徴と１−る
半導体レーザーの駆動方式。 - （２）上記補償用抵抗しよレベルシフト用−４ｉＪ変抵
抗を並列に１べ４・充していることを特徴とする特許請
求の範囲第（１） 、＋＋’）記載の半導体レーザーの
駆動力デー（６）上記補償用抵抗はチーミスタを並列に
接続していることなｔｌを徴とする特Ｍｌ［請求の範囲
第（１）項ま／、−、＆’よ第（２）項記載の半導体レ
ーザーの駆動方九
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15413182A JPS5943587A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体レ−ザ−の駆動方式 |
| US06/525,174 US4639924A (en) | 1982-09-03 | 1983-08-22 | Drive system for a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15413182A JPS5943587A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体レ−ザ−の駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943587A true JPS5943587A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15577571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15413182A Pending JPS5943587A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体レ−ザ−の駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943587A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300579A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2019192744A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
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1982
- 1982-09-03 JP JP15413182A patent/JPS5943587A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300579A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2019192744A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュール |
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