JPS5943588A - 半導体レ−ザ−の駆動方式 - Google Patents
半導体レ−ザ−の駆動方式Info
- Publication number
- JPS5943588A JPS5943588A JP15413282A JP15413282A JPS5943588A JP S5943588 A JPS5943588 A JP S5943588A JP 15413282 A JP15413282 A JP 15413282A JP 15413282 A JP15413282 A JP 15413282A JP S5943588 A JPS5943588 A JP S5943588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- amplifier
- semiconductor laser
- output
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザーの出力を安定化した半導体レー
ザーの駆動方式に関する。
ザーの駆動方式に関する。
半導体レーザーは製造時のプロセス条件により順方向電
流と光出力特性が常温において例えば第１図のＡ （Ｔ
ｏ） 、 Ｂ （Ｔｏ）の如くバラツクものであり、で
ある。
流と光出力特性が常温において例えば第１図のＡ （Ｔ
ｏ） 、 Ｂ （Ｔｏ）の如くバラツクものであり、で
ある。
また、周囲温度が常温より高くなると、半導体レーザー
の順方向電流と光出力特性はＡ（ＴＩ）、Ｂ（Ｔｌ）の
如く図で右方向にシフトし、逆に周囲温度が常温より低
くなるとＡ（Ｔ２）、Ｂ（Ｔ２）の如く図で左方向にシ
フトするものである０この周囲温度変動による温度特性
のシフト量は半導体レーザーの構造により決まるもので
ある。
の順方向電流と光出力特性はＡ（ＴＩ）、Ｂ（Ｔｌ）の
如く図で右方向にシフトし、逆に周囲温度が常温より低
くなるとＡ（Ｔ２）、Ｂ（Ｔ２）の如く図で左方向にシ
フトするものである０この周囲温度変動による温度特性
のシフト量は半導体レーザーの構造により決まるもので
ある。
また、半導体レーザーは順方向電圧ＶＦが周囲温度の増
大につれて減少するように温度変動するものである。
大につれて減少するように温度変動するものである。
このような半導体レーザーは従来、光ｙｌｕ （ＦＴ架
装置レーザービームプリンタ等の高価な機器に使用され
ているが、このような機器は入出力特性の却。
装置レーザービームプリンタ等の高価な機器に使用され
ているが、このような機器は入出力特性の却。
格が非常に厳しく、また一定温度により使用されていた
。
。
最近は、半導体レーザーを高価な機器ばがりでなく、カ
メラ等の安価な携帯機器に使用できるようにすることが
要望されている。
メラ等の安価な携帯機器に使用できるようにすることが
要望されている。
１〜かしながら、安価な携帯機器として例えばカメラは
電源電圧が５ボルト乃至７ボルトの範囲で変動するのが
常識であり、しかも、屋内と屋外等温度差のはげしい場
所で使用される関係上、半導体レーザーは安価な携帯機
器に使用することが困難であった。
電源電圧が５ボルト乃至７ボルトの範囲で変動するのが
常識であり、しかも、屋内と屋外等温度差のはげしい場
所で使用される関係上、半導体レーザーは安価な携帯機
器に使用することが困難であった。
不発１．！Ｊｌ？Ｊ：）記実情に鑑みなされたもので半
導体レーザーの一端と電源との間にトランジスタを接続
し、該トランジスタの制御端子を増巾器の出力端に接続
するとともに、該増巾器の一方の入力に補償回路からの
補償出力電圧を印加し、半導体レーザーの他端に抵抗を
接続［，２、成牛２．９・体ｔ・−チーとｔｉｔ抗との
接続点を増１ｔＪ ’ｒ！：ｆの他方の入力端に接続す
ることにより、半導体レーザーの入出力特性のバラツキ
並びに周囲温度変動、電源電圧変動による影響全補償し
て半導体レーザーの出方を安定化した半導体レーザーの
