JP2003008349A - 温度補償用電圧発生回路及び発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】水晶振動子の周波数温度補償を高精度に制御可
能な温度補償用電圧発生回路を提供する。 【解決手段】温度補償用電圧発生回路は、補償電圧発生
回路が温度センサ回路と、第一のカレントミラー回路を
有する低温側補償電流発生回路と、第二のカレントミラ
ー回路を有する高温側補償電流発生回路とを備え、温度
センサ回路が温度変化に対して係数が負の一次関数的変
化をする電流信号を出力すると共に高低温側補償電流発
生回路に制御信号として供給するものであり、低温側補
償電流発生回路が前記第一のカレントミラー回路を構成
するトランジスタの非線形動作に基づき温度変化に対し
て指数関数的な電流信号を出力し、高温側補償電流発生
回路が前記第二のカレントミラー回路を構成するトラン
ジスタの非線形動作に基づき温度変化に対して逆指数的
変化の電流信号を出力し、三次関数電圧が前記制御信号
と指数関数的変化の電流信号及び逆指数関数的変化の電
流信号との和に基づく電圧信号であるので。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、補償電圧発生回路
及び発振器に関し、特に、ＩＣ化に適した温度補償型水
晶発振器及びそのための補償電圧発生回路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、小型移動体通信機器の基準信号発
振源等に用いられる温度補償水晶発振器用回路として
は、特開昭５５−１６３９０３号公報「クリスタル発振
器の温度補償回路」が知られている。この公報に記載さ
れた補償回路は、例えば、図６に示すように温度変化に
対応して３次曲線的に変動するATカット水晶振動子を用
いた発振器の周波数を温度補償するためのもので、図７
はそのためのブロック構成図である。図７に示される発
振器は、電圧制御型水晶発振器１０１の可変容量素子１
０２に分離用抵抗１０３を介して電圧発生回路１０４に
おいて作出した制御電圧を印加することによって温度補
償するものである。 【０００３】この電圧発生回路１０４は、図８に示すよ
うに温度変化に応じて一次関数的に変化する電圧を発生
する温度センサ１０５の出力を、高温側補償信号発生用
差動増幅器１０６、中間温度補償信号発生用差動増幅器
１０７、低温側補償信号発生用差動増幅器１０８夫々の
三つの差動増幅器に供給し、夫々の差動増幅器において
分担する温度領域で非直線関数的に変化する電流を発生
させ、これらを電流／電圧変換器１０９において合成す
ることによって、所望の全温度領域において水晶発振器
の周波数温度補償に必要な制御電圧を得るものである。 【０００４】図９は、前記電圧発生回路の具体的回路を
示したもので（前記公報の図３に相当）、回路の動作に
ついて当該公報には簡単に説明されているのみである
が、本発明の理解を助けるために回路構成とその動作原
理を詳細に説明する。図９に示す回路は、前記図７と同
一ブロックには同じ符号を付して説明すれば、基本的に
は、ほぼ同様の回路構成を有する三つの差動増幅器１０
６、１０７，１０８と、電流／電圧変換機能と合成機能
とを果たす三つのカレントミラー回路１１０，１１１，
１１２及び抵抗回路１１３と、基準電位（Vref）を設定
するための抵抗回路網１１４とから構成されている。前
記差動増幅器は、中温域補償用回路１０７を例に構成を
説明すると、図９に示すように、ダーリントン接続した
トランジスタ二組１１５，１１６と、それらの電流流出
端結合点と接地間に電流源として挿入したカレントミラ
ー回路１１７から構成されている。 【０００５】差動増幅器１０７の一方の入力端子には前
記基準電位設定回路網１１４の一端子からVref1 なる
基準電圧が、また、該差動増幅器１０７の他方入力端お
よび前記電流源１１７にはダイオードを４つ順方向接続
した温度センサ回路１０５からの電圧が供給され、更
に、差動増幅器の一方の差動分岐トランジスタ１１６の
コレクタと電源電圧Ｖｃｃ間には能動負荷回路としてカ
レントミラー回路１１０が挿入され、その出力が信号合
成回路のカレントミラー回路１１２に供給されている。
低温側補償用回路１０８（及び高温側補償用回路１０
６）も同様に、ダーリントン接続したトランジスタ二組
１１８，１１９（１２１、１２２）とそれらの電流流出
端結合点と接地間に電流源としてカレントミラー回路１
２０（１２３）から構成されている。 【０００６】なお、その他の詳細な構成については同公
報を読めば補い得るので省略する図１０は前記電圧発生
回路のなかから中間温度補償信号発生用差動増幅器１０
７の部分を抜き出したもので、この回路図を使用して動
作原理を説明する。同図１２に示すように、差動増幅器
１０７の基準電圧供給側（左側分岐）トランジスタ１１
５に流れる電流をＩＡ、温度センサ出力供給側（右側分
岐）トランジスタ１１６に流れる電流をＩＢとすれば、
差動増幅器１０７の二つの入力電圧がVref１＝ＶＳ１の
とき、両方の分岐トランジスタに流れる電流は等しくな
りこの電流をＩ０とする。 【０００７】一方、前記温度センサ１０５の温度・出力
電圧の関係は、周知のとおりダイオードの順方向電圧が
温度が低温になると大ききくなり、温度が上昇すると端
子電圧は小さくなるから、その関係は図８に示すように
なる。上記差動増幅器の入力の一方に、このように温度
に対応して変化する電圧を供給し、他方入力には温度に
対して変化しない一定電圧をVref１として供給している
ので、前記二つの分岐トランジスタに流れる電流ＩＡ，
ＩＢは温度に応じて変化することになる。 【０００８】図１１はこの様子を図示したものである。
先ず、温度センサ１０５から供給される電圧Vs1が前記
基準電圧Vref１に比べて大きい場合（低温度の場合）
は、基準電圧供給側（左側分岐）トランジスタ１１５に
流れる電流ＩＡは、温度センサ供給側（右側分岐）トラ
ンジスタ116に流れる電流より小さくなり、温度が上昇
するにつれて両者の差は小さくなって、前記温度センサ
１０５から供給される電圧Vs1と前記基準電圧Vref１と
が同一値のときに両者は等しくなる。更に、温度が上昇
し、温度センサ１０５から供給される電圧Vs1が前記基
準電圧Vref１に比べて低く（高温に）なると、基準電圧
供給側（左側分岐）トランジスタ１１５に流れる電流Ｉ
Ａは、温度センサ出力供給側（右側分岐）トランジスタ
１１６に流れる電流ＩＢより大きくなる。従って、両者
の電流値が等しいときに夫々のトランジスタに流れる電
流値をI0とすれば、両者の電流IA、IＢと温度センサ１
０５からの電圧（温度）との関係は図１１に示すように
なる。 【０００９】図７に示した回路は、図１１に示したよう
な差動増幅器の直流動作特性を利用して三次関数的に変
化する非直線関数信号を導出するもので、このような曲
線的に変化する信号を複数組み合わせ、所望の低温領
域、中温領域、高温領域において補償電流／電圧が発生
するよう、各差動増幅器に供給する基準電圧を設定する
ことによって、水晶発振器の周波数温度補償に必要な制
御電圧を得るものである。即ち、同公報（特開昭５５−
１６３９０３号）に示された図７、図９の回路では、上
記図１０に示し、且、動作を説明した差動増幅器１０７
に、更に、同様に構成した差動増幅器１０６、１０８を
加えた三つの差動増幅器を使用し、差動増幅器１０７に
よって中間温度領域を、差動増幅器１０６によって高温
度領域を、差動増幅器１０８によって低温度領域を夫々
分担し、各温度領域において水晶発振器の周波数を所望
の値に維持するために必要な制御電圧を作り、これらを
合成して水晶発振器の周波数制御素子、例えば可変容量
素子に供給するものである。 【００１０】同公報に示されている制御電圧は、図６の
ように温度／周波数特性を有する水晶発振器に対して、
低温領域では図１２に示す曲線を、中温領域では図１３
に示す曲線を、更に高温領域では図１４に示す曲線とな
るように、夫々の差動増幅器に供給する基準電圧と温度
センサ出力電圧の関係を設定したものである。なお、図
１２乃至図１４に示す曲線は、前記図１１に示したIAも
しくはIB曲線の一部に相当するものである。 【００１１】図１５は他の従来の回路を示す図で、特開
平９−５５６２４「温度補償水晶発振器」に開示された