駆動方式を提供しようどするものである。
導体レーザーの一端と電源との間にトランジスタを接続
し、該トランジスタの制御端子を増巾器の出力端に接続
するとともに、該増巾器の一方の入力に補償回路からの
補償出力電圧を印加し、半導体レーザーの他端に抵抗を
接続［，２、成牛２．９・体ｔ・−チーとｔｉｔ抗との
接続点を増１ｔＪ ’ｒ！：ｆの他方の入力端に接続す
ることにより、半導体レーザーの入出力特性のバラツキ
並びに周囲温度変動、電源電圧変動による影響全補償し
て半導体レーザーの出方を安定化した半導体レーザーの
駆動方式を提供しようどするものである。
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第２
図において、Ｅ ｔＪ：電源電池、ＳＷは電源スィッチ
、ＤＣは昇圧用のＤ Ｇ −１） Ｃコンバータである
０１１は電源電圧の変動及び半導体レーザーの順方同宿
ＩＪ：、の温度変動を除去するだめの回路であり、この
回路１１は演ｎ増１１Ｊ器ＯＰ１計ンンジｙ、 ｌ Ｔ
ｒｌ 、 ４導体レーザーＬＤ 、抵抗Ｒｔｏから成り
、後述する補償回路１２の補償出力電圧をよ演ｑ増巾器
ＯＰ１の非反転入力端に開力１ノされ、この矢１Ｔｊ％
ｒｌ：＋器ＯＰ工の出力端はトランジスタＴｒ１σ−
ビぐ一スＫ ＋ａ ｈｆ、している。このトランジスタ
Ｔｒｉのエミッタには半導体レーザーＬ Ｄのアノード
がｍ続１にこの半導体１・−チーＬＤのカン−ドは演算
増巾器０ＰＩ−の非反転入力端子に接続している。、ま
た、？１′導体レーザーＬ、 Ｄのカソードは該半導体
１−−リ゛ＬＤの順方同宿ｂｔｒ、を規制する抵抗１（
１０全升１−７てアー、スされている。１２１１：周ｖ
ｆｌ温度の変動及び人出力特性のバラツキを補償するだ
めの補償回路であり、この回路１２はコンバータＤＣ２
′ｆＭ、源スイッチＳＷを介して電源に接続している。
図において、Ｅ ｔＪ：電源電池、ＳＷは電源スィッチ
、ＤＣは昇圧用のＤ Ｇ −１） Ｃコンバータである
０１１は電源電圧の変動及び半導体レーザーの順方同宿
ＩＪ：、の温度変動を除去するだめの回路であり、この
回路１１は演ｎ増１１Ｊ器ＯＰ１計ンンジｙ、 ｌ Ｔ
ｒｌ 、 ４導体レーザーＬＤ 、抵抗Ｒｔｏから成り
、後述する補償回路１２の補償出力電圧をよ演ｑ増巾器
ＯＰ１の非反転入力端に開力１ノされ、この矢１Ｔｊ％
ｒｌ：＋器ＯＰ工の出力端はトランジスタＴｒ１σ−
ビぐ一スＫ ＋ａ ｈｆ、している。このトランジスタ
Ｔｒｉのエミッタには半導体レーザーＬ Ｄのアノード
がｍ続１にこの半導体１・−チーＬＤのカン−ドは演算
増巾器０ＰＩ−の非反転入力端子に接続している。、ま
た、？１′導体レーザーＬ、 Ｄのカソードは該半導体
１−−リ゛ＬＤの順方同宿ｂｔｒ、を規制する抵抗１（
１０全升１−７てアー、スされている。１２１１：周ｖ
ｆｌ温度の変動及び人出力特性のバラツキを補償するだ
めの補償回路であり、この回路１２はコンバータＤＣ２
′ｆＭ、源スイッチＳＷを介して電源に接続している。
この回路１２は定電圧電源ＲＩｉ Ｇ 、演算増巾器Ｏ
Ｐ２ 、サーミスタ１１Ｔ、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ１１、
可変抵抗ＲＶから成り、定ｍ圧電源ＲＥＧからの基準電
圧ＶＫは演算増巾器ＯＰ２の非反転入力端に印加され、
この演算増巾器ＯＰ２の出力ｔ」、演算増［１〕器ＯＰ
１の非反転入力端に印加さｉｌ、る。この演算増１〕器
ＯＰ２の出力端と反転入力端との間にｔよ抵抗ＲＩＩが
接続されている。
Ｐ２ 、サーミスタ１１Ｔ、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ１１、
可変抵抗ＲＶから成り、定ｍ圧電源ＲＥＧからの基準電
圧ＶＫは演算増巾器ＯＰ２の非反転入力端に印加され、
この演算増巾器ＯＰ２の出力ｔ」、演算増［１〕器ＯＰ
１の非反転入力端に印加さｉｌ、る。この演算増１〕器