ものであるが、この回路も、動作原理は上述の特開昭５
５−１６３９０３号公報記載のものと同様である。即
ち、図１５は同公報（図３）に開示された補償電圧発生
回路を示すもので、ＰチャンネルMOSFET２２０のソース
を電源電圧Vccラインに接続すると共に、ドレインを電
流源２２１を介して接地し、更に、FET２２０とカレン
トミラー接続したFET２２２〜２２７と、FET２２２〜２
２７と縦接続したFET２２８〜２３３とを備え、FET２２
８のソースとFET２３１のソース及びFET２３２のソース
とを抵抗２３４を介して接地すると共に、FET２２９の
ソースとFET２３０のソース及びFET２３３のソースとを
抵抗２３５を介して接地し、更に、FET２２２のソース
とFET２２３のソースとを抵抗２３６を介して接続し、F
ET２２４のソースとFET２２５のソースとを抵抗２３７
を介して接続し、FET２２６のソースとFET２２７のソー
スとを抵抗２３８を介して接続したものである。 【００１２】FET２２８のソース端が電流出力端子Iout
１であり、FET２３３のソース端が電流供給端子Iout2で
あり、端子Vinには温度センサ回路（図示省略）の出力
信号を供給し、更に、FET２２８、FET２３０、FET２３
２のゲートに印可される基準電圧VREF１、VREF２、VREF
３（差動増幅器の基準電圧）はVREF１＜VREF２＜VREF３
の関係にある。このような構成の制御電圧発生回路２０
０は、上述したとおりの差動増幅器の直流特性を利用す
ることにより温度変化に対して非直線関数的に変化する
電圧信号を出力するものである。なお、同公報には図
４、図５、図６等を使用して動作を説明しているが、温
度センサの出力電圧が温度上昇に応じて上昇する点を除
き、上述した特開昭５５−１６３９０３号記載の回路と
ほぼ同じであるので、詳細な説明は省略する。 【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来
の温度補償用電圧発生回路は、初期の回路設定では水晶
振動子の周波数温度特性によっては温度補償用電圧の曲
線的変化量の過不足により充分な温度補償が行えないと
きは、温度変化に対する温度センサー１０５の電圧信号
の変化量を再設定し、補償電圧の変化量を調整するのだ
が、この場合、温度センサー１０５の出力を直接に各温
度域補償回路に供給した構成であるので、例えば、低温
域の補償電圧を再調整すると、再調整する必要の無いそ
の他の低温域及び中温域の補償用電圧をも変化してしま
い、その結果、高精度の温度補償を行うに必要な温度補
償用電圧が得られない場合があった。本発明は水晶発振
器の上記諸問題を解決する為になされたものであって、
補償能力が高く、低消費電力型の水晶発振器を提供する
ことを目的としている。 【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明に係わる請求項１記載の発明は、水晶振動子と、
可変容量ダイオードと、前記水晶振動子の周波数温度特
性に応じて前記可変容量ダイオードの容量値を制御する
為の三次関数電圧を発生させる補償電圧発生回路とを備
えた水晶発振器に於いて、前記補償電圧発生回路が温度
センサ回路と、第一のカレントミラー回路を有する低温
側補償電流発生回路と、第二のカレントミラー回路を有
する高温側補償電流発生回路とを備え、前記温度センサ
回路が温度変化に対して係数が負の一次関数的変化をす
る温度情報信号を出力すると共に、該温度情報信号を前
記高低温側補償電流発生回路に制御信号として供給する
ものであり、前記低温側補償電流発生回路が前記第一の
カレントミラー回路を構成するトランジスタの非線形動
作に基づき温度変化に対して指数関数的な電流信号を出
力し、前記高温側補償電流発生回路が前記第二のカレン
トミラー回路を構成するトランジスタの非線形動作に基
づき温度変化に対して逆指数的変化の電流信号を出力
し、前記三次関数電圧が前記制御信号と前記指数関数的
変化の電流信号及び前記逆指数関数的変化の電流信号と
の和に基づく電圧信号であることを特徴とする。 【本発明の実施の形態】以下、図示した実施例に基づい
て本発明を詳細に説明する。図１は本発明に基づくＡＴ
カット水晶振動子の周波数を補償する為に用いられる温
度補償用電圧発生回路を示す回路図である。同図に示す
温度補償用電圧発生回路１は、温度センサー部２と、低
温側補償用電流発生回路３と、高温側補償用電流発生回
路４と、高温側補償用電流発生回路４を伝達する為のカ
レントミラー回路５とを備えたものである。 【００１３】温度センサー２は、電源電圧Vccラインに
抵抗６の一端を接続し、抵抗６の他端と接地との間に温
度センサー素子である例えば２つのダイオード７、８を
順方向に直列接続し、抵抗６とダイオード７との接続中
点を増幅回路９の入力端に接続したものである。低温側
補償用電流発生回路３は、電圧Vref1を基準電圧とした
非反転増幅回路１０を備え、トランジスタ１１のコレク
タとベースとを接続すると共に、トランジスタ１１とト
ランジスタ１２とでカレントミラー回路１３を構成し、
トランジスタ１１のエミッタとトランジスタ１２のエミ
ッタとをそれぞれ接地し、更に、非反転増幅回路１０の
出力端とトランジスタ１１のコレクタとを抵抗１４を介
して接続したものである。 【００１４】そして、非反転増幅回路１０を構成する差
動増幅器１５の非反転入力端子と増幅回路９との出力端
子とを接続する。高温側補償電圧発生回路４は，電圧Vr
ef2を基準電圧とした反転増幅回路１６を備え、トラン
ジスタ１７のコレクタとベースとを接続すると共に、ト
ランジスタ１７とトランジスタ１８とでカレントミラー
回路１９を構成し、トランジスタ１７のエミッタとトラ
ンジスタ１８のエミッタとをそれぞれ接地し、更に、反
転増幅回路１６の出力端とトランジスタ１７のコレクタ
とを抵抗２０を介して接続したものである。そして、非
反転増幅回路１６を構成する差動増幅器２１の反転入力
端子と増幅回路９との出力端子とを接続する。 【００１５】カレントミラー回路５は、pnp型のトラン
ジスタ２２のコレクタとベースとを接続すると共に、ト
ランジスタ２２とトランジスタ２３とでカレントミラー
構成し、トランジスタ２２のエミッタとトランジスタ２
３のエミッタとをそれぞれ電源電圧Vccラインに接続し
たものである。そして、トランジスタ２２のコレクタと
トランジスタ１９のコレクタとを接続し、トランジスタ
２３のコレクタとトランジスタ１２のコレクタとを接続
し、更に、トランジスタ１２のコレクタを抵抗２４を介
して増幅回路９の出力端に接続すると共に、電圧Vref3
を基準電圧とした非反転増幅回路２５の非反転入力端子
とトランジスタ１２のコレクタとを接続したものであ
る。 【００１６】このように構成した温度補償用電圧発生回
路１の動作について以下に説明する。先ず、一般にダイ
オード７、８の端子間電圧が温度上昇に対して１次関数
的に電圧降下する特性を有するものであるから、増幅回
路９から出力される温度センサー部２の温度情報は、図
２の実線Aで示すように温度上昇に対して電圧降下の特
性を呈する電圧信号となる。そして、図２に示すように
例えば、温度T1のときの温度センサー部２の出力電圧信
号をVfer1、温度T2のときの温度センサー部２の出力電
圧信号をVfer2として設定する。 【００１７】低温側補償用電流発生回路３は、環境温度
が先の温度T1以下となり、差動増幅器１５の非反転入力
端子に電圧Vfer1以上の電圧が供給された場合、図３
（ａ）に示す実線Bのように非反転増幅回路１０の出力
電圧が温度上昇に伴い電圧降下し、温度がT1以上の範囲
では約０Vを呈した出力特性となる。そして、トランジ
スタ１１がダイオード構造であるのでトランジスタ１１
のコレクタに上記実線Bの特性を呈した電圧信号が供給
されると、トランジスタ１１のコレクタ電流及びトラン
ジスタ１２のコレクタ電流Iは、ダイオードのI−V特性
から逆方向飽和電流Is、ダイオード端子間電圧Vd、電荷
素量q、ボルツマン係数k、絶対温度Tによって式I=Is(ex
p^(qVd/nkT)-1)にて表されるから、図３（ｂ）の実線ｃ
の如く温度T1に達するまで温度上昇に伴い逆指数的に低
下した出力電流特性となる。 【００１８】高温側補償用電流発生回路４は、環境温度