ＯＰ２の出力端と反転入力端との間にｔよ抵抗ＲＩＩが
接続されている。
また抵抗Ｒ１１は抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２を直列に介して“
γ−スされている。抵抗Ｒ１には並列にサーミスタＲＴ
が接続さｔｌ、抵抗Ｒ１、■（２ト並列Ｋ ”Ｊ 夏抵
抗ＲＶが接続されている。１３は半導体レーザーＬＤの
出力を変計４するための回路であり、この回路１ろはコ
ンバータＤ０．１４源スイツチＳＷを介してｆＩｊ、ひ
ルに接続（１，て（・る。この回路１５はｌ・ランジス
タ１’ｒ２ 、”Ｊ、’ｒ３ 、９１ｚ抗Ｒ３、ｆ（４
、Ｒ５、発ｕＧ器ＯＳ Ｇから成り、との発振器Ｏ８Ｃ
の出力は抵抗Ｔ１５ｆ：介し７て１シンジスタＴｒ３の
ベースに接続している。このトランジスタＴｒ３のエミ
ッタはアースされ、コサレ、とのトランジスタＴｒ２の
エミッタは一７ンバｆｉ ＤＧ Ｉｃ ｆ？ｚ ｌｉさ
れ、コレクタｔよトランジスタ１゛ｒ１のコレクタに接
続されて成っていイ）。
γ−スされている。抵抗Ｒ１には並列にサーミスタＲＴ
が接続さｔｌ、抵抗Ｒ１、■（２ト並列Ｋ ”Ｊ 夏抵
抗ＲＶが接続されている。１３は半導体レーザーＬＤの
出力を変計４するための回路であり、この回路１ろはコ
ンバータＤ０．１４源スイツチＳＷを介してｆＩｊ、ひ
ルに接続（１，て（・る。この回路１５はｌ・ランジス
タ１’ｒ２ 、”Ｊ、’ｒ３ 、９１ｚ抗Ｒ３、ｆ（４
、Ｒ５、発ｕＧ器ＯＳ Ｇから成り、との発振器Ｏ８Ｃ
の出力は抵抗Ｔ１５ｆ：介し７て１シンジスタＴｒ３の
ベースに接続している。このトランジスタＴｒ３のエミ
ッタはアースされ、コサレ、とのトランジスタＴｒ２の
エミッタは一７ンバｆｉ ＤＧ Ｉｃ ｆ？ｚ ｌｉさ
れ、コレクタｔよトランジスタ１゛ｒ１のコレクタに接
続されて成っていイ）。
次にＪ二ｍ！２４”ｊ７成の動作について８ギ明すイ）
。
。
まず、ｉｉ＋： ７７、ススイッチＳＷを閉成す７）
ｙ、’＋Ｌｉσに電圧がコン、・・−タＤＣで昇圧され
て各回路に印加されろ。、とのため、発振器ＯＳ Ｃ□
）発振パＡスがトランジスタＴｒ３のベースに力［（え
らｉｔ、トランク、−フタＴｒ３け発４目パルスに応シ
てオンメツ′ＩＣきれる６、このトランジスクＴｒ３の
オンオフのタイミングに同ＪｔＪ］（−てトランジスタ
Ｔｒ２がオン刊）される３、これにより、半導体し チ
ーＬＤは１ラン・ジスタＴｒ：２ （７）オン（−７だ
際に通電さＪｌて発光すイ）とと（・７二なイ）４、と
の半導体レーザー、Ｌ Ｉ）の光出力１１次（′）よう
にし、で制御される３、 すｋ・わち、演Ｑ増［（」器ＯＰ２の非凡転入ツバ・１
．■には定′ｉｉＪ：Ｉ「ｉ′［シ紳ＢＥＧより生−１
゛る基準１．１°１圧ＶＫが印力１１され、抵抗Ｒ１１
と補償用抵抗群Ｒ１，８２，Ｒν、 Ｒ■どの接続点の
電位が演Ｊ’Ｉ増巾’Ａ’ｉ ０Ｐ２の反転大刀端子に
帰還さｈでいるので、該接続点の１ａ位は電圧Ｖにに固
定される。
ｙ、’＋Ｌｉσに電圧がコン、・・−タＤＣで昇圧され
て各回路に印加されろ。、とのため、発振器ＯＳ Ｃ□
）発振パＡスがトランジスタＴｒ３のベースに力［（え
らｉｔ、トランク、−フタＴｒ３け発４目パルスに応シ
てオンメツ′ＩＣきれる６、このトランジスクＴｒ３の
オンオフのタイミングに同ＪｔＪ］（−てトランジスタ
Ｔｒ２がオン刊）される３、これにより、半導体し チ
ーＬＤは１ラン・ジスタＴｒ：２ （７）オン（−７だ
際に通電さＪｌて発光すイ）とと（・７二なイ）４、と
の半導体レーザー、Ｌ Ｉ）の光出力１１次（′）よう
にし、で制御される３、 すｋ・わち、演Ｑ増［（」器ＯＰ２の非凡転入ツバ・１
．■には定′ｉｉＪ：Ｉ「ｉ′［シ紳ＢＥＧより生−１
゛る基準１．１°１圧ＶＫが印力１１され、抵抗Ｒ１１
と補償用抵抗群Ｒ１，８２，Ｒν、 Ｒ■どの接続点の
電位が演Ｊ’Ｉ増巾’Ａ’ｉ ０Ｐ２の反転大刀端子に
帰還さｈでいるので、該接続点の１ａ位は電圧Ｖにに固
定される。
故に補償用抵抗群をｂｉｌノしる電流により抵抗Ｒ１１
を介して演Ω増ＩＩＪ器ＯＰ２の出力が規制さ！ｔ、こ
の演算増ｒｌＪ器ＯＰ２の補償出力電圧が演算増巾器Ｏ
Ｐｔの反転入力に印加される。
を介して演Ω増ＩＩＪ器ＯＰ２の出力が規制さ！ｔ、こ
の演算増ｒｌＪ器ＯＰ２の補償出力電圧が演算増巾器Ｏ
Ｐｔの反転入力に印加される。
例えば周囲温度゛ｒｏの時、現−ミスタＲＴ、抵抗■（
］。
］。
Ｒ２よりなる温度補償用抵抗群の抵抗値をＲ（Ｔｏ）と
すると演算増巾器ＯＰ２の出力Ｖｏρ２はＲ１，ｔ
Ｈｔ ｔ ”” ” （１＋１（（’ｌ”ｏ）＋ｐ、−■” ）
ＶＫとなり半４体し−リ“−のハμ方向電流１＾０は次
の弐Ｒ１ｔ Ｒ１１ＶＫ ＝（１＋−献−荀１−■）稲 で規制される。
すると演算増巾器ＯＰ２の出力Ｖｏρ２はＲ１，ｔ
Ｈｔ ｔ ”” ” （１＋１（（’ｌ”ｏ）＋ｐ、−■” ）
ＶＫとなり半４体し−リ“−のハμ方向電流１＾０は次
の弐Ｒ１ｔ Ｒ１１ＶＫ ＝（１＋−献−荀１−■）稲 で規制される。
例えば周ｉ７Ｉ］温度がＴｌ、Ｔ２と変動した場合に半
導体レーザーＬＤの光出力を第１図に示すＬに安定化−
するには、半導体レーザーＬＤの願力向ｔＩＬ流がＩ
Ａ １．’ 、 Ｉ＾２になるように温度補償用抵抗ｆ
ｆＹの抵抗値を変えれば良い。
導体レーザーＬＤの光出力を第１図に示すＬに安定化−
するには、半導体レーザーＬＤの願力向ｔＩＬ流がＩ
Ａ １．’ 、 Ｉ＾２になるように温度補償用抵抗ｆ
ｆＹの抵抗値を変えれば良い。
また半導体レーザーＬ Ｄの入出力ｌＦｖ性にバラツキ
がある場合には、可変抵抗ＲＶを変えて順方向電流のレ
ベルを例えば１＾０から１ａｏへのシフトを行えば良い
。
がある場合には、可変抵抗ＲＶを変えて順方向電流のレ
ベルを例えば１＾０から１ａｏへのシフトを行えば良い
。
更に半導体１−一−ザ・−の光出力特性の温度変動を第
１図Ｑの如く補正しまたい場合には、対応するｌ１ｆｔ
力向電流を温度補償用抵抗群を介しで流せば良い。
１図Ｑの如く補正しまたい場合には、対応するｌ１ｆｔ
力向電流を温度補償用抵抗群を介しで流せば良い。
以」二の実施例において回路１２の温度補償用抵抗群の
接続例を第２図に示したが、本発明はこれに限定される
ことなく、第３図（ａ）、第ろ図（ｂ）、第６図（Ｃ）
の如く接続しても良いことは勿論である。
接続例を第２図に示したが、本発明はこれに限定される
ことなく、第３図（ａ）、第ろ図（ｂ）、第６図（Ｃ）
の如く接続しても良いことは勿論である。
第６図（ａ）は第２図の抵抗Ｒ２を省略した場合、第３
図（ｂ）は第２図の抵抗Ｒ２を省略し、抵抗Ｒ１と可変
抵抗ＲＶ１ｃ可変抵抗ＲＶｔで兼用させた場合、第６図
（Ｃ１は第２図の抵抗Ｒ２を可変抵抗に置換し、半導体
レーザーの入出力特性を丈に補償する場合である。
図（ｂ）は第２図の抵抗Ｒ２を省略し、抵抗Ｒ１と可変
抵抗ＲＶ１ｃ可変抵抗ＲＶｔで兼用させた場合、第６図
（Ｃ１は第２図の抵抗Ｒ２を可変抵抗に置換し、半導体
レーザーの入出力特性を丈に補償する場合である。
以上詳記したように本発明によれば、半導体し＋Ｊｌ−
の一端と電源との間にトランジスタを接続］〜、該トラ
ンジスタの制御端子を増ｒ１．＋器の出力端に接続する
とともに、該増巾器の一方の入力に補償回路からの補償
出力電圧を印加し、半導体レーザーの他端に抵抗を接続
し、該半導体レーザーと抵抗との接続点を増１↑Ｊ器の
他方の入力端に接続することにより簡単な回路構成で半
導体レーザーの入出力特性の規格にバラツキがあっても
、また周囲温度の変動や電源電圧の変動があっても、そ
れらの影響を除去し、常に所望の光出力を得ることが出
来る著しい効果を有するもので、半導体レーザーを安価
な携ｐｊｆ機器に使用できるようにしたものである。
の一端と電源との間にトランジスタを接続］〜、該トラ
ンジスタの制御端子を増ｒ１．＋器の出力端に接続する
とともに、該増巾器の一方の入力に補償回路からの補償
出力電圧を印加し、半導体レーザーの他端に抵抗を接続