が先の温度T2以上となり、差動増幅器２１の反転入力端
子に電圧Vref2以下の電圧が供給された場合、図４
（ａ）に示す実線Dのように反転増幅回路１６の出力電
圧が温度上昇に伴い電圧上昇し、温度がT2以上の範囲で
は約０Vを呈した出力特性となる。トランジスタ１７が
ダイオード構造であるのでトランジスタ１７のコレクタ
に上記実線Dの特性を呈した電圧信号が供給されると、
トランジスタ１７、トランジスタ１８のコレクタ電流及
び、トランジスタ２３、２４のコレクタ電流Iは、上述
した通りダイオードのI‐V特性がI=Is(exp^(qVd/nkT)-1)
であるから、図４（ｂ）の実線Eの如く温度T2以上の範
囲で温度上昇に伴い指数的に増加した出力電流特性とな
る。 【００１９】そして、抵抗２４を介して増幅回路９から
供給される一次関数的減少特性を呈する電流信号I0、高
温用補償電流信号IE、低温用補償電流信号ICと、反転増
幅回路２５の反転入力端子に供給される電流I0'との関
係は、関係式I0'=IE+I0‐ICが成立する。従って、上述
した関係式と図３（ｂ）及び図４（ｂ）にて示した高低
温用補償電流の特性とから非反転増幅回路２５の反転入
力端子には、図５（ａ）の実線に示すような三次関数的
電流信号I0が供給されるので、この結果、非反転増幅回
路２６の出力端ＯＵＴには、水晶振動子の周波数温度特
性を補償するに必要な図５（ｂ）の実線に示すような三
次関数的電圧信号Voutが発生する。 【００２０】このように構成した温度補償用電圧発生回
路１は、例えば、低温側温度補償信号の変化率を調整す
る場合、非反転増幅回路１０の増幅率を変更し、また高
温側温度補償信号の変化率を調整する場合、反転増幅回
路１６の増幅率を変更すれば良いので、個々の温度範囲
毎にそれぞれ分離した温度補償回路の設定を行うことが
できる。また、各温度域毎の補償回路の主な構成要素
は、オペアンプとカレントミラー回路とであり、必要と
する回路構成が従来の構成要素とほぼ同じであるから回
路の大型化には至らない。 【００２１】更に、温度補償カーブを得る為に用いたト
ランジスタ１１、トランジスタ１７のベース・エミッタ
間で構成されるダイオードの順方向電流は、トランジス
タ１１のベース・エミッタ間電圧が閾値に達しても、コ
レクタに供給された電流に基づいて所要の変化特性を呈
するので、この特性に基づいて発生した温度補償電圧に
よれば水晶振動子の周波数温度特性を広い温度範囲をに
て補償することができる。 【００２２】即ち、例えば、ダイオード接続されたトラ
ンジスタのベース・エミッタ間電圧（ダイオード端子間
電圧）の場合、非直線的変化を呈するのは、ダイオード
の閾値電圧未満の範囲であり、ダイオード端子間電圧が
閾値に達すると、ダイオード端子間の順方向電流値を増
加させても閾値電圧（例えば0.6V）を超えることが無く
一定値を保つ。これに対して、ダイオード接続されたト
ランジスタのベース・エミッタ間（ダイオード）の順方
向電流の場合は、ダイオードの端子間電圧が閾値に達し
た以降に於いても、供給される順方向電流の増加に基づ
き所要の増加係数を持ち電流値が変化する。 【００２３】従って、この順方向電流を電圧変換して得
られた補償カーブは、ダイオードの閾値でんあつの値に
拘束されることが無いので、上述したダイオード端子間
電圧に基づいて得た補償カーブよりも広い温度範囲に亙
り変化特性が得られるそして上述した機能から、温度補
償用電圧発生回路１によれば、低温域、高温域、中温域
の各補償電圧をそれぞれ個別に調整することができるの
で広い温度範囲に亙り水晶振動子（水晶発振器）の周波
数温度特性を厳密に制御することが可能である。 【発明の効果】以上説明したように本発明に基づく温度
補償用電圧発生回路は、補償電圧発生回路が温度センサ
回路と、第一のカレントミラー回路を有する低温側補償
電流発生回路と、第二のカレントミラー回路を有する高
温側補償電流発生回路とを備え、温度センサ回路が温度
変化に対して係数が負の一次関数的変化をする電流信号
を出力すると共に高低温側補償電流発生回路に制御信号
として供給するものであり、低温側補償電流発生回路が