し、該半導体レーザーと抵抗との接続点を増１↑Ｊ器の
他方の入力端に接続することにより簡単な回路構成で半
導体レーザーの入出力特性の規格にバラツキがあっても
、また周囲温度の変動や電源電圧の変動があっても、そ
れらの影響を除去し、常に所望の光出力を得ることが出
来る著しい効果を有するもので、半導体レーザーを安価
な携ｐｊｆ機器に使用できるようにしたものである。
第１図は半導体レーザーの順方向電流と光出力特性図、
第２図は本発明の一実施例を示す半導体レーザーの駆動
回路図、第６図（ａ）、第６図（ｂ）、第６図（Ｃ１は
それぞれ第２図の補償抵抗群の変形例を示し、第６図（
ａ）は第２図の抵抗Ｒ２を削除した図、第６図（ｂ）は
第２図の抵抗Ｒ２を削除し、抵抗Ｒ１と可変抵抗ＲＶを
可変抵抗ＲＶＩで兼用した図、Ｆに、 ３図（Ｃ１は第
２図の抵抗Ｒ２を可変抵抗１（Ｖ２にｊｉ＋７−換しｆ
−ト２Ｉの図でを）ろＯ Ｅ・・・・・電源、ＬＤ ・・・・・半導体ｖ −ｉ）
Ｔｒｉ・・・・ トランジスタ、ＯＰＩ、○Ｐ２・・・
・・ｉ’Ａ Ｊ’ｊ増中増巾ＥＧ−−−一定電圧を源＋
Ｒ１、Ｒ２、■（１０，Ｊ（１１ｓ−ｍ ｓ抵抗１１
（Ｔ・・・・ヤーミスタ、ＲＶ−・・”Ｊ 変１ｕ 払
出願人 キャノン株式会ネ−１ ト・（Ｌ、・・；・
第２図は本発明の一実施例を示す半導体レーザーの駆動
回路図、第６図（ａ）、第６図（ｂ）、第６図（Ｃ１は
それぞれ第２図の補償抵抗群の変形例を示し、第６図（
ａ）は第２図の抵抗Ｒ２を削除した図、第６図（ｂ）は
第２図の抵抗Ｒ２を削除し、抵抗Ｒ１と可変抵抗ＲＶを
可変抵抗ＲＶＩで兼用した図、Ｆに、 ３図（Ｃ１は第
２図の抵抗Ｒ２を可変抵抗１（Ｖ２にｊｉ＋７−換しｆ
−ト２Ｉの図でを）ろＯ Ｅ・・・・・電源、ＬＤ ・・・・・半導体ｖ −ｉ）
Ｔｒｉ・・・・ トランジスタ、ＯＰＩ、○Ｐ２・・・
・・ｉ’Ａ Ｊ’ｊ増中増巾ＥＧ−−−一定電圧を源＋
Ｒ１、Ｒ２、■（１０，Ｊ（１１ｓ−ｍ ｓ抵抗１１
（Ｔ・・・・ヤーミスタ、ＲＶ−・・”Ｊ 変１ｕ 払
出願人 キャノン株式会ネ−１ ト・（Ｌ、・・；・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （力牛導体レーザーの一端と電源との間にトランジスタ
を接続し、該トランジスタの制御端子を増巾器の出力端
に接続するとともに、該増巾器の一方の入力に補償回路
からの補償出力電圧を印加し７、半導体レーザーの他端
に抵抗を接続し、該半導体レーザーと抵抗との接続点全
増巾器の他方の入力端に接続することを特徴とする半導
体レーザーの駆動方式。 （２上記補償回路は第２の増巾器と、該第２の増ｒｌｊ
器の入出力端間に接続された抵抗並びに該抵抗に接続さ
れた補償用抵抗群から成ることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載の半導体レーザーの駆動方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15413282A JPS5943588A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体レ−ザ−の駆動方式 |
| US06/525,174 US4639924A (en) | 1982-09-03 | 1983-08-22 | Drive system for a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15413282A JPS5943588A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体レ−ザ−の駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943588A true