前記第一のカレントミラー回路を構成するトランジスタ
の非線形動作に基づき温度変化に対して指数関数的な電
流信号を出力し、高温側補償電流発生回路が前記第二の
カレントミラー回路を構成するトランジスタの非線形動
作に基づき温度変化に対して逆指数的変化の電流信号を
出力し、三次関数電圧が前記制御信号と指数関数的変化
の電流信号及び逆指数関数的変化の電流信号との和に基
づく電圧信号であるので。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明に基づく温度補償用電圧発生回路の一実
施例を示すものである。 【図２】本発明に基づく温度補償用電圧発生回路の温度
センサー部の出力特性を示すものである。 【図３】（ａ）本発明に基づく温度補償用電圧発生回路
の低温側温度補償用電流発生回路に備えた非反転増幅回
路の出力特性を示すものである。 （ｂ）本発明に基づく温度補償用電圧発生回路の低温側
温度補償用電流発生回路の出力電流特性を示すものであ
る。 【図４】（ａ）本発明に基づく温度補償用電圧発生回路
の高温側温度補償用電流発生回路に備えた反転増幅回路
の出力特性を示すものである。 （ｂ）本発明に基づく温度補償用電圧発生回路の高温側
温度補償用電流発生回路の出力電流特性を示すものであ
る。 【図５】（ａ）本発明に基づく温度補償用電圧発生回路
の合成電流の特性を示すものである。 （ｂ）本発明に基づく温度補償用電圧発生回路の出力電
圧特性を示すものである。 【図６】ＡＴカット水晶発振器の周波数温度特性例を示
す図。 【図７】従来の温度補償用型発振器のブロック構成を示
す図。 【図８】温度センサ出力の例を示す図。 【図９】従来の温度補償電圧発生回路の一例を示す回路
図。 【図１０】前記図９の動作を説明するための温度補償電
圧発生回路の部分的回路図。 【図１１】差動増幅器の直流特性を説明するための図で
ある。 【図１２】従来の温度補償回路の動作を説明する為の低
温領域の制御電流曲線を示す図。 【図１３】従来の温度補償回路の動作を説明する為の中
温度領域の制御電流曲線を示す図。 【図１４】従来の温度補償回路の動作を説明する為の高
温領域の制御電流曲線を示す図。 【図１５】従来の温度補償電圧発生回路の一例を示す回
路図。 【符号の説明】 １温度補償用電圧発生回路、２温度センサー部、３低温
側温度補償用電流発生回路、４高温側補償用電流発生回
路、５、１３、１９カレントミラー回路、６、１４、２
０、２４抵抗、７、８ダイオード、９増幅回路、１０非
反転増幅回路、１１、１２、１７、１８、２２、２３ト
ランジスタ、１５、２１差動増幅器、１６、２５反転増
幅回路、１００水晶発振器、１０１発振用トランジス
タ、１０２、１０４、１０５、１０８抵抗、１０３、１
０７、１０９容量、１０６水晶振動子

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】水晶振動子と、可変容量ダイオードと、前
   記水晶振動子の周波数温度特性に応じて前記可変容量ダ
   イオードの容量値を制御する為の三次関数電圧を発生さ
   せる補償電圧発生回路とを備えた水晶発振器に於いて、
   前記補償電圧発生回路が温度センサ回路と、第一のカレ
   ントミラー回路を有する低温側補償電流発生回路と、第
   二のカレントミラー回路を有する高温側補償電流発生回
   路とを備え、前記温度センサ回路が温度変化に対して係
   数が負の一次関数的変化をする温度情報信号を出力する
   と共に、該温度情報信号を前記高低温側補償電流発生回
   路に制御信号として供給するものであり、前記低温側補
   償電流発生回路が前記第一のカレントミラー回路を構成
   するトランジスタの非線形動作に基づき温度変化に対し
   て指数関数的な電流信号を出力し、前記高温側補償電流
   発生回路が前記第二のカレントミラー回路を構成するト
   ランジスタの非線形動作に基づき温度変化に対して逆指
   数的変化の電流信号を出力し、前記三次関数電圧が前記
   制御信号と前記指数関数的変化の電流信号及び前記逆指
   数関数的変化の電流信号との和に基づく電圧信号である
   ことを特徴とする水晶振動子。