JPS5943588A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15577590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15413282A Pending JPS5943588A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体レ−ザ−の駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943588A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183984A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ−ダイオ−ドの駆動装置 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15413282A patent/JPS5943588A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61183984A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ−ダイオ−ドの駆動装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5352973A (en) | Temperature compensation bandgap voltage reference and method | |
| US4099115A (en) | Constant-voltage regulated power supply | |
| US4965510A (en) | Integrated semiconductor circuit | |
| JPH09135531A (ja) | 負荷ポール安定化を有する電圧調整器 | |
| JPH0656571B2 (ja) | 温度補償付電圧基準回路 | |
| JPH0675247B2 (ja) | 空気流量検出装置 | |
| KR960011540B1 (ko) | 온도계수를 갖는 전원장치 | |
| US4227127A (en) | Motor speed control circuit having improved starting characteristics | |
| KR960002457B1 (ko) | 정전압회로 | |
| US4459574A (en) | Driving circuit for a coil | |
| JPS5943588A (ja) | 半導体レ−ザ−の駆動方式 | |
| US4345189A (en) | Motor rotation speed control circuit | |
| JPH027277B2 (ja) | ||
| JPS5953563B2 (ja) | 定電流源回路装置 | |
| US4614916A (en) | Circuit for transforming direct-current signals | |
| JP3243472B2 (ja) | 可変減衰器 | |
| JPS5930637Y2 (ja) | 温度補償を施したモ−タ−速度制御回路 | |
| US4596960A (en) | Current mirror circuit | |
| JPH04117019A (ja) | 発振回路 | |
| JPS5943587A (ja) | 半導体レ−ザ−の駆動方式 | |
| JPH08766Y2 (ja) | Ｌｅｄの温度補正回路 | |
| JPH11126875A (ja) | 定電圧発生装置 | |
| JPH02263217A (ja) | 電圧可変シャントレギュレータｉｃの負荷拡大回路 | |
| JPH0832157B2 (ja) | Ｄｃ−ｄｃコンバータ | |
| JPH0122288Y2 (ja) |